JPH05102128A - 化合物半導体結晶ウエハ表面へのＡｓ２Ｓ３膜形成方法 - Google Patents
化合物半導体結晶ウエハ表面へのＡｓ２Ｓ３膜形成方法Info
- Publication number
- JPH05102128A JPH05102128A JP25666391A JP25666391A JPH05102128A JP H05102128 A JPH05102128 A JP H05102128A JP 25666391 A JP25666391 A JP 25666391A JP 25666391 A JP25666391 A JP 25666391A JP H05102128 A JPH05102128 A JP H05102128A
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- compound semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Ａｓ2 Ｓ3 絶縁膜をＧａＡｓ結晶上に形成して
も界面準位が少なく、良好なＭＩＳ構造を得る。 【構成】アンドープＧａＡｓ結晶ウェハを、Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：８：５００でエッチング
する。エッチング後、ＨＦ溶液に１分以上浸漬して、Ｇ
ａ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 等からなる自然酸化膜をエッチン
グしてウェハ表面をＡｓリッチにする。その上で、（Ｎ
Ｈ4 ）2 Ｓ溶液に浸漬した後、アンモニア溶液に０．１
６Ｍ Ａｓ2 Ｓ3 を溶解した溶液：ＣＨ3 ＯＨ＝２：１
に浸漬する。そして、スピン乾燥後、２９０〜３００℃
で熱処理する。このようにして、ＨＦ溶液に１分以上浸
漬した試料（ｃ、ｄ）は、そうではないもの（ａ、ｂ）
よりもＰＬ強度が高く、表面の再結合が十分抑えられ
る。
も界面準位が少なく、良好なＭＩＳ構造を得る。 【構成】アンドープＧａＡｓ結晶ウェハを、Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：８：５００でエッチング
する。エッチング後、ＨＦ溶液に１分以上浸漬して、Ｇ
ａ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ3 等からなる自然酸化膜をエッチン
グしてウェハ表面をＡｓリッチにする。その上で、（Ｎ
Ｈ4 ）2 Ｓ溶液に浸漬した後、アンモニア溶液に０．１
６Ｍ Ａｓ2 Ｓ3 を溶解した溶液：ＣＨ3 ＯＨ＝２：１
に浸漬する。そして、スピン乾燥後、２９０〜３００℃
で熱処理する。このようにして、ＨＦ溶液に１分以上浸
漬した試料（ｃ、ｄ）は、そうではないもの（ａ、ｂ）
よりもＰＬ強度が高く、表面の再結合が十分抑えられ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体結晶表面
の安定化を改善した化合物半導体結晶ウェハ表面へのＡ
ｓ2 Ｓ3 膜形成方法に関するものである。
の安定化を改善した化合物半導体結晶ウェハ表面へのＡ
ｓ2 Ｓ3 膜形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体は、ショットキゲート電界
効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高移動度トランジ
スタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）などのトランジスタデバイス、及び種々の受
発光デバイスの作製に用いられている。これらのデバイ
スに用いられている半導体表面・界面、すなわち、自由
表面、半導体−半導体界面、金属−半導体界面、絶縁体
−半導体界面は、あらゆる半導体デバイスの基本構成要
素である。ことに数多くの未結合種をもつ表面は、本質
的に活性で、外部の原子、分子、イオンを吸着し易く、
そのため表面の電子状態は変化する。そこで、表面を絶
縁膜等で多い、未結合手を終端し、表面を不活性とする
