JPH05121579A - ガラス封止型半導体素子収納用パツケージ - Google Patents
ガラス封止型半導体素子収納用パツケージInfo
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- JPH05121579A JPH05121579A JP27761491A JP27761491A JPH05121579A JP H05121579 A JPH05121579 A JP H05121579A JP 27761491 A JP27761491 A JP 27761491A JP 27761491 A JP27761491 A JP 27761491A JP H05121579 A JPH05121579 A JP H05121579A
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- Japan
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- glass member
- weight
- semiconductor element
- frame
- sealing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】収容する半導体素子を正常、且つ安定に作動さ
せることができるガラス封止型半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。 【構成】絶縁基体１と枠体２との間に外部リード端子３
を固定用ガラス部材６で固定し、且つ枠体２と蓋体４と
を封止用ガラス部材８で接合させるようになしたガラス
封止型半導体素子収納用パッケージにおいて、前記封止
用ガラス部材８を酸化鉛52.0乃至62.0重量％、酸化珪素
0.5 乃至3.0 重量％、酸化ホウ素2.0 乃至7.0 重量％、
酸化ビスマス3.0 乃至8.0 重量％に、フィラーとしての
ウイレマイトを15.0乃至25.0重量％、チタン酸錫を6.0
乃至16.0重量％含有させた軟化溶融温度が低いガラスで
形成した。枠体２と蓋体４とを封止用ガラス部材８で接
合させる際、固定用ガラス部材６より放出される水分量
が極小となり、その結果、パッケージ内の水分量も極小
として半導体素子を正常に作動させることができる。
せることができるガラス封止型半導体素子収納用パッケ
ージを提供することにある。 【構成】絶縁基体１と枠体２との間に外部リード端子３
を固定用ガラス部材６で固定し、且つ枠体２と蓋体４と
を封止用ガラス部材８で接合させるようになしたガラス
封止型半導体素子収納用パッケージにおいて、前記封止
用ガラス部材８を酸化鉛52.0乃至62.0重量％、酸化珪素
0.5 乃至3.0 重量％、酸化ホウ素2.0 乃至7.0 重量％、
酸化ビスマス3.0 乃至8.0 重量％に、フィラーとしての
ウイレマイトを15.0乃至25.0重量％、チタン酸錫を6.0
乃至16.0重量％含有させた軟化溶融温度が低いガラスで
形成した。枠体２と蓋体４とを封止用ガラス部材８で接
合させる際、固定用ガラス部材６より放出される水分量
が極小となり、その結果、パッケージ内の水分量も極小
として半導体素子を正常に作動させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージに関し、特にガラス溶着によ
ってパッケージの封止を行うガラス封止型半導体素子収
納用パッケージの改良に関するものである。
導体素子収納用パッケージに関し、特にガラス溶着によ
ってパッケージの封止を行うガラス封止型半導体素子収
納用パッケージの改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ( 大規模集積回路素子) 等
の半導体素子を収容するためのガラス封止型半導体素子
収納用パッケージは、上面中央部に半導体素子が載置固
定される載置部を有する矩形状の絶縁基体と、該絶縁基
体の半導体素子載置部を囲繞するように中央部に開孔を
有する枠体と、内部に収容する半導体素子を外部の電気
回路に電気的に接続するための多数の外部リード端子と
から構成されており、絶縁基体の上面に外部リード端子
及び枠体を順次載置させ、各々を固定用ガラス部材で接
着固定することによって製作されている。
の半導体素子を収容するためのガラス封止型半導体素子
