JPH05114584A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPH05114584A JPH05114584A JP30258191A JP30258191A JPH05114584A JP H05114584 A JPH05114584 A JP H05114584A JP 30258191 A JP30258191 A JP 30258191A JP 30258191 A JP30258191 A JP 30258191A JP H05114584 A JPH05114584 A JP H05114584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- dry etching
- electrode
- counter electrode
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 長時間の使用に対してもエッチング速度がほ
とんど変化しないドライエッチング装置を提供すること
を目的としている。 【構成】 真空処理室１内に互いに平行な基板載置電極
２と、対向電極１０を設置し、基板載置電極２に被処理
基板４を載置し、電極２、１０間に生成させた反応性ガ
スプラズマによって被処理基板４をドライエッチングす
る装置である。対向電極１０を構成する材料が反応性ガ
スプラズマでエッチングを受ける導電性材料としてある
と共に、基板載置電極の被処理基板４の周囲に、反応性
ガスプラズマでエッチングを受ける導電性材料でなり、
かつその上面を被処理基板の上面より高くしたブロック
が設置してある。
とんど変化しないドライエッチング装置を提供すること
を目的としている。 【構成】 真空処理室１内に互いに平行な基板載置電極
２と、対向電極１０を設置し、基板載置電極２に被処理
基板４を載置し、電極２、１０間に生成させた反応性ガ
スプラズマによって被処理基板４をドライエッチングす
る装置である。対向電極１０を構成する材料が反応性ガ
スプラズマでエッチングを受ける導電性材料としてある
と共に、基板載置電極の被処理基板４の周囲に、反応性
ガスプラズマでエッチングを受ける導電性材料でなり、
かつその上面を被処理基板の上面より高くしたブロック
が設置してある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイスの製
造工程におけるエッチングに用いられるドライエッチン
グ装置に関する。
造工程におけるエッチングに用いられるドライエッチン
グ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイス製造のためのエッ
チング工程では、平行平板電極を用いたドライエッチン
グ装置が一般に用いられていた。特に、基板の大口径化
に伴い、基板を一枚一枚処理する枚葉式ドライエッチン
グ装置が一般的になってきた。この形式の装置では、生
産性を上げるために処理速度を従来の多数枚一括処理す
る、いわゆるバッチ式装置に比較し、処理速度を一桁上
げる必要があった。このため、例えば酸化膜のドライエ
ッチング装置では、１００Pa程度の圧力で、平行平板電
極の電極間隔を１０mm以下にして高い高周波電力密度で
基板をエッチングする、いわゆるナローギャップ式ドラ
イエッチング装置がよく使われていた。
チング工程では、平行平板電極を用いたドライエッチン
グ装置が一般に用いられていた。特に、基板の大口径化
に伴い、基板を一枚一枚処理する枚葉式ドライエッチン
グ装置が一般的になってきた。この形式の装置では、生
産性を上げるために処理速度を従来の多数枚一括処理す
る、いわゆるバッチ式装置に比較し、処理速度を一桁上
げる必要があった。このため、例えば酸化膜のドライエ
ッチング装置では、１００Pa程度の圧力で、平行平板電
極の電極間隔を１０mm以下にして高い高周波電力密度で
基板をエッチングする、いわゆるナローギャップ式ドラ
イエッチング装置がよく使われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記ナローギャップ式
のドライエッチング装置においては、プラズマ密度を高
めるため、例えば、被処理基板であるウェーハが存在す
る部分の電極間隔に比較し、その周囲の電極間隔を狭く
して強制的にプラズマをウェーハと対向する部分に閉じ
