JPH0510844B2 - - Google Patents
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- JPH0510844B2 JPH0510844B2 JP59068816A JP6881684A JPH0510844B2 JP H0510844 B2 JPH0510844 B2 JP H0510844B2 JP 59068816 A JP59068816 A JP 59068816A JP 6881684 A JP6881684 A JP 6881684A JP H0510844 B2 JPH0510844 B2 JP H0510844B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- niobium oxide
- surface wave
- substrate
- transducer
- oxide powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表面波デバイスに関し、特に、不要
な表面波をダンピングするための吸収材の改良に
関する。
な表面波をダンピングするための吸収材の改良に
関する。
一般に、表面波デバイスは、圧電性基板上にイ
ンターデイジタルトランスジユーサを形成し、こ
のトランスジユーサによつて表面波を励振または
受振するように構成され、例えば、表面波フイル
タの場合には、入力(励振)用トランスジユーサ
と出力(受信)用トランスジユーサとが適当間隔
隔てて配置されている。このような表面波フイル
タにおいては、入力側トランスジユーサで励振さ
れる表面波は2方向へ伝播し、そのうち一方向へ
の表面波は出力側トランスジユーサへ伝播し、半
分の表面波は出力側トランスジユーサでとり出さ
れるが、残りの表面波は通過し、基板端面で不要
波として反射してくる。また、他方向へ伝播する
表面波も基板の端面で反射して不要波となり、出
力側トランスジユーサで不要信号として取り出さ
れる。これらの端面での反射、またはトランスジ
ユーサ電極での反射は周波数特性のリツプルやグ
ループデイレーのリツプルとしてあらわれてくる
が、周波数特性よりグループデイレーのリツプル
の方が顕著にあらわれるので、本明細書において
はグループデイレーの評価結果を示している。
ンターデイジタルトランスジユーサを形成し、こ
のトランスジユーサによつて表面波を励振または
受振するように構成され、例えば、表面波フイル
タの場合には、入力(励振)用トランスジユーサ
と出力(受信)用トランスジユーサとが適当間隔
隔てて配置されている。このような表面波フイル
タにおいては、入力側トランスジユーサで励振さ
れる表面波は2方向へ伝播し、そのうち一方向へ
の表面波は出力側トランスジユーサへ伝播し、半
分の表面波は出力側トランスジユーサでとり出さ
れるが、残りの表面波は通過し、基板端面で不要
波として反射してくる。また、他方向へ伝播する
表面波も基板の端面で反射して不要波となり、出
力側トランスジユーサで不要信号として取り出さ
れる。これらの端面での反射、またはトランスジ
ユーサ電極での反射は周波数特性のリツプルやグ
ループデイレーのリツプルとしてあらわれてくる
が、周波数特性よりグループデイレーのリツプル
の方が顕著にあらわれるので、本明細書において
はグループデイレーの評価結果を示している。
このような不要な表面波をダンピングさせるた
めに、従来では、入出力用トランスジユーサの外
側の基板上に、シリコンゴムあるいはエポキシ系
接着剤等からなる吸収材が塗布または印刷されて
いる。しかし、このようにシリコンゴムやエポキ
シ系接着剤を印刷した場合、不要信号の抑圧特に
周波数特性の頭部やグループデイレー特性のリツ
プルを抑圧するにはいまだ不十分であつた。例え
ば、表面波基板上にシリコンゴムを印刷した場合
には、第2図cに示すように、グループデイレー
特性(GDT)に100ns以上120nsのリツプルが生
じている。
めに、従来では、入出力用トランスジユーサの外
側の基板上に、シリコンゴムあるいはエポキシ系
接着剤等からなる吸収材が塗布または印刷されて
いる。しかし、このようにシリコンゴムやエポキ
シ系接着剤を印刷した場合、不要信号の抑圧特に
周波数特性の頭部やグループデイレー特性のリツ
プルを抑圧するにはいまだ不十分であつた。例え
ば、表面波基板上にシリコンゴムを印刷した場合
には、第2図cに示すように、グループデイレー
特性(GDT)に100ns以上120nsのリツプルが生
じている。
本発明は、上述した従来の欠点を除去したもの
で、不要な表面波の抑圧、特に、周波数特性のリ
ツプルやグループデイレー特性のリツプルを十分
小さくできる表面波装置を提供することを目的と
し、その要旨は、表面波基板上であつて、不要な
表面波を吸収するための領域に、シリコーン系樹
脂と酸化ニオブ粉末を重量比で5:1〜1:1の
割合で混合した吸収材が設けられたことにある。
で、不要な表面波の抑圧、特に、周波数特性のリ
ツプルやグループデイレー特性のリツプルを十分
小さくできる表面波装置を提供することを目的と
し、その要旨は、表面波基板上であつて、不要な
表面波を吸収するための領域に、シリコーン系樹
脂と酸化ニオブ粉末を重量比で5:1〜1:1の
