JPH049736A - 合金薄膜のサンプリング方法 - Google Patents
合金薄膜のサンプリング方法Info
- Publication number
- JPH049736A JPH049736A JP11194790A JP11194790A JPH049736A JP H049736 A JPH049736 A JP H049736A JP 11194790 A JP11194790 A JP 11194790A JP 11194790 A JP11194790 A JP 11194790A JP H049736 A JPH049736 A JP H049736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- alumina plate
- sample pieces
- sample
- sampling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005070 sampling Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title abstract 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 25
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 abstract description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 abstract description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 abstract 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 3
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、合金薄膜のサンプリング方法に関するもので
ある。
ある。
(従来の技術)
近年、表面に合金薄膜を形成した機器(例えば、センサ
ー)等が多く用いられるようになってきており、これら
の機器を製作するに当たって、品質管理等の要求から前
記合金薄膜の化学成分量を分析することが行なわれてき
ている。従来から実施されている分析法としては、実物
(即ち、製品)表面に対してスパッタリング法あるいは
金属蒸着法により合金薄膜を形成し、これを用いてX線
マイクロアナライザ法あるいは発光分光分析法[「日本
分光学会 測定法ンリーズ5 液体試料の発光分光分析
・TCPを中心として」 株式会社 学会出版センター
発行参照]等により組成分析を行う方法等が知られてい
る。
ー)等が多く用いられるようになってきており、これら
の機器を製作するに当たって、品質管理等の要求から前
記合金薄膜の化学成分量を分析することが行なわれてき
ている。従来から実施されている分析法としては、実物
(即ち、製品)表面に対してスパッタリング法あるいは
金属蒸着法により合金薄膜を形成し、これを用いてX線
マイクロアナライザ法あるいは発光分光分析法[「日本
分光学会 測定法ンリーズ5 液体試料の発光分光分析
・TCPを中心として」 株式会社 学会出版センター
発行参照]等により組成分析を行う方法等が知られてい
る。
(発明が解決しようとする課題)
上記従来法のうちX線マイクロアナライザ法による場合
、半定量法なので信頼度の高い精度を得にくいという問
題があり、発光分光分析法の場合、実物表面に形成され
た合金薄膜を所定量削りとってこれを分析にかける方法
なので、正確なサンプリングが難しいところから、最終
的な分析精度が悪くなるという問題がある。
、半定量法なので信頼度の高い精度を得にくいという問
題があり、発光分光分析法の場合、実物表面に形成され
た合金薄膜を所定量削りとってこれを分析にかける方法
なので、正確なサンプリングが難しいところから、最終
的な分析精度が悪くなるという問題がある。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、合金薄膜
の正確なサンプリングを容易に行い得るようにすること
を目的とするものである。
の正確なサンプリングを容易に行い得るようにすること
を目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明では、上記課題を解決するための手段として、合
金薄膜の化学成分量を定量分析するためのサンプリング
方法において、所定面積に区画すべく多数の切溝を裏面
に形成してなる薄板状のアルミナ板を用意し、該アルミ
ナ板の表面に合金薄膜を蒸着し、その後、前記アルミナ
板を前記切溝に沿って切り放すことにより多数の試料片
となし、該試料片の合金薄膜を鉱酸を用いて溶解して発
光分光分析するようにしている。
金薄膜の化学成分量を定量分析するためのサンプリング
方法において、所定面積に区画すべく多数の切溝を裏面
に形成してなる薄板状のアルミナ板を用意し、該アルミ
ナ板の表面に合金薄膜を蒸着し、その後、前記アルミナ
板を前記切溝に沿って切り放すことにより多数の試料片
となし、該試料片の合金薄膜を鉱酸を用いて溶解して発
光分光分析するようにしている。
(作 用)
本発明では、上記手段によって次のような作用が得られ
る。
る。
即ち、所定面積に区画すへく多数の切溝を裏面に形成し
てなる薄板状のアルミナ板表面に合金薄膜を蒸着したも
のを前記切溝に沿って切り放すことにより多数の試料片
となし、該試料片の合金薄膜を鉱酸を用いて溶解し、そ
の後、発光分光分析するようにし1ニことにより、分析
用に供されるへき正確な量の合金薄膜サンプリングか容
易に得られる。
てなる薄板状のアルミナ板表面に合金薄膜を蒸着したも
のを前記切溝に沿って切り放すことにより多数の試料片
となし、該試料片の合金薄膜を鉱酸を用いて溶解し、そ
の後、発光分光分析するようにし1ニことにより、分析
用に供されるへき正確な量の合金薄膜サンプリングか容
易に得られる。
(発明の効果)
本発明によれば、合金薄膜の化学成分量を定量分析する
ためのサンプリング方法において、所定面積に区画すべ
く多数の切溝を裏面に形成してなる薄板状のアルミナ板
を用意し、該アルミナ板の表面に合金薄膜を蒸着し、そ
の後、前記アルミナ板を前記切溝に沿って切り放すこと
により多数の試料片となし、該試料片の合金薄膜を鉱酸
を用いて溶解して発光分光分析するようにしたので、分
析用に供されるべき正確な量の合金薄膜サンプリングJ
)<容易に得られることとなり、分析精度向上に大いに
寄与するという優れた効果がある。
ためのサンプリング方法において、所定面積に区画すべ
く多数の切溝を裏面に形成してなる薄板状のアルミナ板
を用意し、該アルミナ板の表面に合金薄膜を蒸着し、そ
の後、前記アルミナ板を前記切溝に沿って切り放すこと
により多数の試料片となし、該試料片の合金薄膜を鉱酸
を用いて溶解して発光分光分析するようにしたので、分
析用に供されるべき正確な量の合金薄膜サンプリングJ
)<容易に得られることとなり、分析精度向上に大いに
寄与するという優れた効果がある。
また、合金薄膜を蒸着せしめる基板として化学的に安定
なアルミナ板を用いているため、試料片溶解時に合金薄
膜以外の成分か溶は出すおそれかなく、他成分の汚染に
よる測定誤差が生しるおそれがなくなるという効果もあ
る。
なアルミナ板を用いているため、試料片溶解時に合金薄
膜以外の成分か溶は出すおそれかなく、他成分の汚染に
よる測定誤差が生しるおそれがなくなるという効果もあ
る。
(実施例)
以下、添付の図面を参照して本発明の具体的実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
まず、薄板状(厚さ:0.5+n+n)のアルミナ板1
を用意し、その裏面に、第1図図示の如く、縦方向およ
び横方向に等間隔(例えば、縦方向間隔−25mm、横
方向間隔= 20mm)で多数の切溝2.2・・および
3.3・・を設けて、所定面積(本実施例の場合、50
0mm’)の試料片が得られる如く区画する。該切溝2
および3は、アルミナ板1の成形時に形成してもよく、
成形後に切削により形成してもよいが、極めて高い寸法
精度が要求される。なお、アルミナ板1の表面側は平滑
面とされている。
を用意し、その裏面に、第1図図示の如く、縦方向およ
び横方向に等間隔(例えば、縦方向間隔−25mm、横
方向間隔= 20mm)で多数の切溝2.2・・および
3.3・・を設けて、所定面積(本実施例の場合、50
0mm’)の試料片が得られる如く区画する。該切溝2
および3は、アルミナ板1の成形時に形成してもよく、
成形後に切削により形成してもよいが、極めて高い寸法
精度が要求される。なお、アルミナ板1の表面側は平滑
面とされている。
ついで、測定対象となる実物センサーへの合金蒸着時に
、前記アルミナ板lを同条件下において表面側に合金薄
膜4を形成する(第2図参照)。本実施例の場合、前記
合金薄膜4は、ニッケルN1、クロムCrおよびケイ素
S1からなっており、膜厚は】500人とされてLする
。
、前記アルミナ板lを同条件下において表面側に合金薄
膜4を形成する(第2図参照)。本実施例の場合、前記
合金薄膜4は、ニッケルN1、クロムCrおよびケイ素
S1からなっており、膜厚は】500人とされてLする
。
その後、前記アルミナ板1を切溝2,2・・および3,
3・・に沿って切り放して多数の試料片5.5・・とな
す(第3図参照)。
3・・に沿って切り放して多数の試料片5.5・・とな
す(第3図参照)。
しかる後、第4図図示の如く前記試料片5,5・・のう
ちの2個をビーカー6に入れ、J(、So。
ちの2個をビーカー6に入れ、J(、So。
+H3PO4+)120の鉱酸を用いてサンドバス7上
にて試料片5表面に形成されている合金薄膜4を加熱溶
解する。かくして得られた溶解液を100m1メスフラ
スコに移し入れてH2Oで1.0 Om lに希釈する
ことにより、発光分光分析用の試料液か作成される。
にて試料片5表面に形成されている合金薄膜4を加熱溶
解する。かくして得られた溶解液を100m1メスフラ
スコに移し入れてH2Oで1.0 Om lに希釈する
ことにより、発光分光分析用の試料液か作成される。
一方、定量分析を行うべき目的元素(本実施例の場合、
Ni、 Cr、 Si)の標準原液(市販品1000m
g/ml)を希釈して、下記表−1に示すような標準液
系列を調整する。 (以下余白)表−1 上記の如くして得られた標準液1〜4をICP発光分光
分析装置にて分析測定して、発光強度を求め、それらを
プロットして第5図および第6図に示すように各成分元
素(即ち、Ni、 Cr、 Si)に対応する検量線図
(即ち、濃度−発光強度線図)を作成する。
Ni、 Cr、 Si)の標準原液(市販品1000m
g/ml)を希釈して、下記表−1に示すような標準液
系列を調整する。 (以下余白)表−1 上記の如くして得られた標準液1〜4をICP発光分光
分析装置にて分析測定して、発光強度を求め、それらを
プロットして第5図および第6図に示すように各成分元
素(即ち、Ni、 Cr、 Si)に対応する検量線図
(即ち、濃度−発光強度線図)を作成する。
ついで、前記試料液をTCP発光分光分析装置にかけて
各成分元素(即ち、Ni、 Cr、 Si)についての
発光強度X1.X2.X3を測定し、それぞれを第5図
および第6図の検量線に照らして各成分元素の濃度(p
pm)Y I、Y I Y 3を求める。かくして求め
らイ]た濃度Y、、Y、、Y3を100m1中の含有量
に変換した後、試料片5.5の面積に対応させると、次
式により各含有量が演算される。
各成分元素(即ち、Ni、 Cr、 Si)についての
発光強度X1.X2.X3を測定し、それぞれを第5図
および第6図の検量線に照らして各成分元素の濃度(p
pm)Y I、Y I Y 3を求める。かくして求め
らイ]た濃度Y、、Y、、Y3を100m1中の含有量
に変換した後、試料片5.5の面積に対応させると、次
式により各含有量が演算される。
Y / 100 x 、(10000/1000) =
Y mg/ ]00cm’以上のべてきた如く、本実
施例によれば、所定面積に区画すべく多数の切溝2,2
・・および3゜3・・を裏面に形成してなる薄板状のア
ルミナ板1表面に合金薄膜4を蒸着したものを前記切溝
2゜2・・および3,3・・に沿って切り放すことによ
り多数の試料片5.5・・となし、該試料片55・・の
合金薄膜4を鉱酸を用いて溶解し、その後、発光分光分
析するようにしているため、分析用に供されるべき正確
な量の合金薄膜サンプリングが容易に得られることとな
っているのである。
Y mg/ ]00cm’以上のべてきた如く、本実
施例によれば、所定面積に区画すべく多数の切溝2,2
・・および3゜3・・を裏面に形成してなる薄板状のア
ルミナ板1表面に合金薄膜4を蒸着したものを前記切溝
2゜2・・および3,3・・に沿って切り放すことによ
り多数の試料片5.5・・となし、該試料片55・・の
合金薄膜4を鉱酸を用いて溶解し、その後、発光分光分
析するようにしているため、分析用に供されるべき正確
な量の合金薄膜サンプリングが容易に得られることとな
っているのである。
また、合金薄膜4を蒸着せしめる基板として化学的に安
定なアルミナ板1を用いているため、試料片5.5・・
溶解時に合金薄膜4以外の成分が溶す出すおそれかなく
、他成分の汚染による測定誤差が生じるおそれもない。
定なアルミナ板1を用いているため、試料片5.5・・
溶解時に合金薄膜4以外の成分が溶す出すおそれかなく
、他成分の汚染による測定誤差が生じるおそれもない。
なお、上記実施例では、アルミナ板に形成する切溝を縦
方向および横方向としているが、切溝の形成方向は、所
定の面積区画か得られるものであれば自由である。
方向および横方向としているが、切溝の形成方向は、所
定の面積区画か得られるものであれば自由である。
第1図ないし第4図は本発明方法の具体的実施例におけ
るサンプリング手順を示す説明図、第5図および第6図
は本発明の実施例において分析しようとする各元素(N
i、 CrおよびSi)の標準液における検量線図(即
ち、濃度−発光強度線図)である。 l・・・・アルミナ板 2.3 ・・切溝 4・・・・合金薄膜 5・・・・試料片
るサンプリング手順を示す説明図、第5図および第6図
は本発明の実施例において分析しようとする各元素(N
i、 CrおよびSi)の標準液における検量線図(即
ち、濃度−発光強度線図)である。 l・・・・アルミナ板 2.3 ・・切溝 4・・・・合金薄膜 5・・・・試料片
Claims (1)
- 1、合金薄膜の化学成分量を定量分析するためのサンプ
リング方法であって、所定面積に区画すべく多数の切溝
を裏面に形成してなる薄板状のアルミナ板を用意し、該
アルミナ板の表面に合金薄膜を蒸着し、その後、前記ア
ルミナ板を前記切溝に沿って切り放すことにより多数の
試料片となし、該試料片の合金薄膜を鉱酸を用いて溶解
して発光分光分析することを特徴とする合金薄膜のサン
プリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11194790A JPH049736A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 合金薄膜のサンプリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11194790A JPH049736A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 合金薄膜のサンプリング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH049736A true JPH049736A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14574137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11194790A Pending JPH049736A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 合金薄膜のサンプリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH049736A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5290646A (en) * | 1992-06-17 | 1994-03-01 | Sumito Wiring Systems, Ltd. | Battery terminal |
US5302142A (en) * | 1992-09-10 | 1994-04-12 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Battery terminal |
US5302143A (en) * | 1992-06-09 | 1994-04-12 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Battery • terminal |
US5445907A (en) * | 1993-03-09 | 1995-08-29 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Battery terminal |
US5454741A (en) * | 1993-01-07 | 1995-10-03 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Battery terminal |
US5486434A (en) * | 1993-05-25 | 1996-01-23 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Battery terminal |
JP2003057184A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-26 | Toyota Motor Corp | 六価クロムの定量方法 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11194790A patent/JPH049736A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5302143A (en) * | 1992-06-09 | 1994-04-12 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Battery • terminal |
US5290646A (en) * | 1992-06-17 | 1994-03-01 | Sumito Wiring Systems, Ltd. | Battery terminal |
US5302142A (en) * | 1992-09-10 | 1994-04-12 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Battery terminal |
US5454741A (en) * | 1993-01-07 | 1995-10-03 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Battery terminal |
US5445907A (en) * | 1993-03-09 | 1995-08-29 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Battery terminal |
US5486434A (en) * | 1993-05-25 | 1996-01-23 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Battery terminal |
JP2003057184A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-26 | Toyota Motor Corp | 六価クロムの定量方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH049736A (ja) | 合金薄膜のサンプリング方法 | |
Dorner et al. | Sims investigations on the diffusion of Cu in Ag single crystals | |
JP2013167635A (ja) | 金属材料の液体−粒子分析 | |
Lowe et al. | Elemental analysis of renal slices by proton-induced X-ray emission. | |
KR19980044273A (ko) | 합금화 용융아연 도금층의 철함량 측정방법 | |
JP2819716B2 (ja) | X線分光法による薄膜定量及び膜厚測定法 | |
US6586735B1 (en) | Method for detecting an element in a sample | |
Konz et al. | P, S and Cl trace detection by laser ablation double-focusing sector field ICP-MS to identify local defects in coated glasses | |
JP2707865B2 (ja) | 合金化亜鉛めっき層の合金化度測定方法 | |
Pan et al. | Measurement of foil thickness in transmission electron microscopy | |
CN109839398B (zh) | 一种用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法 | |
JP2803982B2 (ja) | グロー放電発光分光分析の定量方法 | |
JP2024013944A (ja) | 分析方法および分析システム | |
Grimaldi et al. | Quantitative determination of the various forms of aluminium in steels by X‐ray fluorescence spectrometry | |
KR101450373B1 (ko) | 분석 용구 및 그 제조 방법 | |
KR20010058130A (ko) | 아연-니켈 합금 전기도금용액 중의 아연, 니켈 및염소이온 분석방법 | |
Dargel et al. | Non-destructive analysis of silver selenide films obtained by Pulsed Laser Deposition (PLD) with Micro-XRF | |
JPH0772100A (ja) | 標準試料 | |
Crow | Diffusion phenomena and metal complex formation equilibria. Part 1.—Cd II–thiourea systems in aqueous and mixed-solvent media | |
JPH04131751A (ja) | 蛍光x線分析方法 | |
SU1723500A1 (ru) | Способ определени проницаемости полимерных покрытий | |
JPS6225241A (ja) | 表面処理皮膜の定量分析方法 | |
Treverton et al. | Determination of etching characteristics of a vacuum generators AG21 argon-ion gun by interference colour and ellipsometric assessment of craters etched in tantalum oxide films | |
JPH0968516A (ja) | グロー放電質量分析法 | |
JPH0618418A (ja) | 合金層の分析方法 |