JPH0772100A - 標準試料 - Google Patents
標準試料Info
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- JPH0772100A JPH0772100A JP5220840A JP22084093A JPH0772100A JP H0772100 A JPH0772100 A JP H0772100A JP 5220840 A JP5220840 A JP 5220840A JP 22084093 A JP22084093 A JP 22084093A JP H0772100 A JPH0772100 A JP H0772100A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】１度の測定で多数の物質層間の界面幅すなわち
分解能と深さとの関係を求めることができ、分析条件の
把握に要する時間を大幅に短縮化することを目的とす
る。 【構成】オージェ電子分光分析法や二次イオン質量分析
法やＸＰＳ、蛍光Ｘ線分析法などにおける界面分解能評
価や電子、Ｘ線の深さ方向侵入距離評価に必要な標準試
料において、３種以上の物質層を複数回積層させたこと
を特徴とする標準試料。
分解能と深さとの関係を求めることができ、分析条件の
把握に要する時間を大幅に短縮化することを目的とす
る。 【構成】オージェ電子分光分析法や二次イオン質量分析
法やＸＰＳ、蛍光Ｘ線分析法などにおける界面分解能評
価や電子、Ｘ線の深さ方向侵入距離評価に必要な標準試
料において、３種以上の物質層を複数回積層させたこと
を特徴とする標準試料。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、オージェ電子分光分
析法、二次イオン質量分析法、ＸＰＳ、蛍光Ｘ線分析法
などにおける界面分解能評価や電子、Ｘ線の深さ方向侵
入距離評価に必要な標準試料に関するものである。
析法、二次イオン質量分析法、ＸＰＳ、蛍光Ｘ線分析法
などにおける界面分解能評価や電子、Ｘ線の深さ方向侵
入距離評価に必要な標準試料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】オージェ電子分光（ＡＥＳ）分析法や二
次イオン質量分析法においては、試料をエッチングしな
がら表面から元素の信号を検出し、深さ方向の元素分布
を調べることがしばしば行われる。例えば図５の（ａ）
に示すように、元素Ａと元素Ｂを交互に積層した構造の
試料をオージェ電子分光法で分析する場合、実際の組成
は矩形分布をしていても、エッチングで生じる試料表面
の荒れ等の影響で分析データは、図５の（ｂ）に示すよ
うに、sin カーブのような曲線となる。この曲線が実際
の元素の分布である矩形波に近いほど分解能の精度がよ
いことになる。
次イオン質量分析法においては、試料をエッチングしな
がら表面から元素の信号を検出し、深さ方向の元素分布
を調べることがしばしば行われる。例えば図５の（ａ）
に示すように、元素Ａと元素Ｂを交互に積層した構造の
試料をオージェ電子分光法で分析する場合、実際の組成
は矩形分布をしていても、エッチングで生じる試料表面
の荒れ等の影響で分析データは、図５の（ｂ）に示すよ
うに、sin カーブのような曲線となる。この曲線が実際
の元素の分布である矩形波に近いほど分解能の精度がよ
いことになる。
【０００３】一般には図６に示すような元素濃度の分布
曲線において、濃度分布強度が１０％から９０％にな
る、あるいは９０％から１０％になるまでの距離を界面
幅と呼び、この幅が小さいほど分解能が良いことにな
る。このような分析においては、分解能の精度を上げる
ため、分析条件の最適化を行う必要がある。例えば試料
のエッチングを行うには、あらかじめイオン加速電圧、
イオン入射角度の最適化を行った上で、はじめて精度の
