JPH0499980A - 超伝導磁力計 - Google Patents
超伝導磁力計Info
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- JPH0499980A JPH0499980A JP2217506A JP21750690A JPH0499980A JP H0499980 A JPH0499980 A JP H0499980A JP 2217506 A JP2217506 A JP 2217506A JP 21750690 A JP21750690 A JP 21750690A JP H0499980 A JPH0499980 A JP H0499980A
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は超伝導量子干渉素子[Supercondu
cting Quantum Interfere
nce Device、以後路して5QUIDと呼ぶ
)を用いた高感度な磁力計のバイアス電流の設定自動化
に関するものである。
cting Quantum Interfere
nce Device、以後路して5QUIDと呼ぶ
)を用いた高感度な磁力計のバイアス電流の設定自動化
に関するものである。
[従来の技術]
第5図は従来の超伝導磁力計の一実施例を示すブロック
図である。図中(1)は5QUIDである。
図である。図中(1)は5QUIDである。
5QUIDは)は、超伝導リング(2)と、超伝導リン
グに (2)中に設けられたジョセフソン素子(3)。
グに (2)中に設けられたジョセフソン素子(3)。
(4)と、超伝導リング (2)に磁気的に結合した変
調期間コイル(5)とから構成される。(6)は直流電
流源、(7)は前置増幅器である。又、(8)は5QU
IDは)を駆動して所望の出力を取り出すための駆動回
路であり、以下のものから構成される。
調期間コイル(5)とから構成される。(6)は直流電
流源、(7)は前置増幅器である。又、(8)は5QU
IDは)を駆動して所望の出力を取り出すための駆動回
路であり、以下のものから構成される。
すなわち、(9)は発振器I、 (10)は発振器I
I 。
I 。
(11)は移相器、 [12)は乗算器、 (13
)は積分増幅器、 (14)は積分コンデンサ、
(151は積分器スイッチ、 (16)は帰還抵抗で
ある。上記駆動回路(8)は一般にFLL (Flu
x −Locked Loop )回路と呼ばれる公知
のものであり5例えばReiew ofScienfi
fic Instrument Vol、55.198
4年の第952頁〜第957頁に説明が記載されている
。
)は積分増幅器、 (14)は積分コンデンサ、
(151は積分器スイッチ、 (16)は帰還抵抗で
ある。上記駆動回路(8)は一般にFLL (Flu
x −Locked Loop )回路と呼ばれる公知
のものであり5例えばReiew ofScienfi
fic Instrument Vol、55.198
4年の第952頁〜第957頁に説明が記載されている
。
次に動作について説明する。まず5QUID (1)を
液体ヘリウムに浸すなどして冷却し、超伝導状態に転移
させる。この時、超伝導リング(2)におけるフラクソ
イドの量子化条件と、2つのジョセフソン素子(3)
、 (4)における直流ジョセフソン効果とにより、
5QUID (1)の端子A−B間に電位差を生じる
ことなく流すことの出来る超電導電流の最大値Imは超
伝導リング(2)を貫く検知磁束Φの関数となる。超伝
導リング(2)のインダクタンスL8の存在を無視し、
L、=Oとみなすと、ΦとImとの関係は0式のように
なり、■□は中に対して磁束量子Φ。(・2.07x
10−””ωb)を周期として変化する。
液体ヘリウムに浸すなどして冷却し、超伝導状態に転移
させる。この時、超伝導リング(2)におけるフラクソ
イドの量子化条件と、2つのジョセフソン素子(3)
、 (4)における直流ジョセフソン効果とにより、
5QUID (1)の端子A−B間に電位差を生じる
ことなく流すことの出来る超電導電流の最大値Imは超
伝導リング(2)を貫く検知磁束Φの関数となる。超伝
導リング(2)のインダクタンスL8の存在を無視し、
L、=Oとみなすと、ΦとImとの関係は0式のように
なり、■□は中に対して磁束量子Φ。(・2.07x
10−””ωb)を周期として変化する。
I 、、、−2ICICO3π(φ/ φ。)l ・
・・・・・・・・・・・■ここで■6はジョセフソン素
子F3) 、 (4)せれぞれの臨海電流値である。L
8の値は実際には数10.H〜数nHの値であるため、
■□とφとの関係は0式からずれ、■。の最小値は零に
はならないが、この場合にも■□はφ。を周期として変
化する。
・・・・・・・・・・・■ここで■6はジョセフソン素
子F3) 、 (4)せれぞれの臨海電流値である。L
8の値は実際には数10.H〜数nHの値であるため、
■□とφとの関係は0式からずれ、■。の最小値は零に
はならないが、この場合にも■□はφ。を周期として変
化する。
上記ような■□に変化に対応して5QUID (11の
電流−電圧(I−Vl特性も又、φ。を周期として変化
する。第6図(a)は上記のような5QUID (1)
の■V特性を示すものであり、φ=nφ0.φ=(n+
172)φ。の時にそれぞれ曲線C,Dのようになり、
φの値に応じてこの間を連続して変化する。
電流−電圧(I−Vl特性も又、φ。を周期として変化
する。第6図(a)は上記のような5QUID (1)
の■V特性を示すものであり、φ=nφ0.φ=(n+
172)φ。の時にそれぞれ曲線C,Dのようになり、
φの値に応じてこの間を連続して変化する。
ただしnは整数であり、第6図fa)中、■□l+Im
2はそれぞれφ=nφ。、 φ、 (n+l/2)φ。
2はそれぞれφ=nφ。、 φ、 (n+l/2)φ。
の時の超伝導電流の最大値である。
次に直流バイアス電流を流して端子A−B間の電位差■
をφに対して測定すると、■。2〈Ib1〈■、、、1
のバイアス電流Llに対しては第6図(b)の曲線E、
Im+<Ib2のバイアス電流■b2に対しては第6図
(b)の曲線Fのようなφ。を周期としたえ出力特性を
示す。以上が5QUID (11の動作である。
をφに対して測定すると、■。2〈Ib1〈■、、、1
のバイアス電流Llに対しては第6図(b)の曲線E、
Im+<Ib2のバイアス電流■b2に対しては第6図
(b)の曲線Fのようなφ。を周期としたえ出力特性を
示す。以上が5QUID (11の動作である。
次に従来の超伝導磁力計の駆動回路(8)の動作につい
て説明する。まず積分器スイッチ (15)を閉じ、積
分コンデンサ (14)をリセットする。次に発振器■
(9)から5QUID (11へ変調磁束φm1を変調
帰還コイル(5)を介して加える。さらに発振器II
(10)から5QUIDは)へ変調磁束φ。2を変調
磁束φ□1に重畳して加える。−例として、変調磁束φ
。1は振幅1/2φO+p−pl 1周波数f、400
KHzの正弦波、変調磁束φm2は振幅ψ。jp−pl
+周波数f2=lH2の正弦波である。
て説明する。まず積分器スイッチ (15)を閉じ、積
分コンデンサ (14)をリセットする。次に発振器■
(9)から5QUID (11へ変調磁束φm1を変調
帰還コイル(5)を介して加える。さらに発振器II
(10)から5QUIDは)へ変調磁束φ。2を変調
磁束φ□1に重畳して加える。−例として、変調磁束φ
。1は振幅1/2φO+p−pl 1周波数f、400
KHzの正弦波、変調磁束φm2は振幅ψ。jp−pl
+周波数f2=lH2の正弦波である。
次に直流電流源(6)から5QUID (1)へバイア
ス電流を流し、その値を徐々に増加させていくと。
ス電流を流し、その値を徐々に増加させていくと。
バイアス電流の値がI+112よりも大きくなった時点
で前置増幅器(7)からは周波数f1の波形が出力され
始める。この波形は周波数f2で振幅変調されている。
で前置増幅器(7)からは周波数f1の波形が出力され
始める。この波形は周波数f2で振幅変調されている。
この波形の振幅が最大になるようにバイアス電流の値を
調節し、調節後に変調磁束φ、2の振幅を零にする。
調節し、調節後に変調磁束φ、2の振幅を零にする。
次に積分器スイッチ (15)を開くと、前置増幅器(
7)の出力は9乗算器(12)において移相器(11)
から出力された周波数f1の参照信号φ1と掛は合わさ
れた後に積分増幅器(13)で積分されて位相検波され
る。次に帰還抵抗(16)と変調帰還コイル(5)を流
れる帰還電流Ifとして5QUIDけ)へ負帰還され、
動作点をφ・nφ。又はφ= (n+l/2) φ。
7)の出力は9乗算器(12)において移相器(11)
から出力された周波数f1の参照信号φ1と掛は合わさ
れた後に積分増幅器(13)で積分されて位相検波され
る。次に帰還抵抗(16)と変調帰還コイル(5)を流
れる帰還電流Ifとして5QUIDけ)へ負帰還され、
動作点をφ・nφ。又はφ= (n+l/2) φ。
に相当する第6図(6)中のG点又はH点に固定する。
固定後は固定した磁束の値を出力零の原点とし、そこか
らのφの相対的な変化量△φに比例した■式のような電
圧△Voutを出力する。
らのφの相対的な変化量△φに比例した■式のような電
圧△Voutを出力する。
ただし、 Mfは変調帰還コイル(5)と超伝導リング
(2)との相互インダクタンス、しは帰還抵抗(16
)の値である。
(2)との相互インダクタンス、しは帰還抵抗(16
)の値である。
[発明が解決しようとする課題]
従来の超伝導磁力計は上記のように構成されているため
、前置増幅器(7)の出力をモニタしながら手動でバイ
アス電流の調整を行わねばならず。
、前置増幅器(7)の出力をモニタしながら手動でバイ
アス電流の調整を行わねばならず。
手間がかかるという問題点があった。この発明は上記の
ような問題点を解消するためになされたもので、バイア
ス電流を自動的に設定出来る超伝導磁力計を得ることを
目的とする。
ような問題点を解消するためになされたもので、バイア
ス電流を自動的に設定出来る超伝導磁力計を得ることを
目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明に係る超伝導磁力計は、 5QUIDにバイア
ス電流を供給するバイアス電流源と、バイアス電流をコ
ントロールするコントローラと、前置増幅器の出力を整
流する整流器と、整流器の出力の最大値を保持するピー
ク値ホールド回路と、ピーク値ホールド回路の出力が目
標値に達したことを判別し9判別結果をコントローラへ
伝達する比較器とを備えたものである。
ス電流を供給するバイアス電流源と、バイアス電流をコ
ントロールするコントローラと、前置増幅器の出力を整
流する整流器と、整流器の出力の最大値を保持するピー
ク値ホールド回路と、ピーク値ホールド回路の出力が目
標値に達したことを判別し9判別結果をコントローラへ
伝達する比較器とを備えたものである。
[作用]
この発明に係る超伝導磁力計は、コントローラからのバ
イアス電流設定開始の指示により、バイアス電流源が5
QUIDへ供給するバイアス電流の値を零から徐々に増
加させる。5QUIDの出力を前置増幅器で増幅した後
に整流し、その振幅の最大値をピーク値ホールド回路で
いったん保持した後に比較器で目標値と比較することに
よりバイアス電流の大きさが所望の値に達したか否かを
判定しコントローラへ伝達する。バイアス電流が所望の
値に達した時点でコントローラからの指示を受けてバイ
アス電流源がバイアス電流値を記憶し、固定する。
イアス電流設定開始の指示により、バイアス電流源が5
QUIDへ供給するバイアス電流の値を零から徐々に増
加させる。5QUIDの出力を前置増幅器で増幅した後
に整流し、その振幅の最大値をピーク値ホールド回路で
いったん保持した後に比較器で目標値と比較することに
よりバイアス電流の大きさが所望の値に達したか否かを
判定しコントローラへ伝達する。バイアス電流が所望の
値に達した時点でコントローラからの指示を受けてバイ
アス電流源がバイアス電流値を記憶し、固定する。
[実施例]
以下、この発明の一実施例について説明する。
第1図はこの発明の一実施例である超伝導磁力計の構成
を示すブロック図である。5QUID (1) 、前置
増幅器(7)、駆動回路(8)は従来の実施例と同じも
のである。 (17)はバイアス電流源、 (181
はコントローラ、 (191は整流器、 (20)
はピーク値ホールド回路、 (21)は比較器である
。次に第1図中に示した各信号について説明する。φm
llφ、n2.φ1は従来の実施例と同じもであり、そ
れぞれ、変調磁束■、変調磁束II 、参照信号である
。■ゎはバイアス電流、イは前置増幅器(7)の出力電
圧5口は整流器 (19)の出力電圧、ハはピーク値ホ
ールド回路 (20)の出力電圧、二は比較器(21)
の出力電圧である。第2図はバイアス電流源 (17)
の一実施例を示すブロック図であり。
を示すブロック図である。5QUID (1) 、前置
増幅器(7)、駆動回路(8)は従来の実施例と同じも
のである。 (17)はバイアス電流源、 (181
はコントローラ、 (191は整流器、 (20)
はピーク値ホールド回路、 (21)は比較器である
。次に第1図中に示した各信号について説明する。φm
llφ、n2.φ1は従来の実施例と同じもであり、そ
れぞれ、変調磁束■、変調磁束II 、参照信号である
。■ゎはバイアス電流、イは前置増幅器(7)の出力電
圧5口は整流器 (19)の出力電圧、ハはピーク値ホ
ールド回路 (20)の出力電圧、二は比較器(21)
の出力電圧である。第2図はバイアス電流源 (17)
の一実施例を示すブロック図であり。
(22)は電池、 (23)はスイッチ、 (24
)は抵抗。
)は抵抗。
(25)はコンデンサ、 (26)はスイッチ、
(271はA/D変換器、 (28)はメモリ、
(29)はD/A変換器、 (30)はスイッチ、
(311はスイッチ、 (32)はV−I(電圧−
電流)変換器である。
(271はA/D変換器、 (28)はメモリ、
(29)はD/A変換器、 (30)はスイッチ、
(311はスイッチ、 (32)はV−I(電圧−
電流)変換器である。
次にこの発明による超伝導磁力計の動作について説明す
る。
る。
第3図(a) 、 (b) 、 fc) 、 (d)
、 (elはこの発明による超伝導磁力計のバイアス電
流値自動設定の過程におけるバイアス電流Ib、前置増
幅器(7)の出力電圧イ、整流器 (19)の出力電圧
口、ビク値ホールド回路の出力電圧ハ、比較器(21)
の出力電圧二の変化をそれぞれ示す図、第4図(a)。
、 (elはこの発明による超伝導磁力計のバイアス電
流値自動設定の過程におけるバイアス電流Ib、前置増
幅器(7)の出力電圧イ、整流器 (19)の出力電圧
口、ビク値ホールド回路の出力電圧ハ、比較器(21)
の出力電圧二の変化をそれぞれ示す図、第4図(a)。
(b) 、 (c) 、 (dl はそれぞれスイ
ッチ (23) 。
ッチ (23) 。
(26L (301、(31)の開閉を示す図である
。以下、バイアス電流値自動設定の過程を第3図と第4
図を用いて説明する。
。以下、バイアス電流値自動設定の過程を第3図と第4
図を用いて説明する。
まず1時刻t。において5QUID (1)を液体ヘリ
ウムに浸すなどして冷却し、超伝導に転移させる。
ウムに浸すなどして冷却し、超伝導に転移させる。
次に積分器スイッチ (15)を閉じてコンデンサ(1
4)をリセットする。次に発振器I (9)、発振器
II (10)から変調磁束■と変調磁束IIとを重
ね合わせて5QUID (1)へ送る。時刻t。におい
てスイッチ (231、(26) 、 (301、(
31)は全て開いている。
4)をリセットする。次に発振器I (9)、発振器
II (10)から変調磁束■と変調磁束IIとを重
ね合わせて5QUID (1)へ送る。時刻t。におい
てスイッチ (231、(26) 、 (301、(
31)は全て開いている。
次に時刻t1においてスイッチ (23) 、 (2
6) 。
6) 。
(31)を閉、スイッチ (30)を開とする。又、ピ
ク値ホールド回路 (20)をリセットして出力をOV
にする。時刻t1以後コンデンサ (25)には徐々に
電荷が蓄積され、第2図中J点の電位は上昇する。V−
I変換器(32)は5点の電位をバイアス電流■ゎに変
換して5QUID (11へ供給する。時刻t1以後バ
イアス電流■ゎは徐々に増加するが、 Ibの大きさが
第6図(a)に示したIn2の大きさを越えると前置増
幅器(7)の出力には変調磁束■に起因する周波数f、
の電圧が出力される。この時刻をt2とする。この電圧
は変調磁束IIにより周波数f2で振幅変調されている
。これは変調磁束■と■Iが車乗して5QUID (1
)に印加されており、振幅 1/2φOfp−pl 1
周波数f + (□100KH,zlの変調磁束■の動
作の中心が、振幅φ。+p−pl +周波数f2(・1
Hz)で第6図fbl に示した5QUIDは)の人出
特性上を移動するからである。バイアス電流■ゎが増加
すると第6図(b)に示したように5QUID (11
の出力電圧が増加し、磁束から電圧への変換係数が増加
するため、前置増幅器(7)の出力電圧の振幅も徐々に
増加する。f、) f2であるため、上記のような前置
増幅器(7)の出力電圧の周波数f1の成分のみを整流
器 (19)において選択的に整流する。次に整流器(
19)の出力電圧の最大値をピーク値ホールド回路(2
0)で保持するとその出カバは第3図(d)のように時
間と共に階段状に増加する。上記のようなピーク値ホー
ルド回路(20)の出カバを比較器(21)において目
標値vcと比較し、VCに達した時刻t3に比較器(2
1)がコントローラ(18)に出力信号を送る。コント
ローラ(18)は比較器(21)からの信号を受けてス
イッチ (23)を開、スイッチ (26)を閉、スイ
ッチ (30)を開、スイッチ(31)を開として点J
の電位の上昇を止める。次に5点の電位をA/D変換器
(27)が計測し、メモリ (28)にディジタルデー
タとして記憶する。なお、目標値vcの値は5QUID
(1) 、前置増幅器(7)、駆動回路(8)で構成
する帰還ループを安定に動作させるために必要な値にあ
らかじめ設定しておく。次に時刻t4においてスイッチ
(23)を開、スイッチ (26)を開、スイッチ
(30)を閉、スイッチ(31)を開とし、メモリ (
28) iこディジタルデータとして言己憶した5点の
電位をD/A変換器(29)がアナログ値に変換する。
ク値ホールド回路 (20)をリセットして出力をOV
にする。時刻t1以後コンデンサ (25)には徐々に
電荷が蓄積され、第2図中J点の電位は上昇する。V−
I変換器(32)は5点の電位をバイアス電流■ゎに変
換して5QUID (11へ供給する。時刻t1以後バ
イアス電流■ゎは徐々に増加するが、 Ibの大きさが
第6図(a)に示したIn2の大きさを越えると前置増
幅器(7)の出力には変調磁束■に起因する周波数f、
の電圧が出力される。この時刻をt2とする。この電圧
は変調磁束IIにより周波数f2で振幅変調されている
。これは変調磁束■と■Iが車乗して5QUID (1
)に印加されており、振幅 1/2φOfp−pl 1
周波数f + (□100KH,zlの変調磁束■の動
作の中心が、振幅φ。+p−pl +周波数f2(・1
Hz)で第6図fbl に示した5QUIDは)の人出
特性上を移動するからである。バイアス電流■ゎが増加
すると第6図(b)に示したように5QUID (11
の出力電圧が増加し、磁束から電圧への変換係数が増加
するため、前置増幅器(7)の出力電圧の振幅も徐々に
増加する。f、) f2であるため、上記のような前置
増幅器(7)の出力電圧の周波数f1の成分のみを整流
器 (19)において選択的に整流する。次に整流器(
19)の出力電圧の最大値をピーク値ホールド回路(2
0)で保持するとその出カバは第3図(d)のように時
間と共に階段状に増加する。上記のようなピーク値ホー
ルド回路(20)の出カバを比較器(21)において目
標値vcと比較し、VCに達した時刻t3に比較器(2
1)がコントローラ(18)に出力信号を送る。コント
ローラ(18)は比較器(21)からの信号を受けてス
イッチ (23)を開、スイッチ (26)を閉、スイ
ッチ (30)を開、スイッチ(31)を開として点J
の電位の上昇を止める。次に5点の電位をA/D変換器
(27)が計測し、メモリ (28)にディジタルデー
タとして記憶する。なお、目標値vcの値は5QUID
(1) 、前置増幅器(7)、駆動回路(8)で構成
する帰還ループを安定に動作させるために必要な値にあ
らかじめ設定しておく。次に時刻t4においてスイッチ
(23)を開、スイッチ (26)を開、スイッチ
(30)を閉、スイッチ(31)を開とし、メモリ (
28) iこディジタルデータとして言己憶した5点の
電位をD/A変換器(29)がアナログ値に変換する。
V−I変換器(32)が上記アナログ値に比例したバイ
アス電流Iゎを5QUID (1)は供給する。
アス電流Iゎを5QUID (1)は供給する。
上記のようにしてバイアス電流値を設定した後に変調磁
束IIの振幅を零にし、続いて積分器スイッチ (15
)を開いて磁束の固定を行ない、△φの測定を行なう。
束IIの振幅を零にし、続いて積分器スイッチ (15
)を開いて磁束の固定を行ない、△φの測定を行なう。
以後の動作は従来の超伝導磁力計と同じである。
し発明の効果]
以上のように、この発明によれば、 5QUIDに供給
するバイアス電流の設定を自動化したので、バイアス電
流設定の手間が省け、省力化出来る効果がある。
するバイアス電流の設定を自動化したので、バイアス電
流設定の手間が省け、省力化出来る効果がある。
第1図はこの発明の一実施例である超伝導磁力計の構成
を示すブロック図、第2図はこの発明の超伝導磁力計の
バイアス電流源の一実施例を示すブロック図、第3図は
この発明による超伝導磁力計のバイアス電流値自動設定
の過程における各部の出力電圧を示す図、第4図はこの
発明による超伝導磁力計のバイアス電流値自動設定の過
程における各スイッチの開閉状態を示す図、第5図は従
来の超伝導磁力計の一実施例の構成を示すブロック図、
第6図は5QUIDの素子特性図である。 図において(1)は5QLIID 、 (7)は前置増
幅器。 (8)は駆動回路、 (17)はバイアス電流源、
(181はコントローラ、 (19)は整流器、
(201はビク値ホールド回路、 (21)は比較器
である。 図中、同一符号は同一、又は、相当部分を示す。
を示すブロック図、第2図はこの発明の超伝導磁力計の
バイアス電流源の一実施例を示すブロック図、第3図は
この発明による超伝導磁力計のバイアス電流値自動設定
の過程における各部の出力電圧を示す図、第4図はこの
発明による超伝導磁力計のバイアス電流値自動設定の過
程における各スイッチの開閉状態を示す図、第5図は従
来の超伝導磁力計の一実施例の構成を示すブロック図、
第6図は5QUIDの素子特性図である。 図において(1)は5QLIID 、 (7)は前置増
幅器。 (8)は駆動回路、 (17)はバイアス電流源、
(181はコントローラ、 (19)は整流器、
(201はビク値ホールド回路、 (21)は比較器
である。 図中、同一符号は同一、又は、相当部分を示す。
Claims (1)
- 超伝導量子干渉素子と、上記超伝導量子干渉素子の出
力を増幅する前置増幅器と、上記伝導量子干渉素子にバ
イアス電流を供給するバイアス電流源と、上記バイアス
電流源をコントロールするコントローラと、上記超伝導
量子干渉素子を駆動し所望の出力を得る駆動回路と、上
記前置増幅器の出力を整流する整流器と、上記整流器の
出力の最大値を保持するピーク値ホールド回路と、上記
ピーク値ホールド回路の出力が目標値に達したことを判
別し、その判別結果を上記コントローラへ伝達する比較
器とを備えたことを特徴とする超伝導磁力計。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2217506A JPH0499980A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 超伝導磁力計 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2217506A JPH0499980A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 超伝導磁力計 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0499980A true JPH0499980A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16705304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2217506A Pending JPH0499980A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 超伝導磁力計 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0499980A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1043597A2 (en) * | 1999-04-09 | 2000-10-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Device and method for adjusting the working point of a squid |
CN104422903A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于采用超导量子干涉器件的传感器的调试系统及方法 |
WO2017128706A1 (zh) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种直读式磁通调制读出电路及方法 |
-
1990
- 1990-08-18 JP JP2217506A patent/JPH0499980A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1243936A3 (en) * | 1999-04-09 | 2002-11-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Squid Magnetometer |
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CN104422903A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于采用超导量子干涉器件的传感器的调试系统及方法 |
WO2017128706A1 (zh) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种直读式磁通调制读出电路及方法 |
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