JPH0511476A

JPH0511476A - 電子写真感光体及び画像形成方法

Info

Publication number: JPH0511476A
Application number: JP16577391A
Authority: JP
Inventors: Yoshihide Fujimaki; 義英藤巻; Hajime Tadokoro; 肇田所
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1991-07-05
Filing date: 1991-07-05
Publication date: 1993-01-22

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体レーザ等の長波長光に対して高感度特
性を有し、電荷保持性が良好で、さらに、画像欠陥、特
に反転現像時における黒色斑点の少い、特にモアレ発生
を防止した電子写真感光体及びこれら要求を満足させる
画像形成方法の提供。【構成】アルミニウム又はアルミニウム合金からなる
導電性円筒状基体に陽極酸化-着色加工を施したアルマ
イト層上に、感光層を塗設した電子写真感光体におい
て、感光層に電荷発生物質としてCuKα特性Ｘ線（波長
1.1541Å）に対するブラッグ角２θの27.2±0.2°にピ
ークを有するもの、又は9.1±0.2°、27.2±0.2°にピ
ークを有するもので、かつ示差熱分析において150℃以
上400℃以下に発熱ピークを有するチタニルフタロシア
ニンとバナジルフタロシアニンの混晶を用いることを特
徴とする電子写真感光体及び前記感光体を用いて画像を
形成する画像形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表面加工を施した円筒状
基体上にフタロシアニン系顔料を含有する感光層を設け
て成る電子写真感光体及びそれによる画像形成方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来円筒状電子写真感光体においては、
例えばアルミニウム、銅、真鍮、スチール、ステンレス
等の金属基体又はプラスチック基体上にアルミニウム、
パラジウム、金等の金属薄層をラミネート若しくは蒸着
して導電性を付与した円筒状基体上に感光層を設けて構
成される。

【０００３】一方、複写機業界において、一層の画質の
改善及び画像の編集機能が要請され、これに対応したデ
ジタル方式の複写機又はプリンタ等の記録装置の開発が
進められており、そのための記録媒体としての感光体の
改善が切望されている。前記デジタル方式の記録装置に
おいては、一般に、画像信号により変調されたレーザ光
を用いてドット状に露光して感光体上にドット潜像を形
成し、これを反転現像方式により現像して像形成を行う
ようにしている。この場合、前記レーザ光としては、露
光装置の単純化、小型化及び低価格化が可能な半導体レ
ーザ装置が好ましく用いられ、その発振波長は750nm以
上の赤外領域とされている。従って、用いられる感光体
としては、少なくとも750〜850nmの波長領域に高感度を
有することが要求される。

【０００４】前記長波長分光増感及び高感度化の要望に
対応するものとして、特開昭64-17066号及び特開昭2-25
6059号に高感度チタニル系フタロシアニン感光体が提案
された。この感光体は、キャリア発生物質としてCuKα
特性Ｘ線（波長1.541Å）に対応するブラッグ角２θの
主要ピークが少なくとも27.2±0.2°、及び9.6±0.2°
にあるチタニルフタロシアニン顔料を用いた点に特徴が
ある。

【０００５】即ち、この顔料は、従来公知のチタニル系
フタロシアニン顔料とは全く異なった前記Ｘ線回折スペ
クトルを有していて、可視及び近赤外の吸収スペクトル
が780nm〜860nmに最大吸収を示す凝集状態を有し、前記
レーザ光に対応して極めて高感度な特性を発揮しうるも
のである。

【０００６】前記チタニルフタロシアニン顔料は優れた
感度特性を有し、また、感光体上への像形成に際して、
画像信号により変調されたレーザ光によりドット露光し
て前記感光体上にドット潜像を形成し、該潜像のドット
露光部を反転現像してドット状のトナー画像を良好に得
ることができる。ところが、このようなチタニルフタロ
シアニン顔料を用いた感光体の感度特性や電荷保持性
は、その分散方法によって左右されることがあり、分散
方法の確立によって安定した特性を得ることが望まれて
いる。

【０００７】他方、通常の電子写真感光体においては、
接地された導電層と感光層との間の電気接触は微視的に
均一ではなく、例えば導電層側からのキャリア注入が場
所によって異なるために、感光体表面に保持される電荷
分布に、局所的な差異が生じる。これは、現像の後に、
画像欠陥として顕在化し、ポジ型現像方式においては黒
地に白色斑点、ネガ型の反転現像方式においては白地に
黒色斑点となる。特に反転現像方式における黒色斑点
は、地かぶりと同様に、画像品質を著しく損なうもので
ある。この問題は、前記の高感度化された感光体におい
ては特に鋭敏に生じ、前記反転現像方式における黒色斑
点の発生が顕著となる。

【０００８】また、特にレーザ光のように入射光の位相
が揃っているものでは、入射光と基体表面での反射光と
の干渉によりいわゆるモアレが顕著に発生する問題があ
る。

【０００９】このようなモアレは長波長レーザ光が感光
層内で完全に吸収されず、その透過光が基体表面で反射
し、この感光層内からのレーザビームの反射光が感光層
表面の反射光との間で干渉を生じることが原因とされて
いる。

【００１０】この欠点を解消する方法としては、これま
で電子写真感光体で用いる導電性基体の表面を陽極酸化
法やサンドブラスト法などにより粗面化する方法、感光
層と基体の間に光吸収層あるいは反射防止層を用いる方
法などにより感光層内で生じる多重反射を解消すること
が提案されて来ているが、実際問題として画像形成時に
現出するモアレを完全に解消することはできなかった。

【００１１】

【発明の目的】本発明は上記従来の課題に鑑みなされた
もので、その目的は、特に半導体レーザ等の長波長光に
対して高感度特性を有し、電荷保持性が良好で、さら
に、画像欠陥、特に反転現像時における黒色斑点の少
い、モアレ発生を防止した電子写真感光体及びこれら要
求を満足させる画像形成方法を提供することにある。

【００１２】

【発明の構成】前記した本発明の目的は；アルミニウム
あるいはアルミニウム合金で構成された導電性円筒状基
体上に、少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とが形成さ
れてなる積層型感光体において、上記導電性基体の素面
をエッチングした後陽極酸化及び封孔処理を施し、かつ
該基体上に電荷発生物質としてCuKα特性Ｘ線（波長1.1
541Å）に対するブラッグ角２θの27.2±0.2°にピーク
を有し、かつ示差熱分析において150℃以上400℃以下に
発熱ピークを有するチタニルフタロシアニンとバナジル
フタロシアニンの混晶を含有する電荷発生層を有するこ
とを特徴とする電子写真感光体によって達成される。