割合で混合した吸収材が設けられたことにある。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しつつ詳
述する。
述する。
第1図において、1は表面波基板で、PZTセ
ラミツクス、単結晶、ガラス基板上のZnO膜など
で構成され、この表面波基板1上に、入力側イン
ターデイジタル電極2と出力側インターデイジタ
ル電極3とが適当間隔あけて形成されている。こ
の表面波基板1上であつて、不要な表面波を吸収
するための領域、例えば、入出力電極2,3と各
基板端縁との間に、それぞれ吸収材4,5がスク
リーン印刷などにより設けられている。これらの
吸収材4,5は、シリコーン系樹脂例えばシリコ
ーンゴムに酸化ニオブ(NbO,Nb2O3またはNb2
O5など)粉末を混合した材料で構成され、好ま
しくは、シリコーンゴムと酸化ニオブ粉末が重量
比で5:1ないし1:1の割合で混合された材料
である。例えば、ガラス基板上のZnO膜からなる
表面波基板を用いてテレビ受像機のVIFフイルタ
を構成し、重量比で、シリコーンゴム:酸化ニオ
ブ粉末=5:1の吸収材料と、シリコーンゴム:
酸化ニオブ粉末=1:1の吸収材料をそれぞれス
クリーン印刷した場合、グループデイレー特性は
第2図a,bに示すようになつた。同図から明ら
かなように、リツプルを100ns以下(すなわち、
シリコーンゴム:酸化ニオブ粉末=5:1の吸収
材を用いた場合には約60ns、シリコーンゴム:酸
化ニオブ粉末=1:1の吸収材を用いた場合には
約40ns)に小さく抑えることができた。このよう
に、シリコーン系樹脂と酸化ニオブ粉末とを上記
所定の割合(5:1〜1:1の割合)で混合して
なるこの発明の吸収材は、第2図cに示すような
シリコーン系樹脂のみからなる従来例の吸収材よ
りも優れたリツプル抑制効果(ダンピング効果)
を発揮し、さらに、特に図示しないが、シリコー
ン系樹脂と酸化ニオブ以外の粒子(例えば、タン
グステン、酸化タングステン、カーボンなど)と
を混合してなる吸収材、エポキシ樹脂と酸化ニオ
ブとを混合してなる吸収材、あるいは合成ゴムの
みからなる吸収材などよりも優れたリツプル抑制
効果(ダンピング効果)を発揮する。但し、重量
比5:1よりも酸化ニオブ粉末を少なくした場合
にはリツプル抑圧の効果が小さくなり、また、重
量比1:1を越えて酸化ニオブ粉末を多量に混合
すると、材料の粘度が大きくなり過ぎてスクリー
ン印刷が困難になり、量産性にとぼしく、実用上
問題であつた。
ラミツクス、単結晶、ガラス基板上のZnO膜など
で構成され、この表面波基板1上に、入力側イン
ターデイジタル電極2と出力側インターデイジタ
ル電極3とが適当間隔あけて形成されている。こ
の表面波基板1上であつて、不要な表面波を吸収
するための領域、例えば、入出力電極2,3と各
基板端縁との間に、それぞれ吸収材4,5がスク
リーン印刷などにより設けられている。これらの
吸収材4,5は、シリコーン系樹脂例えばシリコ
ーンゴムに酸化ニオブ(NbO,Nb2O3またはNb2
O5など)粉末を混合した材料で構成され、好ま
しくは、シリコーンゴムと酸化ニオブ粉末が重量
比で5:1ないし1:1の割合で混合された材料
である。例えば、ガラス基板上のZnO膜からなる
表面波基板を用いてテレビ受像機のVIFフイルタ
を構成し、重量比で、シリコーンゴム:酸化ニオ
ブ粉末=5:1の吸収材料と、シリコーンゴム:
酸化ニオブ粉末=1:1の吸収材料をそれぞれス
クリーン印刷した場合、グループデイレー特性は
第2図a,bに示すようになつた。同図から明ら
かなように、リツプルを100ns以下(すなわち、
シリコーンゴム:酸化ニオブ粉末=5:1の吸収
材を用いた場合には約60ns、シリコーンゴム:酸
化ニオブ粉末=1:1の吸収材を用いた場合には
約40ns)に小さく抑えることができた。このよう
に、シリコーン系樹脂と酸化ニオブ粉末とを上記
所定の割合(5:1〜1:1の割合)で混合して
なるこの発明の吸収材は、第2図cに示すような
シリコーン系樹脂のみからなる従来例の吸収材よ
りも優れたリツプル抑制効果(ダンピング効果)
を発揮し、さらに、特に図示しないが、シリコー
ン系樹脂と酸化ニオブ以外の粒子(例えば、タン
グステン、酸化タングステン、カーボンなど)と
を混合してなる吸収材、エポキシ樹脂と酸化ニオ
ブとを混合してなる吸収材、あるいは合成ゴムの
みからなる吸収材などよりも優れたリツプル抑制
効果(ダンピング効果)を発揮する。但し、重量
比5:1よりも酸化ニオブ粉末を少なくした場合
にはリツプル抑圧の効果が小さくなり、また、重
量比1:1を越えて酸化ニオブ粉末を多量に混合
すると、材料の粘度が大きくなり過ぎてスクリー
ン印刷が困難になり、量産性にとぼしく、実用上
問題であつた。
本発明は、以上説明したように、シリコーン系
樹脂に酸化ニオブ粉末を混合した吸収材を用いる
ようにしているので、不要な表面波の抑圧効果が
大きく、特に、グループデイレー特性のリツプル
ならびに周波数特性のリツプルを大幅に小さくす
ることができる。
樹脂に酸化ニオブ粉末を混合した吸収材を用いる
ようにしているので、不要な表面波の抑圧効果が
大きく、特に、グループデイレー特性のリツプル
ならびに周波数特性のリツプルを大幅に小さくす
ることができる。
第1図は本発明による表面波装置の一実施例を
示す平面図、第2図aおよびbは本発明に基づく