込める試みが行なわれた。この場合、対向電極が高密度
イオンの衝撃によりスパッタリングされ、被処理基板で
あるシリコンウェーハにスパッタ粒子によるダメージを
与えるため、通常、対向電極は、カーボン、シリコンカ
ーバイト等の材質が選択された。しかし、これらの材質
の対向電極を用いた場合、対向電極が被処理基板のエッ
チングを重ねるに従い削れてしまい、次第に、対向電極
と、基板載置電極の間隔が広がり、被処理基板に対する
エッチング速度が低下する現象がみられた。このため、
対向電極をしばしば交換する必要があった。ところが、
これらの材料を利用した対向電極は、非常に高価である
ばかりでなく、交換の手間や、交換後の電極間隔の調整
に多大な時間が必要であった。
のドライエッチング装置においては、プラズマ密度を高
めるため、例えば、被処理基板であるウェーハが存在す
る部分の電極間隔に比較し、その周囲の電極間隔を狭く
して強制的にプラズマをウェーハと対向する部分に閉じ
込める試みが行なわれた。この場合、対向電極が高密度
イオンの衝撃によりスパッタリングされ、被処理基板で
あるシリコンウェーハにスパッタ粒子によるダメージを
与えるため、通常、対向電極は、カーボン、シリコンカ
ーバイト等の材質が選択された。しかし、これらの材質
の対向電極を用いた場合、対向電極が被処理基板のエッ
チングを重ねるに従い削れてしまい、次第に、対向電極
と、基板載置電極の間隔が広がり、被処理基板に対する
エッチング速度が低下する現象がみられた。このため、
対向電極をしばしば交換する必要があった。ところが、
これらの材料を利用した対向電極は、非常に高価である
ばかりでなく、交換の手間や、交換後の電極間隔の調整
に多大な時間が必要であった。
【０００４】
【課題を解決する為の手段】この発明は、上記のような
従来の問題点を解決するためになされたもので、長時間
の使用に対してもエッチング速度がほとんど変化しない
ドライエッチング装置を提供することを目的とするもの
である。
従来の問題点を解決するためになされたもので、長時間
の使用に対してもエッチング速度がほとんど変化しない
ドライエッチング装置を提供することを目的とするもの
である。
【０００５】斯る目的を達成するために、この発明の装
置では、真空処理室内に互いに平行な基板載置電極と、
それに対向する対向電極を設置し、前記基板載置電極に
被処理基板を載置し、電極間に生成させた反応性ガスプ
ラズマによって被処理基板をドライエッチングするドラ
イエッチング装置において、前記対向電極を構成する材
料が、前記反応性ガスプラズマでエッチングを受ける導
電性材料としてあると共に、基板載置電極上に載置され
た被処理基板の周囲に、前記反応性ガスプラズマでエッ
チングを受ける導電性材料で成るブロックが設置してあ
り、かつ該ブロックの上面を被処理基板の上面より高く
してあることを特徴としている。
置では、真空処理室内に互いに平行な基板載置電極と、
それに対向する対向電極を設置し、前記基板載置電極に
被処理基板を載置し、電極間に生成させた反応性ガスプ
ラズマによって被処理基板をドライエッチングするドラ
イエッチング装置において、前記対向電極を構成する材
料が、前記反応性ガスプラズマでエッチングを受ける導
電性材料としてあると共に、基板載置電極上に載置され
た被処理基板の周囲に、前記反応性ガスプラズマでエッ
チングを受ける導電性材料で成るブロックが設置してあ
り、かつ該ブロックの上面を被処理基板の上面より高く
してあることを特徴としている。
【０００６】
【作用】この発明のドライエッチング装置によれば、被
処理基板のエッチングを行なった場合、被処理基板と対
向した対向電極および被処理基板の周囲に設置したブロ
ックも反応性ガスプラズマによるエッチング作用を受け
ることになる。
処理基板のエッチングを行なった場合、被処理基板と対
向した対向電極および被処理基板の周囲に設置したブロ
ックも反応性ガスプラズマによるエッチング作用を受け
ることになる。
【０００７】従って、被処理基板のエッチングが繰り返
される度に、ブロックの高さが減じる。ブロックの高さ
が減じると、対向電極との距離が大きくなり、該ブロッ
クの表面で消費される高周波パワーが減じ、このため、
被処理基板側に印加される高周波パワーの密度が増加
し、被処理基板に対するエッチング速度が速くなる。と