【００１３】また前記構成態様においては、前記加工を
施された導電性円筒状基体が円筒状基体上の円周方向に
幅が10μm〜１mmで、谷と山の間の深さが0.1〜5.0μmで
ある条溝を並列的に有し、各条溝の幅方向に沿った断面
が規則的形状になっている条溝加工を施したことが有用
であり、更に前記ブラッグ角２θの9.5±0.2°、27.2±
0.2°にピークを有するチタニルフタロシアニンとバナ
ジルフタロシアニンの混晶を用いることが好ましい。

【００１４】更に本発明の目的は；アルミニウムあるい
はアルミニウム合金で構成された導電性円筒状基体上
に、少なくとも電荷発生層と電荷輸送層とが形成されて
なる積層型感光体において、上記導電性基体の素面をエ
ッチングした後陽極酸化及び封孔処理を施し、かつ該基
体上に電荷発生物質としてCukα特性Ｘ線（波長1.1541
Å）に対するブラッグ角２θの9.1±0.2°、27.2±0.2
°にピークを有し、かつ示差熱分析において150℃以上4
00℃以下に発熱ピークを有するチタニルフタロシアニン
とバナジルフタロシアニンの混晶を用いることを特徴と
する電子写真感光体によっても達成される。

【００１５】また本発明の目的は；エッチング、陽極酸
化及び封孔処理、或は更に加えて前記条溝加工を施した
導電性円筒状基体上に感光層を有する電子写真感光体に
おいて、感光層に電荷発生物質として、CuKα特性Ｘ線
（波長1.1541Å）に対するブラッグ角２θの27.2±0.2
°にピークを有するか又は9.1±0.2°、27.2±0.2°に
ピークを有し、かつ示差熱分析において150℃以上400℃
以下に発熱ピークを有するチタニルフタロシアニンとバ
ナジルフタロシアニンの混晶を用いた電子写真感光体
に、電荷を印加する第１工程、画像信号で変調された可
干渉光を照射する第２工程、トナーを有する現像剤で現
像する第３工程を有することを特徴とする画像形成方法
によって具体的に実用価値を発揮する。

【００１６】尚前記画像形成方法の態様としては、前記
可干渉光がレーザビームであることが好ましい。

【００１７】また前記第３工程が、第１の工程で印加し
た電荷極性と同一帯電極性のトナーを有する現像剤で現
像する工程からなることが画像形成方法に有用である。

【００１８】本発明において、アルミニウム基体の表層
を酸化アルミニウム皮膜（いわゆるアルマイト処理、ア
ルマイト層と称する）とする場合に、導電性基体の表面
にエッチングのみを行った場合には、導電性基体の表面
が活性化されて電荷の注入が多くなり、表面電位の低下
や暗減衰の増大を招き、白斑点等のノイズが増加し、静
電特性や画像特性に悪影響を及ぼす。一方、エッチング
を行わずに陽極酸化処理を行った場合には、導電性基体
の表面が不均一な状態のままであるまいと層が形成さ
れ、アルマイト層にむらを生じ、電荷発生層及び電荷輸
送層を均一に形成できなくなる。また、陽極酸化後に封
孔処理を行わなければ、陽極酸化によって形成されたア
ルマイト層の多孔質層内における空気層が障壁となっ
て、電荷の輸送が妨げられ、残留電位が増大して感度の
低下、かぶりの発生を招き、静電特性や画像特性に悪影
響を及ぼす。

【００１９】従って、感光体の静電特性や画像特性に悪
影響を与えることなく、導電性基体の表面に電荷発生層
を均一に形成するためには、導電性基体の表面にエッチ
ング、陽極酸化処理、封孔処理をセットして施しておく
ことが必要になる。

【００２０】ここで、アルミニウムやアルミニウム合金
で構成された導電性基体の表面をエッチングするにあた
っては、アルカリ、酸、弗化物等を用いることができ、
アルカリでは苛性ソーダを、酸では燐酸を使用するのが
一般的である。

【００２１】次に、このように表面がエッチングされた
導電性基体に、陽極酸化処理を施すにあたっては、一般
に電解液として硫酸あるいは蓚酸を使用し、この導電性
基体を陽極にして電解処理を行い、導電性基体の表面に
アルマイト層を形成する。

【００２２】このようにして形成されたアルマイト層
は、バリヤ層と多孔質層の二層からなり、このバリヤ層
の厚みは、電解電圧を調整することによって調整でき、
また多孔質層の厚みは、電解時間を調整することによっ
て調整できる。

【００２３】ここで、バリヤ層については、これを厚く
しすぎると、残留電位の上昇を招き、感度の低下や繰返
し時におこるかぶり等の原因となる一方、薄くしすぎる
と、電荷の注入に対する効果が弱くなり、表面電位の低
下や暗減衰の増大を招き、白斑点等のノイズが増加する
ため、通常はその厚みを100〜1000Å、好ましくは100〜
500Åにする。また、多孔質層については、その厚みが
厚すぎると、残留電位の上昇や暗電流の増加を招くた
め、通常は１〜15μm、好ましくは２〜10μm、より好ま
しくは２〜８μmの厚みに形成する。

【００２４】このようにして導電性基体に陽極酸化処理
を施した後は、通常酢酸ニッケル溶液を使用し、この酢
酸ニッケル溶液中で導電性基体に形成されたアルマイト
層に封孔処理の処理時間や、酢酸ニッケル溶液の濃度や
液温等によって調整することができる。

【００２５】次に本発明の電子写真感光体の構成を例示
した図１によって説明する。

【００２６】図１（ａ）は感光層その他の構成層を塗設
する前の円筒状基体の軸を含んだ面による断面図、図１
（ｂ）は該基体上に構成層を塗設した時の断面図であ
る。

【００２７】図１に示す導電性基体１は微小幅ｄ毎に規
則的に線状突起体２とテーパ反射面３（切削ラインに相
当する）が形成されている。線状突起体２とテーパ反射
面３は、導電性基体１が円筒状基体である場合には螺旋
形状で形成することができるが、その他例えば円筒状基
体の長手方向に平行に、波型に形成することができ、さ
らには線状突起体２とテーパ反射面３を長手方向に対し
て直角及び平行に同時に形成することができる。