良い分析ができるのである。
曲線において、濃度分布強度が１０％から９０％にな
る、あるいは９０％から１０％になるまでの距離を界面
幅と呼び、この幅が小さいほど分解能が良いことにな
る。このような分析においては、分解能の精度を上げる
ため、分析条件の最適化を行う必要がある。例えば試料
のエッチングを行うには、あらかじめイオン加速電圧、
イオン入射角度の最適化を行った上で、はじめて精度の
良い分析ができるのである。
【０００４】従来は、このような最適化のためにＳｉ基
板表面を酸化させた試料やＮｉ膜とＣｒ膜を交互に複数
回積層させた試料などを標準試料として利用して、２種
の物質の界面幅の距離を測定、評価した後、分析条件と
深さ方向の分解能との関係を求めていた。
板表面を酸化させた試料やＮｉ膜とＣｒ膜を交互に複数
回積層させた試料などを標準試料として利用して、２種
の物質の界面幅の距離を測定、評価した後、分析条件と
深さ方向の分解能との関係を求めていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記オ
ージェ電子分光分析法や二次イオン質量分析法におい
て、ＳｉＯｘ／Ｓｉなどの２物質標準試料やＮｉ／Ｃｒ
の繰り返し層を使用する場合、分析条件と２種の物質の
間の界面幅の関係のみを求めることしかできなかった。
ージェ電子分光分析法や二次イオン質量分析法におい
て、ＳｉＯｘ／Ｓｉなどの２物質標準試料やＮｉ／Ｃｒ
の繰り返し層を使用する場合、分析条件と２種の物質の
間の界面幅の関係のみを求めることしかできなかった。
【０００６】また、前記オージェ電子分光分析法や二次
イオン質量分析法において、分析条件と深さ方向の分解
能を評価するのにＳｉ基板表面を酸化させた試料やＮｉ
膜とＣｒ膜を交互に複数回積層させた試料など２種物質
の層間の界面幅を利用する方法は、例えば試料の厚み分
だけスパッタイオンエッチングしても２種物質の界面幅
とスパッタイオンエッチング深さとの関係が求まるのみ
である。他の物質との界面幅を評価する場合には、新た
な試料を用意し、再度スパッタイオンエッチングを実施
しなくてはならない。そのため評価の所要時間は長くな
る。例えばエッチング速度が同程度で、厚みも同程度の
２つの試料についての深さ方向の分析を行う場合、１つ
の試料を分析する時間の約２倍の時間を要することにな
る。深さ方向の分析では、分析時間が数時間から数１０
時間にも及ぶことが多く、しかも、エッチングガス圧や
イオン加速電圧、イオン入射角度を種々変化させて測定
条件を最適化する必要があるため、測定時間が膨大にな
る問題があった。
イオン質量分析法において、分析条件と深さ方向の分解
能を評価するのにＳｉ基板表面を酸化させた試料やＮｉ
膜とＣｒ膜を交互に複数回積層させた試料など２種物質
の層間の界面幅を利用する方法は、例えば試料の厚み分
だけスパッタイオンエッチングしても２種物質の界面幅
とスパッタイオンエッチング深さとの関係が求まるのみ
である。他の物質との界面幅を評価する場合には、新た
な試料を用意し、再度スパッタイオンエッチングを実施
しなくてはならない。そのため評価の所要時間は長くな
る。例えばエッチング速度が同程度で、厚みも同程度の
２つの試料についての深さ方向の分析を行う場合、１つ
の試料を分析する時間の約２倍の時間を要することにな
る。深さ方向の分析では、分析時間が数時間から数１０
時間にも及ぶことが多く、しかも、エッチングガス圧や
イオン加速電圧、イオン入射角度を種々変化させて測定
条件を最適化する必要があるため、測定時間が膨大にな
る問題があった。
【０００７】この発明は、前述の問題点を解決するため
に提案されたもので、オージェ電子分光分析法や二次イ
オン質量分析法において、分析条件と深さ方向の分解能
との関係を一度の分析で３種以上の物質界面に対して求