ころが、対向電極を構成する材料も、反応性ガスプラズ
マによるエッチングを受ける材料であるため、導電性の
ブロックが削られると同時に、対向電極も削られ、対向
電極と基板載置電極の間隔が広くなり、被処理基板に対
するエッチング速度は減少する方向となる。この両者の
効果が、お互いに補正され、結果として被処理基板に対
するエッチング速度が一定に保たれる。
される度に、ブロックの高さが減じる。ブロックの高さ
が減じると、対向電極との距離が大きくなり、該ブロッ
クの表面で消費される高周波パワーが減じ、このため、
被処理基板側に印加される高周波パワーの密度が増加
し、被処理基板に対するエッチング速度が速くなる。と
ころが、対向電極を構成する材料も、反応性ガスプラズ
マによるエッチングを受ける材料であるため、導電性の
ブロックが削られると同時に、対向電極も削られ、対向
電極と基板載置電極の間隔が広くなり、被処理基板に対
するエッチング速度は減少する方向となる。この両者の
効果が、お互いに補正され、結果として被処理基板に対
するエッチング速度が一定に保たれる。
【０００８】前記対向電極を構成する材料は、被処理基
板がシリコン系のウェーハの場合、反応生成物が揮発性
物質となるようにカーボン、シリコン、炭化シリコン、
窒化シリコンのいずれか一つ又はこれらの複合材とする
のが望ましい。同様に、ブロックの材質は、単結晶シリ
コン、ポリシリコン、炭化シリコン等のシリコンを含む
材質、ないしはカーボン、あるいは導電性ポリマーとす
るのが望ましい。
板がシリコン系のウェーハの場合、反応生成物が揮発性
物質となるようにカーボン、シリコン、炭化シリコン、
窒化シリコンのいずれか一つ又はこれらの複合材とする
のが望ましい。同様に、ブロックの材質は、単結晶シリ
コン、ポリシリコン、炭化シリコン等のシリコンを含む
材質、ないしはカーボン、あるいは導電性ポリマーとす
るのが望ましい。
【０００９】基板載置電極と対向電極の間隔は、４mm以
上２０mm以内が望ましい。４mm未満では、放電空間が狭
く、反応性ガスプラズマを発生させることができない。
又、２０mmを越えると反応性ガスプラズマが電極間にと
じ込められなくなり、周囲に広がる為である。
上２０mm以内が望ましい。４mm未満では、放電空間が狭
く、反応性ガスプラズマを発生させることができない。
又、２０mmを越えると反応性ガスプラズマが電極間にと
じ込められなくなり、周囲に広がる為である。
【００１０】又、ブロックの反応性ガスプラズマに接す
る面積は、５％以上２００％以下が望ましい。５％未満
では、この発明の作用効果が得られなくなり、２００％
を越えると、被処理基板に対するエッチングの効率が悪
く、かつ高周波電力の利用効率も低下するためである。
る面積は、５％以上２００％以下が望ましい。５％未満
では、この発明の作用効果が得られなくなり、２００％
を越えると、被処理基板に対するエッチングの効率が悪
く、かつ高周波電力の利用効率も低下するためである。
【００１１】
【実施例】以下にこの発明の実施例を図を用いて説明す
る。
る。
【００１２】図１は、酸化膜のエッチング装置に適用し
た例を示す。図でアルミニウム製の真空処理室１の内部
に、表面にアルマイト処理を施したアルミニウム製の試
料載置電極２とこれに平行に対向させた、試料載置電極
２と同材質の対向電極取付板３が設置されている。試料
載置電極２には被処理基板であるシリコン酸化膜が形成
され、かつフォトレジストによりパターニングされたウ
ェーハ４（１５０mmφ）が載置されており、ウェーハ４
の周囲には単結晶シリコン製のリング状導電性ブロック
５が置かれている。導電性ブロック５のプラズマに接す
る面は、ウェーハ４の周縁より幅１５mmとなるよう構成
されており、導電性ブロック５の上面はウェーハ４の表
面より１mm高くなるように構成されている。導電性ブロ
ック５の外側は、絶縁性材料であるポリアリレート樹脂
で構成された絶縁リング６が設置されている。更に、試
料載置電極２は真空処理室１内に露出する部分が図示し
ていない絶縁体を介して、接地電位のシールドにより被
われており、また、高周波電源９に接続されている。対
向電極取付板３のプラズマに接する面には、カーボン製
の対向電極１０が取り付けられており、その周囲にはポ
リアリレート樹脂で構成された、対向電極カバー１１が
取り付けられている。
た例を示す。図でアルミニウム製の真空処理室１の内部