【００２８】図１には、１mm幅当たり５個の線状突起体
２とテーパ反射面３が形成された態様を例示している。
勿論、本発明では前述の例に限らず、微小幅ｄは１mm〜
10μmの範囲に設定される。

【００２９】図１（ａ）に示すテーパ反射面３は切刃な
どにより規則的に切削することによって形成された切削
ラインに相当する面で、その断面形状は図示する如く半
円周形状であってもよく、あるいはその他の形状例えば
Ｕ字型形状、Ｖ字型形状、鋸歯形状、台形状あるいは半
楕円形状とすることができる。

【００３０】テーパ反射面３は谷と山の間の深さｈのテ
ーパを有し、このテーパの深さｈは画像形成時に現出す
るモアレを有効に解消する上でλ／２（λ；像露光時に
おける入射光の波長）以上とすることが好ましい。具体
的には、テーパの深さｈは、0.1〜５μmである。テーパ
の深さｈが５μmを超えると、その表面上に形成するア
ルマイト層が線状突起体２が惹起するキャリア注入を充
分に阻止することができず、その突起部から感光層内へ
のキャリア注入が生じ、このためキャリア注入部が画像
形成時には白斑点となって現出し、（反転現像の場合に
は黒斑点となって現出する）画像形成上望ましくない。
また0.1μm未満ではモアレ防止効果を失う。

【００３１】テーパ反射面３は、例えば半円形状、半楕
円形状、Ｕ字形状、Ｖ字形状又は台形状の切刃をもつバ
イトをフライス盤や施盤に固定し、導電性基体を規則的
に移動させることによる切削加工処理によって形成する
ことができる。

【００３２】この際に用いるバイトとしては複数個のバ
イトを並列的に連結した多重バイトを用いることにより
製造上の生産性を高めることもできる。

【００３３】又、本発明は前述の切削加工処理した後
に、エッチング-陽極酸化-封孔処理を行う。

【００３４】図１（ｂ）は、本発明の感光体の好ましい
具体例を表している。同図に示す電子写真感光体は、線
状突起体２とテーパ反射面３を有する導電性基体１の上
にアルマイト層６、下引層７と電荷発生層８及び電荷輸
送層９からなる積層構造の感光層10が順次塗設されてい
る。

【００３５】前記の様なテーパ反射面３を有する導電性
基体１の上に形成した感光層10を帯電した後に、レーザ
ビームによる像露光とトナー現像を順次施して画像を形
成すると、この画像中にはモアレが全く発生しない。

【００３６】テーパ反射面からの乱反射光と表面反射光
との重畳の確率が減ることによると思われるが、好まし
くはテーパ反射面３を感光層10と導電性基体１の間に設
けることによって、これまでの方法では画像形成時に現
出していたモアレを完全に消去する画像形成方法が得ら
れる。

【００３７】次に本発明に用いる帯電性が良好で高感度
なチタニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニンの
混晶について説明する。

【００３８】一般にフタロシアニンを電子写真感光体に
用いる場合、中心金属の種類や結晶型によって特性は著
しく変化することは良く知られている。したがって、電
子写真感光体用のフタロシアニンとしては帯電性が良好
で高い感度を有する安定な結晶型が必要である。一方、
ブラッグ角２θの27.2±0.2°にピークを有するチタニ
ルフタロシアニンは公知の光導電性物質の中では極めて
高い感度を有していることは良く知られているが、この
チタニルフタロシアニンを電子写真感光体に用いた場合
には帯電性が不十分で、高い特性が要求される電子写真
感光体においては高い感度を維持し、さらに帯電能の優
れた電荷発生物質が望まれる。この点から更に詳細な検
討を行って、CuKαの特性Ｘ線（波長1.541Å）に対する
ブラッグ角２θの27.2±0.2°にピークを有し、かつ示
差熱分析において150℃以上400℃以下に発熱ピークを有
するチタニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニン
の混晶、或はブラッグ角２θの9.5±0.2°及び27.2±0.
2°にピークを有するチタニルフタロシアニンとバナジ
ルフタロシアニンの混晶、或はブラッグ角２θの9.1±
0.2°及び27.2±0.2°にピークを有するチタニルフタロ
シアニンとバナジルフタロシアニンの混晶（以後混晶フ
タロシアニンと称す）を得た。

【００３９】ここで混晶とは一般に２種またはそれ以上
の物質が混合し、均一な溶相となった結晶をつくる場
合、その結晶のことをいうが、明礬類に見られるような
同形の塩や結晶格子が類似、或いは原子半径のあまり違
わない金属間においては混晶が形成されることが知られ
ている。本発明の結晶型をとるフタロシアニンの混晶に
ついても良く似た傾向が見られ、チタニルフタロシアニ
ンと比較的類似の構造のものが混晶を形成しやすい傾向
が見られた。チタニルフタロシアニンはＷ．Ｈillerら
によって結晶構造解析がなされており（Ｚ．Ｋristallo
gr．，159，173（1982））その構造はＴｉ＝Ｏがフタロ
シアニン環の共役平面に対して上方に突き出たような構
造をしている。このチタニルフタロシアニンに対して例
えば平面構造を有する無金属フタロシアニンとの間では
結晶純度の高い本発明の結晶型の混晶を得るのは困難
で、本発明の結晶型に他の結晶が混入してくるなどの問
題が生じ、性能低下の原因となりやすい。一方、バナジ
ルフタロシアニンにおいても結晶構造解析がなされてお
り（Ｒ．Ｚiolo et al．，Ｊ．Ｃhem．Ｓoc．Ｄalton，
2300（1980））、チタニルフタロシアニンとはＴｉ＝Ｏ
結合とＶ＝Ｏ結合にわずかに違いはあるものの良く似た
立体構造をとっていることが報告されている。したがっ
て、バナジルフタロシアニンはチタニルフタロシアニン
と混晶を形成するのに有利な立体構造を有していると考
えられ、実際にバナジルフタロシアニンにおいて他のい
くつかのフタロシアニンとは異なり、本発明の結晶型の
混晶を得ることができた。

【００４０】本発明で用いられるチタニルフタロシアニ
ンはつぎの一般式〔Ｉ〕で表され、またバナジルフタロ
シアニンは一般式〔ＩＩ〕で表される。

【００４１】

【化１】

【００４２】但し、一般式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕におい
て、Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³、Ｘ⁴は水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、或いはアルコキシ基、アリールオキシ基を表
し、ｋ、ｌ、ｍ、ｎは０〜４の整数を表す。

