JPH0499889A - めっき被膜の製造方法 - Google Patents
めっき被膜の製造方法Info
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- JPH0499889A JPH0499889A JP21572990A JP21572990A JPH0499889A JP H0499889 A JPH0499889 A JP H0499889A JP 21572990 A JP21572990 A JP 21572990A JP 21572990 A JP21572990 A JP 21572990A JP H0499889 A JPH0499889 A JP H0499889A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、装飾的あるいは工業的用途のための両性金属
薄板上への電気銅めっき、特に印刷回路基板を形成する
銅の導電体層を、両性金属薄板上に、硫酸銅めっき液を
用いて電析する方法に関するものである。
薄板上への電気銅めっき、特に印刷回路基板を形成する
銅の導電体層を、両性金属薄板上に、硫酸銅めっき液を
用いて電析する方法に関するものである。
従来アルミニウム・亜鉛・スズといった両性金属薄板上
へ銅めっきを行なう場合には、硫酸銅めっき浴では急激
な浸食を受は密着性が得られないため、ピロリン酸銅め
っき液またはシアン化銅めっき液を用いて銅を電析して
いた。また、特願昭５６−９１４７９に示されているよ
うに、初めに電流密度０．０５〜２八ｄｍ−２で膜厚０
．３〜１０μｍまで電解めっきした後、所定の膜厚まで
３〜２０Ａｄｍ−２の電流密度で電解めっきをすること
により、めっき層と金属薄板との密着性を向上させる方
法も知られている。
へ銅めっきを行なう場合には、硫酸銅めっき浴では急激
な浸食を受は密着性が得られないため、ピロリン酸銅め
っき液またはシアン化銅めっき液を用いて銅を電析して
いた。また、特願昭５６−９１４７９に示されているよ
うに、初めに電流密度０．０５〜２八ｄｍ−２で膜厚０
．３〜１０μｍまで電解めっきした後、所定の膜厚まで
３〜２０Ａｄｍ−２の電流密度で電解めっきをすること
により、めっき層と金属薄板との密着性を向上させる方
法も知られている。
しかし、上述したシアン化銅めっき液はシアン化合物を
含むため、廃液処理が面倒で近年さけられる傾向にある
。
含むため、廃液処理が面倒で近年さけられる傾向にある
。
また、ピロリン酸銅めっき液のみから銅を電析する場合
は、陰極電流密度が低い範囲でしか光沢めっきができな
いため、めっき時間が長くなるといった問題点があった
。
は、陰極電流密度が低い範囲でしか光沢めっきができな
いため、めっき時間が長くなるといった問題点があった
。
本発明の目的は上述した問題点を解決し、両性金属薄板
上への硫酸銅めっき被膜の製造方法を提供することにあ
る。
上への硫酸銅めっき被膜の製造方法を提供することにあ
る。
このような目的を達成するために、本発明は、両性金属
薄板を陰極として、（光沢剤を含まない）ピロリン酸銅
めっき液を用いて、銅めっき厚が０．３〜１０μｍとな
るように銅めっき薄膜を形成する工程と、同様に両性金
属薄板を陰極として、硫酸銅めっき液を用いて、銅めっ
き被膜を厚付けする工程とを含むことを特徴とする。
薄板を陰極として、（光沢剤を含まない）ピロリン酸銅
めっき液を用いて、銅めっき厚が０．３〜１０μｍとな
るように銅めっき薄膜を形成する工程と、同様に両性金
属薄板を陰極として、硫酸銅めっき液を用いて、銅めっ
き被膜を厚付けする工程とを含むことを特徴とする。
始めに、両性金属薄板上にビロリン酸銅めっき液により
銅めっき薄膜を形成する工程につき説明する。
銅めっき薄膜を形成する工程につき説明する。
両性金属薄板は、アルミニウム・亜鉛・スズといった金
属が挙げられる。中でも、軽量で加工性にすぐれ、コス
トが安いアルミニウムが特に好ましい。
属が挙げられる。中でも、軽量で加工性にすぐれ、コス
トが安いアルミニウムが特に好ましい。
両性金属薄板の厚さは、１〜５００μｍ特に５〜２００
μｍ更には１０〜１００μｍが好ましい範囲である。１
μｍ以下の膜厚では、取り扱い難く、かつめっき膜厚に
分布が生じ易い。また５００μｍ以上の膜厚では、基板
重量が重いため取り扱い難（、更に、後にエツチング除
去する場合においては、除去時間がかかり生産性が低下
する。
μｍ更には１０〜１００μｍが好ましい範囲である。１
μｍ以下の膜厚では、取り扱い難く、かつめっき膜厚に
分布が生じ易い。また５００μｍ以上の膜厚では、基板
重量が重いため取り扱い難（、更に、後にエツチング除
去する場合においては、除去時間がかかり生産性が低下
する。
ピロリン酸銅めっきは一般に下記の条件に従うＰＺＯ７
’−１５０〜１５０ｇ／／２ Ｃｕ” ２０〜４００ｇ／ ｉ！。
’−１５０〜１５０ｇ／／２ Ｃｕ” ２０〜４００ｇ／ ｉ！。
ＮＨ，Ｏ〜５ｇ／！
ｐＨ８，０〜１０．０
ｐ比 ６．５〜１０．０温度
３５〜６０°Ｃ 陰極電流密度 ０．５〜８Ａｄｍ−２直接、銅めっ
き薄膜を形成することによっても充分な密着力は得られ
るが、特にアルミニウム薄板を用いる場合には、ビロリ
ン酸銅めっき薄膜との間に亜鉛の置換皮膜を形成するジ
ンケート処理を施すことにより、さらに強固な密着力を
得ることができる。
３５〜６０°Ｃ 陰極電流密度 ０．５〜８Ａｄｍ−２直接、銅めっ
き薄膜を形成することによっても充分な密着力は得られ
るが、特にアルミニウム薄板を用いる場合には、ビロリ
ン酸銅めっき薄膜との間に亜鉛の置換皮膜を形成するジ
ンケート処理を施すことにより、さらに強固な密着力を
得ることができる。
銅めっき薄膜の厚さは、下地金属を全面にかつ均一に覆
うという意味で０．３μｍ以上、また厚く覆い過ぎると
総めっき時間が長くなるという意味で１０μｍ以下が好
ましく、さらには１〜５μｍが好ましい。
うという意味で０．３μｍ以上、また厚く覆い過ぎると
総めっき時間が長くなるという意味で１０μｍ以下が好
ましく、さらには１〜５μｍが好ましい。
上述したような亜鉛層及び両性金属薄板表面は、ピロリ
ン酸銅めっき液中で、金属表面に置換反応により銅が析
出する場合がある。この際の置換銅被膜は、下地金属に
対しての密着力が弱いため、めっき液中に両性金属薄板
を投入する際に、ジンケート処理の有無にかかわらず、
電圧を印加しながら投入することにより、置換銅被膜の
形成を抑止して、電析による銅被膜を形成することが、
様に密着力を強くするためには更に好ましい。
ン酸銅めっき液中で、金属表面に置換反応により銅が析
出する場合がある。この際の置換銅被膜は、下地金属に
対しての密着力が弱いため、めっき液中に両性金属薄板
を投入する際に、ジンケート処理の有無にかかわらず、
電圧を印加しながら投入することにより、置換銅被膜の
形成を抑止して、電析による銅被膜を形成することが、
様に密着力を強くするためには更に好ましい。
さらに、ピロリン酸銅めっき液は、光沢剤を添加するこ
とにより電着応力を増し、下地金属との界面ではがれや
すくなるため、光沢剤は添加しないことが好ましい。
とにより電着応力を増し、下地金属との界面ではがれや
すくなるため、光沢剤は添加しないことが好ましい。
またアンモニアを添加することによっても、光沢剤と同
様に電着応力が増し、下地金属との界面ではがれやすく
なるため、添加しないことが好ましい。
様に電着応力が増し、下地金属との界面ではがれやすく
なるため、添加しないことが好ましい。
厚付は用の硫酸銅めっきは、高速浴・低速浴、あるいは
プリント基板用・装飾用光沢剤と用途・特性を問わす全
ての硫酸銅めっき浴が使用可能であり、 Ｃｕ５Ｏａ・５１１ｚＯ３０〜１５０ｇ／ ｌＨ２ＳＯ
４１５０〜２５０ｇ／ ｆｆ１１−
３０〜８０ｐｐｍ浴温 ２０〜４０
°Ｃ 陰極電流密度 １〜１５Ａｄｍ−”光沢剤
適量 の範囲においてめっきが可能である。
プリント基板用・装飾用光沢剤と用途・特性を問わす全
ての硫酸銅めっき浴が使用可能であり、 Ｃｕ５Ｏａ・５１１ｚＯ３０〜１５０ｇ／ ｌＨ２ＳＯ
４１５０〜２５０ｇ／ ｆｆ１１−
３０〜８０ｐｐｍ浴温 ２０〜４０
°Ｃ 陰極電流密度 １〜１５Ａｄｍ−”光沢剤
適量 の範囲においてめっきが可能である。
さらには、ピロリン酸銅めっきよりも高速でめっきを行
なうという意味で、 ＣｕＳＯ４，５Ｈ２０１００〜１５０ｇ／ ｆＨ２Ｓ０
． １８０〜２５０ｇ／Ｉ！。
なうという意味で、 ＣｕＳＯ４，５Ｈ２０１００〜１５０ｇ／ ｆＨ２Ｓ０
． １８０〜２５０ｇ／Ｉ！。
Ｃｌ −５０〜８０ｐｐｍ
浴温 ３０〜４０°Ｃ
陰極電流密度 ５〜１５＾ｄｍ−ｚ光沢剤
適量 の範囲でめっきを行なうことが、より好ましい。
適量 の範囲でめっきを行なうことが、より好ましい。
ここで、光沢剤適量とは、各光沢剤の適正添加量に従う
ことを意味する。
ことを意味する。
以下に本発明の態様を一層明確化するために実＝６
施例を挙げて説明するが、本発明はこれらに限定される
ものではない。
ものではない。
実施例１
膜厚８０μｍのアルミニウム薄板表面をトリクロロエタ
ンにより脱脂を行ないＨＣｆｆｉ Ｏ，９％・Ｎａ１ｌ
Ｆｚ０．４５％の塩弗酸浴中で、浴温３０°Ｃ処理時間
３０ｓｅｃで前処理を行なった。
ンにより脱脂を行ないＨＣｆｆｉ Ｏ，９％・Ｎａ１ｌ
Ｆｚ０．４５％の塩弗酸浴中で、浴温３０°Ｃ処理時間
３０ｓｅｃで前処理を行なった。
次いで、バーショウ村田社製ビロリン酸銅めっき液を用
いて、光沢剤・アンモニアともに添加しない状態で、ア
ルミニウム薄板を陰極として、陰極電流密度０．５Ａｄ
ｍ−２の条件で銅を１μｍ厚電銅電解きを行った。
いて、光沢剤・アンモニアともに添加しない状態で、ア
ルミニウム薄板を陰極として、陰極電流密度０．５Ａｄ
ｍ−２の条件で銅を１μｍ厚電銅電解きを行った。
その後、ＣｌｌＳＯ４・５１１□０１１０ｇ／ Ｑ Ｘ
Ｈ２ＳＯ４１８０ｇ／ Ｅ、１−５０ｐｐｍの硫酸銅め
っき液中に、光沢剤Ｈ−３００ＳＷ （奥野製薬社製）
２．５ｄ／ｆ！を添加した状態で、アルミニウム薄板を
陰極として、陰極電流密度６．４Ａｄｍ−２の条件で銅
を６０７！ｍ厚電解めっきを行なった。
Ｈ２ＳＯ４１８０ｇ／ Ｅ、１−５０ｐｐｍの硫酸銅め
っき液中に、光沢剤Ｈ−３００ＳＷ （奥野製薬社製）
２．５ｄ／ｆ！を添加した状態で、アルミニウム薄板を
陰極として、陰極電流密度６．４Ａｄｍ−２の条件で銅
を６０７！ｍ厚電解めっきを行なった。
上記資料のアルミニウムー銅界面をＪＩＳ Ｃ５０１２
Ｂ、１．１に従って剥離すると、３０〜３５ ｇ ｃｍ
−’の剥離強度が得られた。
Ｂ、１．１に従って剥離すると、３０〜３５ ｇ ｃｍ
−’の剥離強度が得られた。
比較例１
膜厚８０μｍのアルミニウム薄板表面を、トリクロロエ
タンにより脱脂を行ない、ｌＩＣｆｆ Ｏ，９χ・Ｎａ
ＨＦｚＯ３４５％の塩弗酸浴中で、浴温３０°Ｃ処理時
間３０ｓｅｃで前処理を行なった。
タンにより脱脂を行ない、ｌＩＣｆｆ Ｏ，９χ・Ｎａ
ＨＦｚＯ３４５％の塩弗酸浴中で、浴温３０°Ｃ処理時
間３０ｓｅｃで前処理を行なった。
次いで、バーショウ村田社製ピロリン酸銅めっき液を用
いて、光沢剤ＣＰ−２（バーショウ村田社製）１ ｃｃ
／ ４２、アンモニア３ ｃｃ ／ ４２を添加した
状態で、アルミニウム薄板を陰極として、陰極電流密度
０．５Ａｄｍ−”の条件で銅を１μｍ厚電銅電解きを行
なった。
いて、光沢剤ＣＰ−２（バーショウ村田社製）１ ｃｃ
／ ４２、アンモニア３ ｃｃ ／ ４２を添加した
状態で、アルミニウム薄板を陰極として、陰極電流密度
０．５Ａｄｍ−”の条件で銅を１μｍ厚電銅電解きを行
なった。
その後、ＣｕＳＯ４−５Ｈ２０１１０ｇ／ ｆｆｉ 、
Ｈ２ＳＯ４１８０ｇ＃２、Ｃ１−５０ｐｐｍの硫酸銅
めっき液中に、光沢剤１（−３００３Ｗ （奥野製薬社
製）２．５ｍｊ！／ｊ２を添加した状態で、アルミニウ
ム薄板を陰極として、陰極電流密度６．４Ａｄｍ−２の
条件で銅を６０μｍ厚電解めっきを行なった。この時、
銅めっき被膜の一部はアルミニウム薄板から剥離してい
た。
Ｈ２ＳＯ４１８０ｇ＃２、Ｃ１−５０ｐｐｍの硫酸銅
めっき液中に、光沢剤１（−３００３Ｗ （奥野製薬社
製）２．５ｍｊ！／ｊ２を添加した状態で、アルミニウ
ム薄板を陰極として、陰極電流密度６．４Ａｄｍ−２の
条件で銅を６０μｍ厚電解めっきを行なった。この時、
銅めっき被膜の一部はアルミニウム薄板から剥離してい
た。
上記資料のアルミニウムー銅界面をＪＩＳ Ｃ５０１２
８，１，１に従って剥離すると、５〜１０ ｇ ｃｍ−
’の剥離強度が得られた。
８，１，１に従って剥離すると、５〜１０ ｇ ｃｍ−
’の剥離強度が得られた。