に、表面にアルマイト処理を施したアルミニウム製の試
料載置電極２とこれに平行に対向させた、試料載置電極
２と同材質の対向電極取付板３が設置されている。試料
載置電極２には被処理基板であるシリコン酸化膜が形成
され、かつフォトレジストによりパターニングされたウ
ェーハ４（１５０mmφ）が載置されており、ウェーハ４
の周囲には単結晶シリコン製のリング状導電性ブロック
５が置かれている。導電性ブロック５のプラズマに接す
る面は、ウェーハ４の周縁より幅１５mmとなるよう構成
されており、導電性ブロック５の上面はウェーハ４の表
面より１mm高くなるように構成されている。導電性ブロ
ック５の外側は、絶縁性材料であるポリアリレート樹脂
で構成された絶縁リング６が設置されている。更に、試
料載置電極２は真空処理室１内に露出する部分が図示し
ていない絶縁体を介して、接地電位のシールドにより被
われており、また、高周波電源９に接続されている。対
向電極取付板３のプラズマに接する面には、カーボン製
の対向電極１０が取り付けられており、その周囲にはポ
リアリレート樹脂で構成された、対向電極カバー１１が
取り付けられている。
【００１３】この実施例では、ウェーハ４と対向電極１
０で構成された電極間隔（Ｇ1 ）を１０mm、導電性ブロ
ック５と対向電極１０で構成された間隔（Ｇ2 ）を９mm
とした。
０で構成された電極間隔（Ｇ1 ）を１０mm、導電性ブロ
ック５と対向電極１０で構成された間隔（Ｇ2 ）を９mm
とした。
【００１４】上記実施例のドライエッチング装置を動作
するには、真空処理室１をあらかじめ１０-3Pa程度の真
空度に排気し、図示してはいないウェーハ搬送機構によ
りウェーハ４を試料載置電極２上に搬送する。次に、ガ
ス導入管１３を通して、ＣＨＦ3 とＨｅ及びＯ2 の混合
ガスを供給し、対向電極１０に形成したガス吹き出し穴
１４から放出させると共に、排気導管１２の途中に取り
付けたスロットルバルブ（図示せず）のコンダクタンス
を調節しながら、真空処理室１の圧力をエッチング圧力
である約７０Paに保つ。次に、高周波電源９をＯＮし、
高周波電力を試料載置電極２に印加してプラズマを生成
させる。この時、プラズマは絶縁リング６の内側のウェ
ーハ４と導電性ブロック５で構成される面内に閉じ込め
られる。プラズマ密度は、対向電極１０とウェーハ４な
いしは導電性ブロック５との間隔、Ｇ1 、Ｇ2 によって
異なる。導電性ブロック５が導電性であるため、Ｇ2 が
小さければ、高周波パワーがより導電性ブロック５側に
かかり、従ってウェーハ４に印加される高周波パワーは
小さくなる。このため、ウェーハ４の酸化膜のエッチン
グ速度は、小さくなる。これとは逆に、導電性ブロック
５が薄くなると、ウェーハ４にかかるパワーは大きくな
り、酸化膜に対するエッチング速度が上昇する。実際
に、シリコン製の導電性ブロック５は、ウェーハ４の酸
化膜をエッチングすると同時にエッチングされるため、
多数枚のウェーハを処理するに従いその厚みは薄くな
る。発明者らの実験では、約２０００時間のエッチング
で導電性ブロック５は１mmの厚さがエッチングされた。
この時、厚さ１μｍのＢＰＳＧ膜のエッチングは、約６
万枚行なうことができる。この時、もし、対向電極１０
がエッチングによって削られず、ウェーハ４と対向電極
１０との間隔Ｇ1 が一定の値をとるならば、図２に示す
ように約５００オームストロング/minエッチング速度が
上昇する。ところが、対向電極は、カーボン製であり、
エッチングを多数回行なうと、導電性ブロック５と同様
に削られてしまう。発明者らの実験では、対向電極１０
のエッチング速度は、導電性ブロック５と同程度である
ことが観測された。これによる、エッチング速度の減少
は、約５００オームストロング/minであり、丁度、導電
性ブロック５が削れたことにより、エッチング速度が増
加した分に対応した。実際に観測された、ウェーハのエ
ッチング速度は、この６万枚のランニングの間、ほぼ一
定の値を保った。
するには、真空処理室１をあらかじめ１０-3Pa程度の真
空度に排気し、図示してはいないウェーハ搬送機構によ
りウェーハ４を試料載置電極２上に搬送する。次に、ガ
ス導入管１３を通して、ＣＨＦ3 とＨｅ及びＯ2 の混合
ガスを供給し、対向電極１０に形成したガス吹き出し穴
１４から放出させると共に、排気導管１２の途中に取り
付けたスロットルバルブ（図示せず）のコンダクタンス