【００４３】Ｘ線回折スペクトルは次の条件で測定さ
れ、ここでいうピークとはノイズとは異なった明瞭な鋭
角の突出部のことである。

【００４４】Ｘ線管球 Cu 電圧 40.0 KV 電流 100 mA スタート角度 6.0 deg．ストップ角度 35.0 deg．ステップ角度 0.02 deg．測定時間 0.50 sec．示差熱分析は１回の測定につき10〜50mgの試料量にて測
定し、昇温速度については30（゜Ｋ／min）で測定した。
測定試料の状態としては合成した本発明の結晶型の混晶
フタロシアニンの粉末結晶を用いた。しかしながらこの
粉末試料を用いて作製した感光ドラムより剥離したチタ
ニルフタロシアニン−バナジルフタロシアニン混晶につ
いても同様の測定を行い粉末結晶との比較を行ったが、
同一の結果が得られた。

【００４５】また示差熱分析により150〜400℃に見られ
る発熱ピークは種々存在するフタロシアニンの結晶型の
中でも本発明の結晶型のフタロシアニンに固有のもので
あり、通常この発熱ピークの観測のみでも本発明の結晶
型の混晶フタロシアニンかどうかの判別は可能である。

【００４６】更に示差熱分析の発熱ピークとは熱示差曲
線上の明瞭なピークのことを指しており、発熱ピーク温
度はピークの極大となる点に相当する温度を示す。

【００４７】本発明の結晶型の混晶フタロシアニンに見
られるこの発熱ピークはこの温度において本発明の結晶
型が熱的に安定な結晶に転移するという結晶転移点を表
している。従ってこの値はフタロシアニンの熱的な安定
性を示す物性値であり、結晶の配列と密接に関係してい
る。つまり、この結晶転移点が異なる結晶は熱的な挙動
も異なることを示している。例えば実施例に示したよう
に本発明の混晶フタロシアニンの結晶転移点はチタニル
フタロシアニンとバナジルフタロシアニンの組成比で異
なってくるが、複数の組成比の異なった結晶を混合して
示差熱分析を行うと各組成比の混晶の結晶転移点は独立
に観測される。また本発明の結晶型のチタニルフタロシ
アニンにいかなる結晶型のバナジルフタロシアニンを混
合しても観測されるのはチタニルフタロシアニンの結晶
転移点でありバナジルフタロシアニンとの結晶とは異な
っている。これは混晶におけるチタニルフタロシアニン
とバナジルフタロシアニンの成分が固体状態で均一な溶
相を形成しているためで混合とは本質的に異なるためで
ある。

【００４８】また、赤外吸収スペクトルは次のような条
件で測定した。

【００４９】装置：ニコレー社製ＦＴ−ＩＲ 60ＳＸ分解能： 0.25cm^-1 測定法：拡散反射、ＫＢｒ粉末本発明に用いられるチタニルフタロシアニンの合成には
種々の方法を用いることができるが、代表的には次の反
応式（１）或いは（２）に従って合成することができ
る。

【００５０】

【化２】

【００５１】式中、Ｒ₁〜Ｒ₄は脱離基を表す。

【００５２】また、本発明に用いられるバナジルフタロ
シアニンはチタニルフタロシアニンと同様にo-フタロニ
トリルや1,3-ジイミノイソインドリンと五酸化バナジウ
ム、アセチルアセトンバナジウムに代表されるバナジウ
ム試薬を1-クロルナフタレン等の不活性溶媒中で反応さ
せることにより得ることができる。

【００５３】上記のようにして得られたチタニルフタロ
シアニンとバナジルフタロシアニンの混晶の形成は従来
技術としては共蒸着の方法のみが知られているにすぎな
かったが、本発明者らによる詳細な検討の結果、そのほ
かにも溶媒中に均一に溶解させた後析出させる方法、或
は固体状態にて混合後、ミリング等の剪断力を付与する
方法などによっても混晶の形成が可能であることが判っ
た。

【００５４】具体的には再結晶、再沈殿、アシッドペー
スト処理、或は乾式又は湿式によるミリングによる方法
などが挙げられるが、このような混晶の形成法の確立に
より本発明の結晶型を得るに至った。しかしながら混晶
を形成させる方法はこれらの方法に限定されるものでは
ない。

【００５５】次に本発明に用いられる結晶型の混晶フタ
ロシアニンを得る方法を例示的に示す。例えば通常のア
シッドペースト処理により任意の結晶型のチタニルフタ
ロシアニン及びバナジルフタロシアニンを濃硫酸に溶解
し、その硫酸溶液を水にあけて析出した結晶を濾取する
方法、或は任意の結晶型のチタニルフタロシアニンとバ
ナジルフタロシアニンを混合し、その混合物をミリング
等の機械的な力により粉砕する方法などによってチタニ
ルフタロシアニン−バナジルフタロシアニンより構成さ
れるアモルファス結晶が得られる。ここでアシッドペー
スト処理によりアモルファス化を行う場合は一般的な条
件にて達成され、フタロシアニンに対する濃硫酸の重量
比は特に限定されないが、５倍から200倍程度が望まし
い。また、濃硫酸に対する水あけに用いる水の量は重量
比で通常、５倍から100倍程度が望ましい。更に、フタ
ロシアニンを濃硫酸に溶解する温度は５℃以下、水あけ
温度は通常０℃以上50℃以下が望ましい。

【００５６】次いでこのアモルファス結晶を特定の有機
溶媒で処理することによって本発明に用いられる結晶型
を得ることができる。用いられる有機溶媒としては炭化
水素系溶媒、芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、アルコー
ル、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、有機酸、有機ア
ミン類、複素環化合物などが挙げられるが、必要に応じ
てスルホン酸やトリクロル酢酸等の酸を添加してもよ
い。一方、アモルファス結晶の状態は水分を含んだウエ
ットペーストの状態或は水分を含んでいない乾燥状態の
もののどちらも用いることができるが、これは処理する
有機溶媒の種類や目的によって選択する事ができる。さ
らにこの溶媒処理においては必要に応じて加熱あるいは
ミリング処理等の操作を行うことができる。また合成例
６に示したように一旦これらの方法にて本発明の結晶型
に変換された結晶に対して更に上述の有機溶媒で処理す
るなどの必要に応じた結晶処理を行うことができる。し
かしながら結晶変換の方法は必ずしもこのような方法に
限定されるものではない。

【００５７】本発明の混晶フタロシアニンにおけるチタ
ニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニンの組成比
は両方のフタロシアニンが存在していれば特に限定され
ないが、チタニルフタロシアニンの存在比は50％以上が
望ましい。さらに望ましくはチタニルフタロシアニンの
存在比が80％以上である。さらにはチタニルフタロシア
ニンの存在比が90％以上が最も望ましい。ここでいう存
在比とは全重量に対しての含有されているチタニルフタ
ロシアニンの重量比を表す。

【００５８】本発明の電子写真感光体は上記の混晶フタ
ロシアニンの他に光導電性物質を併用してもよい。他の
光導電性物質としてはＡ、Ｂ、Ｃ、アモルファス、その
他Ｙ型に代表されるブラッグ角２θの27.2゜にピークを
有する各チタニルフタロシアニンやバナジルフタロシア
ニン、更には無金属フタロシアニンの各結晶型、銅フタ
ロシアニン等に代表される各種の金属フタロシアニン、
ナフタロシアニン、その他ポルフィリン誘導体、アゾ化
合物、ジブロモアンスアンスロンに代表される多環キノ
ン化合物、ピリリウム化合物及びピリリウム化合物の共
晶錯体、スクエアリウム化合物などが挙げられる。

【００５９】次に本発明の電子写真感光体はキャリア輸
送物質を併用してもよい。キャリア輸送物質としては種
々のものが使用できるが、代表的なものとして例えばオ
キサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チアジア
ゾール、イミダゾール等に代表される含窒素複素環核、
及びその縮合環核を有する化合物、ポリアリールアルカ
ン系の化合物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合
物、トリアリールアミン系化合物、スチリル系化合物、
ポリス（ビス）スチリル系化合物、スチリルトリフェニ
ルアミン系化合物、β-フェニルスチリルトリフェニル
アミン系化合物、ブタジエン系化合物、ヘキサトリエン
系化合物、カルバゾール系化合物、縮合多環系化合物等
が挙げられる。このキャリア輸送物質の具体例としては
例えば特開昭61-107356号に記載のキャリア輸送物質を
挙げることができるが、特に代表的なものの構造を次に
示す。

【００６０】

【化３】

【００６１】

【化４】

【００６２】

【化５】

【００６３】

【化６】

【００６４】

【化７】

【００６５】感光体の層構成は前記の通りであるが、従
来公知の層構成を適宜適用できる。感光層の形成におい
てはキャリア発生物質域はキャリア輸送物質を単独でも
しくはバインダや添加剤とともに溶解させた溶液を塗布
する方法が有効である。しかし、一般にキャリア発生物
質の溶解度は低いため、そのような場合キャリア発生物
質を超音波分散機、ボールミル、サイドミル、ホモミキ
サ等の分散装置を用いて適当な分散媒中に微粒子分散さ
せた液を塗布する方法が有効となる。この場合、バイン
ダや添加剤は分散液中に添加して用いられるのが通常で
ある。

【００６６】感光層の形成に使用される溶剤或は分散媒
としては広く任意のものを用いることができる。例え
ば、ブチルアミン、エチレンジアミン、N,N-ジメチルホ
ルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノン、4-メトキシ-4-メチル-2-ペンタノン、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、酢酸ブチル、
酢酸-t-ブチル、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、ブチルセロソルブ、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、トルエン、キシレン、アセトフェノン、クロロ
ホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン、トリクロル
エタン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール等が挙げられる。

【００６７】キャリア発生層もしくはキャリア輸送層の
形成にバインダを用いる場合に、バインダとして任意の
ものを選ぶことができるが、特に疎水性でかつフィルム
形成能を有する高分子重合体が望ましい。このような重
合体としては例えば次のものをあげることができるが、
これらに限定されるものではない。ポリカーボネートポリカーボネートＺ樹脂アクリル樹脂メタクリル樹脂ポリ塩化ビニルポリ塩化ビニリデンポリスチレンスチレン-ブタジエン共
重合体ポリ酢酸ビニルポリビニルホルマールポリビニルブチラールポリビニルアセタールポリビニルカルバゾールスチレン-アルキッド樹
脂シリコーン樹脂シリコーン-アルキッド
樹脂シリコーン-ブチラール樹脂ポリエステルポリウレタンポリアミドエポキシ樹脂フェノール樹脂塩化ビニリデン-アクリロニトリル共重合体塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸共重合体バインダに対するキャリア発生物質の割合は10〜600wt
％が望ましく、さらには、50〜400wt％とするのが望ま
しい。バインダに対するキャリア輸送物質の割合は10〜
500wt％とするのが望ましい。キャリア発生層の厚さは
0.01〜20μmとされるが、さらには0.05〜5μmが好まし
い。キャリア輸送層の厚みは１〜100μmであるが、さら
には５〜30μmが好ましい。

【００６８】上記感光層には感度の向上や残留電位の減
少、或は反復使用時の疲労の低減を目的として電子受容
性物質を含有させることができる。このような電子受容
性物質としては例えば、無水琥珀酸、無水マレイン酸、
ジブロム無水琥珀酸、無水フタル酸、テトラクロル無水
フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、3-ニトロ無水フ
タル酸、4-ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、
無水メリット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノ
キノジメタン、o-ジニトロベンゼン、m-ジニトロベンゼ
ン、1,3,5-トリニトロベンゼン、p-ニトロベンゾニトリ
ル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラ
ニル、ブロマニル、ジクロルジシアノ-p-ベンゾキノ
ン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、9-フル
オレニリデンマロノニトリル、ポリニトロ-9-フルオレ
ニリデンマロノニトリル、ピクリン酸、o-ニトロ安息香
酸、p-ニトロ安息香酸、3,5-ジニトロ安息香酸、ペンタ
フルオル安息香酸、5-ニトロサリチル酸、3,5-ジニトロ
サリチル酸、フタル酸、メリット酸、その他の電子親和
力の大きい化合物を挙げることができる。電子受容性物
質の添加割合はキャリア発生物質の重量100に対して0.0
1〜200が望ましく、さらには0.1〜100が好ましい。