必要がある。半導体デバイスは、半導体表面を使用する
ので、この表面不活性化技術は非常に重要な技術であ
る。
効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）、高移動度トランジ
スタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ）などのトランジスタデバイス、及び種々の受
発光デバイスの作製に用いられている。これらのデバイ
スに用いられている半導体表面・界面、すなわち、自由
表面、半導体−半導体界面、金属−半導体界面、絶縁体
−半導体界面は、あらゆる半導体デバイスの基本構成要
素である。ことに数多くの未結合種をもつ表面は、本質
的に活性で、外部の原子、分子、イオンを吸着し易く、
そのため表面の電子状態は変化する。そこで、表面を絶
縁膜等で多い、未結合手を終端し、表面を不活性とする
必要がある。半導体デバイスは、半導体表面を使用する
ので、この表面不活性化技術は非常に重要な技術であ
る。
【０００３】特にＧａＡｓ結晶は、表面が酸化されるこ
とにより高密度の表面準位が形成されてしまう。このこ
とが、ＧａＡｓではＭＩＳ（金属・絶縁物・半導体）構
造を有するデバイスの製作を阻む原因となっている。表
面を安定化させる方法として、光化学酸化、硫化物処
理、セレン化処理等が提案されているが、この表面を十
分に安定化させる方法は、未だ見出されていない。最
近、硫化物処理を発展させ、表面の安定化を高めた方法
として、Ａｓ2 Ｓ3 膜をＧａＡｓ結晶表面に堆積させる
方法が報告された（文献：E.Yablonovitch et al.,As2
S 3 /GaAs,a new amorphous/crystalline heterojuncti
on for the III-V semiconductors,Appl.Phys.Lett.57
(21),19 November 1990,pp.2241-2243.）。この詳細な
方法を以下に示す。
とにより高密度の表面準位が形成されてしまう。このこ
とが、ＧａＡｓではＭＩＳ（金属・絶縁物・半導体）構
造を有するデバイスの製作を阻む原因となっている。表
面を安定化させる方法として、光化学酸化、硫化物処
理、セレン化処理等が提案されているが、この表面を十
分に安定化させる方法は、未だ見出されていない。最
近、硫化物処理を発展させ、表面の安定化を高めた方法
として、Ａｓ2 Ｓ3 膜をＧａＡｓ結晶表面に堆積させる
方法が報告された（文献：E.Yablonovitch et al.,As2
S 3 /GaAs,a new amorphous/crystalline heterojuncti
on for the III-V semiconductors,Appl.Phys.Lett.57
(21),19 November 1990,pp.2241-2243.）。この詳細な
方法を以下に示す。
【０００４】ＧａＡｓウェハをＨ2 ＳＯ4 ：Ｈ
2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：８：５００でエッチングした後、
水洗する。
2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：８：５００でエッチングした後、
水洗する。
【０００５】（ＮＨ4 ）2 Ｓ溶液に浸漬した後、水洗
する。
する。
【０００６】アンモニア溶液に０．１６Ｍ（ｍｏｌ／
ｌ）Ａｓ2 Ｓ3 を溶解した溶液：ＣＨ3 ＯＨ＝２：１に
浸漬する。
ｌ）Ａｓ2 Ｓ3 を溶解した溶液：ＣＨ3 ＯＨ＝２：１に
浸漬する。
【０００７】スピン乾燥する。
【０００８】乾燥後、２９０〜３００℃で熱処理（空
気雰囲気）する。
気雰囲気）する。
【０００９】このようにしてＧａＡｓ結晶表面にＡｓ2
Ｓ3 膜を堆積して、結晶表面の安定化を高めている。
Ｓ3 膜を堆積して、結晶表面の安定化を高めている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た文献による方法では、ＧａＡｓ結晶とＡｓ2 Ｓ3 膜界
面に自然酸化膜が残ってしまい、Ａｓ2 Ｓ3 ／ＧａＡｓ
