JPH05121442A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPH05121442A JPH05121442A JP27954391A JP27954391A JPH05121442A JP H05121442 A JPH05121442 A JP H05121442A JP 27954391 A JP27954391 A JP 27954391A JP 27954391 A JP27954391 A JP 27954391A JP H05121442 A JPH05121442 A JP H05121442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- layer
- buffer layer
- gate electrode
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＧａＡｓＦＥＴにおいて、活性層と表面保護膜
との間に生じる表面空乏層の影響を低減する。 【構成】半絶縁性ＧａＡｓ基板１の上に第１のバッファ
層２、活性層３、第２のバッファ層４を順次成長させ
る。つぎにゲート電極５、ソース−ドレイン用のオーミ
ック電極６を形成する。つぎに表面保護膜７を形成し、
金属配線８を形成する。 【効果】バッファ層と活性層との間の界面準位が減り、
チャネル狭窄が起らなくなって、ＤＣおよびＲＦ特性が
向上した。
との間に生じる表面空乏層の影響を低減する。 【構成】半絶縁性ＧａＡｓ基板１の上に第１のバッファ
層２、活性層３、第２のバッファ層４を順次成長させ
る。つぎにゲート電極５、ソース−ドレイン用のオーミ
ック電極６を形成する。つぎに表面保護膜７を形成し、
金属配線８を形成する。 【効果】バッファ層と活性層との間の界面準位が減り、
チャネル狭窄が起らなくなって、ＤＣおよびＲＦ特性が
向上した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電界効果トランジスタに
関し、特にＧａＡｓをはじめとする化合物半導体を用い
た電界効果トランジスタに関するものである。
関し、特にＧａＡｓをはじめとする化合物半導体を用い
た電界効果トランジスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＧａＡｓ電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ）について、図２を参照して説明する。
（ＦＥＴ）について、図２を参照して説明する。
【０００３】半絶縁性ＧａＡｓ基板１の上にＭＢＥ、Ｍ
Ｏ−ＣＶＤ、ＶＰＥなどの結晶成長方法によりバッファ
層２および活性層３を順次成長させる。つぎにゲート電
極５およびソース−ドレイン用のオーミック電極６を形
成する。最後にＳｉＯ2 、ＳｉＮなどからなる表面保護
膜７を形成し、金属配線８を形成して素子部が完成す
る。
Ｏ−ＣＶＤ、ＶＰＥなどの結晶成長方法によりバッファ
層２および活性層３を順次成長させる。つぎにゲート電
極５およびソース−ドレイン用のオーミック電極６を形
成する。最後にＳｉＯ2 、ＳｉＮなどからなる表面保護
膜７を形成し、金属配線８を形成して素子部が完成す
る。
【０００４】このＧａＡｓＦＥＴにおいては、ゲート電
極５とソース−ドレイン電極６との間の活性層３上に直
接表面保護膜７が形成されている。表面保護膜７と活性
層３との間の界面準位の存在により表面空乏層９が形成
される。
極５とソース−ドレイン電極６との間の活性層３上に直
接表面保護膜７が形成されている。表面保護膜７と活性
層３との間の界面準位の存在により表面空乏層９が形成
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＧａＡｓＦＥＴ
においては、表面空乏層が活性層のチャネルを狭めて、
ＤＣおよびＡＣ特性に重大な影響を及ぼすという問題が
あった。
においては、表面空乏層が活性層のチャネルを狭めて、
ＤＣおよびＡＣ特性に重大な影響を及ぼすという問題が
あった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＧａＡｓＦＥＴ
は、活性層の両面をバッファ層で挟んだサンドイッチ構
造の半導体結晶を用いたものである。
は、活性層の両面をバッファ層で挟んだサンドイッチ構
造の半導体結晶を用いたものである。
【０００７】
【実施例】本発明の第１の実施例について、図１（ａ）
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【０００８】半絶縁性ＧａＡｓ基板１の上に、ＭＢＥ、
ＭＯ−ＣＶＤ、ＶＰＥなどの結晶成長方法により、第１
のバッファ層２、活性層３、第２のバッファ層４を順次
成長させる。バッファ層２，４と活性層３との間の界面
準位を減らし、チャネル狭窄が起らない結晶構造であ
る。
ＭＯ−ＣＶＤ、ＶＰＥなどの結晶成長方法により、第１
のバッファ層２、活性層３、第２のバッファ層４を順次
成長させる。バッファ層２，４と活性層３との間の界面
準位を減らし、チャネル狭窄が起らない結晶構造であ
る。
【０００９】つぎにゲート電極５およびソース−ドレイ
ン用のオーミック電極６を形成する。最後にＳｉＯ2 、
ＳｉＮなどからなる表面保護膜７を形成し、金属配線８
を形成して素子部が完成する。
ン用のオーミック電極６を形成する。最後にＳｉＯ2 、
ＳｉＮなどからなる表面保護膜７を形成し、金属配線８
を形成して素子部が完成する。
【００１０】つぎに本発明の第２の実施例について、図
１（ｂ）を参照して説明する。
１（ｂ）を参照して説明する。
【００１１】第１の実施例ではゲート電極５が第２のバ
ッファ層４にめり込んでいた。そのためゲート−ドレイ
ンおよびゲート−ソース間の容量が大きかった。一方、
本実施例ではゲート電極５が第２のバッファ層４の上に
形成されている。そのためゲート電極５側面の影響を低
減してＲＦ特性を改善することができる。
ッファ層４にめり込んでいた。そのためゲート−ドレイ
ンおよびゲート−ソース間の容量が大きかった。一方、
本実施例ではゲート電極５が第２のバッファ層４の上に
形成されている。そのためゲート電極５側面の影響を低
減してＲＦ特性を改善することができる。
【００１２】さらにゲート電極５が第２のバッファ層４
の上に形成されているので、ゲート−ドレイン間のブレ
ークダウン電圧を高くすることができ、高電圧動作を要
する高出力ＦＥＴにも有効である。
の上に形成されているので、ゲート−ドレイン間のブレ
ークダウン電圧を高くすることができ、高電圧動作を要
する高出力ＦＥＴにも有効である。
【００１３】
【発明の効果】活性層をバッファ層で挟んだサンドイッ
チ構造により、活性層とバッファ層との間の界面準位を
制御できる。そのため従来のＳｉＯ2 やＳｉＮを表面保
護膜とした場合に比べて表面空乏層によるチャネル狭窄
を低減できることが明らかになり、ＤＣおよびＲＦ特性
を向上させることができた。
チ構造により、活性層とバッファ層との間の界面準位を
制御できる。そのため従来のＳｉＯ2 やＳｉＮを表面保
護膜とした場合に比べて表面空乏層によるチャネル狭窄
を低減できることが明らかになり、ＤＣおよびＲＦ特性
を向上させることができた。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来のＧａＡｓＦＥＴを示す断面図である。
１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ 第１のバッファ層 ３ 活性層 ４ 第２のバッファ層 ５ ゲート電極 ６ オーミック電極 ７ 表面保護膜 ８ 金属配線 ９ 表面空乏層
Claims (1)
- 【請求項１】 活性層表面のゲート電極およびソース−
ドレインオーミック電極を除く領域と前記活性層裏面と
にバッファ層が形成された電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27954391A JPH05121442A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27954391A JPH05121442A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121442A true JPH05121442A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17612455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27954391A Pending JPH05121442A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121442A (ja) |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP27954391A patent/JPH05121442A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000411 |