収納用パッケージは、上面中央部に半導体素子が載置固
定される載置部を有する矩形状の絶縁基体と、該絶縁基
体の半導体素子載置部を囲繞するように中央部に開孔を
有する枠体と、内部に収容する半導体素子を外部の電気
回路に電気的に接続するための多数の外部リード端子と
から構成されており、絶縁基体の上面に外部リード端子
及び枠体を順次載置させ、各々を固定用ガラス部材で接
着固定することによって製作されている。
【０００３】かかる従来の半導体素子収納用パッケージ
は枠体の開孔内に位置する絶縁基体の半導体素子載置部
に半導体素子を載置取着した後、該半導体素子の各電極
をボンディングワイヤを介し外部リード端子に接続させ
るとともに枠体の上面に該枠体の開孔を塞ぐよう蓋体を
封止用ガラス部材を介して接合し、内部に半導体素子を
気密に封止することによって最終製品としての半導体装
置となる。
は枠体の開孔内に位置する絶縁基体の半導体素子載置部
に半導体素子を載置取着した後、該半導体素子の各電極
をボンディングワイヤを介し外部リード端子に接続させ
るとともに枠体の上面に該枠体の開孔を塞ぐよう蓋体を
封止用ガラス部材を介して接合し、内部に半導体素子を
気密に封止することによって最終製品としての半導体装
置となる。
【０００４】尚、前記ガラス封止型半導体素子収納用パ
ッケージにおいて外部リード端子を絶縁基体と蓋体との
間に固定する固定用ガラス部材は一般に酸化鉛50.0乃至
70.0重量％、酸化珪素1.0 乃至7.0 重量％、酸化ホウ素
4.0 乃至14.0重量％、酸化亜鉛5.0 乃至15.0重量％に、
フィラーとしてのジルコンを10.0乃至30.0重量％含有さ
せてなる結晶質ガラスが使用され、また枠体に蓋体を接
合させる封止用ガラス部材は酸化鉛45.0乃至55.0重量
％、酸化珪素0.5 乃至5.0 重量％、酸化ホウ素5.0 乃至
13.0重量％に、フィラーとしてのチタン酸鉛系化合物を
30.0乃至40.0重量％含有させたガラスが使用されてい
る。
ッケージにおいて外部リード端子を絶縁基体と蓋体との
間に固定する固定用ガラス部材は一般に酸化鉛50.0乃至
70.0重量％、酸化珪素1.0 乃至7.0 重量％、酸化ホウ素
4.0 乃至14.0重量％、酸化亜鉛5.0 乃至15.0重量％に、
フィラーとしてのジルコンを10.0乃至30.0重量％含有さ
せてなる結晶質ガラスが使用され、また枠体に蓋体を接
合させる封止用ガラス部材は酸化鉛45.0乃至55.0重量
％、酸化珪素0.5 乃至5.0 重量％、酸化ホウ素5.0 乃至
13.0重量％に、フィラーとしてのチタン酸鉛系化合物を
30.0乃至40.0重量％含有させたガラスが使用されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のガラス封止型半導体素子収納用パッケージにおいて
は外部リード端子を絶縁基体と枠体との間に固定してい
る固定用ガラス部材に多量の水分が内在していること、
枠体に蓋体を接合する封止用ガラス部材の軟化溶融温度
が高いこと等から枠体に蓋体を封止用ガラス部材を介し
て接合させ内部に半導体素子を気密に封止する際、封止
用ガラス部材を溶融させる熱が固定用ガラス部材に印加
されると固定用ガラス部材から多量の水分が放出されて
パッケージ内に1000乃至5000ppm の水分が入り込み、こ
れが半導体素子の電極やボンディングワイヤと接触して
腐食し、半導体素子の特性に劣化を生じさせたり、半導
体装置としての機能を喪失させたりするという欠点を有
していた。
来のガラス封止型半導体素子収納用パッケージにおいて
は外部リード端子を絶縁基体と枠体との間に固定してい
る固定用ガラス部材に多量の水分が内在していること、
枠体に蓋体を接合する封止用ガラス部材の軟化溶融温度
が高いこと等から枠体に蓋体を封止用ガラス部材を介し
て接合させ内部に半導体素子を気密に封止する際、封止
用ガラス部材を溶融させる熱が固定用ガラス部材に印加
されると固定用ガラス部材から多量の水分が放出されて
パッケージ内に1000乃至5000ppm の水分が入り込み、こ
れが半導体素子の電極やボンディングワイヤと接触して
腐食し、半導体素子の特性に劣化を生じさせたり、半導
体装置としての機能を喪失させたりするという欠点を有
していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は絶縁基体と枠体
との間に外部リード端子を固定用ガラス部材を介して固
定するとともに枠体と蓋体とを封止用ガラス部材で接合
することによって内部に半導体素子を気密に封止するガ
ラス封止型半導体素子収納用パッケージにおいて、前記
封止用ガラス部材が酸化鉛52.0乃至62.0重量％、酸化珪
素0.5 乃至３．０重量％、酸化ホウ素２．０ 乃至7.0
重量％、酸化ビスマス3.0 乃至8.0 重量％に、フィラー
としてのウイレマイトを15.0乃至25.0重量％、チタン酸
錫系化合物6.0乃至16.0重量％含有させたガラスから成
ることを特徴とするものである。
との間に外部リード端子を固定用ガラス部材を介して固
定するとともに枠体と蓋体とを封止用ガラス部材で接合
することによって内部に半導体素子を気密に封止するガ
ラス封止型半導体素子収納用パッケージにおいて、前記
封止用ガラス部材が酸化鉛52.0乃至62.0重量％、酸化珪
素0.5 乃至３．０重量％、酸化ホウ素２．０ 乃至7.0
重量％、酸化ビスマス3.0 乃至8.0 重量％に、フィラー
としてのウイレマイトを15.0乃至25.0重量％、チタン酸
錫系化合物6.0乃至16.0重量％含有させたガラスから成
ることを特徴とするものである。
【０００７】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき説明する。図
１及び図2 は本発明のガラス封止型半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は枠体、
3 は外部リード端子、4 は蓋体である。
１及び図2 は本発明のガラス封止型半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は枠体、
3 は外部リード端子、4 は蓋体である。
【０００８】前記絶縁基体1 は酸化アルミニウム質焼結
体、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料より成
り、その上面中央部に半導体素子を載置取着するための
載置部を有しており、該載置部には半導体素子5 がガラ
ス、樹脂等の接着剤を介し取着固定される。
体、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料より成
り、その上面中央部に半導体素子を載置取着するための
載置部を有しており、該載置部には半導体素子5 がガラ
ス、樹脂等の接着剤を介し取着固定される。
【０００９】前記絶縁基体1 は従来周知のプレス成形法
を採用することによって形成され、例えば酸化アルミニ
ウム質焼結体から成る場合、図1 、図2 に示すような矩
形形状の絶縁基体1 に対応した形状を有するプレス型内
に酸化アルミニウム(Al 2 O3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、マ
グネシア(MgO) 、カルシア(CaO) 等の原料粉末を充填さ
せるとともに一定圧力を印加して成形し、しかる後、こ
れを約1500℃の温度で焼成することによって製作され
る。
を採用することによって形成され、例えば酸化アルミニ
ウム質焼結体から成る場合、図1 、図2 に示すような矩
形形状の絶縁基体1 に対応した形状を有するプレス型内
に酸化アルミニウム(Al 2 O3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、マ
グネシア(MgO) 、カルシア(CaO) 等の原料粉末を充填さ
せるとともに一定圧力を印加して成形し、しかる後、こ
れを約1500℃の温度で焼成することによって製作され
る。
【００１０】また前記絶縁基体1 の上面には外部リード
端子3 を間に挟んで枠体2 が固定用ガラス部材6 を介し
固定されている。
端子3 を間に挟んで枠体2 が固定用ガラス部材6 を介し
固定されている。
【００１１】前記枠体2 はその中央部に開孔A が形成さ
れており、絶縁基体1 の半導体素子5 が載置取着される
載置部を囲繞するような枠状の形状となっている。この
枠体2 はその中央部の開孔A と絶縁基体1 上面とで半導
体素子5 を内部に収容するための空所を形成する。
れており、絶縁基体1 の半導体素子5 が載置取着される
載置部を囲繞するような枠状の形状となっている。この
枠体2 はその中央部の開孔A と絶縁基体1 上面とで半導
体素子5 を内部に収容するための空所を形成する。
【００１２】前記枠体2 は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体等の電気絶縁材料より成り、前述の絶縁基体1 と
同様の方法によって製作され、絶縁基体1 上面に固定用
ガラス部材6 を介して接着固定される。
焼結体等の電気絶縁材料より成り、前述の絶縁基体1 と
同様の方法によって製作され、絶縁基体1 上面に固定用
ガラス部材6 を介して接着固定される。
【００１３】また前記絶縁基体1 と枠体2 との間に配さ
れる外部リード端子3 はコバール金属(Fe-Ni-Co 合金)
や42アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属から成り、該外部リー
ド端子3 は半導体素子5 の各電極がボンディングワイヤ
7 を介し電気的に接続され、外部リード端子3 を外部電
気回路に接続することによって半導体素子5 は外部電気
回路と接続されることとなる。
れる外部リード端子3 はコバール金属(Fe-Ni-Co 合金)
や42アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属から成り、該外部リー
ド端子3 は半導体素子5 の各電極がボンディングワイヤ
7 を介し電気的に接続され、外部リード端子3 を外部電
気回路に接続することによって半導体素子5 は外部電気
回路と接続されることとなる。
【００１４】前記外部リード端子3 は絶縁基体1 と枠体
2 とを固定用ガラス部材6 を介し接着固定する際、同時
に両者の間に接着固定される。
2 とを固定用ガラス部材6 を介し接着固定する際、同時
に両者の間に接着固定される。
【００１５】尚、前記外部リード端子3 を間に挟んでの
絶縁基体1と枠体2 との接着固定は、絶縁基体1 上面と
枠体2 下面の各々に予め固定用ガラス部材6 となるガラ
スの粉末を塗布しておき、絶縁基体1 の上面に外部リー
ド端子3 及び枠体2 を順次載置させた後、加熱し、絶縁
基体1 と枠体2 に予め塗布させておいたガラス粉末を溶
融させ、一体化させることによって行われる。
絶縁基体1と枠体2 との接着固定は、絶縁基体1 上面と
枠体2 下面の各々に予め固定用ガラス部材6 となるガラ
スの粉末を塗布しておき、絶縁基体1 の上面に外部リー
ド端子3 及び枠体2 を順次載置させた後、加熱し、絶縁
基体1 と枠体2 に予め塗布させておいたガラス粉末を溶
融させ、一体化させることによって行われる。
【００１６】また前記絶縁基体1 と枠体2 とを接着固定
する固定用のガラス部材6 は従来と同様の酸化鉛50.0乃
至70.0重量％、酸化珪素1.0 乃至7.0 重量％、酸化ホウ
素4.0 乃至14.0重量％、酸化亜鉛5.0 乃至15.0重量％
に、フィラーとしてのジルコンを10.0乃至30.0重量％含
有させてなる結晶質ガラスが使用される。
する固定用のガラス部材6 は従来と同様の酸化鉛50.0乃
至70.0重量％、酸化珪素1.0 乃至7.0 重量％、酸化ホウ
素4.0 乃至14.0重量％、酸化亜鉛5.0 乃至15.0重量％
に、フィラーとしてのジルコンを10.0乃至30.0重量％含
有させてなる結晶質ガラスが使用される。
【００１７】前記枠体2 の上面には該枠体2 の開孔A を
塞ぐように蓋体4 が封止用ガラス部材8 を介して接合さ
れ、これによって内部に半導体素子5 が気密に封止され
る。
塞ぐように蓋体4 が封止用ガラス部材8 を介して接合さ
れ、これによって内部に半導体素子5 が気密に封止され
る。
【００１８】前記蓋体4 は、例えば酸化アルミニウム質
焼結体等の電気絶縁材料から成り、前述の絶縁基体1 と
同様の方法によって板状に製作される。
焼結体等の電気絶縁材料から成り、前述の絶縁基体1 と
同様の方法によって板状に製作される。
【００１９】前記蓋体4 を枠体2 に接合する封止用ガラ
ス部材8 は酸化鉛52.0乃至62.0重量％、酸化珪素0.5 乃
至3.0 重量％、酸化ホウ素2.0 乃至7.0 重量％、酸化ビ
スマス3.0 乃至8.0 重量％に、フィラーとしてのウイレ
マイトを15.0乃至25.0重量％、チタン酸錫系化合物6.0
乃至16.0重量％含有させたガラスが使用され、該封止用
ガラス部材8 はその軟化溶融温度が380 ℃以下( 従来の
封止用ガラス部材の85% 以下の軟化溶融温度) であり低
いことから、枠体2 に蓋体4 を封止用ガラス部材8 を介
して接合させる際、封止用ガラス部材8 を溶融させる熱
が固定用ガラス部材6 に印加されたとしても固定用ガラ
ス部材6 より放出する水分の量は少なくなり、その結
果、パッケージ内の水分量も1000ppm 以下となって半導
体素子の電極やボンディングワイヤの腐食が有効に防止
され、半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作
動させることが可能となる。
ス部材8 は酸化鉛52.0乃至62.0重量％、酸化珪素0.5 乃
至3.0 重量％、酸化ホウ素2.0 乃至7.0 重量％、酸化ビ
スマス3.0 乃至8.0 重量％に、フィラーとしてのウイレ
マイトを15.0乃至25.0重量％、チタン酸錫系化合物6.0
乃至16.0重量％含有させたガラスが使用され、該封止用
ガラス部材8 はその軟化溶融温度が380 ℃以下( 従来の
封止用ガラス部材の85% 以下の軟化溶融温度) であり低
いことから、枠体2 に蓋体4 を封止用ガラス部材8 を介
して接合させる際、封止用ガラス部材8 を溶融させる熱
が固定用ガラス部材6 に印加されたとしても固定用ガラ
ス部材6 より放出する水分の量は少なくなり、その結
果、パッケージ内の水分量も1000ppm 以下となって半導
体素子の電極やボンディングワイヤの腐食が有効に防止
され、半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作
動させることが可能となる。
【００２０】尚、前記封止用ガラス部材8 は酸化鉛(Pb
O) の量が52.0重量％未満であると封止用ガラス部材8
の軟化溶融温度が高くなり、パッケージ内部に半導体素
子5 を気密封止する際、固定用ガラス部材6 から多量の
水分が放出されてしまい、また62.0重量％を越えると封
止用ガラス部材8 の耐薬品性が劣化し、パッケージの気
密封止の信頼性が大幅に低下してしまう。従って、酸化
鉛(PbO) の量は52.0乃至62.0重量％の範囲に特定され
る。
O) の量が52.0重量％未満であると封止用ガラス部材8
の軟化溶融温度が高くなり、パッケージ内部に半導体素
子5 を気密封止する際、固定用ガラス部材6 から多量の
水分が放出されてしまい、また62.0重量％を越えると封
止用ガラス部材8 の耐薬品性が劣化し、パッケージの気
密封止の信頼性が大幅に低下してしまう。従って、酸化
鉛(PbO) の量は52.0乃至62.0重量％の範囲に特定され
る。
【００２１】また酸化珪素(SiO2 ) はその量が0.5 重量
％未満であると封止用ガラス部材8の耐薬品性が劣化
し、パッケージの気密封止の信頼性が大幅に低下してし
まい、また3.0 重量％を越えると封止用ガラス部材8 の
軟化溶融温度が高くなり、パッケージ内部に半導体素子
5 を気密封止する際、固定用ガラス部材6 から多量の水
分が放出されてしまう。従って、酸化珪素(SiO2 ) の量
は0.5乃至3.0 重量％の範囲に特定される。
％未満であると封止用ガラス部材8の耐薬品性が劣化
し、パッケージの気密封止の信頼性が大幅に低下してし
まい、また3.0 重量％を越えると封止用ガラス部材8 の
軟化溶融温度が高くなり、パッケージ内部に半導体素子
5 を気密封止する際、固定用ガラス部材6 から多量の水
分が放出されてしまう。従って、酸化珪素(SiO2 ) の量
は0.5乃至3.0 重量％の範囲に特定される。
【００２２】また酸化ホウ素(B2 O 3 ) はその量が2.0
重量％未満であると封止用ガラス部材8 の熱膨張係数が
枠体2 や蓋体4 の熱膨張係数と大きく相違し、枠体2 に
蓋体4 を強固に接合することができなくなり、また7.0
重量％を越えると封止用ガラス部材8 の耐薬品性が劣化
し、パッケージの気密封止の信頼性が大幅に低下してし
まう。従って、酸化ホウ素(B2 O 3 ) の量は2.0 乃至7.
0 重量％の範囲に特定される。
重量％未満であると封止用ガラス部材8 の熱膨張係数が
枠体2 や蓋体4 の熱膨張係数と大きく相違し、枠体2 に
蓋体4 を強固に接合することができなくなり、また7.0
重量％を越えると封止用ガラス部材8 の耐薬品性が劣化
し、パッケージの気密封止の信頼性が大幅に低下してし
まう。従って、酸化ホウ素(B2 O 3 ) の量は2.0 乃至7.
0 重量％の範囲に特定される。
【００２３】また酸化ビスマス(Bi 2 O 3 ) はその量が
3.0 重量％未満であると封止用ガラス部材8 の軟化溶融
温度が高くなり、パッケージ内部に半導体素子5 を気密
封止する際、固定用ガラス部材6 から多量の水分が放出
されてしまい、また8.0 重量％を越えると封止用ガラス
部材8 の耐薬品性が劣化し、パッケージの気密封止の信
頼性が大幅に低下してしまう。従って、酸化ビスマス(B
i 2 O 3 ) の量は3.0乃至8.0 重量％の範囲に特定され
る。
3.0 重量％未満であると封止用ガラス部材8 の軟化溶融
温度が高くなり、パッケージ内部に半導体素子5 を気密
封止する際、固定用ガラス部材6 から多量の水分が放出
されてしまい、また8.0 重量％を越えると封止用ガラス
部材8 の耐薬品性が劣化し、パッケージの気密封止の信
頼性が大幅に低下してしまう。従って、酸化ビスマス(B
i 2 O 3 ) の量は3.0乃至8.0 重量％の範囲に特定され
る。
【００２４】またフィラーとして含有されるウイレマイ
ト( 2ZnO・SiO 2 ) はその量が15.0重量％未満であると
封止用ガラス部材8 の熱膨張係数が枠体2 や蓋体4 の熱
膨張係数と大きく相違し、枠体2 に蓋体4 を強固に接合
することができなくなり、また25.0重量％を越えると封
止用ガラス部材8 を加熱溶融させて枠体2 と蓋体4 とを
接合させる際、封止用ガラス部材8 の流動性が極めて悪
くなって枠体2 と蓋体4 とを強固に接合させることがで
きなくなる。従って、ウイレマイト( 2ZnO・SiO 2) の
量は15.0乃至25.0重量％の範囲に特定される。
ト( 2ZnO・SiO 2 ) はその量が15.0重量％未満であると
封止用ガラス部材8 の熱膨張係数が枠体2 や蓋体4 の熱
膨張係数と大きく相違し、枠体2 に蓋体4 を強固に接合
することができなくなり、また25.0重量％を越えると封
止用ガラス部材8 を加熱溶融させて枠体2 と蓋体4 とを
接合させる際、封止用ガラス部材8 の流動性が極めて悪
くなって枠体2 と蓋体4 とを強固に接合させることがで
きなくなる。従って、ウイレマイト( 2ZnO・SiO 2) の
量は15.0乃至25.0重量％の範囲に特定される。
【００２５】また同じくフィラーとして含有されるチタ
ン酸錫系化合物(SnO・TiO 2 ) はその量が6.0 重量％未
満であると封止用ガラス部材8 の熱膨張係数が枠体2 や
蓋体4 の熱膨張係数と大きく相違し、枠体2 に蓋体4 を
強固に接合することができなくなり、また16.0重量％を
越えると封止用ガラス部材8 を加熱溶融させて枠体2と
蓋体4 とを接合させる際、封止用ガラス部材8 の流動性
が極めて悪くなって枠体2 と蓋体4 とを強固に接合させ
ることができなくなる。従って、チタン酸錫系化合物(S
nO・TiO 2 ) の量は6.0 乃至16.0重量％の範囲に特定さ
れる。
ン酸錫系化合物(SnO・TiO 2 ) はその量が6.0 重量％未
満であると封止用ガラス部材8 の熱膨張係数が枠体2 や
蓋体4 の熱膨張係数と大きく相違し、枠体2 に蓋体4 を
強固に接合することができなくなり、また16.0重量％を
越えると封止用ガラス部材8 を加熱溶融させて枠体2と
蓋体4 とを接合させる際、封止用ガラス部材8 の流動性
が極めて悪くなって枠体2 と蓋体4 とを強固に接合させ
ることができなくなる。従って、チタン酸錫系化合物(S
nO・TiO 2 ) の量は6.0 乃至16.0重量％の範囲に特定さ
れる。
【００２６】前記封止用ガラス部材8 による枠体2 と蓋
体4との接合は、蓋体4 の下面に予め封止用ガラス部材8
となるガラスの粉末を塗布しておき、枠体2 の上面に
蓋体4 を該蓋体4 に塗布させたガラス粉末が枠体2 側と
なるようにして載置させ、しかる後、これを加熱し、蓋
体4 の下面に予め塗布させておいたガラス粉末を溶融さ
せることによって行われる。
体4との接合は、蓋体4 の下面に予め封止用ガラス部材8
となるガラスの粉末を塗布しておき、枠体2 の上面に
蓋体4 を該蓋体4 に塗布させたガラス粉末が枠体2 側と
なるようにして載置させ、しかる後、これを加熱し、蓋
体4 の下面に予め塗布させておいたガラス粉末を溶融さ
せることによって行われる。
【００２７】かくして、このガラス封止型半導体素子収
納用パッケージによれば、絶縁基体1 の半導体素子載置
部に半導体素子5 を接着剤を化して取着固定するととも
に該半導体素子5 の各電極をボンディングワイヤ7 を介
して外部リード端子3 に電気的に接続させ、しかる後、
枠体2 の上面に蓋体4 を封止用ガラス部材8 を介して接
合し、内部に半導体素子5 を気密に封止することによっ
て最終製品としての半導体装置となる。
納用パッケージによれば、絶縁基体1 の半導体素子載置
部に半導体素子5 を接着剤を化して取着固定するととも
に該半導体素子5 の各電極をボンディングワイヤ7 を介
して外部リード端子3 に電気的に接続させ、しかる後、
枠体2 の上面に蓋体4 を封止用ガラス部材8 を介して接
合し、内部に半導体素子5 を気密に封止することによっ
て最終製品としての半導体装置となる。
【００２８】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
【００２９】
【発明の効果】本発明のガラス封止型半導体素子収納用
パッケージによれば蓋体を枠体に接合し、内部に半導体
素子を気密に封止する封止用ガラス部材として酸化鉛5
2.0乃至62.0重量％、酸化珪素0.5 乃至3.0 重量％、酸
化ホウ素2.0 乃至7.0 重量％、酸化ビスマス3.0 乃至8.
0 重量％に、フィラーとしてのウイレマイトを15.0乃至
25.0重量％、チタン酸錫系化合物を6.0 乃至16.0重量％
含有させた軟化溶融温度が低いガラスを使用したことか
ら枠体に蓋体を封止用ガラス部材を加熱溶融させて接合
させる際、封止用ガラス部材を溶融させる熱が外部リー
ド端子を絶縁基体と枠体との間に固定している固定用ガ
ラス部材に印加されたとしてもその温度が低いことから
固定用ガラス部材より放出する水分の量は少なくなり、
その結果、パッケージ内の水分量も極めて少ないものと
なって半導体素子の電極やボンディングワイヤの腐食が
極小となり、これによって内部に収容する半導体素子を
長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることが可能
となる。
パッケージによれば蓋体を枠体に接合し、内部に半導体
素子を気密に封止する封止用ガラス部材として酸化鉛5
2.0乃至62.0重量％、酸化珪素0.5 乃至3.0 重量％、酸
化ホウ素2.0 乃至7.0 重量％、酸化ビスマス3.0 乃至8.
0 重量％に、フィラーとしてのウイレマイトを15.0乃至
25.0重量％、チタン酸錫系化合物を6.0 乃至16.0重量％
含有させた軟化溶融温度が低いガラスを使用したことか
ら枠体に蓋体を封止用ガラス部材を加熱溶融させて接合
させる際、封止用ガラス部材を溶融させる熱が外部リー
ド端子を絶縁基体と枠体との間に固定している固定用ガ
ラス部材に印加されたとしてもその温度が低いことから
固定用ガラス部材より放出する水分の量は少なくなり、
その結果、パッケージ内の水分量も極めて少ないものと
なって半導体素子の電極やボンディングワイヤの腐食が
極小となり、これによって内部に収容する半導体素子を
長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることが可能
となる。
【図１】本発明のガラス封止型半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示す断面図である。
ージの一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示すパッケージの絶縁基体部分の平面図
である。
である。
１・・・・・絶縁基体 ２・・・・・枠体 ３・・・・・外部リード端子 ３・・・・・蓋体 ６・・・・・固定用ガラス部材 ８・・・・・封止用ガラス部材
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基体と枠体との間に外部リード端子を
固定用ガラス部材を介して固定するとともに枠体と蓋体
とを封止用ガラス部材で接合することによって内部に半
導体素子を気密に封止するガラス封止型半導体素子収納
用パッケージにおいて、前記封止用ガラス部材が酸化鉛
52.0乃至62.0重量％、酸化珪素0.5 乃至3.0 重量％、酸
化ホウ素2.0 乃至7.0 重量％、酸化ビスマス3.0 乃至8.
0 重量％に、フィラーとしてのウイレマイトを15.0乃至
25.0重量％、チタン酸錫系化合物6.0 乃至16.0重量％含
有させたガラスから成ることを特徴とするガラス封止型
半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27761491A JPH05121579A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | ガラス封止型半導体素子収納用パツケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27761491A JPH05121579A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | ガラス封止型半導体素子収納用パツケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121579A true JPH05121579A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17585874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27761491A Pending JPH05121579A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | ガラス封止型半導体素子収納用パツケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121579A (ja) |
-
1991
- 1991-10-24 JP JP27761491A patent/JPH05121579A/ja active Pending
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