の界面準位を十分に低くすることができない。すなわ
ち、ＧａＡｓは自然酸化膜とよばれるＧａ2 Ｏ3 ，Ａｓ
2 Ｏ3 等の酸化物により覆われるが、これらの酸化物は
上記のエッチングによっては完全に除去することがで
きず、その残存によりＧａＡｓの清浄表面が得られな
い。このため、Ａｓ2 Ｓ3 絶縁膜をＧａＡｓ上に形成し
ても界面準位が多く、良好なＭＩＳが得られない。
た文献による方法では、ＧａＡｓ結晶とＡｓ2 Ｓ3 膜界
面に自然酸化膜が残ってしまい、Ａｓ2 Ｓ3 ／ＧａＡｓ
の界面準位を十分に低くすることができない。すなわ
ち、ＧａＡｓは自然酸化膜とよばれるＧａ2 Ｏ3 ，Ａｓ
2 Ｏ3 等の酸化物により覆われるが、これらの酸化物は
上記のエッチングによっては完全に除去することがで
きず、その残存によりＧａＡｓの清浄表面が得られな
い。このため、Ａｓ2 Ｓ3 絶縁膜をＧａＡｓ上に形成し
ても界面準位が多く、良好なＭＩＳが得られない。
【００１１】本発明の目的は、ウェハ表面をＡｓリッチ
とすることによって、前記した従来技術の欠点を解消
し、界面準位を大幅に低減することのできる新規な化合
物半導体結晶ウェハ表面へのＡｓ2 Ｓ3 膜形成方法を提
供することにある。
とすることによって、前記した従来技術の欠点を解消
し、界面準位を大幅に低減することのできる新規な化合
物半導体結晶ウェハ表面へのＡｓ2 Ｓ3 膜形成方法を提
供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の化合物半導体結
晶ウェハ表面へのＡｓ2 Ｓ3 膜形成方法は、化合物半導
体結晶ウェハをフッ化水素酸溶液に浸漬する。この浸漬
は１分以上にする必要がある。浸漬後、Ｓを過剰とした
（ＮＨ4 ）2 Ｓ溶液と、Ａｓ2 Ｓ3 、アンモニア及びメ
タノールを混合した溶液とに順次浸漬し、乾燥後、熱処
理するようにしたものである。Ｓを過剰とするのは、
（ＮＨ4 ）2 Ｓ溶液のＳを過剰にした方が、ＳがＧａＡ
ｓ表面の酸素と置換してＧａＡｓ表面をパッシベーショ
ンする効果が大きいためである。
晶ウェハ表面へのＡｓ2 Ｓ3 膜形成方法は、化合物半導
体結晶ウェハをフッ化水素酸溶液に浸漬する。この浸漬
は１分以上にする必要がある。浸漬後、Ｓを過剰とした
（ＮＨ4 ）2 Ｓ溶液と、Ａｓ2 Ｓ3 、アンモニア及びメ
タノールを混合した溶液とに順次浸漬し、乾燥後、熱処
理するようにしたものである。Ｓを過剰とするのは、
（ＮＨ4 ）2 Ｓ溶液のＳを過剰にした方が、ＳがＧａＡ
ｓ表面の酸素と置換してＧａＡｓ表面をパッシベーショ
ンする効果が大きいためである。
【００１３】この場合において、上記フッ化水素酸溶液
を、水とフッ化水素酸、メタノールとフッ化水素酸、ま
たは水とメタノールとフッ化水素酸の混合溶液であるこ
とが望ましい。また、本発明を適用できる化合物半導体
結晶には、ＧａＡｓの他に、ＩｎＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、
ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａ
ＡｓＰ等がある。このうち、Ｇａを含まない化合物半導
体結晶、例えばＩｎＰ、ＩｎＡｓなどの場合には、Ｉｎ
酸化物が良好なＡｓ2 Ｓ3 膜の形成を阻害することにな
る。なお、III −Ｖ族化合物半導体の場合にはＶ族リッ
チとする。
を、水とフッ化水素酸、メタノールとフッ化水素酸、ま
たは水とメタノールとフッ化水素酸の混合溶液であるこ
とが望ましい。また、本発明を適用できる化合物半導体
結晶には、ＧａＡｓの他に、ＩｎＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、
ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａ
ＡｓＰ等がある。このうち、Ｇａを含まない化合物半導
体結晶、例えばＩｎＰ、ＩｎＡｓなどの場合には、Ｉｎ
酸化物が良好なＡｓ2 Ｓ3 膜の形成を阻害することにな
る。なお、III −Ｖ族化合物半導体の場合にはＶ族リッ
チとする。
【００１４】