を調節しながら、真空処理室１の圧力をエッチング圧力
である約７０Paに保つ。次に、高周波電源９をＯＮし、
高周波電力を試料載置電極２に印加してプラズマを生成
させる。この時、プラズマは絶縁リング６の内側のウェ
ーハ４と導電性ブロック５で構成される面内に閉じ込め
られる。プラズマ密度は、対向電極１０とウェーハ４な
いしは導電性ブロック５との間隔、Ｇ1 、Ｇ2 によって
異なる。導電性ブロック５が導電性であるため、Ｇ2 が
小さければ、高周波パワーがより導電性ブロック５側に
かかり、従ってウェーハ４に印加される高周波パワーは
小さくなる。このため、ウェーハ４の酸化膜のエッチン
グ速度は、小さくなる。これとは逆に、導電性ブロック
５が薄くなると、ウェーハ４にかかるパワーは大きくな
り、酸化膜に対するエッチング速度が上昇する。実際
に、シリコン製の導電性ブロック５は、ウェーハ４の酸
化膜をエッチングすると同時にエッチングされるため、
多数枚のウェーハを処理するに従いその厚みは薄くな
る。発明者らの実験では、約２０００時間のエッチング
で導電性ブロック５は１mmの厚さがエッチングされた。
この時、厚さ１μｍのＢＰＳＧ膜のエッチングは、約６
万枚行なうことができる。この時、もし、対向電極１０
がエッチングによって削られず、ウェーハ４と対向電極
１０との間隔Ｇ1 が一定の値をとるならば、図２に示す
ように約５００オームストロング/minエッチング速度が
上昇する。ところが、対向電極は、カーボン製であり、
エッチングを多数回行なうと、導電性ブロック５と同様
に削られてしまう。発明者らの実験では、対向電極１０
のエッチング速度は、導電性ブロック５と同程度である
ことが観測された。これによる、エッチング速度の減少
は、約５００オームストロング/minであり、丁度、導電
性ブロック５が削れたことにより、エッチング速度が増
加した分に対応した。実際に観測された、ウェーハのエ
ッチング速度は、この６万枚のランニングの間、ほぼ一
定の値を保った。
【００１５】図２は、導電性ブロック５の厚みを変えた
ときのシリコン酸化膜のエッチング速度の変化の様子を
示す図である。この実験では、対向電極の厚みは常に一
定に保ち、ウェーハ４と対向電極１０の間の間隔は一定
とした。図より、導電性ブロック５の厚みが減少するに
従って、シリコン酸化膜のエッチング速度が上昇するこ
とが明らかである。これは、導電性ブロック５の厚みが
減じるに従い、導電性ブロック５と対向電極１０の間隔
が広がり、導電性ブロック５上で消費される高周波パワ
ーが大きくなり、ウェーハ４に対するエッチング速度が
上昇したと考えることができる。
ときのシリコン酸化膜のエッチング速度の変化の様子を
示す図である。この実験では、対向電極の厚みは常に一
定に保ち、ウェーハ４と対向電極１０の間の間隔は一定
とした。図より、導電性ブロック５の厚みが減少するに
従って、シリコン酸化膜のエッチング速度が上昇するこ
とが明らかである。これは、導電性ブロック５の厚みが
減じるに従い、導電性ブロック５と対向電極１０の間隔
が広がり、導電性ブロック５上で消費される高周波パワ
ーが大きくなり、ウェーハ４に対するエッチング速度が
上昇したと考えることができる。
【００１６】実施例では、電極間隔を１０mmに設定した
が、この値は特にこれに限定する必要はないが、電極間
隔が２０mmを越えると、プラズマが、両電極間の間に閉
じ込められず、真空処理室１全体に広がってしまうた
め、高速度でのエッチングはできなくなってしまう。
又、導電性ブロック５の材質は、単結晶シリコンに限定
されることはなく、ポリシリコンであっても、炭化珪素
であっても、カーボンであっても良く、また、導電性の
ポリマーであっても良い。要は、導電性であり、なおか
つ、シリコンをエッチングするエチャントであるＦラジ
カルでエッチング可能な物質であれば良いことはいうま
でもない。又、この導電性ブロック５の形状やプラズマ
に曝されている部分の幅は、実施例に限定されることは
ないが、その面積がウェーハの面積の５％未満となる
と、この発明の効果は充分に発揮されない。２００％を
越えると、導電性ブロック５の部分で消費されるパワー
が大きく、ウェーハに対するエッチング効率が悪くな
り、又、パワー効率も悪くなる。
が、この値は特にこれに限定する必要はないが、電極間
隔が２０mmを越えると、プラズマが、両電極間の間に閉