めることができる標準試料を提供することにある。
に提案されたもので、オージェ電子分光分析法や二次イ
オン質量分析法において、分析条件と深さ方向の分解能
との関係を一度の分析で３種以上の物質界面に対して求
めることができる標準試料を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、この発明は、オージェ電子分光分析法、二次イオン
質量分析法、ＸＰＳ、蛍光Ｘ線分析法などにおける界面
分解能評価や電子、Ｘ線の深さ方向侵入距離評価に必要
な標準試料において、３種以上の物質層を複数回積層さ
せた標準試料としたものである。
め、この発明は、オージェ電子分光分析法、二次イオン
質量分析法、ＸＰＳ、蛍光Ｘ線分析法などにおける界面
分解能評価や電子、Ｘ線の深さ方向侵入距離評価に必要
な標準試料において、３種以上の物質層を複数回積層さ
せた標準試料としたものである。
【０００９】
【作用】この発明において、例えば３種の物質層を繰り
返し積層させた積層構造の標準試料では、１度の測定で
３種の物質層間の界面幅すなわち分解能と深さとの関係
を求めることができる。また、４種の物質層を繰り返し
積層させた積層構造の標準試料では、１度の測定で４種
の物質層間の界面幅すなわち分解能と深さとの関係が求
まる。このように、この発明の積層構造の膜を標準試料
としてオージェ電子分光分析法や二次イオン質量分析法
に適用すると１度の測定で多数の物質層間の界面幅すな
わち分解能と深さとの関係を求めることが可能になる。
すなわち、分析条件の把握に要する時間を大幅に短縮で
きる。また、標準試料としての３種以上の物質として
は、例えば基板がＳｉの場合には、基板のＳｉよりも拡
散定数の小さい物質が、好適に用いられる。
返し積層させた積層構造の標準試料では、１度の測定で
３種の物質層間の界面幅すなわち分解能と深さとの関係
を求めることができる。また、４種の物質層を繰り返し
積層させた積層構造の標準試料では、１度の測定で４種
の物質層間の界面幅すなわち分解能と深さとの関係が求
まる。このように、この発明の積層構造の膜を標準試料
としてオージェ電子分光分析法や二次イオン質量分析法
に適用すると１度の測定で多数の物質層間の界面幅すな
わち分解能と深さとの関係を求めることが可能になる。
すなわち、分析条件の把握に要する時間を大幅に短縮で
きる。また、標準試料としての３種以上の物質として
は、例えば基板がＳｉの場合には、基板のＳｉよりも拡
散定数の小さい物質が、好適に用いられる。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の代表的な実施例について説
明する。 実施例１ 図１に示すように、ＭｏとＴｉとＷの繰り返し積層膜を
スパッタ法で作製して標準試料とした。各層の厚みを２
０ｎｍとし、これらの層を３ペア積み重ねた。この標準
試料の深さ方向オージェ電子分光分析を行った。このオ
ージェ電子分光分析条件はスパッタイオンエッチングす
るイオンとしてＡｒを使用し、加速電圧を１ＫｅＶ、入
射角度は標準試料面から測定して２０度とした。界面幅
はピーク形状の１０％〜９０％の値の間の深さ方向の距
離とした。標準試料の表面から最初の界面であるＭｏ／
Ｔｉ界面では界面幅が４．１ｎｍであった。次の界面で
あるＴｉ／Ｗの界面幅は４．５ｎｍであった。その次の
界面であるＷ／Ｍｏの界面幅は３．４ｎｍであった。さ
らに次の界面である２番目のＭｏ／Ｔｉ界面では界面幅
が４．３ｎｍであった。その次の界面である２番目のＴ
ｉ／Ｗの界面幅は４．７ｎｍであった。さらにその次の
界面である２番目のＷ／Ｍｏの界面幅は３．６ｎｍであ
った。さらに次の界面である３番目のＭｏ／Ｔｉ界面で
は界面幅が４．６ｎｍであった。その次の界面である３
番目のＴｉ／Ｗの界面幅は５．０ｎｍであった。以上の
ように、Ｍｏ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ｗ、Ｗ／Ｍｏの３種の界面
幅と深さ方向の関係が１度の測定で分析することが可能
となった。
明する。 実施例１ 図１に示すように、ＭｏとＴｉとＷの繰り返し積層膜を
スパッタ法で作製して標準試料とした。各層の厚みを２
０ｎｍとし、これらの層を３ペア積み重ねた。この標準
試料の深さ方向オージェ電子分光分析を行った。このオ
ージェ電子分光分析条件はスパッタイオンエッチングす
るイオンとしてＡｒを使用し、加速電圧を１ＫｅＶ、入
射角度は標準試料面から測定して２０度とした。界面幅
はピーク形状の１０％〜９０％の値の間の深さ方向の距
離とした。標準試料の表面から最初の界面であるＭｏ／
Ｔｉ界面では界面幅が４．１ｎｍであった。次の界面で
あるＴｉ／Ｗの界面幅は４．５ｎｍであった。その次の
界面であるＷ／Ｍｏの界面幅は３．４ｎｍであった。さ
らに次の界面である２番目のＭｏ／Ｔｉ界面では界面幅
が４．３ｎｍであった。その次の界面である２番目のＴ
ｉ／Ｗの界面幅は４．７ｎｍであった。さらにその次の
界面である２番目のＷ／Ｍｏの界面幅は３．６ｎｍであ
った。さらに次の界面である３番目のＭｏ／Ｔｉ界面で
は界面幅が４．６ｎｍであった。その次の界面である３
番目のＴｉ／Ｗの界面幅は５．０ｎｍであった。以上の
ように、Ｍｏ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ｗ、Ｗ／Ｍｏの３種の界面
幅と深さ方向の関係が１度の測定で分析することが可能
となった。
【００１１】実施例２ 図２に示すように、ＰｔとＲｕとＴａとＨｆの繰り返し
積層膜をスパッタ法で作製し、標準試料とした。各層の
厚みを２０ｎｍとし、これらの層を２ペア積み重ねた。
基板はＳｉとした。この標準試料の深さ方向オージェ電
子分光分析を行った。このオージェ電子分光分析条件は
スパッタイオンエッチングするイオンとしてＡｒを使用
し、加速電圧を１ＫｅＶ、入射角度は標準試料面から測
定して２０度とした。界面幅はピーク形状の１０％〜９
０％の値の間の深さ方向の距離とした。標準試料の表面
から最初の界面であるＰｔ／Ｒｕ界面では界面幅が４．
４ｎｍであった。次の界面である Ｒｕ／Ｔａの界面幅
は３．４ｎｍであった。その次の界面であるＴａ／Ｈｆ
の界面幅は３．３ｎｍであった。その次の界面であるＨ
ｆ／Ｐｔの界面幅は３．７ｎｍであった。さらに次の界
面である２番目のＰｔ／Ｒｕ界面では界面幅は４．７ｎ
ｍであった。その次の界面である２番目のＲｕ／Ｔａの
界面幅は３．６ｎｍであった。その次の界面である２番
目のＴａ／Ｈｆの界面幅は３．５ｎｍであった。以上の
ように、Ｐｔ／Ｒｕ、Ｒｕ／Ｔａ、Ｔａ／Ｈｆ、Ｈｆ／
Ｐｔの４種の界面幅と深さ方向の関係が１度の測定で分
析することが可能となった。
積層膜をスパッタ法で作製し、標準試料とした。各層の
厚みを２０ｎｍとし、これらの層を２ペア積み重ねた。
基板はＳｉとした。この標準試料の深さ方向オージェ電
子分光分析を行った。このオージェ電子分光分析条件は
スパッタイオンエッチングするイオンとしてＡｒを使用
し、加速電圧を１ＫｅＶ、入射角度は標準試料面から測
定して２０度とした。界面幅はピーク形状の１０％〜９
０％の値の間の深さ方向の距離とした。標準試料の表面
から最初の界面であるＰｔ／Ｒｕ界面では界面幅が４．
４ｎｍであった。次の界面である Ｒｕ／Ｔａの界面幅
は３．４ｎｍであった。その次の界面であるＴａ／Ｈｆ
の界面幅は３．３ｎｍであった。その次の界面であるＨ
ｆ／Ｐｔの界面幅は３．７ｎｍであった。さらに次の界
面である２番目のＰｔ／Ｒｕ界面では界面幅は４．７ｎ
ｍであった。その次の界面である２番目のＲｕ／Ｔａの
界面幅は３．６ｎｍであった。その次の界面である２番
目のＴａ／Ｈｆの界面幅は３．５ｎｍであった。以上の
ように、Ｐｔ／Ｒｕ、Ｒｕ／Ｔａ、Ｔａ／Ｈｆ、Ｈｆ／