【００６９】また、上記感光層中には保存性、耐久性、
耐環境依存性を向上させる目的で酸化防止剤や光安定剤
等の劣化防止剤を含有させることができる。そのような
目的に用いられる化合物としては例えばトコフェロール
等のクロマノール誘導体及びそのエーテル化化合物もし
くはエステル化化合物、ポリアリールアルカン化合物、
ハイドロキノン誘導体及びそのモノ及びジエーテル化化
合物、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導
体、チオエーテル化合物、ホスホン酸エステル、亜燐酸
エステル、フェニレンジアミン誘導体、フェノール化合
物、ヒンダードフェノール化合物、直鎖アミン化合物、
環状アミン化合物、ヒンダードアミン化合物などが有効
である。特に有効な化合物の具体例としては「IRGANOX
1010」、「IRGANOX 565」(チバ・ガイギー社製)、「スミラ
イザー BHT」「スミライザーMDP」（住友化学工業社製）等
のヒンダードフェノール化合物「サノール LS-2626」、
「サノール LS-622LD」(三共社製)等のヒンダードアミ
ン化合物が挙げられる。

【００７０】中間層、保護層等に用いられるバインダと
しては、上記のキャリア発生層及びキャリア輸送層用に
挙げたものを用いることができるが、そのほかにナイロ
ン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢
酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、エチレン−酢酸ビ
ニル−メタクリル酸共重合体等のエチレン系樹脂、ポリ
ビニルアルコール、セルロース誘導体等が有効である。
また、メラミン、エポキシ、イソシアネート等の熱硬化
或は化学的硬化を利用した硬化型のバインダを用いるこ
とができる。

【００７１】

【実施例】

：チタニルフタロシアニンの合成：1,3-ジイミノイソイ
ンドリン29.2gとo-ジクロルベンゼン200ml及びチタニウ
ムテトラブトキシドシド20.4gを混合し、窒素気流下に
て３時間還流させた。放冷して室温に戻した後析出した
結晶を濾取し、o-ジクロルベンゼンで洗浄し、更にメタ
ノールで洗浄した。更に得られた結晶を２％塩酸水溶液
中室温にて数回撹拌洗浄し、さらに脱イオン水で数回洗
浄を繰返した。その後メタノールで洗浄後、乾燥して青
紫色のチタニルフタロシアニン結晶24.2gを得た。

【００７２】：バナジルフタロシアニンの合成：1,3-ジ
イミノイソインドリン29.2gとo-ジクロルベンゼン200ml
及びバナジルアセチルアセトナート８gを混合し、窒素
気流下にて５時間還流させた。その後放冷して室温に戻
した後析出した結晶を濾取し、o-ジクロルベンゼンで洗
浄し、更にメタノールで洗浄した。更に得られた結晶を
２％塩酸水溶液中室温にて数回撹拌洗浄し、さらに脱イ
オン水で数回洗浄を繰返した。乾燥後この結晶を1-クロ
ルナフタレンで再結晶して紫色のバナジルフタロシアニ
ン結晶18.9gを得た。

【００７３】：混晶の合成：合成例１チタニルフタロシアニン４g及びバナジルフタロシアニ
ン１gを氷冷下250gの96％硫酸に溶解し、この硫酸溶液
を５ｌの水にあけて析出したアモルファス状態のウエッ
トペーストを濾取した。

【００７４】更にこのウエットペーストとo-ジクロルベ
ンゼン50gを混合し、50℃の温度で２時間撹拌した。こ
の反応液をメタノールで希釈後濾過し、更に得られた結
晶をメタノールで数回洗浄して青色結晶を得た。この結
晶は図２に示すようにブラッグ角２θの9.5°及び27.2
°にピークを有し、かつ示差熱分析によって237℃に発
熱ピークを有する本発明の混晶フタロシアニンであるこ
とが判った。更にこの結晶は赤外吸収スペクトルを図７
に示すが、本発明の結晶は特に950〜1050cm^-1の領域に
特徴的な吸収を示す。比較合成例（１）と異なり994cm
^-1に本発明の結晶に特徴的な吸収が見られるが、これは
バナジルフタロシアニンのＶ＝Ｏ結合に由来する吸収と
考えられる。また961cm^-1にも吸収を示しており、これ
は比較合成例（３）と同様のチタニルフタロシアニンの
Ｔｉ＝Ｏ吸収と考えられる。このように本発明のチタニ
ルフタロシアニンとバナジルフタロシアニンの混晶は２
種のフタロシアニンが互いに独立に本発明の結晶型に由
来する吸収を示し、この２種のフタロシアニンの存在を
支持している。

【００７５】合成例２合成例１においてチタニルフタロシアニン2.5g及びバナ
ジルフタロシアニン2.5gを用いた他は合成例１と同様に
して青色結晶を得た。この結晶は図３に示すようにブラ
ッグ角２θの9.5°及び27.2°にピークを有し、また示
差熱分析において228℃に発熱ピークを示した。さらに
赤外吸収スペクトルにおいては図８に示すように994cm
^-1と961cm^-1に吸収を示した。

【００７６】合成例３合成例１においてチタニルフタロシアニン１g及びバナ
ジルフタロシアニン４gを用いた他は合成例１と同様に
して青色結晶を得た。この結晶は図４に示すようにブラ
ッグ角２θの9.5°及び27.2°にピークを有し、また示
差熱分析において219℃に発熱ピークを示した。更に赤
外吸収スペクトルにおいては図９に示すように995cm^-1
と961cm^-1に吸収を示した。

【００７７】合成例４合成例１においてチタニルフタロシアニン0.5g及びバナ
ジルフタロシアニン4.5gを用いた他は合成例１と同様に
して青色結晶を得た。この結晶はブラッグ角２θの9.5
°及び27.2°にピークを有し、また示差熱分析において
216℃に発熱ピークを示した。更に赤外吸収スペクトル
においては1003cm^-1と965cm^-1及び961cm^-1に吸収を示し
た。

【００７８】合成例５合成例１においてチタニルフタロシアニン4.75g及びバ
ナジルフタロシアニン0.25gを用いた他は合成例１と同
様にして青色結晶を得た。この結晶はブラッグ角２θの
9.5°及び27.2°にピークを有し、また示差熱分析にお
いて247℃に発熱ピークを示した。

【００７９】合成例６合成例２において得られた図３の混晶フタロシアニンを
ＴＨＦ中でミリングを行い、更にメタノールで洗浄して
図５に示したようにブラッグ角２θの9.1゜及び27.2゜
にピークを有するチタニルフタロシアニンを得た。この
チタニルフタロシアニンは示差熱分析において300℃に
発熱ピークが観測された。更に赤外吸収スペクトルにお
いては図10に示すように994cm^-1及び961cm^-1に吸収を示
した。

【００８０】比較合成例（１）バナジルフタロシアニンとして1,3-ジイミノイソインド
リンとバナジルアセチルアセトナートの反応によって得
られた再結晶していない粗結晶を用い、この粗結晶５g
を合成例１と同様に96％硫酸250gに氷冷下溶解し、この
硫酸溶液を５lの水にあけて析出したアモルファス状態
のウエットペーストを濾取した。

【００８１】更にこのウエットペーストとo-ジクロルベ
ンゼン50gを混合し、50℃の温度で２時間撹拌した。こ
の反応液をメタノールで希釈後濾過し、更に得られた結
晶をメタノールで数回洗浄して青色結晶を得た。この結
晶はブラッグ角２θの7.5゜、9.5゜、27.2゜及び28.6゜
にピークを有したが、示差熱分析における明瞭な発熱ピ
ークは見られなかった。更に赤外吸収スペクトルにおい
ては1003cm^-1に吸収を示した。

【００８２】比較合成例（２）比較合成例（１）においてバナジルフタロシアニンとし
て1-クロルナフタレンにて再結晶精製したバナジルフタ
ロシアニンを用いた他は合成例１と同様にして青色結晶
を得た。この結晶はブラッグ角２θの7.5゜及び28.6゜
にピークを有し、示差熱分析においても明瞭な発熱ピー
クは認められなかった。更に赤外吸収スペクトルにおい
ては1003cm^-1に吸収を示した。

【００８３】比較合成例（３）比較合成例（１）においてバナジルフタロシアニンの代
りに上記合成例によって得られるチタニルフタロシアニ
ンを用いた他は比較合成例（１）と同様にして青色結晶
を得た。この結晶はブラッグ角２θの9.5゜及び27.2゜
にピークを有し、示差熱分析において255℃に発熱ピー
クを有するチタニルフタロシアニンであった。更に、こ
の結晶は赤外吸収スペクトルにおいて961cm^-1に吸収を
示した。

【００８４】比較合成例（４）比較合成例（３）によって得られるチタニルフタロシア
ニンをＴＨＦ中でミリングし、更にメタノールで洗浄し
て青色結晶を得た。この結晶はブラッグ角２θの9.0゜
及び27.2゜にピークを有し、また示差熱分析において36
1℃に発熱ピークを有するチタニルフタロシアニンであ
った。

【００８５】比較合成例（５）合成例１によって得られるウエットペーストを十分乾燥
させて得られた粉末を1-クロルナフタレンにより再結晶
した。得られた結晶は図６に示すようにブラッグ角２θ
の9.2゜、10.5゜、13.1゜、15.0゜、26.2゜、27.1゜に
ピークを有するＡ型結晶で、示差熱分析では150℃以上4
00℃以下の領域に発熱ピークを示さなかった。

【００８６】比較合成例（６）合成例２によって得られるウエットペーストを十分乾燥
させて得られる粉末２gを150mlの1,1,2,2-テトラクロル
エタン中で加熱還流してブラッグ角２θの7.5゜、28.6
゜にピークを有するＢ型結晶を得た。この結晶の示差熱
分析を行ったところ150℃以上400℃以下の領域には明瞭
な発熱ピークは観測されなかった。

【００８７】比較合成例（７）比較合成例（３）によって得られるチタニルフタロシア
ニン2.5gと比較合成例（１）によって得られるバナジル
フタロシアニン2.5gを結晶転移を起こさないような条件
により乳鉢をもちいて十分均一に混合した。この混合物
の示差熱分析を行ったところ255℃に発熱ピークが観測
され比較合成例（３）のチタニルフタロシアニンの値と
一致した。また赤外吸収スペクトルにおいては961cm^-1
と1003cm^-1にピークを示し、それぞれ比較合成例（３）
のチタニルフタロシアニンと比較合成例（１）のバナジ
ルフタロシアニンの値と一致した。しかしながら合成例
２に見られるような994cm^-1のピークは観測されなかっ
た。

【００８８】実施例１アルミニウムからなる円筒状基体の引抜管を表面粗さ0.
1Ｓに切削加工し、この表面を常法の苛性ソーダによる
エッチング処理後、陽極酸化処理を行い、さらに封孔処
理を行い所望のアルマイト処理基体を得た。

【００８９】次に合成例１において得られた図２のＸ線
回折パターンを有する混晶フタロシアニン３部、バイン
ダ樹脂としてポリビニルブチラール「エスレックBHS」
（積水化学社製）固形分1.5部、分散媒としてメチルエ
チルケトン100部をサンドミルを用いて分散した液を上
記アルマイト処理基体上に浸漬塗布法によって塗布し
て、膜厚0.25mmの電荷発生層を形成した。次いで電荷輸
送物質（２）の１部、ポリカーボネート樹脂「ユーピロ
ンＺ200」1.5部（三菱瓦斯化学製）1.5部、ＡＯ剤「IRG
ANOX1010」0.1部、（チバガイギー社製）、微量のシリ
コーンオイル「KF-54」（信越化学社製）を1,2-ジクロ
ルエタン９部に溶解した液を用いて浸漬塗布し乾燥後、
膜厚25μmの電荷輸送層を形成した。このようにして得
られた感光体を試料１とする。

【００９０】実施例２実施例１に記載のアルマイト処理基体上に共重合ポリア
ミド樹脂「アミランCM8000」（東レ社製）３部をメタノ
ール／ブタノールの混合溶媒（90／10）100部に溶解
し、浸浸塗布法により、乾燥後の膜厚0.4μmの下引き層
を形成した。

【００９１】次に、実施例１において合成例１で得られ
た混晶フタロシアニンを用いる代りに、合成例２で得ら
れた混晶フタロシアニンを用いた他は実施例１と全く同
様にして、電荷発生層及び電荷輸送層を順次浸漬塗布法
により上記下引き層上に形成した。これを試料２とす
る。

【００９２】実施例３及び４実施例１に記載のアルマイト処理基体上に、エチレン-
酢酸ビニル-メタクリル酸共重合体ELVAX4260（デュポン
社製）３部をトルエン100部に溶解し、浸漬塗布法によ
り、乾燥後の膜厚0.4μmの下引き層を形成した。

【００９３】次に、実施例１において合成例１で得られ
た混晶フタロシアニンを用いる代りに、合成例３，６で
得られた混晶フタロシアニンを用いた他は実施例１と全
く同様にして、電荷発生層及び電荷輸送層を順次浸漬塗
布法により上記下引き層上に形成した。これを試料３及
び４とする。