じ込められず、真空処理室１全体に広がってしまうた
め、高速度でのエッチングはできなくなってしまう。
又、導電性ブロック５の材質は、単結晶シリコンに限定
されることはなく、ポリシリコンであっても、炭化珪素
であっても、カーボンであっても良く、また、導電性の
ポリマーであっても良い。要は、導電性であり、なおか
つ、シリコンをエッチングするエチャントであるＦラジ
カルでエッチング可能な物質であれば良いことはいうま
でもない。又、この導電性ブロック５の形状やプラズマ
に曝されている部分の幅は、実施例に限定されることは
ないが、その面積がウェーハの面積の５％未満となる
と、この発明の効果は充分に発揮されない。２００％を
越えると、導電性ブロック５の部分で消費されるパワー
が大きく、ウェーハに対するエッチング効率が悪くな
り、又、パワー効率も悪くなる。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、非常に長時間のドライエッチングの繰り返しにおい
ても、エッチング速度を一定に保ってエッチングするこ
とを可能にできる効果がある。
ば、非常に長時間のドライエッチングの繰り返しにおい
ても、エッチング速度を一定に保ってエッチングするこ
とを可能にできる効果がある。
【図１】この発明の実施例の反応性イオンエッチング装
置の要部の概略断面図である。
置の要部の概略断面図である。
【図２】導電性ブロックの厚みと酸化膜のエッチング速
度の関係を示したグラフである。
度の関係を示したグラフである。
１ 真空処理室 ２ 試料載置電極 ３ 対向電極取付板 ４ ウェーハ ５ 導電性ブロック ６ 絶縁リング ９ 高周波電源 １０ 対向電極 １１ 対向電極カバー １２ 排気導管 １３ ガス導入管 １４ ガス吹き出し穴
Claims (5)
- 【請求項１】 真空処理室内に互いに平行な基板載置電
極と、それに対向する対向電極を設置し、前記基板載置
電極に被処理基板を載置し、電極間に生成させた反応性
ガスプラズマによって被処理基板をドライエッチングす
るドライエッチング装置において、前記対向電極を構成
する材料が、前記反応性ガスプラズマでエッチングを受
ける導電性材料としてあると共に、基板載置電極上に載
置された被処理基板の周囲に前記反応性ガスプラズマで
エッチングを受ける導電性材料で成るブロックが設置し
てあり、かつ該ブロックの上面を被処理基板の上面より
高くしてあることを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項２】 対向電極を構成する材料は、カーボン、
シリコン、炭化シリコン、窒化シリコンのいずれか一つ
又はこれら材料の複合材で構成した請求項１記載のドラ
イエッチング装置。 - 【請求項３】 ブロックの材質は、単結晶シリコン、ポ
リシリコン、炭化シリコン等のシリコンを含む材質、な
いしはカーボンあるいは、導電性ポリマーであることを
特徴とした請求項１記載のドライエッチング装置。 - 【請求項４】 基板載置電極と対向電極の間隔は４mm以
上２０mm以内とした請求項１記載のドライエッチング装
置。 - 【請求項５】 ブロックは、被処理基板を取り囲むよう
にして置かれたリング状ブロックであり、かつ該ブロッ
クの反応性ガスプラズマに接する面積が被処理基板の面
積の５％以上２００％以下としたことを特徴とした請求
項１記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30258191A JP3252167B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30258191A JP3252167B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114584A true JPH05114584A (ja) | 1993-05-07 |
| JP3252167B2 JP3252167B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=17910705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30258191A Expired - Lifetime JP3252167B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3252167B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274142A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プラズマ処理装置用シリコンリング |
