JPH0494501A - ボンド磁石及びその製造方法 - Google Patents
ボンド磁石及びその製造方法Info
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- JPH0494501A JPH0494501A JP2213110A JP21311090A JPH0494501A JP H0494501 A JPH0494501 A JP H0494501A JP 2213110 A JP2213110 A JP 2213110A JP 21311090 A JP21311090 A JP 21311090A JP H0494501 A JPH0494501 A JP H0494501A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は鉄を主成分とする磁性金属を用い、防錆性能を
向上させた樹脂結合型ボンド磁石とその製法、特に希土
類−鉄−ホウ素系（以下、Ｎｄ−Ｆｅ３系と記す）の樹
脂結合型ボンド磁石とその製法に関する。
向上させた樹脂結合型ボンド磁石とその製法、特に希土
類−鉄−ホウ素系（以下、Ｎｄ−Ｆｅ３系と記す）の樹
脂結合型ボンド磁石とその製法に関する。
鉄は室温においては最大の飽和磁束密度を有する元素な
ので、それを主成分とする（ここでは５０原子％以上含
有するという意味とする）合金や化合物の中には磁気特
性の極めて高いものがあり、それらの金属あるいは化合
物を用いれば磁気特性の極めて高いボンド磁石を得るこ
とか可能であることは古くから知られている。近年開発
されたＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ系、ＳｍＦｅ ｌ ２系、及び
Ｆｅ＋ｓＮ２の合金あるいは化合物はそのような磁性金
属の実例である。しかしこれらは鉄を多量に含むか故に
酸化されやすく錆びやすいという欠点を有する。近年需
要か高まっているＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系は特に酸化されやす
く、多湿の環境下では容易に錆びる。そのため様々な防
錆対策か提案されている。例えばＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系樹脂
磁石をアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂で被覆したり（
特開昭６３−２４４７１１号公報、特開昭６３−２４４
７１０号公報）、弗素系樹脂で被覆したり（特開昭６１
−１６８２２１号公報）することか提案されている。ま
た電着塗装やニッケルなどの金属メツキも実施されてい
る。しかし樹脂被覆の方法は安価ではあるか、酸素と水
分の侵入を完全に遮断することは困難であり、また電着
塗装はコストかかさみ、金属メツキもコストかかさむ上
に微量の残存メツキ液が原因となって拡大腐食すること
がある。従ってこれらの方法はコストと耐蝕性のバラン
スが悪いのが実状である。
ので、それを主成分とする（ここでは５０原子％以上含
有するという意味とする）合金や化合物の中には磁気特
性の極めて高いものがあり、それらの金属あるいは化合
物を用いれば磁気特性の極めて高いボンド磁石を得るこ
とか可能であることは古くから知られている。近年開発
されたＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ系、ＳｍＦｅ ｌ ２系、及び
Ｆｅ＋ｓＮ２の合金あるいは化合物はそのような磁性金
属の実例である。しかしこれらは鉄を多量に含むか故に
酸化されやすく錆びやすいという欠点を有する。近年需
要か高まっているＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系は特に酸化されやす
く、多湿の環境下では容易に錆びる。そのため様々な防
錆対策か提案されている。例えばＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系樹脂
磁石をアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂で被覆したり（
特開昭６３−２４４７１１号公報、特開昭６３−２４４
７１０号公報）、弗素系樹脂で被覆したり（特開昭６１
−１６８２２１号公報）することか提案されている。ま
た電着塗装やニッケルなどの金属メツキも実施されてい
る。しかし樹脂被覆の方法は安価ではあるか、酸素と水
分の侵入を完全に遮断することは困難であり、また電着
塗装はコストかかさみ、金属メツキもコストかかさむ上
に微量の残存メツキ液が原因となって拡大腐食すること
がある。従ってこれらの方法はコストと耐蝕性のバラン
スが悪いのが実状である。
かかる問題を解決するため、近年還元性を有する樹脂を
用いることが提案されている。例えば特開平１−２９Ｑ
２０９号公報にはアルキルフェノール樹脂またはアルキ
ル多価フェノール樹脂を含存する被膜で被覆したＮｄ−
Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結合金磁石か開示されている。しか
しこれは緻密な焼結磁石表面に塗布するための手段であ
り、かかる樹脂かボンド磁石のバインダーとして有効で
あるとは断定できない。
用いることが提案されている。例えば特開平１−２９Ｑ
２０９号公報にはアルキルフェノール樹脂またはアルキ
ル多価フェノール樹脂を含存する被膜で被覆したＮｄ−
Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結合金磁石か開示されている。しか
しこれは緻密な焼結磁石表面に塗布するための手段であ
り、かかる樹脂かボンド磁石のバインダーとして有効で
あるとは断定できない。
また本発明者等は、グルコースと５分子のタンニン酸と
から生成するエステルであるところの特殊な樹脂（この
樹脂を以後便宜上［グルコースタンニン酸樹脂」と呼ぶ
ことにする）かＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系ポンド磁石に対して優
れた防錆効果を発揮することを見いだしている（特願平
２−２４６９５号公報）。
から生成するエステルであるところの特殊な樹脂（この
樹脂を以後便宜上［グルコースタンニン酸樹脂」と呼ぶ
ことにする）かＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系ポンド磁石に対して優
れた防錆効果を発揮することを見いだしている（特願平
２−２４６９５号公報）。
しかし本発明者らのさらなる研究によれば、この樹脂を
バインダーとするボンド磁石体の強度は必ずしも十分で
ないことが分かった。特に薄肉で口径の大きな円筒形で
はハンドリング時に割れ欠けが発生し、はとんど実用に
耐え得ないことが判明した。すなわちこのような寸法形
状の磁石のバインダーには不向きなのでバインダーと防
錆剤とを別物質にしなければならない。その結果防錆剤
塗布工程かどうしても必要になるのでコストダウンに限
界かある。
バインダーとするボンド磁石体の強度は必ずしも十分で
ないことが分かった。特に薄肉で口径の大きな円筒形で
はハンドリング時に割れ欠けが発生し、はとんど実用に
耐え得ないことが判明した。すなわちこのような寸法形
状の磁石のバインダーには不向きなのでバインダーと防
錆剤とを別物質にしなければならない。その結果防錆剤
塗布工程かどうしても必要になるのでコストダウンに限
界かある。
本発明の目的は高度の防錆能力のある樹脂をバインダー
に用いることにより、耐蝕性に優れ、かつ実用上十分な
強度を有するボンド磁石を得、■あまり苛酷でない条件
下で使用する用途には防錆付与工程をなくしてコストダ
ウンを達成し、■苛酷な条件下で使用する用途には既存
の防錆処理（表面塗布など）と組合せていっそうすぐれ
た耐蝕性を有するボンド磁石を提供することである。
に用いることにより、耐蝕性に優れ、かつ実用上十分な
強度を有するボンド磁石を得、■あまり苛酷でない条件
下で使用する用途には防錆付与工程をなくしてコストダ
ウンを達成し、■苛酷な条件下で使用する用途には既存
の防錆処理（表面塗布など）と組合せていっそうすぐれ
た耐蝕性を有するボンド磁石を提供することである。
本発明者は鋭意研究した結果、配位結合能力（キレート
形成能力）と還元能力とを有する原子団をもつ点ではグ
ルコースタンニン酸樹脂と共通している下記の樹脂をバ
インダーに用いれば上記目的が達成されることを見いだ
して本発明をなし得たのである。
形成能力）と還元能力とを有する原子団をもつ点ではグ
ルコースタンニン酸樹脂と共通している下記の樹脂をバ
インダーに用いれば上記目的が達成されることを見いだ
して本発明をなし得たのである。
■ 電子交換樹脂（別名酸化還元樹脂）の還元型のもの
。
。
これには例えばポリビニル多価フェノール（ここで多価
フェノールとは、ノ１イドロキノン、カテコール、ピロ
ガロール等ベンゼン環に複数個の水酸基が結合した化合
物である）、多価フェノールホルマリン樹脂、ポリビニ
ルチオコール樹脂などがある。
フェノールとは、ノ１イドロキノン、カテコール、ピロ
ガロール等ベンゼン環に複数個の水酸基が結合した化合
物である）、多価フェノールホルマリン樹脂、ポリビニ
ルチオコール樹脂などがある。
■ アスコルビン酸またはその誘導体とエポキシ樹脂と
を混合し、硬化反応をせしめて生成した高分子化合物。
