JPH05121365A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 デポガスからの付着物の発生を抑止して装置
の信頼性を高めると共に、クリーニングの回数を減らし
て装置の稼働率を向上させる。 【構成】 ２は反応容器で、反応ガスであるエッチング
ガスを導入するガス導入口３と、ガスを排気するガス排
気口４が設けられている。反応容器２内には、上部電極
７と下部電極８とが配設され、上部電極７の表面にプラ
ズマから表面を保護するアモルファスカーボン９が取り
付けられている。上部電極７には、大径のガス噴出口７
ａが、またアモルファスカーボン９には、小径のガス噴
出口９ａがそれぞれ穿設されている。１０は被エッチン
グ物であるシリコンウェハで、下部電極８上に載置され
ている。そして、アモルファスカーボン９の反応ガス供
給側の面９ｂにアルミ蒸着膜１２が被覆されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ法による半導体
製造装置に関し、特に反応容器内にプラズマ放電を行う
一対の電極を配設した平行平板形であって、反応容器内
に導入したエッチングガスによりプラズマエッチングを
行う半導体製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図２は、従来の半導体製造装置の側断面
図である。同図において、２は反応容器で、反応ガスで
あるエッチングガスを導入するガス導入口３と、ガスを
排気するガス排気口４が設けられている。反応容器２内
には、一対の対向する上部電極７と下部電極８とが配設
され、上部電極７の表面にプラズマから表面を保護する
アモルファスカーボン９が取り付けられている。上部電
極７には、大径のガス噴出口７ａが、またアモルファス
カーボン９には、小径のガス噴出口９ａがそれぞれ穿設
されている。１０は被エッチング物であるシリコンウェ
ハで、下部電極８上に載置されている。

【０００３】以下、動作を説明する。まず、ガス導入口
３から反応ガスであるエッチングガスを容器２内に導入
すると共に図示しない真空排気系により一定のガス圧力
とし、上部電極７と下部電極８間に高周波電力を印可し
て、グロー放電を起こさせることによってプラズマを生
成する。生成したプラズマ中でエッチングガス成分がエ
ッチャントとなり、シリコンウェハ１０の上面がエッチ
ングされる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、エッチング
動作中、生成したプラズマは上方向への移動に対する制
約を受けないため、アモルファスカーボン９のガス噴出
口９ａへのしみこみ現象を起こす。このプラズマのしみ
こみ動作のため選択エッチングに必要なデポガスが、上
部電極７のガス噴出口７ａの部分でプラズマＣＶＤによ
って、アモルファスカーボン９のエッチングガス供給面
９ｂに付着する現象が発生する。このデポガスの付着
は、定期的にクリーニングする必要があり、このため装
置の稼働率が低下して、製造効率が落ち込むといった問
題が発生する。また、この付着物が剥離して、半導体製
造装置としての信頼性を損なうといった問題も発生す
る。本発明は、上記した従来の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、デポガスからの
付着物の発生を抑止して装置の信頼性を高めると共に、
クリーニングの回数を減らして装置の稼働率を向上させ
た半導体製造装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係る半導体製造装置は、エッチングガス供
給側の第１の電極と、この第１の電極と対向して半導体
素子を載置する第２の電極と、前記第１の電極のプラズ
マ発生側に配設したアモルファスカーボンとからなり、
プラズマ放電によって前記半導体チップの表面をエッチ
ングする半導体製造装置であって、前記アモルファスカ
ーボンのエッチングガス供給側の面を金属で覆ったもの
である。

【０００６】

【作用】本発明においては、アモルファスカーボンの金
属で被覆した部分ではデポしない。

【０００７】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図に基づいて説明
する。図１は本発明に係る半導体製造装置の側断面図で
ある。同図において、従来技術と同一の構成については
同一の符号を付し詳細な説明は省略する。本発明の特徴
とするところは、アモルファスカーボン９の反応ガス供
給側の面９ｂにアルミ蒸着膜１２を被覆した点にある。
これは、デポガスが金属の表面にはデポしないという性
質を利用したものである。なお、アルミ蒸着膜１２に形
成したガス噴出口１２ａの径はアモルファスカーボン９
のガス噴出口９ａの径と同一にして、ガス噴出口１２ａ
がエッチング中にプラズマにさらされて損傷することを
防止している。

【０００８】図３は、６インチウェハ上の周辺８mmを除
いた領域への異物の付着数をエッチング終了時からの時
間経過にともなって測定したものである。同図におい
て、従来と比較してアルミ蒸着膜を被覆した本発明で
は、ウェハ上への剥離付着物の落下が大幅に減少してい
ることがわかる。なお、本実施例においては、アルミ蒸
着膜を被覆しているが、これに限定されず、Ｓｉ等の遷
移金属等を使用することも可能であり、また被覆方法も
メッキあるいは溶射等の成膜法等種々の方法で行うこと
ができる。また、被覆ではなく箔あるいは金属板で形成
してもよいことは勿論である。

【０００９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
モルファスカーボンのエッチングガス供給側の面を金属
で覆ったので、エッチングガス供給側の面にデポガスの
デポによる付着物が発生するのを防止でき、このため装
置の信頼性が向上すると共に、デポガスのデポにより発
生する付着物を除去のための保守点検の回数を大幅に減
らすことができ、このため、保守費用の低減と装置の稼
働率を高める効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置の側断面図である。

【図２】従来の半導体装置の側断面図である。

【図３】ウェハ上への異物の付着数をエッチング終了時
からの時間経過にともなって測定し、本発明と従来とを
比較した比較図である。

【符号の説明】 ２ 反応容器 ７ 上部電極 ８ 下部電極 ９ アモルファスカーボン １０ シリコンウェハ １２ 金属被覆

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エッチングガス供給側の第１の電極と、
   この第１の電極と対向して半導体素子を載置する第２の
   電極と、前記第１の電極のプラズマ発生側に配設したア
   モルファスカーボンとからなり、プラズマ放電によって
   前記半導体チップの表面をエッチングする半導体製造装
   置において、前記アモルファスカーボンのエッチングガ
   ス供給側の面を金属で覆ったことを特徴とする半導体製
   造装置。