グループデイレー特性図、同図cは従来例に基づ
くグループデイレー特性図である。 1は表面波基板、2,3は電極、4,5は吸収
材である。
示す平面図、第2図aおよびbは本発明に基づく
グループデイレー特性図、同図cは従来例に基づ
くグループデイレー特性図である。 1は表面波基板、2,3は電極、4,5は吸収
材である。
Claims (1)
- 1 表面波基板上であつて、不要な表面波を吸収
するための領域に、シリコーン系樹脂と酸化ニオ
ブ粉末を重量比で5:1〜1:1の割合で混合し
た吸収材が設けられたことを特徴とする表面波デ
バイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6881684A JPS60212019A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6881684A JPS60212019A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 表面波デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60212019A JPS60212019A (ja) | 1985-10-24 |
JPH0510844B2 true JPH0510844B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=13384611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6881684A Granted JPS60212019A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 表面波デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60212019A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BR0102414B1 (pt) * | 2001-03-12 | 2014-09-30 | Coppe Ufrj | Composição de revestimento à base de nióbio |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5636818A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-10 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Vacuum degree deterioration detector for vacuum breaker |
JPS5783916A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-26 | Fujitsu Ltd | Sound absorbing material for surface acoustic wave element |
JPS587705U (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-19 | ニツカン株式会社 | ごみ箱 |
JPS5838971A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-07 | Canon Inc | 画像形成装置 |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP6881684A patent/JPS60212019A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5636818A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-10 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Vacuum degree deterioration detector for vacuum breaker |
JPS5783916A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-26 | Fujitsu Ltd | Sound absorbing material for surface acoustic wave element |
JPS587705U (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-19 | ニツカン株式会社 | ごみ箱 |
JPS5838971A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-07 | Canon Inc | 画像形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60212019A (ja) | 1985-10-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |