JPH05121888A - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
- Publication number
- JPH05121888A JPH05121888A JP28169191A JP28169191A JPH05121888A JP H05121888 A JPH05121888 A JP H05121888A JP 28169191 A JP28169191 A JP 28169191A JP 28169191 A JP28169191 A JP 28169191A JP H05121888 A JPH05121888 A JP H05121888A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- frequency
- circuit
- circuit board
- frequency circuit
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はシールドを行うため回路基板をキャッ
プで覆う構成とされた高周波回路装置に関し、キャップ
に起因する共振周波数の悪影響を除去することを目的と
する。 【構成】高周波回路を構成する電子部品が配設された回
路基板3と、この回路基板3を覆うキャップ11とを設
けてなる高周波回路装置において、キャップ11に凹部
12(凸部でもよい)を形成することにより、キャップ
11の共振周波数を高周波回路の使用周波数帯域と異な
る周波数とした。
プで覆う構成とされた高周波回路装置に関し、キャップ
に起因する共振周波数の悪影響を除去することを目的と
する。 【構成】高周波回路を構成する電子部品が配設された回
路基板3と、この回路基板3を覆うキャップ11とを設
けてなる高周波回路装置において、キャップ11に凹部
12(凸部でもよい)を形成することにより、キャップ
11の共振周波数を高周波回路の使用周波数帯域と異な
る周波数とした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高周波回路装置に係り、
特にシールドを行うため回路基板をキャップで覆う構成
とされた高周波回路装置に関する。
特にシールドを行うため回路基板をキャップで覆う構成
とされた高周波回路装置に関する。
【0002】近年の電子装置の小型化に伴い、高周波回
路装置も益々ユニット化が進められており、高周波回路
装置である増幅器,発振器等が夫々独立に構成され、こ
れらをアセンブリして電子装置に組み込むことが行われ
ている。
路装置も益々ユニット化が進められており、高周波回路
装置である増幅器,発振器等が夫々独立に構成され、こ
れらをアセンブリして電子装置に組み込むことが行われ
ている。
【0003】従って、個々の高周波回路装置も小型化す
る傾向にあるが、小型化されてもケースの共振等に影響
を受けない高性能の高周波回路装置を実現することが重
要である。
る傾向にあるが、小型化されてもケースの共振等に影響
を受けない高性能の高周波回路装置を実現することが重
要である。
【0004】
【従来の技術】図4は、従来の高周波回路装置の一例と
して増幅器1を示している。同図に示す増幅器1は、携
帯用電話に組み込まれる増幅器であり、極めて小型形状
とされている。
して増幅器1を示している。同図に示す増幅器1は、携
帯用電話に組み込まれる増幅器であり、極めて小型形状
とされている。
【0005】この増幅器1は、放熱板2a,2b上に回
路基板3を設けたものであり、回路基板3上には高周波
増幅回路を構成する電子部品(抵抗,コンデンサー,ト
ランジスタ等)が配設されている。また、回路基板3よ
り側方に延出する4〜7は入出力端子であり、例えば端
子4は入力端子,端子5,6はバイアス端子,端子7は
出力端子である。また、回路基板3の上部には、この回
路基板3をシールドするためのキャップ8が取り付けら
れている。
路基板3を設けたものであり、回路基板3上には高周波
増幅回路を構成する電子部品(抵抗,コンデンサー,ト
ランジスタ等)が配設されている。また、回路基板3よ
り側方に延出する4〜7は入出力端子であり、例えば端
子4は入力端子,端子5,6はバイアス端子,端子7は
出力端子である。また、回路基板3の上部には、この回
路基板3をシールドするためのキャップ8が取り付けら
れている。
【0006】従来、このキャップ8は単に導電性金属板
を筺体状に折曲することにより形成されていた。このた
め、キャップ8を構成する上面及び側面は偏平な面とさ
れていた。
を筺体状に折曲することにより形成されていた。このた
め、キャップ8を構成する上面及び側面は偏平な面とさ
れていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記のような高周波信
号(例えば900MHz帯)を扱う増幅器1では、キャップ8
の共振周波数が問題となる。キャップ8の共振周波数が
増幅器1で扱う周波数帯域となると、信号特性劣化や効
率の低下が生じてしまう。
号(例えば900MHz帯)を扱う増幅器1では、キャップ8
の共振周波数が問題となる。キャップ8の共振周波数が
増幅器1で扱う周波数帯域となると、信号特性劣化や効
率の低下が生じてしまう。
【0008】このように、共振周波数が増幅器1に対し
て悪影響を及ぼすような場合は、従来のように比較的大
型で装置内に配設スペースの余裕のある高周波回路装置
の場合には、電波吸収体を設けて対処していた。
て悪影響を及ぼすような場合は、従来のように比較的大
型で装置内に配設スペースの余裕のある高周波回路装置
の場合には、電波吸収体を設けて対処していた。
【0009】しかるに、上記のように小型化された増幅
器1では、装置内に電波吸収体を設ける空間的余裕はな
く、かつ小型化に伴い共振周波数は高くなり、増幅器1
が扱う周波数帯域内に入ってくる場合がある。よって、
キャップ8の共振周波数は、装置の小型化に伴い、装置
の特性に対し悪影響を及ぼす重要な問題点となってきて
いる。
器1では、装置内に電波吸収体を設ける空間的余裕はな
く、かつ小型化に伴い共振周波数は高くなり、増幅器1
が扱う周波数帯域内に入ってくる場合がある。よって、
キャップ8の共振周波数は、装置の小型化に伴い、装置
の特性に対し悪影響を及ぼす重要な問題点となってきて
いる。