実施例２
膜厚８０μｍのアルミニウム薄板表面を、トリクロロエ
タンにより脱脂を行ない、ＨＣＪ２０．９％・ＮａＨＦ
ｚ Ｏ，４５％の塩弗酸浴中で、浴温３０’Ｃ処理時間
３０ｓｅｃで前処理を行なった。
タンにより脱脂を行ない、ＨＣＪ２０．９％・ＮａＨＦ
ｚ Ｏ，４５％の塩弗酸浴中で、浴温３０’Ｃ処理時間
３０ｓｅｃで前処理を行なった。
次いで、バーショウ村田社製ビロリン酸銅めっき液を用
いて、光沢剤は添加せず、アンモニアを３ ｃｃ ／
Ｒ添加した状態で、アルミニウム薄板を陰極として、陰
極電流密度０．５Ａｄｎ＋−”の条件で、銅を１μｍ厚
電銅電解きを行なった。
いて、光沢剤は添加せず、アンモニアを３ ｃｃ ／
Ｒ添加した状態で、アルミニウム薄板を陰極として、陰
極電流密度０．５Ａｄｎ＋−”の条件で、銅を１μｍ厚
電銅電解きを行なった。
その後、ＣｌｌＳＯ４・５Ｈｚ０１１０ｇ／ ｅ、Ｈ２
ＳＯ４１８０ｇ／ｌ、ｃｐ−５０ｐｐｍの硫酸銅めっき
液中に、光沢剤Ｈ−３００ＳＷ （奥野製薬社製）２．
５ｍｊ！／Ｉ！、を添加した状態で、アルミニウム薄板
を陰極として、陰極電流密度６．４１Ｍｍ−”の条件で
銅を６０μｍ厚電解めっきを行なった。
ＳＯ４１８０ｇ／ｌ、ｃｐ−５０ｐｐｍの硫酸銅めっき
液中に、光沢剤Ｈ−３００ＳＷ （奥野製薬社製）２．
５ｍｊ！／Ｉ！、を添加した状態で、アルミニウム薄板
を陰極として、陰極電流密度６．４１Ｍｍ−”の条件で
銅を６０μｍ厚電解めっきを行なった。
上記資料のアルミニウムー銅界面をＪＩＳ Ｃ５０１２
８，１，１に従って剥離すると、２５〜３０ ｇ ｃｍ
−’の剥離強度が得られた。
８，１，１に従って剥離すると、２５〜３０ ｇ ｃｍ
−’の剥離強度が得られた。
実施例３
膜厚８０μｍのアルミニウム薄板表面を、トリクロロエ
タンにより脱脂を行ない、サブスターＺｎ−２プロセス
（奥野製薬社製）に従って、ジンケート処理を行った。
タンにより脱脂を行ない、サブスターＺｎ−２プロセス
（奥野製薬社製）に従って、ジンケート処理を行った。
次いで、バーショウ村田社製ピロリン酸銅めっき液を用
いて、光沢剤・アンモニアともに添加しない状態で、ア
ルミニウム薄板を陰極として０．５ｖの電圧を印加しな
がらめっき液中に投入して、陰極電流密度０．５Ａｄｍ
−２の条件で銅を１μｍ厚電銅電解きを行った。
いて、光沢剤・アンモニアともに添加しない状態で、ア
ルミニウム薄板を陰極として０．５ｖの電圧を印加しな
がらめっき液中に投入して、陰極電流密度０．５Ａｄｍ
−２の条件で銅を１μｍ厚電銅電解きを行った。
その後、ＣｕＳＯ４・５Ｈｚ０１１０ｇ／ Ｑ 、、Ｈ
ｚＳＯａ １８０ｇ／ ｊ２ 。
ｚＳＯａ １８０ｇ／ ｊ２ 。
ｉ−５０ｐｐｍの硫酸銅めっき液中に、光沢剤Ｈ−３０
０ＳＷ （奥野製薬社製）２．５ｍＲ／ｊ２を添加した
状態で、アルミニウム薄板を陰極として、陰極電流密度
６．４Ａｄｍ−２の条件で銅を６０μｍ厚電解めっきを
行なった。
０ＳＷ （奥野製薬社製）２．５ｍＲ／ｊ２を添加した
状態で、アルミニウム薄板を陰極として、陰極電流密度
６．４Ａｄｍ−２の条件で銅を６０μｍ厚電解めっきを
行なった。
上記資料のアルミニウムー銅界面をＪＩＳ Ｃ５０１２
８，１，１に従って剥離すると、８０〜１００ｇｃｍ−
’の剥離強度が得られた。
８，１，１に従って剥離すると、８０〜１００ｇｃｍ−
’の剥離強度が得られた。
本発明によれば、両性金属薄板上に、（光沢剤を添加し
ない）ピロリン酸銅めっき液を用いて、銅めっき厚が０
．５〜１０μｍとなるように銅めっき薄膜を形成した後
に、硫酸銅めっき液を用いて銅めっき被膜を厚付けする
ことにより、両性金属薄板がめつき液中で溶解しないた
め、実施例に示したように充分な密着力を持つ銅めっき
被膜を、従来のピロリン酸銅めっき法に比べて著しくめ
っき時間を短縮して形成することが可能となった。
ない）ピロリン酸銅めっき液を用いて、銅めっき厚が０
．５〜１０μｍとなるように銅めっき薄膜を形成した後
に、硫酸銅めっき液を用いて銅めっき被膜を厚付けする
ことにより、両性金属薄板がめつき液中で溶解しないた
め、実施例に示したように充分な密着力を持つ銅めっき
被膜を、従来のピロリン酸銅めっき法に比べて著しくめ
っき時間を短縮して形成することが可能となった。
本発明の方法によれば、平面コイル等の印刷回路を極め
て効率よく製造することができる。
て効率よく製造することができる。
特許出願人 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- 両性金属薄板を陰極として、ピロリン酸銅めっき液を
用いて、銅めっき厚が０．３〜１０μｍとなるように銅
めっき薄膜を形成する工程と、同様に両性金属薄板を陰
極として、硫酸銅めっき液を用いて、銅めっき被膜を厚
付けする工程とを含むめっき被膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21572990A JPH0499889A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | めっき被膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21572990A JPH0499889A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | めっき被膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499889A true JPH0499889A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16677224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21572990A Pending JPH0499889A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | めっき被膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499889A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120217166A1 (en) * | 2009-09-11 | 2012-08-30 | Umicore Galvanotechnik Gmbh | Process for the electrolytic copper plating of zinc diecasting having a reduced tendency to blister formation |
| CN111926355A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-11-13 | 江门市众阳电路科技有限公司 | 一种均匀电镀厚铜的pcb电镀方法 |
| CN114411214A (zh) * | 2022-01-27 | 2022-04-29 | 四会富仕电子科技股份有限公司 | 一种铜基板电镀铜的方法 |
-
1990
- 1990-08-17 JP JP21572990A patent/JPH0499889A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120217166A1 (en) * | 2009-09-11 | 2012-08-30 | Umicore Galvanotechnik Gmbh | Process for the electrolytic copper plating of zinc diecasting having a reduced tendency to blister formation |
| CN111926355A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-11-13 | 江门市众阳电路科技有限公司 | 一种均匀电镀厚铜的pcb电镀方法 |
| CN114411214A (zh) * | 2022-01-27 | 2022-04-29 | 四会富仕电子科技股份有限公司 | 一种铜基板电镀铜的方法 |
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