【００９４】実施例５円筒状アルミニウム基体を送り速度200μm／回転、ダイ
ヤモンドバイトの切削深さ0.6μmとし、外径60.6mm、長
さ272mmに切削加工した。基体の表面粗さは基体粗さ計
「SE-3E」（小坂製作所製）を用いて測定した。

【００９５】次に実施例１と同様にしてアルマイト処理
加工を施し、その後浸漬塗布により電荷発生層及び電荷
輸送層を順次積層した。

【００９６】これを試料５とする。

【００９７】比較例（１）実施例１において、アルマイト処理加工を施さなかった
以外は実施例１と同様にして感光体を作成した。これを
比較試料（１）とする。

【００９８】比較例（２）及び（３）実施例１において、合成例１で得られた混晶フタロシア
ニンを用いる代りに、比較合成例（５）及び（７）で得
られたバナジルフタロシアニン及びチタニルフタロシア
ニンとバナジルフタロシアニンの混晶を用いた他は実施
例１と同様にして感光体を作成した。これを比較試料
（２）及び（３）とする。

【００９９】（評価）前記試料１〜５及び比較試料
（１）〜（３）を「LP-3015」（コニカ社製）（半導体
レーザ光源搭載）改造機に搭載し、未露光部電位Ｖ_Hが-
650〔Ｖ〕になるようにグリッド電圧Ｖ_Gを調節し、ドラ
ム面上の露光量を10erg/cm²としたときの露光部の電位
Ｖ_Lを測定した。また、連続5000プリント後のＶ_H、Ｖ_L
を測定した。

【０１００】更に10℃、ＲＨ20％の環境条件で現像バイ
アス-560〔Ｖ〕で反転現像を行い複写画像の白地部分の
黒斑点を評価した。

【０１０１】なお、黒斑点の評価は、連続5000プリント
後に画像解析装置「オムニコン3000形」（島津製作所社
製）を用いて黒斑点の粒径と個数を測定し、φ（径）0.
05mm以上の黒斑点が１cm²当たり何個あるかにより判定
した。黒斑点評価の判定基準は、下記に示す通りであ
る。

【０１０２】またモアレ発生の有無を露光量３erg/cm²、10erg/cm²
で全面スキャンした画像の目視により確認した。

【０１０３】 ○…モアレ発生なし ×…モアレ発生あり評価の結果を表１に示す。

【０１０４】

【表１】

【０１０５】表１から、本発明の感光体は、比較感光体
に比して高感度特性を有し、かつ画像欠陥が少なく、反
転現像時の黒斑点が少い、さらにモアレ発生がないこと
がわかる。

【０１０６】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の感
光体によれば、反転現像時の黒斑点等の発生が少なく、
しかもモアレ発生を防止し、高感度、高画質の画像が安
定して得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】円筒状基体及び感光体の断面図

【図２】合成例１によって得られる混晶フタロシアニン
のＸ線回折図

【図３】合成例２によって得られる混晶フタロシアニン
のＸ線回折図

【図４】合成例３によって得られる混晶フタロシアニン
のＸ線回折図

【図５】合成例６によって得られる混晶フタロシアニン
のＸ線回折図

【図６】比較合成例（５）によって得られるフタロシア
ニンのＸ線回折図

【図７】合成例１によって得られる混晶フタロシアニン
の赤外吸収スペクトル図

【図８】合成例２によって得られる混晶フタロシアニン
の赤外吸収スペクトル図

【図９】合成例３によって得られる混晶フタロシアニン
の赤外吸収スペクトル図

【図１０】合成例６によって得られる混晶フタロシアニ
ンの赤外吸収スペクトル図

【符号の説明】

１導電性基体２線状突起体３テーパ反射面６アルマイト層７下引層８電荷発生層９電荷輸送層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アルミニウムあるいはアルミニウム合金
で構成された導電性円筒状基体上に、少なくとも電荷発
生層と電荷輸送層とが形成されてなる積層型感光層にお
いて、上記導電性基体の素面をエッチングした後陽極酸
化及び封孔処理を施し、かつ該基体上に電荷発生物質と
してCuKα特性Ｘ線（波長1.1541Å）に対するブラッグ
角２θの27.2±0.2°にピークを有し、かつ示差熱分析
において150℃以上400℃以下に発熱ピークを有するチタ
ニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニンの混晶を
含有する電荷発生層を有することを特徴とする電子写真
感光体。
【請求項２】前記加工を施された導電性円筒状基体が
円筒状基体上の円周方向に幅が10μm〜１mmで、谷と山
の間の深さが0.1〜5.0μmである条溝を並列的に有し、
各条溝の幅方向に沿った断面が規則的形状になっている
条溝加工を施したことを特徴とする請求項１に記載の電
子写真感光体。
【請求項３】前記ブラッグ角２θの9.5±0.2°、27.2
±0.2°にピークを有するチタニルフタロシアニンとバ
ナジルフタロシアニンの混晶を用いることを特徴とする
請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項４】アルミニウムあるいはアルミニウム合金
で構成された導電性円筒状基体上に、少なくとも電荷発
生層と電荷輸送層とが形成されてなる積層型感光体にお
いて、上記導電性基体の素面をエッチングした後陽極酸
化及び封孔処理を施し、かつ該基体上に電荷発生物質と
してCukα特性Ｘ線（波長1.1541Å）に対するブラッグ
角２θの9.1±0.2°、27.2±0.2°にピークを有し、か
つ示差熱分析において150℃以上400℃以下に発熱ピーク
を有するチタニルフタロシアニンとバナジルフタロシア
ニンの混晶を用いることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項５】エッチング、陽極酸化及び封孔処理、或
は更に加えて前記条溝加工を施した導電性円筒状基体上
に感光層を有する電子写真感光体において、感光層に電
荷発生物質として、CuKα特性Ｘ線（波長1.1541Å）に
対するブラッグ角２θの27.2±0.2°にピークを有する
か又は9.1±0.2°、27.2±0.2°にピークを有し、かつ
示差熱分析において150℃以上400℃以下に発熱ピークを
有するチタニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニ
ンの混晶を用いた電子写真感光体に、電荷を印加する第
１工程、画像信号で変調された可干渉光を照射する第２
工程、トナーを有する現像剤で現像する第３工程を有す
ることを特徴とする画像形成方法。
【請求項６】前記可干渉光がレーザビームである請求
項５に記載の画像形成方法。
【請求項７】前記第３工程が、第１の工程で印加した
電荷極性と同一帯電極性のトナーを有する現像剤で現像
する工程である請求項５又は６に記載の画像形成方法。