【0010】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、キャップに起因する共振周波数の悪影響を除去し
得る高周波回路装置を提供することを目的とする。
あり、キャップに起因する共振周波数の悪影響を除去し
得る高周波回路装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、高周波回路を構成する電子部品が配設
された回路基板と、この回路基板を覆うキャップとを設
けてなる高周波回路装置において、上記キャップに凹部
又は凸部を形成することにより、キャップの共振周波数
を高周波回路の使用周波数帯域と異なる周波数としたこ
とを特徴とする。
に、本発明では、高周波回路を構成する電子部品が配設
された回路基板と、この回路基板を覆うキャップとを設
けてなる高周波回路装置において、上記キャップに凹部
又は凸部を形成することにより、キャップの共振周波数
を高周波回路の使用周波数帯域と異なる周波数としたこ
とを特徴とする。
【0012】
【作用】高周波回路装置を上記構成とすることにより、
装置の特性に悪影響を及ぼすキャップの共振周波数を高
周波回路の使用周波数帯域と異なる周波数とすることが
できるため、キャップに起因した装置特性の劣化を防止
することができる。
装置の特性に悪影響を及ぼすキャップの共振周波数を高
周波回路の使用周波数帯域と異なる周波数とすることが
できるため、キャップに起因した装置特性の劣化を防止
することができる。
【0013】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図1は本発明の第1実施例である高周波回路装置
の外観図であり、図2は図1におけるA−A線に沿う断
面図である。尚、本実施例では高周波回路装置として増
幅器10を例に挙げて説明すると共に、先に図4を用い
て説明した従来の増幅器1と同一構成部分については同
一符号を付して説明する。
する。図1は本発明の第1実施例である高周波回路装置
の外観図であり、図2は図1におけるA−A線に沿う断
面図である。尚、本実施例では高周波回路装置として増
幅器10を例に挙げて説明すると共に、先に図4を用い
て説明した従来の増幅器1と同一構成部分については同
一符号を付して説明する。
【0014】増幅器10は、放熱板2a,2b上に回路
基板3を設けており、回路基板3上には例えば900MHzの
高周波帯域の信号を扱う高周波増幅回路が形成されてい
る。この高周波増幅回路は、多数の電子部品(抵抗,コ
ンデンサー,トランジスタ等)により構成されている。
また、回路基板3より側方に延出する4〜7は入出力端
子であり、例えば端子4は入力端子,端子5,6はバイ
アス端子,端子7は出力端子である。
基板3を設けており、回路基板3上には例えば900MHzの
高周波帯域の信号を扱う高周波増幅回路が形成されてい
る。この高周波増幅回路は、多数の電子部品(抵抗,コ
ンデンサー,トランジスタ等)により構成されている。
また、回路基板3より側方に延出する4〜7は入出力端
子であり、例えば端子4は入力端子,端子5,6はバイ
アス端子,端子7は出力端子である。
【0015】また、回路基板3の上部には、本発明の要
部となるキャップ11が取り付けられている。このキャ
ップ11は、回路基板3の下部に配設された放熱板2
a,2bと協働して回路基板3をシールドする機能を奏
すると共に、共振周波数を低減させる機構が設けられて
いる。以下、キャップ11の具体的構成について説明す
る。
部となるキャップ11が取り付けられている。このキャ
ップ11は、回路基板3の下部に配設された放熱板2
a,2bと協働して回路基板3をシールドする機能を奏
すると共に、共振周波数を低減させる機構が設けられて
いる。以下、キャップ11の具体的構成について説明す
る。
【0016】キャップ11は、平板状の導電性金属板を
筺体状にプレス加工することにより形成されており、上
面11a及び側面11b〜11eとにより構成されてい
る。本発明では、このキャップ11に凹部12を形成し
たことを特徴とする。この凹部12は、上面11aに複
数本、略平行となるよう形成されている。この複数の凹
部12は、上記プレス加工時に同時に形成されるため、
凹部12を形成するに際し、困難を伴うものではない。
筺体状にプレス加工することにより形成されており、上
面11a及び側面11b〜11eとにより構成されてい
る。本発明では、このキャップ11に凹部12を形成し
たことを特徴とする。この凹部12は、上面11aに複
数本、略平行となるよう形成されている。この複数の凹
部12は、上記プレス加工時に同時に形成されるため、
凹部12を形成するに際し、困難を伴うものではない。
【0017】上記のように、キャップ11に凹部12を
形成することにより、キャップ11の実質的な表面積は
広くなり、これに伴いキャップ11の共振周波数は低い
値となり、キャップ11の共振周波数を高周波回路の使
用周波数帯域と異なる周波数とすることができる。従っ
て、回路基板3に配設される高周波増幅回路の使用周波
数帯域と異なる共振周波数となるように凹部12を形成
することにより、電波吸収体を設けることなく、信号特
性の劣化や効率の低下を防止することができる。
形成することにより、キャップ11の実質的な表面積は
広くなり、これに伴いキャップ11の共振周波数は低い
値となり、キャップ11の共振周波数を高周波回路の使
用周波数帯域と異なる周波数とすることができる。従っ
て、回路基板3に配設される高周波増幅回路の使用周波
数帯域と異なる共振周波数となるように凹部12を形成
することにより、電波吸収体を設けることなく、信号特
性の劣化や効率の低下を防止することができる。
【0018】また、共振周波数の調整は、凹部12の深
さ,幅,長さを変化させることにより、容易に調整する
ことができるため、あらゆる高周波帯域の信号を扱う高
周波増幅回路に対して容易に適応させることができる。
さ,幅,長さを変化させることにより、容易に調整する
ことができるため、あらゆる高周波帯域の信号を扱う高
周波増幅回路に対して容易に適応させることができる。
【0019】図3は本発明の第2実施例である増幅器2
0を示している。尚、同図において図1及び図2を用い
て説明した増幅器10と同一構成部分については同一符
号を付してその説明を省略する。