Ｐｔの４種の界面幅と深さ方向の関係が１度の測定で分
析することが可能となった。
【００１２】実施例３ 図３に示すように、ＢＮとＮｂＣとＴａＣとＨｆＣの繰
り返し積層膜をスパッタ法で作製し、標準試料とした。
各層の厚みを２０ｎｍとし、これらの層を２ペア積み重
ねた。基板はＳｉとした。この標準試料の深さ方向オー
ジェ電子分光分析を行った。このオージェ電子分光分析
条件はスパッタイオンエッチングするイオンとしてＡｒ
を使用し、加速電圧を１ＫｅＶ、入射角度は標準試料面
から測定して２０度とした。界面幅はピーク形状の１０
％〜９０％の値の間の深さ方向の距離とした。標準試料
の表面から最初の界面であるＢＮ／ＮｂＣ界面では界面
幅が２．６ｎｍであった。次の界面であるＮｂＣ／Ｔａ
Ｃの界面幅は２．０ｎｍであった。その次の界面である
ＴａＣ／ＨｆＣの界面幅は１．８ｎｍであった。その次
の界面であるＨｆＣ／ＢＮの界面幅は２．５ｎｍであっ
た。さらに次の界面である２番目のＢＮ／ＮｂＣ界面で
は界面幅は２．８ｎｍであった。その次の界面である２
番目のＮｂＣ／ＴａＣの界面幅は２．２ｎｍであった。
その次の界面である２番目のＴａＣ／ＨｆＣの界面幅は
２．０ｎｍであった。以上のように、ＢＮ／ＮｂＣ、Ｎ
ｂＣ／ＴａＣ、ＴａＣ／ＨｆＣ、ＨｆＣ／ＢＮの４種の
界面幅と深さ方向の関係が１度の測定で評価することが
可能となった。
り返し積層膜をスパッタ法で作製し、標準試料とした。
各層の厚みを２０ｎｍとし、これらの層を２ペア積み重
ねた。基板はＳｉとした。この標準試料の深さ方向オー
ジェ電子分光分析を行った。このオージェ電子分光分析
条件はスパッタイオンエッチングするイオンとしてＡｒ
を使用し、加速電圧を１ＫｅＶ、入射角度は標準試料面
から測定して２０度とした。界面幅はピーク形状の１０
％〜９０％の値の間の深さ方向の距離とした。標準試料
の表面から最初の界面であるＢＮ／ＮｂＣ界面では界面
幅が２．６ｎｍであった。次の界面であるＮｂＣ／Ｔａ
Ｃの界面幅は２．０ｎｍであった。その次の界面である
ＴａＣ／ＨｆＣの界面幅は１．８ｎｍであった。その次
の界面であるＨｆＣ／ＢＮの界面幅は２．５ｎｍであっ
た。さらに次の界面である２番目のＢＮ／ＮｂＣ界面で
は界面幅は２．８ｎｍであった。その次の界面である２
番目のＮｂＣ／ＴａＣの界面幅は２．２ｎｍであった。
その次の界面である２番目のＴａＣ／ＨｆＣの界面幅は
２．０ｎｍであった。以上のように、ＢＮ／ＮｂＣ、Ｎ
ｂＣ／ＴａＣ、ＴａＣ／ＨｆＣ、ＨｆＣ／ＢＮの４種の
界面幅と深さ方向の関係が１度の測定で評価することが
可能となった。
【００１３】実施例４ 図４に示すように、ＢとＡｌＮとＳｉＣとＢ4 ＣとＳｉ
Ｏ2 の繰り返し積層膜をスパッタ法で作製し、標準試料
とした。各層の厚みを２０ｎｍとし、これらの層を２ペ
ア積み重ねた。基板はＡｌ2 Ｏ3 とした。この標準試料
の深さ方向オージェ電子分光分析を行った。このオージ
ェ電子分光分析条件はスパッタイオンエッチングするイ
オンとしてＡｒを使用し、加速電圧を１ＫｅＶ、入射角
度は標準試料面から測定して２０度とした。界面幅はピ
ーク形状の１０％〜９０％の値の間の深さ方向の距離と
した。標準試料の表面から最初の界面であるＢ／ＡｌＮ
界面では界面幅が３．２ｎｍであった。次の界面である
ＡｌＮ／ＳｉＣの界面幅は２．４ｎｍであった。その次
の界面であるＳｉＣ／Ｂ4 Ｃの界面幅は２．６ｎｍであ
った。その次の界面であるＢ4 Ｃ／ＳｉＯ2 の界面幅は
２．８ｎｍであった。さらにその次の界面であるＳｉＯ
2 ／Ｂの界面幅は３．４ｎｍであった。さらに次の界面
である２番目のＢ／ＡｌＮ界面では界面幅３．５ｎｍで
あった。その次の界面である２番目のＡｌＮ／ＳｉＣの
界面幅は２．６ｎｍであった。その次の界面である２番
目のＳｉＣ／Ｂ4 Ｃの界面幅は２．８ｎｍであった。さ
らにその次の界面である２番目のＢ4 Ｃ／ＳｉＯ2 の界
面幅は３．０ｎｍであった。以上のように、Ｂ／Ａｌ
Ｎ、ＡｌＮ／ＳｉＣ、ＳｉＣ／Ｂ4 Ｃ、Ｂ4 Ｃ／ＳｉＯ
2、ＳｉＯ2 ／Ｂの５種の界面幅と深さ方向の関係を１
度の測定で評価することが可能となった。
Ｏ2 の繰り返し積層膜をスパッタ法で作製し、標準試料
とした。各層の厚みを２０ｎｍとし、これらの層を２ペ
ア積み重ねた。基板はＡｌ2 Ｏ3 とした。この標準試料
の深さ方向オージェ電子分光分析を行った。このオージ
ェ電子分光分析条件はスパッタイオンエッチングするイ
オンとしてＡｒを使用し、加速電圧を１ＫｅＶ、入射角
度は標準試料面から測定して２０度とした。界面幅はピ
ーク形状の１０％〜９０％の値の間の深さ方向の距離と
した。標準試料の表面から最初の界面であるＢ／ＡｌＮ
界面では界面幅が３．２ｎｍであった。次の界面である
ＡｌＮ／ＳｉＣの界面幅は２．４ｎｍであった。その次
の界面であるＳｉＣ／Ｂ4 Ｃの界面幅は２．６ｎｍであ
った。その次の界面であるＢ4 Ｃ／ＳｉＯ2 の界面幅は
２．８ｎｍであった。さらにその次の界面であるＳｉＯ
2 ／Ｂの界面幅は３．４ｎｍであった。さらに次の界面
である２番目のＢ／ＡｌＮ界面では界面幅３．５ｎｍで
あった。その次の界面である２番目のＡｌＮ／ＳｉＣの
界面幅は２．６ｎｍであった。その次の界面である２番
目のＳｉＣ／Ｂ4 Ｃの界面幅は２．８ｎｍであった。さ
らにその次の界面である２番目のＢ4 Ｃ／ＳｉＯ2 の界
面幅は３．０ｎｍであった。以上のように、Ｂ／Ａｌ
Ｎ、ＡｌＮ／ＳｉＣ、ＳｉＣ／Ｂ4 Ｃ、Ｂ4 Ｃ／ＳｉＯ
2、ＳｉＯ2 ／Ｂの５種の界面幅と深さ方向の関係を１
度の測定で評価することが可能となった。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、この発明の標準試料
は、３種以上の物質層を複数回積層させた構造とするこ
とにより、オージェ電子分光分析法や二次イオン質量分
析法に適用すると１度の測定で多数の物質層間の界面幅
すなわち分解能と深さとの関係を求めることができ、分
析条件の把握に要する時間が大幅に短縮化される効果を
有することになる。実施例ではいくつかの例を示しただ
けであるが、当然推定されるように、ここで示した以外
の物質の組み合わせからなる標準試料においても同様の
効果があることはいうまでもない。
は、３種以上の物質層を複数回積層させた構造とするこ
とにより、オージェ電子分光分析法や二次イオン質量分
析法に適用すると１度の測定で多数の物質層間の界面幅
すなわち分解能と深さとの関係を求めることができ、分
析条件の把握に要する時間が大幅に短縮化される効果を
有することになる。実施例ではいくつかの例を示しただ
けであるが、当然推定されるように、ここで示した以外
の物質の組み合わせからなる標準試料においても同様の
効果があることはいうまでもない。
【図１】この発明の実施例１におけるＭｏ層、Ｔｉ層、
Ｗ層の３回繰り返し積層構造をもつ標準試料を示した図
である。
Ｗ層の３回繰り返し積層構造をもつ標準試料を示した図
である。
【図２】この発明の実施例２におけるＰｔ層、Ｒｕ層、
Ｔａ層、Ｈｆ層の２回繰り返し積層構造をもつ標準試料
を示した図である。
Ｔａ層、Ｈｆ層の２回繰り返し積層構造をもつ標準試料
を示した図である。
【図３】この発明の実施例３におけるＢＮ層、ＮｂＣ
層、ＴａＣ層、ＨｆＣ層の２回繰り返し積層構造をもつ
標準試料を示した図である。
層、ＴａＣ層、ＨｆＣ層の２回繰り返し積層構造をもつ
標準試料を示した図である。
【図４】この発明の実施例４におけるＢ層、ＡｌＮ層、
ＳｉＣ層、Ｂ4 Ｃ層、ＳｉＯ2層の２回繰り返し積層構
造をもつ標準試料を示した図である。
ＳｉＣ層、Ｂ4 Ｃ層、ＳｉＯ2層の２回繰り返し積層構
造をもつ標準試料を示した図である。
【図５】元素Ａと元素Ｂを交互に積層した多層構造の試
料の構造モデルおよびこれをオージェ電子分光したとき
に得られる元素濃度分布測定モデルを示した図である。
料の構造モデルおよびこれをオージェ電子分光したとき
に得られる元素濃度分布測定モデルを示した図である。
【図６】オージェ電子分光分析における界面幅の定義を
示した図である。
示した図である。
Ａ 元素 Ｂ Ａとは異なる元素
Claims (1)
- 【請求項１】オージェ電子分光分析法や二次イオン質量
分析法やＸＰＳ、蛍光Ｘ線分析法などにおける界面分解
能評価や電子、Ｘ線の深さ方向侵入距離評価に必要な標
準試料において、３種以上の物質層を複数回積層させた
ことを特徴とする標準試料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220840A JPH0772100A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 標準試料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220840A JPH0772100A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 標準試料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772100A true JPH0772100A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16757371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5220840A Pending JPH0772100A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 標準試料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772100A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000055841A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Fujitsu Ltd | Ｘ線分析方法 |
| JP2000292141A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Fujitsu Ltd | 蛍光ｘ線を用いた膜厚測定方法 |
| JP2011058825A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析における一次イオンエネルギー補正方法 |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP5220840A patent/JPH0772100A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000055841A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Fujitsu Ltd | Ｘ線分析方法 |
| JP2000292141A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Fujitsu Ltd | 蛍光ｘ線を用いた膜厚測定方法 |
| JP2011058825A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析における一次イオンエネルギー補正方法 |
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