【作用】良好なＡｓ2 Ｓ3 ／ＧａＡｓ界面を形成するた
めには、Ａｓ2 Ｓ3 膜を堆積する前の化合物半導体結晶
表面がＡｓリッチとなっているのがよい。表面に化合物
半導体結晶を構成するＧａ等からなる酸化物があるとＧ
ａ等による硫化物生成のために、良好なＡｓ2 Ｓ3 膜を
形成できないからである。例えば、ＧａＡｓ基板表面を
Ａｓリッチとする方法は免田らによって報告されている
（K.Menda et al,ARXPS Analysis on As-Passivated Ga
As Surface by HF Dipping Method,Japanese Journal o
f Applied Physics,vol.29,No.3,March,1990,pp.L391-3
93 ）。これによれば、ＨＦ（フッ酸）溶液に１分以上
浸漬しなければならない。これは他の化合物半導体結晶
にも共通する従って、Ａｓ2 Ｓ3 溶液に化合物半導体結
晶ウェハを浸漬する前にフッ酸に浸漬すると、ウェハ表
面にＡｓリッチ層を形成することができる。このため、
フッ酸浸漬後にＡｓ2 Ｓ3 膜を形成することにより、Ｇ
ａＡｓ結晶表面の準位を大幅に低減することができる。
Ａｓリッチにすると界面が良好になるというメカニズム
はよく解っていないが、おそらくＧａ酸化物が選択的に
エッチングされるためであると推測される。
めには、Ａｓ2 Ｓ3 膜を堆積する前の化合物半導体結晶
表面がＡｓリッチとなっているのがよい。表面に化合物
半導体結晶を構成するＧａ等からなる酸化物があるとＧ
ａ等による硫化物生成のために、良好なＡｓ2 Ｓ3 膜を
形成できないからである。例えば、ＧａＡｓ基板表面を
Ａｓリッチとする方法は免田らによって報告されている
（K.Menda et al,ARXPS Analysis on As-Passivated Ga
As Surface by HF Dipping Method,Japanese Journal o
f Applied Physics,vol.29,No.3,March,1990,pp.L391-3
93 ）。これによれば、ＨＦ（フッ酸）溶液に１分以上
浸漬しなければならない。これは他の化合物半導体結晶
にも共通する従って、Ａｓ2 Ｓ3 溶液に化合物半導体結
晶ウェハを浸漬する前にフッ酸に浸漬すると、ウェハ表
面にＡｓリッチ層を形成することができる。このため、
フッ酸浸漬後にＡｓ2 Ｓ3 膜を形成することにより、Ｇ
ａＡｓ結晶表面の準位を大幅に低減することができる。
Ａｓリッチにすると界面が良好になるというメカニズム
はよく解っていないが、おそらくＧａ酸化物が選択的に
エッチングされるためであると推測される。
【００１５】
【実施例】以下、本発明をＧａＡｓ結晶ウェハに適用し
た場合の実施例を説明する。
た場合の実施例を説明する。
【００１６】実施例１ アンドープＧａＡｓ結晶ウェハに次の処理を施した。
【００１７】Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：
８：５００でエッチングした後、水洗する。
８：５００でエッチングした後、水洗する。
【００１８】ＨＦ溶液に所定時間浸漬する。ＨＦ溶液
は、水とフッ化水素酸、メタノールとフッ化水素酸、ま
たは水とメタノールとフッ化水素酸の混合溶液のいずれ
でもよい。浸漬後、水洗する。
は、水とフッ化水素酸、メタノールとフッ化水素酸、ま
たは水とメタノールとフッ化水素酸の混合溶液のいずれ
でもよい。浸漬後、水洗する。
【００１９】Ｓを過剰とした（ＮＨ4 ）2 Ｓ溶液に浸
漬した後、水洗する。
漬した後、水洗する。
【００２０】アンモニア溶液に０．１６Ｍ Ａｓ2 Ｓ
3 を溶解した溶液：ＣＨ3 ＯＨ＝２：１に浸漬する。
3 を溶解した溶液：ＣＨ3 ＯＨ＝２：１に浸漬する。
【００２１】スピン乾燥する。
【００２２】乾燥後、２９０〜３００℃で熱処理（空
気雰囲気）する。
気雰囲気）する。
【００２３】この実施例では、比較のためＨＦ処理時間
を３０秒、１分、１時間としたもの及びＨＦ処理を省略
したウェハも同時に作製した。処理後（直後、１日、１
カ月のウェハのバンド端（１．４２ｅＶ）のフォトルミ
ネッセンス（ＰＬ）測定及びＸＰＳ（Ｘ線励起光電子分
光法）評価を行なった。
を３０秒、１分、１時間としたもの及びＨＦ処理を省略
したウェハも同時に作製した。処理後（直後、１日、１
カ月のウェハのバンド端（１．４２ｅＶ）のフォトルミ
ネッセンス（ＰＬ）測定及びＸＰＳ（Ｘ線励起光電子分
光法）評価を行なった。
【００２４】ＰＬ測定結果を図１、図２に示す。ＨＦ処
理時間を１分以上としたウェハのＰＬ強度（ｃ、ｄ）
は、そうでないもの（ａ、ｂ）の約２倍となっており、
十分に表面の再結合が抑えられていることがわかる（図
１）。また、１カ月経過後も強度の減少はほとんど見ら
れず、ＨＦ処理時間を３０秒としたもの（ｂ）及びＨＦ
処理を省略したもの（ａ）は、強度が徐々に減少してお
り（図２）、表面の劣化が見られる。
理時間を１分以上としたウェハのＰＬ強度（ｃ、ｄ）
は、そうでないもの（ａ、ｂ）の約２倍となっており、
十分に表面の再結合が抑えられていることがわかる（図
１）。また、１カ月経過後も強度の減少はほとんど見ら
れず、ＨＦ処理時間を３０秒としたもの（ｂ）及びＨＦ
処理を省略したもの（ａ）は、強度が徐々に減少してお
り（図２）、表面の劣化が見られる。
【００２５】ＸＰＳの評価によればＨＦ処理時間を１分
以上としたものは、それ以外のものに比較して約０．４
ｅＶ高結合側にシフトしていた。この結果は、フェルミ
レベルのピニングが緩和されたことを意味しており、ピ
ニングの原因となる表面準位密度は小さくなっているこ
とがわかる。
以上としたものは、それ以外のものに比較して約０．４
ｅＶ高結合側にシフトしていた。この結果は、フェルミ
レベルのピニングが緩和されたことを意味しており、ピ
ニングの原因となる表面準位密度は小さくなっているこ
とがわかる。
【００２６】実施例２ 図３に示すように、先に挙げた文献に記載されているの
と同じ構造のメサ型ダイオードを作製した。すなわち、
ｎ+ ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型層を構成するｎ+ ＧａＡ
ｓバッファ２、ｎ+ ＡｌＡｓ３、ｎ+ ＧａＡｓ４、ｎＡ
ｌＧａＡｓ５を順次積層し、アンドープＧａＡｓ６を介
在した後、さらにｐ型層を構成するｐＡｌＧａＡｓ７、
ｐ+ ＧａＡｓ８を積層し、最後にＡｕ９を設けたもので
ある。このダイオードの作製に当って、実施例１と同様
の処理を施し、作製後のダイオードについてＩ−Ｖ特性
を測定した。結果を図４に示す。ＨＦ処理を１分以上施
した試料（ｃ、ｄ）は、それ以外の試料（ａ、ｂ）に比
較して表面リーク電流の大幅な低減効果が見られる。
と同じ構造のメサ型ダイオードを作製した。すなわち、
ｎ+ ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型層を構成するｎ+ ＧａＡ
ｓバッファ２、ｎ+ ＡｌＡｓ３、ｎ+ ＧａＡｓ４、ｎＡ
ｌＧａＡｓ５を順次積層し、アンドープＧａＡｓ６を介
在した後、さらにｐ型層を構成するｐＡｌＧａＡｓ７、
ｐ+ ＧａＡｓ８を積層し、最後にＡｕ９を設けたもので
ある。このダイオードの作製に当って、実施例１と同様
の処理を施し、作製後のダイオードについてＩ−Ｖ特性
を測定した。結果を図４に示す。ＨＦ処理を１分以上施
した試料（ｃ、ｄ）は、それ以外の試料（ａ、ｂ）に比
較して表面リーク電流の大幅な低減効果が見られる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によるＡｓ2 Ｓ3 膜形成方法によ
れば、界面準位を大幅に低減することができるので、良
好なＭＩＳ構造を実現することができる。その結果、化
合物半導体結晶ウェハの劣化を抑止し、素子の特性を飛
躍的に向上させることができ、歩留りも向上する。
れば、界面準位を大幅に低減することができるので、良
好なＭＩＳ構造を実現することができる。その結果、化
合物半導体結晶ウェハの劣化を抑止し、素子の特性を飛
躍的に向上させることができ、歩留りも向上する。
【図１】ＨＦ処理を１分以上施した本実施例と、それ以
外の各試料のフォトルミネッセンス強度特性図。
外の各試料のフォトルミネッセンス強度特性図。
【図２】同じくフォトルミネッセンス強度の経時変化特
性図。
性図。
【図３】本実施例によるメサ型ダイオードの構造を示す
断面図。
断面図。
【図４】ＨＦ処理を１分以上施した本実施例と、それ以
外についてのメサ型ダイオードのＩ−Ｖ特性図。
外についてのメサ型ダイオードのＩ−Ｖ特性図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/338 29/812
Claims (2)
- 【請求項１】化合物半導体結晶ウェハをフッ化水素酸溶
液に１分以上浸漬した後、Ｓを過剰とした（ＮＨ4 ）2
Ｓ溶液と、Ａｓ2 Ｓ3 、アンモニア及びメタノールを混
合した溶液とに順次浸漬し、乾燥後、熱処理することを
特徴とする化合物半導体結晶ウェハ表面へのＡｓ2 Ｓ3
膜形成方法。 - 【請求項２】上記フッ化水素酸溶液は、水とフッ化水素
酸、メタノールとフッ化水素酸、または水とメタノール
とフッ化水素酸の混合溶液であることを特徴とする請求
項１に記載の化合物半導体結晶ウェハ表面へのＡｓ2 Ｓ
3膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25666391A JPH05102128A (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 化合物半導体結晶ウエハ表面へのＡｓ２Ｓ３膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25666391A JPH05102128A (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 化合物半導体結晶ウエハ表面へのＡｓ２Ｓ３膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102128A true JPH05102128A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17295745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25666391A Pending JPH05102128A (ja) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | 化合物半導体結晶ウエハ表面へのＡｓ２Ｓ３膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014518449A (ja) * | 2011-06-14 | 2014-07-28 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス− | Ｉｉｉ−ｖ半導体材料で作られた製品の表面を化学的にパッシベートする方法およびその方法で得られた製品 |
-
1991
- 1991-10-03 JP JP25666391A patent/JPH05102128A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014518449A (ja) * | 2011-06-14 | 2014-07-28 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス− | Ｉｉｉ−ｖ半導体材料で作られた製品の表面を化学的にパッシベートする方法およびその方法で得られた製品 |
| US9514961B2 (en) | 2011-06-14 | 2016-12-06 | Centre National de la Recherche Scientifique—CNRS | Method for chemically passivating a surface of a product made of a III-V semiconductor material and the product obtained by such a method |
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