0を示している。尚、同図において図1及び図2を用い
て説明した増幅器10と同一構成部分については同一符
号を付してその説明を省略する。
【0020】一般にユニット化された高周波回路装置の
キャップには、型番等が刻設されている。本実施例に係
る増幅器20では、この刻設される型番21の形状、及
び刻設される文字の深さ等を適宜選定することにより、
キャップ22の共振周波数を高周波回路の使用周波数帯
域と異なる周波数としたことを特徴とするものである。
この構成とすることにより、第1実施例と異なり、型番
21と別個に共振周波数を低減させるための凹部は不要
となり、キャップ22を容易に形成できると共に、外観
を良好とすることができる。
キャップには、型番等が刻設されている。本実施例に係
る増幅器20では、この刻設される型番21の形状、及
び刻設される文字の深さ等を適宜選定することにより、
キャップ22の共振周波数を高周波回路の使用周波数帯
域と異なる周波数としたことを特徴とするものである。
この構成とすることにより、第1実施例と異なり、型番
21と別個に共振周波数を低減させるための凹部は不要
となり、キャップ22を容易に形成できると共に、外観
を良好とすることができる。
【0021】尚、上記した実施例ではキャップに凹部を
形成することにより共振周波数を低下させる構成とした
が、キャップに凸部を設けることによってもキャップの
表面積は広がり共振周波数を低下させることができる。
また、凹部と凸部とを共に形成した構成としてもよく、
またその形成位置はキャップの上面に限定されるもので
はなく、側面に形成した構成としてもよい。
形成することにより共振周波数を低下させる構成とした
が、キャップに凸部を設けることによってもキャップの
表面積は広がり共振周波数を低下させることができる。
また、凹部と凸部とを共に形成した構成としてもよく、
またその形成位置はキャップの上面に限定されるもので
はなく、側面に形成した構成としてもよい。
【0022】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、装置の特性
に悪影響を及ぼすキャップの共振周波数を高周波回路の
使用周波数帯域と異なる周波数とすることができるた
め、キャップに起因した装置特性の劣化を防止すること
ができる等の特長を有する。
に悪影響を及ぼすキャップの共振周波数を高周波回路の
使用周波数帯域と異なる周波数とすることができるた
め、キャップに起因した装置特性の劣化を防止すること
ができる等の特長を有する。
【図1】本発明の第1実施例である高周波回路装置の外
観図である。
観図である。
【図2】図1におけるA−A線に沿う断面図である。
【図3】本発明の第2実施例である高周波回路装置の外
観図である。
観図である。
【図4】従来における高周波回路装置の一例を示す外観
図である。
図である。
2a,2b 放熱板 3 回路基板 4〜7 端子 10,20 増幅器 11,22 キャップ 11a 上面 11b〜11e 側面 12 凹部 21 型番
Claims (1)
- 【請求項1】 高周波回路を構成する電子部品が配設さ
れた回路基板(3)と、該回路基板(3)を覆うキャッ
プ(11,22)とを設けてなる高周波回路装置におい
て、 該キャップ(11,22)に凹部又は凸部(12,2
1)を形成することにより、該キャップ(11,22)
の共振周波数を該高周波回路の使用周波数帯域と異なる
周波数としたことを特徴とする高周波回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28169191A JPH05121888A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28169191A JPH05121888A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 高周波回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05121888A true JPH05121888A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17642641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28169191A Withdrawn JPH05121888A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05121888A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6977620B2 (en) | 2003-11-14 | 2005-12-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency package |
US7888797B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency package device with internal space having a resonant frequency offset from frequency used |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP28169191A patent/JPH05121888A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6977620B2 (en) | 2003-11-14 | 2005-12-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency package |
US7888797B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High frequency package device with internal space having a resonant frequency offset from frequency used |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |