JPH05114811A - アンテナ装置 - Google Patents
アンテナ装置Info
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- JPH05114811A JPH05114811A JP27530591A JP27530591A JPH05114811A JP H05114811 A JPH05114811 A JP H05114811A JP 27530591 A JP27530591 A JP 27530591A JP 27530591 A JP27530591 A JP 27530591A JP H05114811 A JPH05114811 A JP H05114811A
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- radiation conductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 請求項2の発明は、従来に比べ製造技術的に
容易な、小形、薄形で広帯域な入力インピ−ダンス特性
を有するアンテナ装置を得ることをを目的とする。 【構成】 半導体もしくは誘電体基板の一方の面に放射
導体2と、他方の面にストリップ導体5と地導体3とか
らなるコプレ−ナ線路6とを備え、上記放射導体2にコ
プレ−ナ線路6から電磁界的に結合して給電するように
し、さらに上記の放射導体2の上部に第2の放射導体1
6を備えるようにしたものである。
容易な、小形、薄形で広帯域な入力インピ−ダンス特性
を有するアンテナ装置を得ることをを目的とする。 【構成】 半導体もしくは誘電体基板の一方の面に放射
導体2と、他方の面にストリップ導体5と地導体3とか
らなるコプレ−ナ線路6とを備え、上記放射導体2にコ
プレ−ナ線路6から電磁界的に結合して給電するように
し、さらに上記の放射導体2の上部に第2の放射導体1
6を備えるようにしたものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、給電回路と一体型の
アンテナ装置に関するものである。
アンテナ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来例として、例えば、図7は“Ana
lysis of anAperture coupl
ed Microstrip Antenna”,IE
EETrans.,Action on Antenn
a&Propag.,Vol.AP−34,No.8,
pp.977〜984(Aug.1986).に示され
たアンテナ装置を示す構成図である。図において、2は
放射導体、3は地導体、11は第1の誘電体基板であ
り、これらでマイクロストリップアンテナ4を構成して
いる。12は第2の誘電体基板、14はストリップ導体
であり、これらよりマイクロストリップ線路15を構成
している。13はスロットである。
lysis of anAperture coupl
ed Microstrip Antenna”,IE
EETrans.,Action on Antenn
a&Propag.,Vol.AP−34,No.8,
pp.977〜984(Aug.1986).に示され
たアンテナ装置を示す構成図である。図において、2は
放射導体、3は地導体、11は第1の誘電体基板であ
り、これらでマイクロストリップアンテナ4を構成して
いる。12は第2の誘電体基板、14はストリップ導体
であり、これらよりマイクロストリップ線路15を構成
している。13はスロットである。
【0003】次に動作について説明する。図8はマイク
ロストリップアンテナの動作を示す図である。(a)は
上面図、(b)はA−A断面図を示しており、それぞれ
電界の分布を示している。マイクロストリップ線路15
を伝搬してきた電波はスロット13を介して、マイクロ
ストリップアンテナ4を電磁界的に結合する。この電波
は共振器の一種であるマイクロストリップアンテナ4を
励振し、空間に電波が放射される。
ロストリップアンテナの動作を示す図である。(a)は
上面図、(b)はA−A断面図を示しており、それぞれ
電界の分布を示している。マイクロストリップ線路15
を伝搬してきた電波はスロット13を介して、マイクロ
ストリップアンテナ4を電磁界的に結合する。この電波
は共振器の一種であるマイクロストリップアンテナ4を
励振し、空間に電波が放射される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のマ
イクロストリップアンテナは放射導体にスロットを介し
て電磁界的に給電するため、裏面より同軸線路等で給電
する方法に比べ、半田付けを要しない利点を有するが、
誘電体基板の層を精度よく重ね接合すること、もしくは
半導体基板の中間層を生成することの製造技術上の複雑
さがあり、アレーアンテナを含むアンテナ装置を小形
化、薄形化する上の課題があった。また、マイクロスト
リップアンテナは一種の共振器であるため、できるだけ
入力インピ−ダンスを広帯域特性にするためには、誘電
体の比誘電率を小さくし、且つ基板厚を厚くする必要が
ある。しかし、半導体基板の比誘電率は一般的に大き
く、且つ基板厚には制限があるという課題があった。
イクロストリップアンテナは放射導体にスロットを介し
て電磁界的に給電するため、裏面より同軸線路等で給電
する方法に比べ、半田付けを要しない利点を有するが、
誘電体基板の層を精度よく重ね接合すること、もしくは
半導体基板の中間層を生成することの製造技術上の複雑
さがあり、アレーアンテナを含むアンテナ装置を小形
化、薄形化する上の課題があった。また、マイクロスト
リップアンテナは一種の共振器であるため、できるだけ
入力インピ−ダンスを広帯域特性にするためには、誘電
体の比誘電率を小さくし、且つ基板厚を厚くする必要が
ある。しかし、半導体基板の比誘電率は一般的に大き
く、且つ基板厚には制限があるという課題があった。
【0005】この発明は、このような課題を解消するた
めになされたもので、請求項1では、従来に比べ製造技
術的に容易な、小形、薄形のアンテナ装置を得ることを
目的とし、請求項2では、従来に比べ製造技術的に容易
な、小形、薄形で、広帯域な入力インピ−ダンス特性を
有するアンテナ装置を得ることをを目的とする。
めになされたもので、請求項1では、従来に比べ製造技
術的に容易な、小形、薄形のアンテナ装置を得ることを
目的とし、請求項2では、従来に比べ製造技術的に容易
な、小形、薄形で、広帯域な入力インピ−ダンス特性を
有するアンテナ装置を得ることをを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1の発明に係るアンテナ装置は、半導体も
しくは誘電体基板の一方の面に放射導体と、他方の面に
ストリップ導体と地導体とからなるコプレ−ナ線路とを
備え、上記放射導体にコプレ−ナ線路から電磁界的に結
合して給電するようにしたものである。また、請求項2
の発明に係るアンテナ装置は、請求項1の発明のアンテ
ナ装置の放射導体の上部に第2の放射導体を備え、組み
合わるようにしたものである。
めに、請求項1の発明に係るアンテナ装置は、半導体も
しくは誘電体基板の一方の面に放射導体と、他方の面に
ストリップ導体と地導体とからなるコプレ−ナ線路とを
備え、上記放射導体にコプレ−ナ線路から電磁界的に結
合して給電するようにしたものである。また、請求項2
の発明に係るアンテナ装置は、請求項1の発明のアンテ
ナ装置の放射導体の上部に第2の放射導体を備え、組み
合わるようにしたものである。
【0007】
【作用】上記のように構成された請求項1の発明では、
1層の誘電体もしくは半導体基板の一方の面に放射導
体、他方の面にコプレ−ナ線路を構成し、電磁界的に給
電する方式とすることにより、小型、薄形となり、且つ
基板の両面エッチング加工が可能で製造技術的にも容易
になる。請求項2の発明では、請求項1の発明の放射導
体の上部に第2の放射導体を装荷することにより、小
型、薄形となり、且つ広帯域な特性を有し、製造技術的
にも容易になる。
1層の誘電体もしくは半導体基板の一方の面に放射導
体、他方の面にコプレ−ナ線路を構成し、電磁界的に給
電する方式とすることにより、小型、薄形となり、且つ
基板の両面エッチング加工が可能で製造技術的にも容易
になる。請求項2の発明では、請求項1の発明の放射導
体の上部に第2の放射導体を装荷することにより、小
型、薄形となり、且つ広帯域な特性を有し、製造技術的
にも容易になる。
【0008】
【実施例】実施例1.図1は請求項1の発明の実施例1
を示すアンテナ装置の概略構成図である。図1(a)は
表面図、図1(b)はそのA−Aは断面図、図1(c)
は裏面図である。図において、1は誘電体基板、2は放
射導体、3は地導体であり、これらより、マイクロスト
リップアンテナ4を構成している。5はストリップ導体
であり、地導体3とストリップ導体5とよりコプレ−ナ
線路6を構成している。7はコプレ−ナ線路6の終端部
と地導体との間に設けられた細隙である。
を示すアンテナ装置の概略構成図である。図1(a)は
表面図、図1(b)はそのA−Aは断面図、図1(c)
は裏面図である。図において、1は誘電体基板、2は放
射導体、3は地導体であり、これらより、マイクロスト
リップアンテナ4を構成している。5はストリップ導体
であり、地導体3とストリップ導体5とよりコプレ−ナ
線路6を構成している。7はコプレ−ナ線路6の終端部
と地導体との間に設けられた細隙である。
【0009】次に、動作原理について説明する。図2は
このアンテナの電界分布を示した図である。コプレ−ナ
線路6ではストリップ導体5と地導体3の間に電界が生
じている。このコプレ−ナ線路6の終端を開放すると図
2(b)に示すようにストリップ導体の終端部から地導
体に向かう電界分布となる。ここでコプレ−ナ線路6上
のストリップ導体5から地導体3に向かう電界は互いに
打ち消しあうことになるが、終端部の電界のみがは残る
ことになる。図2(a)に示すようにこの電界(A−A
に垂直な面内には磁界が存在する)がマイクロストリッ
プアンテナを励振する。この電界がマイクロストリップ
アンテナのほぼ中央に存在する場合が一番よく結合する
が、必ずしも中央でなくてもよく、放射導体2の下部に
あればよい。
このアンテナの電界分布を示した図である。コプレ−ナ
線路6ではストリップ導体5と地導体3の間に電界が生
じている。このコプレ−ナ線路6の終端を開放すると図
2(b)に示すようにストリップ導体の終端部から地導
体に向かう電界分布となる。ここでコプレ−ナ線路6上
のストリップ導体5から地導体3に向かう電界は互いに
打ち消しあうことになるが、終端部の電界のみがは残る
ことになる。図2(a)に示すようにこの電界(A−A
に垂直な面内には磁界が存在する)がマイクロストリッ
プアンテナを励振する。この電界がマイクロストリップ
アンテナのほぼ中央に存在する場合が一番よく結合する
が、必ずしも中央でなくてもよく、放射導体2の下部に
あればよい。
【0010】図2では放射導体2として円形マイクロス
トリップアンテナの例を示したが、他の任意形状のマイ
クロストリップアンテナでもよく、また、コプレ−ナ線
路6の終端部の形状は例示のT字形でなく円形およびそ
の他の形状でもよく、終端部の細隙の大きさを変えるこ
とで結合量を変えることができる。さらに、コプレ−ナ
線路6の終端部を開放することによりマイクロストリッ
プアンテナを励振する方法について示したが、これに限
らずコプレ−ナ線路6の非対象、不連続部からの電界に
よりマイクロストリップアンテナを励振することもでき
る。また、ここでは1素子の例を示したが、多素子配列
のアレ−アンテナとした場合にも同様に適用できること
は言うまでもない。
トリップアンテナの例を示したが、他の任意形状のマイ
クロストリップアンテナでもよく、また、コプレ−ナ線
路6の終端部の形状は例示のT字形でなく円形およびそ
の他の形状でもよく、終端部の細隙の大きさを変えるこ
とで結合量を変えることができる。さらに、コプレ−ナ
線路6の終端部を開放することによりマイクロストリッ
プアンテナを励振する方法について示したが、これに限
らずコプレ−ナ線路6の非対象、不連続部からの電界に
よりマイクロストリップアンテナを励振することもでき
る。また、ここでは1素子の例を示したが、多素子配列
のアレ−アンテナとした場合にも同様に適用できること
は言うまでもない。
【0011】実施例2.図3は請求項1の発明の実施例
2を示すアンテナ装置の概略構成図である。図3(a)
は表面図、図3(b)はそのA−A断面図である。これ
は放射導体2に縮退分離素子8を設け、円偏波励振とし
た場合である。放射導体2の基本形として円形マイクロ
ストリップアンテナの例を示したが、方形あるいは他の
形状のマイクロストリップアンテナでも、さらに、縮退
分離素子8として凹部を放射導体2に付けた場合を示し
たが、凹凸あるいはスロット等を装荷しても、同様に円
偏波励振することができる。またここでは、1点給電で
円偏波を励振する例を示したが、これに限るものでな
く、2点給電としその端子間を90度の位相差で励振し
てもよい。
2を示すアンテナ装置の概略構成図である。図3(a)
は表面図、図3(b)はそのA−A断面図である。これ
は放射導体2に縮退分離素子8を設け、円偏波励振とし
た場合である。放射導体2の基本形として円形マイクロ
ストリップアンテナの例を示したが、方形あるいは他の
形状のマイクロストリップアンテナでも、さらに、縮退
分離素子8として凹部を放射導体2に付けた場合を示し
たが、凹凸あるいはスロット等を装荷しても、同様に円
偏波励振することができる。またここでは、1点給電で
円偏波を励振する例を示したが、これに限るものでな
く、2点給電としその端子間を90度の位相差で励振し
てもよい。
【0012】実施例3.図4は請求項1の発明の実施例
3を示すアンテナ装置の概略構成図である。図4(a)
は表面図、図4(b)はそのA−A断面図、図4(c)
は裏面図である。給電線路が、中心線に対して左右非対
称な配置構造であり、コプレ−ナ線路6とマイクロスト
リップアンテナの間に存在するリアクタンスのため、放
射特性が非対称になる。これに対して、上記の給電用の
コプレ−ナ線路6とは別に中心線に対して対称な位置に
コプレ−ナ線路をリアクタンス素子9として設けること
により、マイクロストリップアンテナが対称に励振さ
れ、高次モ−ドの発生が抑圧され、アンテナの放射特性
を対称にすることができる。給電用のコプレ−ナ線路6
の配置形状に応じて、中心線に対して対称な位置に設け
るコプレ−ナ線路(リアクタンス素子9)の形状も変え
ることによりアンテナの放射特性を対称にすることがで
きる。
3を示すアンテナ装置の概略構成図である。図4(a)
は表面図、図4(b)はそのA−A断面図、図4(c)
は裏面図である。給電線路が、中心線に対して左右非対
称な配置構造であり、コプレ−ナ線路6とマイクロスト
リップアンテナの間に存在するリアクタンスのため、放
射特性が非対称になる。これに対して、上記の給電用の
コプレ−ナ線路6とは別に中心線に対して対称な位置に
コプレ−ナ線路をリアクタンス素子9として設けること
により、マイクロストリップアンテナが対称に励振さ
れ、高次モ−ドの発生が抑圧され、アンテナの放射特性
を対称にすることができる。給電用のコプレ−ナ線路6
の配置形状に応じて、中心線に対して対称な位置に設け
るコプレ−ナ線路(リアクタンス素子9)の形状も変え
ることによりアンテナの放射特性を対称にすることがで
きる。
【0013】実施例4.図5は請求項1の発明の実施例
4を示すアンテナ装置の概略構成図である。図5(a)
は表面図、図5(b)はそのA−A断面図、図5(c)
は裏面図である。図において、10はモノリシックマイ
クロ波集積回路(MMIC)、17は半導体基板であ
る。給電線路及びアンテナを構成する基板として、モノ
リシックマイクロ波集積回路(MMIC)に用いるガリ
ウム砒素(GaAs)、シリコン(Si)等の半導体基
板17を用いている。1層の半導体基板17のコプレ−
ナ線路6上に、増幅器や移相器等のモノリシックマイク
ロ波集積回路(MMIC)10を設けた例を示す。増幅
器や移相器等のモノリシックマイクロ波集積回路10は
回路の電界効果トランジスタ等の半導体素子や、キャパ
シタ、インダクタ、抵抗器等の回路素子をモノリシック
化したものである。即ち、1層の半導体基板17にモノ
リシックマイクロ波集積回路(MMIC)10とマイク
ロストリップアンテナを一体化して、モノリシックアン
テナ装置を構成したものである。
4を示すアンテナ装置の概略構成図である。図5(a)
は表面図、図5(b)はそのA−A断面図、図5(c)
は裏面図である。図において、10はモノリシックマイ
クロ波集積回路(MMIC)、17は半導体基板であ
る。給電線路及びアンテナを構成する基板として、モノ
リシックマイクロ波集積回路(MMIC)に用いるガリ
ウム砒素(GaAs)、シリコン(Si)等の半導体基
板17を用いている。1層の半導体基板17のコプレ−
ナ線路6上に、増幅器や移相器等のモノリシックマイク
ロ波集積回路(MMIC)10を設けた例を示す。増幅
器や移相器等のモノリシックマイクロ波集積回路10は
回路の電界効果トランジスタ等の半導体素子や、キャパ
シタ、インダクタ、抵抗器等の回路素子をモノリシック
化したものである。即ち、1層の半導体基板17にモノ
リシックマイクロ波集積回路(MMIC)10とマイク
ロストリップアンテナを一体化して、モノリシックアン
テナ装置を構成したものである。
【0014】実施例5.図6は請求項2の発明の実施例
5を示すアンテナ装置の概略構成図である。図6(a)
は表面図、図6(b)はそのA−A断面図、図6(c)
は裏面図である。図において、16は放射導体2の上部
に装荷する第2の放射導体である。放射導体2は第2の
放射導体16を励振し、主に放射は第2の放射導体16
からの寄与によるものであるから、放射導体2は狭帯域
であってもよい。即ち、誘電体基板1の比誘電率を大き
くし、且つ基板厚を薄くすることによりコプレ−ナ線路
からの不要放射を押さえ、且つ、広帯域な特性を得るこ
とができる。第2の放射導体として円形の場合を例示し
たが、他の形状でも同様の効果がえられることは言うま
でもない。また、放射導体2と第2の放射導体16との
間の空間は空気層もしくは誘電体をつめて構成される。
5を示すアンテナ装置の概略構成図である。図6(a)
は表面図、図6(b)はそのA−A断面図、図6(c)
は裏面図である。図において、16は放射導体2の上部
に装荷する第2の放射導体である。放射導体2は第2の
放射導体16を励振し、主に放射は第2の放射導体16
からの寄与によるものであるから、放射導体2は狭帯域
であってもよい。即ち、誘電体基板1の比誘電率を大き
くし、且つ基板厚を薄くすることによりコプレ−ナ線路
からの不要放射を押さえ、且つ、広帯域な特性を得るこ
とができる。第2の放射導体として円形の場合を例示し
たが、他の形状でも同様の効果がえられることは言うま
でもない。また、放射導体2と第2の放射導体16との
間の空間は空気層もしくは誘電体をつめて構成される。
【0015】
【発明の効果】以上のように請求項1の発明によれば、
誘電体もしくは半導体基板の一方の面に放射導体、他方
の面にコプレ−ナ線路を構成し、電磁界的に給電する方
式とすることにより、従来に比べ製造技術的に容易な、
小形、薄形のアンテナ装置を得ることができる。請求項
2の発明によれば、さらに、上記の放射導体の上部に第
2の放射導体を備えることにより広帯域な入力インピ−
ダンス特性を有し、製造技術的に容易な、小形、薄形の
アンテナ装置を得ることができる。
誘電体もしくは半導体基板の一方の面に放射導体、他方
の面にコプレ−ナ線路を構成し、電磁界的に給電する方
式とすることにより、従来に比べ製造技術的に容易な、
小形、薄形のアンテナ装置を得ることができる。請求項
2の発明によれば、さらに、上記の放射導体の上部に第
2の放射導体を備えることにより広帯域な入力インピ−
ダンス特性を有し、製造技術的に容易な、小形、薄形の
アンテナ装置を得ることができる。
【図1】請求項1の発明の実施例1を示すアンテナ装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図2】図1の動作原理を示す図である。
【図3】請求項1の発明の実施例2を示すアンテナ装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図4】請求項1の発明の実施例3を示すアンテナ装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図5】請求項1の発明の実施例4を示すアンテナ装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図6】請求項2の発明の実施例5を示すアンテナ装置
の概略構成図である。
の概略構成図である。
【図7】従来例を示すアンテナ装置の概略構成図であ
る。
る。
【図8】図7の動作原理を示す図である。
1 誘電体もしくは半導体基板 2 放射導体 3 地導体 5 コプレ−ナ線路のストリップ導体 6 コプレ−ナ線路 7 コプレ−ナ線路の終端部の細隙 8 縮退分離素子 9 リアクタンス素子 10 モノリシックマイクロ波集積回路 16 第2の放射導体
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体もしくは誘電体基板の一方の面に
放射導体と、他方の面にストリップ導体と地導体とから
なるコプレ−ナ線路とを備え、上記放射導体にコプレ−
ナ線路から電磁界的に結合して給電することを特徴とす
るアンテナ装置。 - 【請求項2】 放射導体の上部に第2の放射導体を備え
たことを特徴とする請求項1記載のアンテナ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27530591A JPH05114811A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | アンテナ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27530591A JPH05114811A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | アンテナ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05114811A true JPH05114811A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17553588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27530591A Pending JPH05114811A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | アンテナ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05114811A (ja) |
Cited By (4)
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---|---|---|---|---|
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CN102637956A (zh) * | 2012-05-04 | 2012-08-15 | 电子科技大学 | 一种实现宽波束的圆极化微带天线 |
US8618985B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-12-31 | Kookmin University Industry Academy Cooperation Foundation | Patch antenna and rectenna using the same |
US20160126634A1 (en) * | 2012-11-30 | 2016-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Embedding Low-K Materials in Antennas |
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JPH0253302A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロストリツプアンテナ |
US4980693A (en) * | 1989-03-02 | 1990-12-25 | Hughes Aircraft Company | Focal plane array antenna |
JPH0629725A (ja) * | 1991-02-28 | 1994-02-04 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 平面アンテナ |
-
1991
- 1991-10-23 JP JP27530591A patent/JPH05114811A/ja active Pending
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