| JP2005259805A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング処理装置及び処理方法。 |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP30258191A patent/JP3252167B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274142A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プラズマ処理装置用シリコンリング |
| JP2005259805A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング処理装置及び処理方法。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3252167B2 (ja) | 2002-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4180913B2 (ja) | プラズマ処理の均一性のためのステップのある上部電極 | |
| US6423242B1 (en) | Etching method | |
| JPH0528893B2 (ja) | ||
| JP3205878B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS6337193B2 (ja) | ||
| US4340461A (en) | Modified RIE chamber for uniform silicon etching | |
| KR20070098499A (ko) | 플라즈마 처리용의 전극판 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JPH09129607A (ja) | マイクロ波プラズマエッチング装置及び方法 | |
| JP3520577B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| WO2002086957A1 (fr) | Procede de gravure a sec | |
| JPH05114584A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0624186B2 (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP3362093B2 (ja) | エッチングダメージの除去方法 | |
| JPS62188777A (ja) | バイアススパツタリング装置 | |
| JP3180438B2 (ja) | プラズマ処理装置被処理基板固定方法 | |
| JPH06291064A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002164329A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0758083A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06120140A (ja) | 半導体製造方法および装置 | |
| JP3357737B2 (ja) | 放電プラズマ処理装置 | |
| JPH0476495B2 (ja) | ||
| JPH08172071A (ja) | 半導体製造装置および半導体ウエハの処理方法 | |
| JPH0241167B2 (ja) | ||
| JPH0491432A (ja) | マグネトロンｒｉｅ装置 | |
| JPH05190500A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |