JPH05105649A

JPH05105649A - ｍ−フエニレンジアミン誘導体およびそれを用いた電子写真感光体

Info

Publication number: JPH05105649A
Application number: JP26788291A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Mizuta; 泰史水田; Sakushiro Tanaka; 作白田中; Hideo Nakamori; 英雄中森; Ichiro Yamasato; 一郎山里
Original assignee: Mita Industrial Co Ltd
Current assignee: Kyocera Mita Industrial Co Ltd
Priority date: 1991-10-16
Filing date: 1991-10-16
Publication date: 1993-04-27

Abstract

(57)【要約】【構成】一般式(I) ：【化１】［式中、Ｒ¹，Ｒ²は同一または異なって水素原子、も
しくは、置換基を有してもよいアルキル基、アルコキシ
基を示す。］で表されるｍ−フェニレンジアミン誘導体
と、このｍ−フェニレンジアミン誘導体を、電荷輸送材
料として含む感光層を設けた電子写真感光体。【効果】上記化合物は電荷輸送能、光安定性に優れる
ので、高感度でかつ耐久性に優れた電子写真感光体を得
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静電式複写機やレーザ
ービームプリンタ等に使用される電子写真感光体におけ
る、電荷輸送材料として好適なｍ−フェニレンジアミン
誘導体と、それを用いた電子写真感光体に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、複写機等の画像形成装置における
感光体として、加工性および経済性に優れ、機能設計の
自由度が大きい有機感光体が広く使用されている。ま
た、感光体を用いて複写画像を形成する場合には、カー
ルソンプロセスが広く利用されている。カールソンプロ
セスは、コロナ放電により感光体を均一に帯電させる帯
電工程と、帯電した感光体に原稿像を露光し、原稿像に
対応した静電潜像を形成する露光工程と、静電潜像をト
ナーを含有する現像剤で現像し、トナー像を形成する現
像工程と、トナー像を紙等に転写する転写工程と、転写
されたトナー像を定着させる定着工程と、転写工程後、
感光体上に残留するトナーを除去するクリーニング工程
とを含んでいる。このカールソンプロセスにおいて、高
品質の画像を形成するには、感光体が帯電特性および感
光特性に優れており、かつ露光後の残留電位が低いこと
が要求される。

【０００３】従来より、セレンや硫化カドミウム等の無
機光導電体が感光体材料として公知であるが、これらは
毒性があり、しかも生産コストが高いという欠点があ
る。そこで、これらの無機物質に代えて、種々の有機物
質を用いた、いわゆる有機感光体が提案されている。か
かる有機感光体は、露光により電荷を発生する電荷発生
材料と、発生した電荷を輸送する機能を有する電荷輸送
材料とからなる感光層を有する。

【０００４】かかる有機感光体に望まれる各種の条件を
満足させるためには、これらの電荷発生材料と電荷輸送
材料との選択を適切に行う必要がある。電荷輸送材料と
しては、カルバゾール系化合物、オキサジアゾール系化
合物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチ
ルベン系化合物、フェニレンジアミン系化合物等の種々
の有機化合物が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電荷輸送材料は、電荷輸送能が不充分であったり、
光安定性が劣っていたりするという問題があり、従っ
て、この電荷輸送材料を使用した感光体は、感度や耐久
性が充分でないという欠点があった。本発明の目的は、
電荷輸送能、光安定性に優れ、電荷輸送材料として好適
な化合物と、それを用いた高感度、かつ耐久性に優れた
電子写真感光体とを提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するための、本発明のｍ−フェニレンジアミン誘導体
は、一般式(I) ：

【０００７】

【化２】

【０００８】［式中、Ｒ¹，Ｒ²は同一または異なって
水素原子、もしくは、置換基を有してもよいアルキル
基、アルコキシ基を示す。］で表されるものである。ま
た、上記目的を達成するための本発明の電子写真感光体
は、導電性基体上に、上記一般式(I) で表されるｍ−フ
ェニレンジアミン誘導体を含有する感光層を設けたこと
を特徴としている。

【０００９】上記一般式(I) で表されるｍ−フェニレン
ジアミン誘導体は、分子内に、消光剤として知られるｐ
−ベンジルビフェニルの構造を導入したため、高い電荷
輸送能を発揮するとともに、光安定性にも優れている。
したがって、上記ｍ−フェニレンジアミン誘導体を電荷
輸送材料として含有した感光層は、高い感度を有し、か
つ耐久性に優れたものである。

【００１０】このように、上記一般式(I) で表されるｍ
−フェニレンジアミン誘導体が高い感度や光安定性を有
する理由としては、例えば、上記ｐ−ベンジルビフェニ
ル部分がベンゼン環に置換された、従来公知のフェニレ
ンジアミン系化合物に比して、ｐ−ベンジルビフェニル
部分を導入した分だけ、分子内で形成されるπ電子共役
系が、より大きな拡がりをもっているため、化合物の分
子構造の平面化がより一層促進されて、分子間の重なり
合い等による分子間相互作用が強まるからであると推定
される。

【００１１】アルキル基としては、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の
炭素数１〜６の低級アルキル基があげられる。アルコキ
シ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ
基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキ
シ基等の炭素数１〜６の低級アルコキシ基があげられ
る。

【００１２】また、上記アルキル基等に置換する置換基
としては、例えばハロゲン原子、アミノ基、水酸基、エ
ステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基、
炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ
基、アリール基を有することのある炭素数２〜６のアル
ケニル基などがあげられる。前記一般式(I) で表される
ｍ−フェニレンジアミン誘導体の具体的化合物として
は、例えば以下に示すものがあげられる。

【００１３】

【化３】

【００１４】

【化４】

【００１５】

【化５】

【００１６】

【化６】

【００１７】本発明のｍ−フェニレンジアミン誘導体
は、種々の方法で合成することが可能であり、例えば、
下記反応式に示す方法により合成することができる。

【００１８】

【化７】

【００１９】（式中、Ｒ¹、Ｒ²は前記と同じ、Ｘはハ
ロゲン原子である。）すなわち、反応式に示すように、
式(a) で表されるｐ−ベンジルビフェニル誘導体に、式
(b) で表される化合物を銅触媒および塩基性物質の存在
下で反応させて、式(c) で表される１，３−フェニレン
ジアミン化合物を得る。ついで、この化合物(c) に、式
(d) で表される化合物を銅触媒および塩基性物質の存在
下で反応させることにより、式(I) で表される本発明の
化合物が得られる。なお、式(c) で表されるモノ置換体
を得るうえで、式(a) で表されるｐ−ベンジルビフェニ
ル誘導体のアミノ基はアセチル化剤にてあらかじめアセ
チル化しておくのが好ましい。

【００２０】上記反応はいずれも無溶媒または溶媒中に
て行われる。式(b) で表される化合物は、式(a) で表さ
れるｐ−ベンジルビフェニル誘導体に対して２〜２０倍
モル量、好ましくは３〜１０倍モル量で使用される。ま
た、式(d) で表される化合物も式(c) で表される化合物
に対して２〜２０倍モル量、好ましくは３〜１０倍モル
量で用いるのが適当である。反応は、通常、温度１５０
〜２５０℃、好ましくは１７０〜２３０℃で行われる。

【００２１】使用する銅触媒としては、例えば銅粉、酸
化銅、ハロゲン化銅等の銅または銅化合物があげられ、
その使用量は、式(a) で表されるｐ−ベンジルビフェニ
ル誘導体または式(c) で表される化合物に対して、いず
れも０．０１〜１．０当量、好ましくは０．１〜０．５
当量であるのが適当である。塩基性物質としては、例え
ば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等があげられ、その使用量は、式(a)
で表されるｐ−ベンジルビフェニル誘導体または式(c)
で表される化合物に対して、いずれも０．５〜１０倍モ
ル、好ましくは１〜３倍モル程度であるのが適当であ
る。

【００２２】有機溶媒としては、ニトロベンゼン、ジク
ロロベンゼン、キノリン、Ｎ，Ｎ−メチルピロリドン、
Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダ
ゾリン等が使用可能であるが、式(b) で表される化合物
または式(d) で表される化合物の過剰量を用いる場合
は、無溶媒で反応を行わせることができる。上記アセチ
ル化は常法に従って行うことができる。アセチル化剤と
しては、例えば酢酸の無水物や塩化物等があげられる。

【００２３】また、一般式(I) において、Ｒ¹= Ｒ²で
あるときは、上記アセチル化を行うことなく、一段階の
反応で式(b) または式(d) で表される化合物を反応させ
てもよい。本発明の感光体は、前記一般式(I) で表され
るｍ−フェニレンジアミン誘導体の１種または２種以上
を電荷輸送材料として含有した感光層を備えたものであ
る。

【００２４】感光層には、いわゆる単層型と積層型とが
あるが、本発明は、このいずれにも適用可能である。単
層型の感光体を得るには、電荷輸送材料である前記一般
式(I) で表される化合物と、電荷発生材料と、結着樹脂
等とを含有する感光層を、塗布等の手段により導電性基
体上に形成すればよい。

【００２５】また、積層型の感光体を得るには、導電性
基体上に、蒸着または塗布等の手段により電荷発生材料
を含有する電荷発生層を形成し、この電荷発生層上に、
前記一般式(I) で表される化合物と結着樹脂とを含有す
る電荷輸送層を形成すればよい。また、上記とは逆に、
導電性基体上に電荷輸送層を形成し、次いで電荷発生層
を形成してもよい。さらに、上記積層型感光層において
は、電荷発生層にも、電荷輸送材料を含有させてもよ
い。

【００２６】電荷発生材料としては、従来より使用され
ているセレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、アモル
ファスシリコン、ピリリウム塩、アゾ系化合物、ジスア
ゾ系化合物、フタロシアニン系化合物、アンサンスロン
系化合物、ペリレン系化合物、インジゴ系化合物、トリ
フェニルメタン系化合物、スレン系化合物、トルイジン
系化合物、ピラゾリン系化合物、ペリレン系化合物、キ
ナクリドン系化合物、ピロロピロール系化合物等があげ
られる。これらの電荷発生材料は、所望の領域に吸収波
長域を有するように、１種または２種以上を混合して使
用することができる。

【００２７】電荷輸送材料である前記一般式(I) で表さ
れるｍ−フェニレンジアミン誘導体は、単独で使用する
他、従来公知の他の電荷輸送材料と組み合わせて使用す
ることができる。従来公知の電荷輸送材料としては、種
々の電子吸引性化合物、電子供与性化合物を用いること
ができる。電子吸引性化合物としては、例えば、２，６
−ジメチル−２′，６′−ジｔｅｒｔ−ジブチルジフェ
ノキノン等のジフェノキノン誘導体、マロノニトリル、
チオピラン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，
８−トリニトロチオキサントン、３，４，５，７−テト
ラニトロ−９−フルオレノン、ジニトロベンゼン、ジニ
トロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアント
ラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無
水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等が例示され
る。

【００２８】また、電子供与性化合物としては、２，５
−ジ（４−メチルアミノフェニル）、１，３，４−オキ
サジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、９−（４
−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチリル
系化合物、ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール系
化合物、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物、ヒドラゾン
化合物、トリフェニルアミン系化合物、インドール系化
合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合
物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イ
ミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、トリアゾー
ル系化合物等の含窒素環式化合物、縮合多環式化合物が
例示される。

【００２９】これらの電荷輸送材料は、１種または２種
以上混合して用いられる。なお、ポリビニルカルバゾー
ル等の成膜性を有する電荷輸送材料を用いる場合には、
結着樹脂は必ずしも必要ではない。結着樹脂としては、
種々の樹脂を使用することができる。例えばスチレン系
重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合
体、アクリル共重合体、スチレン−アクリル酸共重合
体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩
素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、アル
キド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネー
ト、ポリアリレート、ポリスルホン、ジアリルフタレー
ト樹脂、ケトン樹脂、ホリビニルブチラール樹脂、ポリ
エーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコーン樹脂、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹
脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、さらにエポキシアク
リレート、ウレタン−アクリレート等の光硬化性樹脂等
があげられる。これらの結着樹脂は１種または２種以上
を混合して用いることができる。

【００３０】単層型および積層型の各有機感光層には、
増感剤、フルオレン系化合物、酸化防止剤、紫外線吸収
剤などの劣化防止剤、可塑剤等の添加剤を含有させるこ
とができる。また、電荷発生層の感度を向上させるため
に、例えばターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナ
フチレン等の公知の増感剤を電荷発生材料と併用しても
よい。

【００３１】積層型感光体において、電荷発生層を構成
する電荷発生材料と結着樹脂とは、種々の割合で使用す
ることができるが、結着樹脂１００部（重量部、以下同
じ）に対して、電荷発生材料５〜５００部、特に１０〜
３００部の割合で用いるのが好ましい。また、電荷発生
層は、適宜の膜厚を有していてもよいが、０．０１〜５
μｍ、特に０．１〜３μｍ程度に形成されるのが好まし
い。

【００３２】電荷輸送層を構成する前記一般式(I) で表
されるｍ−フェニレンジアミン誘導体（電荷輸送材料）
と前記結着樹脂とは、電荷の輸送を阻害しない範囲およ
び結晶化しない範囲で、種々の割合で使用することがで
きるが、光照射により電荷発生層で生じた電荷が容易に
輸送できるように、結着樹脂１００部に対して、前記一
般式(I) で表されるｍ−フェニレンジアミン誘導体を１
０〜５００部、特に２５〜２００部の割合で用いるのが
好ましい。また、積層型の感光層の厚さは、電荷発生層
が０．０１〜５μｍ程度、特に０．１〜３μｍ程度に形
成されるのがが好ましく、電荷輸送層が２〜１００μ
ｍ、特に５〜５０μｍ程度に形成されるのが好ましい。

【００３３】単層型の感光体においては、結着樹脂１０
０部に対して電荷発生材料は０．１〜５０部、特に０．
５〜３０部、前記一般式(I) で表されるｍ−フェニレン
ジアミン誘導体（電荷輸送材料）は４０〜２００部、特
に５０〜１００部であるのが適当である。また、単層型
の感光層の厚さは５〜１００μｍ、特に１０〜５０μｍ
程度に形成されるのが好ましい。

【００３４】単層型電子写真用感光体にあっては、導電
性基体と感光層との間に、また、積層型感光体にあって
は、導電性基体と電荷発生層との間や、導電性基体と電
荷輸送層との間、または電荷発生層と電荷輸送層との間
に、感光体の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成さ
れていてもよく、感光体の表面には、保護層が形成され
ていてもよい。

【００３５】上記各層が形成される導電性基体として
は、導電性を有する種々の材料を使用することができ、
例えばアルミニウム、銅、スズ、白金、銀、バナジウ
ム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケ
ル、パラジウム、インジウム、ステンレス鋼、真鍮等の
金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネートされたプ
ラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化スズ、酸化
インジウム等で被覆されたガラス等が例示される。

【００３６】導電性基体はシート状、ドラム状等のいず
れであってもよく、基体自体が導電性を有するか、ある
いは基体の表面が導電性を有していればよい。また、導
電性基体は、使用に際して、充分な機械的強度を有する
ものが好ましい。上記各層を、塗布の方法により形成す
る場合には、前記例示の電荷発生材料、電荷輸送材料、
結着樹脂等を、適当な溶剤とともに、公知の方法、例え
ば、ロールミル、ボールミル、アトライタ、ペイントシ
ェーカーあるいは超音波分散器等を用いて分散混合して
塗布液を調製し、これを公知の手段により塗布、乾燥す
ればよい。

【００３７】塗布液をつくるための溶剤としては、種々
の有機溶剤が使用可能で、例えばメタノール、エタノー
ル、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、
ｎ−ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系
炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭
化水素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭
素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチル
エーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エ
チレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル等のエーテル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸
エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジメチルホルムア
ルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド等があげられる。これらの溶剤は１種または２種以上
を混合して用いることができる。

【００３８】さらに、電荷輸送材料や電荷発生材料の分
散性、染工性等をよくするために界面活性剤、レベリン
グ剤等を使用してもよい。なお、上述したように、電荷
発生層は、前記電荷発生材料を蒸着することにより形成
してもよい。

【００３９】

【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
詳細に説明する。実施例１〈前記式(1) で表されるｍ−フェニレンジアミン誘導体
の合成〉 (i) フェニル−３′，５′−ジアミノ−ｐ−ビフェニリ
ルメタンの１３７ｇおよび酢酸１６０ｇを反応容器内に
仕込み、５０〜７０℃に加熱後、無水酢酸１１０ｇを徐
々に滴下した。ついで、７０℃で約１時間攪拌後、反応
物を水中に注ぎ、３０分間攪拌した。析出した結晶をろ
取し乾燥して、フェニル−Ｎ，Ｎ′−ジアセチル−
３′，５′−ジアミノ−ｐ−ビフェニリルメタン１３
５．５ｇを得た（収率７６．１％）。

【００４０】(ii)得られたＮ，Ｎ′−ジアセチル体１３
５．５ｇを、ｍ−ヨードトルエン１６５．９ｇ、炭酸カ
リウム７０ｇおよび銅粉１１ｇと共に、反応容器内に仕
込み、反応容器内に窒素ガスを導入しながら、１８０〜
２２０℃まで加熱し、この温度で２４時間反応させた。
反応により生成する水は水分離器により反応系外へ除去
した。冷却後、４０％水酸化カリウム水溶液２３０ｇを
加え、１１０〜１２０℃に昇温し、１４時間反応させ、
加水分解を行った。反応液をろ過し触媒を除去した後、
ｍ−ヨードトルエンを留去し回収した。残渣をｎ−ヘキ
サン中に注いで晶析を行い、フェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ
（３−メチルフェニル）−３′，５′−ジアミノ−ｐ−
ビフェニリルメタン１３５．３ｇを得た（収率７８．３
％）。

【００４１】(iii) 得られたフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ
（３−メチルフェニル）−３′，５′−ジアミノ−ｐ−
ビフェニリルメタンの１３５．３ｇを、ｍ−ヨードトル
エン１２９．９ｇ、炭酸カリウム５２ｇおよび銅粉７．
５ｇと共に、反応容器内に仕込み、反応容器内に窒素ガ
スを導入しながら、１８０〜２２０℃まで加熱し、この
温度で４８時間反応させた。反応により生成する水は水
分離器により反応系外へ除去した。冷却後、反応物にト
ルエン３００ｇを加えて溶解し、不溶分をろ別し、つい
でトルエンおよびｍ−ヨードトルエンを留去し回収し
た。残渣を酢酸エチルで再結晶して、前記式(1) で表さ
れるフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ（３−メチ
ルフェニル）−３′，５′−ジアミノ−ｐ−ビフェニリ
ルメタン１４９．６ｇを得た（収率７９．２％）。

【００４２】生成物の分析結果を以下に示す。元素分析結果計算値（％）：Ｃ８８．９２Ｈ：６．６７Ｎ：４．４１実測値（％）：Ｃ：８８．７１Ｈ：６．２９Ｎ：４．３８質量分析結果Ｃ₄₇Ｈ₄₂Ｎ₂としてｍ／ｅ＝６３４（計算値６３４．９）実施例２〈前記式(2) で表されるｍ−フェニレンジアミン誘導体
の合成〉実施例１の工程(iii) で使用したｍ−ヨードト
ルエンに代えて、ｐ−ヨードトルエンを同量で用いたほ
かは、実施例１と同様にして、前記式(2) で表されるフ
ェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（３−メチルフェニル）−Ｎ，
Ｎ′−ジ（４−メチルフェニル）−３′，５′−ジアミ
ノ−ｐ−ビフェニリルメタン１４６．０ｇを得た（収率
７９．３％）。

【００４３】なお、工程(ii)における生成物、フェニル
−Ｎ，Ｎ′−ジ（３−メチルフェニル）−３′，５′−
ジアミノ−ｐ−ビフェニリルメタンの収量は１３１．８
ｇ（収率７６．３％）であった。生成物の分析結果を以
下に示す。元素分析結果計算値（％）：Ｃ８８．９２Ｈ：６．６７Ｎ：４．４１実測値（％）：Ｃ：８９．２１Ｈ：６．５４Ｎ：４．２９質量分析結果Ｃ₄₇Ｈ₄₂Ｎ₂としてｍ／ｅ＝６３４（計算値６３４．９）実施例３〈前記式(3) で表されるｍ−フェニレンジアミン誘導体
の合成〉実施例１の工程(ii)および(iii) でそれぞれ使
用したｍ−ヨードトルエンに代えて、工程(ii)ではｐ−
ヨードトルエンを実施例１と同量で、工程(iii) ではｐ
−ヨードトルエンの１３０．７ｇをそれぞれ用いたほか
は、実施例１と同様にして、前記式(3) で表されるフェ
ニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ（４−メチルフェニ
ル）−３′，５′−ジアミノ−ｐ−ビフェニリルメタン
１４５．４ｇを得た（収率７６．５％）。

【００４４】なお、工程(ii)における生成物、フェニル
−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メチルフェニル）−３′，５′−
ジアミノ−ｐ−ビフェニリルメタンの収量は１３６．１
ｇ（収率７８．８％）であった。生成物の分析結果を以
下に示す。元素分析結果計算値（％）：Ｃ８８．９２Ｈ：６．６７Ｎ：４．４１実測値（％）：Ｃ：８８．７４Ｈ：６．６６Ｎ：４．２３質量分析結果Ｃ₄₇Ｈ₄₂Ｎ₂としてｍ／ｅ＝６３４（計算値６３４．９）実施例４〈前記式(4) で表されるｍ−フェニレンジアミン誘導体
の合成〉実施例１の工程(iii) で使用したｍ−ヨードト
ルエンに代えて、ｐ−ヨードアニソール１４２．６ｇを
用いたほかは、実施例１と同様にして、前記式(4) で表
されるフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（３−メチルフェニル）
−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−３′，５′
−ジアミノ−ｐ−ビフェニリルメタン１５５．３ｇを得
た（収率７６．５％）。

【００４５】なお、工程(ii)における生成物、フェニル
−Ｎ，Ｎ′−ジ（３−メチルフェニル）−３′，５′−
ジアミノ−ｐ−ビフェニリルメタンの収量は１３８．４
ｇ（収率８０．１％）であった。生成物の分析結果を以
下に示す。元素分析結果計算値（％）：Ｃ：８４．６５Ｈ：６．３５Ｎ：４．２０実測値（％）：Ｃ：８４．２９Ｈ：６．４３Ｎ：４．４１質量分析結果Ｃ₄₇Ｈ₄₂Ｎ₂Ｏ₂としてｍ／ｅ＝６６６（計算値６６６．９）実施例５〈前記式(5) で表されるｍ−フェニレンジアミン誘導体
の合成〉実施例３の工程(iii) で使用したｐ−ヨードト
ルエンに代えて、ｐ−ヨードアニソール１４２．１ｇを
用いたほかは、実施例３と同様にして、前記式(5) で表
されるフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メチルフェニル）
−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−３′，５′
−ジアミノ−ｐ−ビフェニリルメタン１５２．３ｇを得
た（収率７５．３％）。

【００４６】この場合、工程(ii)における生成物の収量
は１３７．９ｇ( 収率７９．８％）であった。生成物の
分析結果を以下に示す。元素分析結果計算値（％）：Ｃ：８４．６５Ｈ：６．３５Ｎ：４．２０実測値（％）：Ｃ：８４．７３Ｈ：６．１２Ｎ：４．２１質量分析結果Ｃ₄₇Ｈ₄₂Ｎ₂Ｏ₂としてｍ／ｅ＝６６６（計算値６６６．９）実施例６〈前記式(6) で表されるｍ−フェニレンジアミン誘導体
の合成〉実施例１の工程(ii)および(iii) でそれぞれ使
用したｍ−ヨードトルエンに代えて、いずれもｐ−ヨー
ドアニソールを用いた（工程(ii)では１７８．１ｇ、工
程(iii) では１４０．３ｇを使用した）ほかは、実施例
１と同様にして、前記式(6) で表されるフェニル−Ｎ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ（４−メトキシフェニル）−
３′，５′−ジアミノ−ｐ−ビフェニリルメタン１６
３．２ｇを得た（収率７８．０％）。

【００４７】なお、工程(ii)における生成物、フェニル
−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−３′，５′
−ジアミノ−ｐ−ビフェニリルメタンの収量は１４５．
７ｇ（収率７８．８％）であった。生成物の分析結果を
以下に示す。元素分析結果計算値（％）：Ｃ：８０．７８Ｈ：６．０６Ｎ：４．０１実測値（％）：Ｃ：８０．６４Ｈ：６．０３Ｎ：４．３６質量分析結果Ｃ₄₇Ｈ₄₂Ｎ₂Ｏ₄としてｍ／ｅ＝６９８（計算値６９８．９）実施例７〈前記式(7) で表されるｍ−フェニレンジアミン誘導体
の合成〉実施例１の工程(ii)および(iii) でそれぞれ使
用したｍ−ヨードトルエンに代えて、工程(ii)ではヨー
ドベンゼン１５５．２ｇを、工程(iii) ではｐ−ヨード
アニソール１３８．２ｇをそれぞれ用いたほかは、実施
例１と同様にして、前記式(7) で表されるフェニル−
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフ
ェニル）−３′，５′−ジアミノ−ｐ−ビフェニリルメ
タン１４１．７ｇを得た（収率７５．２％）。

【００４８】なお、工程(ii)における生成物、フェニル
−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−３′，５′−ジアミノ−ｐ−
ビフェニリルメタンの収量は１２５．８ｇ（収率７７．
６％）であった。生成物の分析結果を以下に示す。元素分析結果計算値（％）：Ｃ：８４．６１Ｈ：６．００Ｎ：４．３９実測値（％）：Ｃ：８４．７９Ｈ：５．８１Ｎ：４．１３質量分析結果Ｃ₄₅Ｈ₃₈Ｎ₂Ｏ₂としてｍ／ｅ＝６３８（計算値６３８．８）実施例８〜１４および比較例１，２（積層型感光体）下記式(A) で表される電荷発生材料２部、ポリビニルブ
チラール樹脂１部、テトラヒドロフラン１２０部を、ガ
ラスビーズ（２ｍｍ径) を用いたペイントシェーカーに
て２時間分散させた。得られた分散液をアルミニウム素
管の表面に浸漬法によって塗工し、１００℃で１時間乾
燥し、０．５μｍの電荷発生層を形成した。

【００４９】

【化８】

【００５０】この電荷発生層上に電荷輸送材料１部、ポ
リエステル樹脂１部をトルエン９部に溶解した溶液を浸
漬法にて塗工し、１００℃で１時間乾燥し、２２μｍの
電荷輸送層を形成し、負帯電型の積層型感光体を得た。
比較例１としては、下記式(B) で表される化合物を電荷
輸送材料として使用したほかは、上記実施例８〜１４と
同様にして、積層型感光体を作製した。

【００５１】

【化９】

【００５２】実施例１５〜２１および比較例３，４（単
層型感光体）前記式(A) で表される電荷発生剤１部およびテトラヒド
ロフラン６０部を、ガラスビーズ（２mm径) を用いたペ
イントシェーカーにて２時間分散させた。得られた分散
液に、ポリエステル樹脂のテトラヒドロフラン溶液５０
部および電荷輸送材料１０部を加え、さらに１時間分散
を続けた。得られた分散液をアルミニウム素管の表面に
浸漬法にて塗工し、２０μｍの感光層を形成し、正帯電
型の単層型感光体を得た。

【００５３】比較例３は前記式(B) で表される化合物を
電荷輸送材料として使用したほかは、上記実施例１５〜
２１と同様にして、単層型感光体を作製した。上記各実
施例、比較例の電子写真感光体について、以下の試験を
行い、その特性を評価した。初期表面電位の測定各電子写真感光体を、静電式複写試験装置（ジェンテッ
ク社製の商品名ジェンテックシンシア３０Ｍ）に装填
し、その表面を正または負に帯電させて、初期表面電位
Ｖs.p.（Ｖ）を測定した。

【００５４】半減露光量および残留電位の測定上記初期表面電位の測定で帯電状態となった電子写真感
光体を、静電式複写試験装置の露光光源であるハロゲン
ランプを用いて、露光強度１０lux の条件で露光して、
その表面電位が１／２となるまでの時間を求め、半減露
光量Ｅ1/2 （lux ・sec ）を算出した。

【００５５】また、上記露光開始後、０．１５秒を経過
した時点の表面電位を測定し、残留電位Ｖ１r.p.（Ｖ）
とした。光安定性の測定上記電子写真感光体を、静電式複写機（三田工業社製の
型番ＤＣ−１１１）に装填して１０００枚の連続複写を
行った後、上記と同様にして、繰り返し露光後の残留電
位Ｖ２r.p.（Ｖ）を測定した。そして、前記残留電位Ｖ
１r.p.とＶ２r.p.との差ΔＶr.p.（Ｖ）を求めた。

【００５６】積層型感光体（実施例１９〜３０および比
較例１，２）の試験結果を表１に、単層型感光体（実施
例３１〜４２および比較例３，４）の試験結果を表２に
それぞれ示す。

【００５７】

【表１】

【００５８】

【表２】

【００５９】これらの試験結果から、各実施例の感光体
は、積層型、単層型の何れのものも、表面電位ＶS.P.に
ついては比較例の従来の感光体とほとんど差はないが、
半減露光量Ｅ1/2 が小さく、かつ、残留電位Ｖ1r.p. が
低いことから、感度が著しく改善されていることが判っ
た。また、上記各実施例の感光体は、比較例に比べてΔ
Ｖr.p.が小さいことから、何れも、耐久性に優れたもの
であることが判った。

【００６０】

【発明の効果】以上のように、この発明のｍ−フェニレ
ンジアミン誘導体は、高い電荷輸送能を有し、かつ、光
安定性に優れているため、このｍ−フェニレンジアミン
誘導体を電荷輸送材料として用いることにより、高感度
で、かつ耐久性に優れた電子写真感光体が得られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山里一郎大阪府大阪市中央区玉造１丁目２番28号三田工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式(I) ：【化１】［式中、Ｒ¹，Ｒ²は同一または異なって水素原子、も
しくは、置換基を有してもよいアルキル基、アルコキシ
基を示す。］で表されるｍ−フェニレンジアミン誘導
体。
【請求項２】導電性基体上に、上記一般式(I) で表され
るｍ−フェニレンジアミン誘導体を含む感光層を設けた
ことを特徴とする電子写真感光体。