JPH05121769A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH05121769A JPH05121769A JP3283129A JP28312991A JPH05121769A JP H05121769 A JPH05121769 A JP H05121769A JP 3283129 A JP3283129 A JP 3283129A JP 28312991 A JP28312991 A JP 28312991A JP H05121769 A JPH05121769 A JP H05121769A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光起電力装置で使用されている透明導電膜と
高光反射金属膜との積層体からなる電極で、その透明導
電膜に含まれる酸素に基づく高光反射金属膜の酸化を防
止することにある。 【構成】 透明導電膜(4t)と高光反射金属膜(4m)との間
に、膜厚が１０Å以上１００Å以下の、膜中にクロムを
含有する酸化防止用金属(4a)を、あるいは、その膜厚
の、白金又は、白金を含有する金属を酸化防止用金属(4
a)として介在させたことにある。
高光反射金属膜との積層体からなる電極で、その透明導
電膜に含まれる酸素に基づく高光反射金属膜の酸化を防
止することにある。 【構成】 透明導電膜(4t)と高光反射金属膜(4m)との間
に、膜厚が１０Å以上１００Å以下の、膜中にクロムを
含有する酸化防止用金属(4a)を、あるいは、その膜厚
の、白金又は、白金を含有する金属を酸化防止用金属(4
a)として介在させたことにある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入射光を有効に利用す
るために透明導電膜と高光反射金属膜とで構成された電
極を具備する光起電力装置に関する。
るために透明導電膜と高光反射金属膜とで構成された電
極を具備する光起電力装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光電変換層に非晶質半導体を使用
した光起電力装置の開発が活発に行われている。とりわ
け、非晶質半導体としてシリコンを使用するものは、製
造方法が簡便で且つ大面積のものを形成することができ
ることから、最も広く普及している。
した光起電力装置の開発が活発に行われている。とりわ
け、非晶質半導体としてシリコンを使用するものは、製
造方法が簡便で且つ大面積のものを形成することができ
ることから、最も広く普及している。
【０００３】然し乍ら、現在の商用電力に対抗するため
には、製造コストの低減と装置自体の更なる特性向上が
不可欠である。
には、製造コストの低減と装置自体の更なる特性向上が
不可欠である。
【０００４】図４は、従来の非晶質シリコンを使用した
光起電力装置の素子構造図である。図中の(41)はガラス
などからなる透光性絶縁基板、(42)は光入射側に配置さ
れた透明導電膜からなる第１電極、(43)は光電変換層
で、具体的にはｐ型非晶質シリコンカーバイド(43p)と
ｉ型非晶質シリコン(43i)とｎ型非晶質シリコン(43n)と
の積層体からなる。(44)は本装置の背面電極となる第２
電極で、ＩＴＯ（酸化インジュウム錫）や酸化亜鉛など
からなる透明導電膜(44t)と銀、アルミニューム、銅な
どの高光反射金属膜(44m)とからなる。
光起電力装置の素子構造図である。図中の(41)はガラス
などからなる透光性絶縁基板、(42)は光入射側に配置さ
れた透明導電膜からなる第１電極、(43)は光電変換層
で、具体的にはｐ型非晶質シリコンカーバイド(43p)と
ｉ型非晶質シリコン(43i)とｎ型非晶質シリコン(43n)と
の積層体からなる。(44)は本装置の背面電極となる第２
電極で、ＩＴＯ（酸化インジュウム錫）や酸化亜鉛など
からなる透明導電膜(44t)と銀、アルミニューム、銅な
どの高光反射金属膜(44m)とからなる。
【０００５】斯る素子構造の特徴とするところは、光入
射側から見て背面側となる電極、即ち第２電極(44)の構
成を、透明導電膜(44t)と高光反射金属膜(44m)との積層
体としていることである。
射側から見て背面側となる電極、即ち第２電極(44)の構
成を、透明導電膜(44t)と高光反射金属膜(44m)との積層
体としていることである。
【０００６】斯る構造を採用する理由は、入射した光を
可能な限り光起電力装置内で吸収させようとするためで
ある。つまり、光起電力装置では入射して来た光(l)は
光電変換層(43)を一度通過するだけでは完全には吸収さ
れず、特に長波長光にあっては不十分な吸収となる。
可能な限り光起電力装置内で吸収させようとするためで
ある。つまり、光起電力装置では入射して来た光(l)は
光電変換層(43)を一度通過するだけでは完全には吸収さ
れず、特に長波長光にあっては不十分な吸収となる。
【０００７】そこで、非晶質半導体層からなる光電変換
層(43)と被着形成される高光反射金属膜(44m)との間
に、透明導電膜(44t)を介させることによって、光電変
換層(43)を透過し高光反射金属膜(44m)にまで到達した
光を効率よく反射させ、再度光電変換層(43)内に入射さ
せるのである。
層(43)と被着形成される高光反射金属膜(44m)との間
に、透明導電膜(44t)を介させることによって、光電変
換層(43)を透過し高光反射金属膜(44m)にまで到達した
光を効率よく反射させ、再度光電変換層(43)内に入射さ
せるのである。
【０００８】斯る素子構造に関しては、たとえば特公昭
６０−４１８７８号に詳細に記載されている。
６０−４１８７８号に詳細に記載されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高光反
射金属膜は、酸化され易いという性質を有しているた
め、光電変換層(43)と高光反射金属膜(44m)との間に透
明導電膜(44t)を介在させると、銀、アルミニューウム
や銅などの高光反射金属膜(44m)は、透明導電膜(44t)中
の酸素によって酸化されてしまう。
射金属膜は、酸化され易いという性質を有しているた
め、光電変換層(43)と高光反射金属膜(44m)との間に透
明導電膜(44t)を介在させると、銀、アルミニューウム
や銅などの高光反射金属膜(44m)は、透明導電膜(44t)中
の酸素によって酸化されてしまう。
【００１０】この結果、高光反射金属膜(44m)と透明導
電膜(44t)との界面が変質し、高光反射金属膜(44m)の表
面での効率的な光反射ができなくなってしまう。
電膜(44t)との界面が変質し、高光反射金属膜(44m)の表
面での効率的な光反射ができなくなってしまう。
【００１１】特に、この酸化は光起電力装置の特性劣化
の要因となる。
の要因となる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明光起電力装置の特
徴とするところは、基板上に、透光性を有する第１電極
と、非晶質半導体から成る光電変換層と、透明導電膜と
高光反射金属膜とから成る第２電極とをこの順序で積層
形成してなる光起電力装置に於て、この透明導電膜とそ
の高光反射金属膜との間に、膜厚が１０Å以上１００Å
以下で、膜中にクロムを含有する鋼から成る酸化防止用
金属を介在せしめたことにあり、又その透明導電膜とそ
の高光反射金属膜との間に膜厚が１０Å以上１００Å以
下の白金、又は白金を含有する金属を酸化防止用金属と
して介在せしめたことにある。
徴とするところは、基板上に、透光性を有する第１電極
と、非晶質半導体から成る光電変換層と、透明導電膜と
高光反射金属膜とから成る第２電極とをこの順序で積層
形成してなる光起電力装置に於て、この透明導電膜とそ
の高光反射金属膜との間に、膜厚が１０Å以上１００Å
以下で、膜中にクロムを含有する鋼から成る酸化防止用
金属を介在せしめたことにあり、又その透明導電膜とそ
の高光反射金属膜との間に膜厚が１０Å以上１００Å以
下の白金、又は白金を含有する金属を酸化防止用金属と
して介在せしめたことにある。
【００１３】更に、本発明光起電力装置の特徴とすると
ころは、基板上に、高光反射金属膜と透明導電膜とから
成る第２電極と、非晶質半導体から成る光電変換層と、
透光性を有する第１電極とをこの順序で積層形成してな
る光起電力装置に於て、この高光反射金属膜とその透明
導電膜との間に、膜厚が１０Å以上１００Å以下で、膜
中にクロムを含有する鋼から成る酸化防止用金属を介在
せしめたことにあり、又その透明導電膜とその高光反射
金属膜との間に膜厚が１０Å以上１００Å以下の白金、
又は白金を含有する金属を酸化防止用金属として介在せ
しめたことにある。
ころは、基板上に、高光反射金属膜と透明導電膜とから
成る第２電極と、非晶質半導体から成る光電変換層と、
透光性を有する第１電極とをこの順序で積層形成してな
る光起電力装置に於て、この高光反射金属膜とその透明
導電膜との間に、膜厚が１０Å以上１００Å以下で、膜
中にクロムを含有する鋼から成る酸化防止用金属を介在
せしめたことにあり、又その透明導電膜とその高光反射
金属膜との間に膜厚が１０Å以上１００Å以下の白金、
又は白金を含有する金属を酸化防止用金属として介在せ
しめたことにある。
【００１４】
【作用】第２電極として、透明導電膜と高光反射金属膜
との間に、クロムを含有する鋼から成る酸化防止用金属
を介在させることにより、その高光反射金属膜は透明導
電膜中に含まれる酸素によっては酸化されにくくなり、
光起電力装置を長期に渡って高い信頼性を保持させるこ
とができる。
との間に、クロムを含有する鋼から成る酸化防止用金属
を介在させることにより、その高光反射金属膜は透明導
電膜中に含まれる酸素によっては酸化されにくくなり、
光起電力装置を長期に渡って高い信頼性を保持させるこ
とができる。
【００１５】斯る作用は、白金や、白金を含有する金属
であっても全く同様である。
であっても全く同様である。
【００１６】更に、この酸化防止用金属の膜厚を１０Å
以上１００Å以下とすることにより、酸化防止用金属自
体による光反射が防止し得、本来の高光反射金属膜自体
の光反射による効果を損なわず、且つ酸化防止用金属を
介在せしめたことによる特性劣化をも生じさせない。
以上１００Å以下とすることにより、酸化防止用金属自
体による光反射が防止し得、本来の高光反射金属膜自体
の光反射による効果を損なわず、且つ酸化防止用金属を
介在せしめたことによる特性劣化をも生じさせない。
【００１７】
【実施例】図１は、本発明光起電力装置の第１の実施例
を説明するための素子構造図である。図中の(1)はガラ
ス、石英などからなる透光性絶縁基板、(2)は酸化イン
ジュウム錫、酸化錫、酸化亜鉛などからなる透明導電
膜、実施例では５０００Åの酸化錫を使用した。(3)は
従来周知のプラズマＣＶＤ法によって形成された非晶質
シリコンからなる光電変換層で、この光電変換層(3)は
従来例と同様にｐ型非晶質シリコンカーバイド(3p)とｉ
型非晶質シリコン(3i)とｎ型非晶質シリコン(3n)との三
層構造からなる。尚、これら各層の代表的な形成条件を
表１に示す。
を説明するための素子構造図である。図中の(1)はガラ
ス、石英などからなる透光性絶縁基板、(2)は酸化イン
ジュウム錫、酸化錫、酸化亜鉛などからなる透明導電
膜、実施例では５０００Åの酸化錫を使用した。(3)は
従来周知のプラズマＣＶＤ法によって形成された非晶質
シリコンからなる光電変換層で、この光電変換層(3)は
従来例と同様にｐ型非晶質シリコンカーバイド(3p)とｉ
型非晶質シリコン(3i)とｎ型非晶質シリコン(3n)との三
層構造からなる。尚、これら各層の代表的な形成条件を
表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】(4)は本装置の背面電極となる第２電極
で、ＩＴＯ（酸化インジュウム錫）や酸化亜鉛などから
なる透明導電膜(4t)と、本発明の特徴である酸化防止用
金属(4a)と、銀、アルミニューム、銅などの高光反射金
属膜(4m)との積層構造からなる。
で、ＩＴＯ（酸化インジュウム錫）や酸化亜鉛などから
なる透明導電膜(4t)と、本発明の特徴である酸化防止用
金属(4a)と、銀、アルミニューム、銅などの高光反射金
属膜(4m)との積層構造からなる。
【００２０】本装置によれば、光(l)は、透光性絶縁基
板(1)の側から入射し透明導電膜(2)を通過した後光電変
換層(3)内で吸収されるが、その際に吸収されなかった
光は、高光反射金属膜(4m)の表面に達した後、その表面
で反射されることとなる。
板(1)の側から入射し透明導電膜(2)を通過した後光電変
換層(3)内で吸収されるが、その際に吸収されなかった
光は、高光反射金属膜(4m)の表面に達した後、その表面
で反射されることとなる。
【００２１】特に、実施例にあっては、酸化防止用金属
(4a)として、クロムを含有する膜厚５０Åのステンレス
３０４（Ｆｅ；７０〜７６％，Ｎｉ；８〜１０％，Ｃ
ｒ；１８〜２０％のステンレス鋼）を使用した場合（実
施例イ）と、膜厚５０Åの白金を使用した場合（実施例
ロ）との２つについて説明する。
(4a)として、クロムを含有する膜厚５０Åのステンレス
３０４（Ｆｅ；７０〜７６％，Ｎｉ；８〜１０％，Ｃ
ｒ；１８〜２０％のステンレス鋼）を使用した場合（実
施例イ）と、膜厚５０Åの白金を使用した場合（実施例
ロ）との２つについて説明する。
【００２２】尚、第２電極の透明導電膜(4t)としては、
膜厚５００Åの酸化イジュウム錫を、高光反射金属膜(4
m)としては５０００Åの銀を夫々採用する。尚、第２電
極として使用される全ての膜は従来周知のスパッタ法で
膜形成を行った。
膜厚５００Åの酸化イジュウム錫を、高光反射金属膜(4
m)としては５０００Åの銀を夫々採用する。尚、第２電
極として使用される全ての膜は従来周知のスパッタ法で
膜形成を行った。
【００２３】次に、本発明光起電力装置の電気的特性に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２４】
【表２】
【００２５】表２は、実施例イ及びロの光起電力装置の
初期特性を示している。同表には従来の光起電力装置、
即ち実施例のものと比較して酸化防止用金属(4a)を介在
させていないことのみが異なり、他の条件はすべて同一
としたものについても同時に示している。
初期特性を示している。同表には従来の光起電力装置、
即ち実施例のものと比較して酸化防止用金属(4a)を介在
させていないことのみが異なり、他の条件はすべて同一
としたものについても同時に示している。
【００２６】同表から分かるように、その初期特性にあ
っては本発明実施例は従来のものと比べてほとんど遜色
がなく総合的な評価値となる変換効率を見てもいずれも
１０．５％以上の良好な特性が得られている。
っては本発明実施例は従来のものと比べてほとんど遜色
がなく総合的な評価値となる変換効率を見てもいずれも
１０．５％以上の良好な特性が得られている。
【００２７】次に、これら光起電力装置（実施例イ、ロ
及び従来例）を通常の使用状態に相当する条件（温度７
０℃一定、２ケ月間放置）にさらした後、それぞれの電
気的特性について評価した（表３）。
及び従来例）を通常の使用状態に相当する条件（温度７
０℃一定、２ケ月間放置）にさらした後、それぞれの電
気的特性について評価した（表３）。
【００２８】
【表３】
【００２９】同表によれば、従来例光起電力装置におい
ては短絡電流及び曲線因子の低下が生じ、変換効率とし
ては初期の１０．５４％から９．８２％へと約７％もの
特性低下を示している。一方、実施例光起電力装置にあ
っては、いずれも１０．３％以上の高い変換効率を保っ
たままの状態であり、本発明の酸化防止用金属を使用し
たことによる効果が極めて大きいものであることが分か
る。
ては短絡電流及び曲線因子の低下が生じ、変換効率とし
ては初期の１０．５４％から９．８２％へと約７％もの
特性低下を示している。一方、実施例光起電力装置にあ
っては、いずれも１０．３％以上の高い変換効率を保っ
たままの状態であり、本発明の酸化防止用金属を使用し
たことによる効果が極めて大きいものであることが分か
る。
【００３０】次に、本発明を実施するに当って重要なパ
ラメータとなる酸化防止用金属の膜厚と、電気的特性と
の関係について詳述する。
ラメータとなる酸化防止用金属の膜厚と、電気的特性と
の関係について詳述する。
【００３１】図２は、実施例イにおいて使用した酸化防
止用金属であるステンレス３０４の膜厚を変化させた場
合の変換効率の変化を示している。なお、本特性で使用
した光起電力装置は、前述した条件（温度７０℃一定、
２ケ月間放置）にさらしたもので評価した。このような
環境にさらした後の特性で評価したのは、本来光起電力
装置を市場に出す場合にあっては、通常エージングとい
う試験を経た後に出荷されることから、特性の評価に当
っては、このエージング後の特性で行うのが相当である
からである。
止用金属であるステンレス３０４の膜厚を変化させた場
合の変換効率の変化を示している。なお、本特性で使用
した光起電力装置は、前述した条件（温度７０℃一定、
２ケ月間放置）にさらしたもので評価した。このような
環境にさらした後の特性で評価したのは、本来光起電力
装置を市場に出す場合にあっては、通常エージングとい
う試験を経た後に出荷されることから、特性の評価に当
っては、このエージング後の特性で行うのが相当である
からである。
【００３２】同図によれば、酸化防止用金属を使用しな
かった場合の変換効率、即ち同図中の膜厚がゼロの状態
の変換効率（９．８２％）と比較すると、膜厚が１０Å
以上１００Å以下の範囲において特性の向上が見られ
る。
かった場合の変換効率、即ち同図中の膜厚がゼロの状態
の変換効率（９．８２％）と比較すると、膜厚が１０Å
以上１００Å以下の範囲において特性の向上が見られ
る。
【００３３】この様な範囲が生じる理由としては、まず
上限である１００Åを越えると高光反射金属膜による光
の反射が低下し、むしろ酸化防止用金属であるステンレ
ス３０４による光反射が顕著となり、結果として効率的
な光反射が成し得ないこととなるからである。一方、下
限として、膜厚１０Å未満となると本発明の特徴である
ところの酸化防止効果が有効に現れず、従来の光起電力
装置と殆ど差のないものとなってしまうからである。
上限である１００Åを越えると高光反射金属膜による光
の反射が低下し、むしろ酸化防止用金属であるステンレ
ス３０４による光反射が顕著となり、結果として効率的
な光反射が成し得ないこととなるからである。一方、下
限として、膜厚１０Å未満となると本発明の特徴である
ところの酸化防止効果が有効に現れず、従来の光起電力
装置と殆ど差のないものとなってしまうからである。
【００３４】斯る事情については、実施例ロにおいても
全く同様のことが言える。
全く同様のことが言える。
【００３５】次に、白金を含有する金属を使用した場合
について説明する。表４は、１０％のイリジュウム（Ｉ
ｒ）を含む白金合金（Ｐｔ−Ｉｒ合金）を、実施例イの
酸化防止用金属(4a)として使用した場合（実施例ハ）の
初期特性について、表２で示した従来例と合わせて示し
ている。
について説明する。表４は、１０％のイリジュウム（Ｉ
ｒ）を含む白金合金（Ｐｔ−Ｉｒ合金）を、実施例イの
酸化防止用金属(4a)として使用した場合（実施例ハ）の
初期特性について、表２で示した従来例と合わせて示し
ている。
【００３６】
【表４】
【００３７】同表から分かるように、Ｐｔ−Ｉｒ合金を
使用した場合（実施例ハ）であっても、初期特性におい
ては従来例とほとんど遜色がなく、１０．５％以上の良
好な特性を示している。
使用した場合（実施例ハ）であっても、初期特性におい
ては従来例とほとんど遜色がなく、１０．５％以上の良
好な特性を示している。
【００３８】一方、この光起電力装置をエージングのた
めの上述した条件にさらした場合の特性が表５の特性値
である。
めの上述した条件にさらした場合の特性が表５の特性値
である。
【００３９】
【表５】
【００４０】同表に示す特性によれば従来例光起電力装
置のエージングによる劣化率は、約７％も生じているの
に対して、実施例ハにあっては１０．５０％から１０．
３４％へのわずか２％程度でしかなく実用上ほとんど問
題とならない。
置のエージングによる劣化率は、約７％も生じているの
に対して、実施例ハにあっては１０．５０％から１０．
３４％へのわずか２％程度でしかなく実用上ほとんど問
題とならない。
【００４１】このような効果は、Ｐｔ−Ｉｒ合金を使用
した場合だけでなく、Ｐｔ−Ｗ合金やＰｔ−Ｒｈ合金、
更にはＰｔ−Ｒｕ合金などにおいても同様に得られるこ
とを確認している。
した場合だけでなく、Ｐｔ−Ｗ合金やＰｔ−Ｒｈ合金、
更にはＰｔ−Ｒｕ合金などにおいても同様に得られるこ
とを確認している。
【００４２】本発明で使用する非晶質半導体は、実施例
で使用したシリコン以外に、ゲルマニュームであっても
よく、更にはシリコンやゲルマニュームに炭素や錫等を
含ませた混合物であってもよい。
で使用したシリコン以外に、ゲルマニュームであっても
よく、更にはシリコンやゲルマニュームに炭素や錫等を
含ませた混合物であってもよい。
【００４３】なお、実施例では、基板側からの光入射を
利用する光起電力装置の第２電極についてのみ説明した
が、本発明効果はこのような構造に限られるものではな
く、たとえばステンレス板のような非透光性基板上に形
成されてなる光起電力装置にあっても全く同様の作用効
果を得ることができる。
利用する光起電力装置の第２電極についてのみ説明した
が、本発明効果はこのような構造に限られるものではな
く、たとえばステンレス板のような非透光性基板上に形
成されてなる光起電力装置にあっても全く同様の作用効
果を得ることができる。
【００４４】斯る場合の素子構造を示したのが、図３の
本発明光起電力装置の第２の実施例であるところの素子
構造断面図である。同図では、前述した第１の実施例と
同様の材料とするところについては同様の符号を付して
いる。
本発明光起電力装置の第２の実施例であるところの素子
構造断面図である。同図では、前述した第１の実施例と
同様の材料とするところについては同様の符号を付して
いる。
【００４５】同図に示されているように、非透光性基板
(31)の表面に、絶縁膜(32)を形成しこれに引き続いて第
２電極(4)、光電変換層(3)、第１電極(2)を順次形成す
ることによって本発明装置を製作することができる。
(31)の表面に、絶縁膜(32)を形成しこれに引き続いて第
２電極(4)、光電変換層(3)、第１電極(2)を順次形成す
ることによって本発明装置を製作することができる。
【００４６】この光起電力装置によれば、膜形成側から
の光(l)の入射により光電変換し、更に第２電極(4)内の
高光反射金属膜(4m)の表面で反射された光も再度光電変
換層(3)内に入射し光吸収されることとなる。
の光(l)の入射により光電変換し、更に第２電極(4)内の
高光反射金属膜(4m)の表面で反射された光も再度光電変
換層(3)内に入射し光吸収されることとなる。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、透明導電膜と高光反射
金属膜との間に、酸化防止用金属を介在させることによ
って、その透明導電膜中に含まれる酸素による高光反射
金属膜の酸化を防止することができるため、高信頼性の
光起電力装置を得ることができる。
金属膜との間に、酸化防止用金属を介在させることによ
って、その透明導電膜中に含まれる酸素による高光反射
金属膜の酸化を防止することができるため、高信頼性の
光起電力装置を得ることができる。
【００４８】特に、その酸化防止用金属としての膜厚を
１０Å以上１００Å以下とすることによって、高光反射
金属膜による光の反射を損なうことなく、効率的な反射
が維持できる。
１０Å以上１００Å以下とすることによって、高光反射
金属膜による光の反射を損なうことなく、効率的な反射
が維持できる。
【００４９】この結果、光起電力装置としての特性劣化
を防止することが可能となる。
を防止することが可能となる。
【図１】本発明光起電力装置の第１の実施例を説明する
ための素子構造断面図である。
ための素子構造断面図である。
【図２】前記光起電力装置の変換効率と酸化防止用金属
の膜厚との関係を示す特性図である。
の膜厚との関係を示す特性図である。
【図３】本発明光起電力装置の第２の実施例を説明する
ための素子構造断面図である。
ための素子構造断面図である。
【図４】従来例光起電力装置の素子構造断面図である。
4t…透明導電膜 4a…酸化防止用
金属 4m…高光反射金属膜
金属 4m…高光反射金属膜
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に、透光性を有する第１電極と、
非晶質半導体から成る光電変換層と、透明導電膜と高光
反射金属膜とから成る第２電極とをこの順序で積層形成
してなる光起電力装置に於て、前記透明導電膜と前記高
光反射金属膜との間に、膜厚が１０Å以上１００Å以下
の、膜中にクロムを含有する鋼から成る酸化防止用金属
を介在せしめたことを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項２】 基板上に、高光反射金属膜と透明導電膜
とから成る第２電極と、非晶質半導体から成る光電変換
層と、透光性を有する第１電極とをこの順序で積層形成
してなる光起電力装置に於て、前記高光反射金属膜と前
記透明導電膜との間に、膜厚が１０Å以上１００Å以下
の、膜中にクロムを含有する鋼から成る酸化防止用金属
を介在せしめたことを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項３】 基板上に、透光性を有する第１電極と、
非晶質半導体から成る光電変換層と、透明導電膜と高光
反射金属膜とから成る第２電極とをこの順序で積層形成
してなる光起電力装置に於て、前記透明導電膜と前記高
光反射金属膜との間に、膜厚が１０Å以上１００Å以下
の白金、又は白金を含有する金属を酸化防止用金属とし
て介在せしめたことを特徴とする光起電力装置。 - 【請求項４】 基板上に、高光反射金属膜と透明導電膜
とから成る第２電極と、非晶質半導体から成る光電変換
層と、透光性を有する第１電極とをこの順序で積層形成
してなる光起電力装置に於て、前記高光反射金属膜と前
記透明導電膜との間に、膜厚が１０Å以上１００Å以下
の白金、又は白金を含有する金属を酸化防止用金属とし
て介在せしめたことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3283129A JPH05121769A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3283129A JPH05121769A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121769A true JPH05121769A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17661605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3283129A Pending JPH05121769A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121769A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5612229A (en) * | 1994-05-30 | 1997-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing photovoltaic device |
| JP2013539595A (ja) * | 2010-07-06 | 2013-10-24 | シンシリコン・コーポレーション | 光電池モジュール及び電極拡散層を持つ光電池モジュールの製造方法 |
| JP2016092278A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 住友化学株式会社 | 有機光電変換素子 |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP3283129A patent/JPH05121769A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5612229A (en) * | 1994-05-30 | 1997-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing photovoltaic device |
| US5738771A (en) * | 1994-05-30 | 1998-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus |
| JP2013539595A (ja) * | 2010-07-06 | 2013-10-24 | シンシリコン・コーポレーション | 光電池モジュール及び電極拡散層を持つ光電池モジュールの製造方法 |
| JP2016092278A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 住友化学株式会社 | 有機光電変換素子 |
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