を混合し、硬化反応をせしめて生成した高分子化合物。
ここで用いるエポキシ樹脂には特に制限かなく、ビスフ
ェノール系、フェノール系、エステル系、Ｎ−グリシジ
ルアミン系など公知のものが使用できる。これらエポキ
シ樹脂とアスコルビン酸またはその誘導体との混合比は
、該エポキシ樹脂のエポキシ当量とアスコルビン酸また
はその誘導体の持つ水酸基（−〇Ｈ）の数とを勘案して
決定する。
ェノール系、フェノール系、エステル系、Ｎ−グリシジ
ルアミン系など公知のものが使用できる。これらエポキ
シ樹脂とアスコルビン酸またはその誘導体との混合比は
、該エポキシ樹脂のエポキシ当量とアスコルビン酸また
はその誘導体の持つ水酸基（−〇Ｈ）の数とを勘案して
決定する。
本発明で用いる磁性金属粉末は鉄を５０原子％以上含む
ものであり、より具体的にはＮｄ２Ｆｅ＋ａＢ、もしく
はこれに他の元素（これらはＰｒ、 Ｄｙ等Ｎｄ以外の
希土類元素、Ｃｏ、 Ｖ等Ｆｅ以外の３ｄ遷移金属元素
、及びＡＩ、 Ｇａ、 Ｎｂ等である）を添加した一般
にＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金と総称される合金の粉末、Ｔｈ
Ｍｎ 、、型結晶構造を有するＳｍＦｅ ｌ ２に他の
元素（例えばＡＩ、 Ｓｉ。
ものであり、より具体的にはＮｄ２Ｆｅ＋ａＢ、もしく
はこれに他の元素（これらはＰｒ、 Ｄｙ等Ｎｄ以外の
希土類元素、Ｃｏ、 Ｖ等Ｆｅ以外の３ｄ遷移金属元素
、及びＡＩ、 Ｇａ、 Ｎｂ等である）を添加した一般
にＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金と総称される合金の粉末、Ｔｈ
Ｍｎ 、、型結晶構造を有するＳｍＦｅ ｌ ２に他の
元素（例えばＡＩ、 Ｓｉ。
Ｔｉ、 Ｃｏ、 Ｖ、 Ｃｒ、 Ｍｏ等の中の１種もし
くは複数種）を添加したもの、及び形状異方性を付与す
るため針状にしたＦｅ Ｉ ＩＮ２粒子からなる粉末等
があげられる。特に現在量も高い磁石特性が得られる磁
性材料であるＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金粉末が特に好ましい
。
くは複数種）を添加したもの、及び形状異方性を付与す
るため針状にしたＦｅ Ｉ ＩＮ２粒子からなる粉末等
があげられる。特に現在量も高い磁石特性が得られる磁
性材料であるＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系合金粉末が特に好ましい
。
また本発明ボンド磁石における磁性金属粉末の含有量は
特に制限しないか、７０体積％から９５体積％の範囲が
望ましい。７０体積％を下回るとボンド磁石としての磁
気特性が低くなりすぎて用途が限定され、９５体積％を
越えるとバインダーが少な（なりすぎて脆くなくので実
用に耐えなくなる。
特に制限しないか、７０体積％から９５体積％の範囲が
望ましい。７０体積％を下回るとボンド磁石としての磁
気特性が低くなりすぎて用途が限定され、９５体積％を
越えるとバインダーが少な（なりすぎて脆くなくので実
用に耐えなくなる。
還元型電子交換樹脂は金属イオンと配位、結合を形成し
得る水酸基を持つが、これは磁性金属表面に既に生成し
ている金属酸化物やオキシ水酸化物（例えばＦｅ００Ｈ
）と反応して錯化合物（別名キレート化合物）を形成し
て金属表面に化学吸着すると推察される。この結果樹脂
本体と磁性金属粒子とが強く結合する。一方、還元型電
子交換樹脂は還元性を持つので磁性金属の酸化（すなわ
ち錆の化学反応）を抑制すると思われる。さらにまた還
元型電子交換樹脂はラジカル捕獲能力をもっている。
得る水酸基を持つが、これは磁性金属表面に既に生成し
ている金属酸化物やオキシ水酸化物（例えばＦｅ００Ｈ
）と反応して錯化合物（別名キレート化合物）を形成し
て金属表面に化学吸着すると推察される。この結果樹脂
本体と磁性金属粒子とが強く結合する。一方、還元型電
子交換樹脂は還元性を持つので磁性金属の酸化（すなわ
ち錆の化学反応）を抑制すると思われる。さらにまた還
元型電子交換樹脂はラジカル捕獲能力をもっている。
このことと酸素分子自体が一種のラジカル（三重項ラジ
カル）であることを考えると、この樹脂の優れた防錆効
果の原因となるもう一つの機構は、侵入してきた酸素分
子か、金属磁性粒子に到達しない所で、残存水酸基また
は残存ＳＨ基（これらは錯化合物を形成していないで残
っている）に捕獲されることであると思われる。
カル）であることを考えると、この樹脂の優れた防錆効
果の原因となるもう一つの機構は、侵入してきた酸素分
子か、金属磁性粒子に到達しない所で、残存水酸基また
は残存ＳＨ基（これらは錯化合物を形成していないで残
っている）に捕獲されることであると思われる。
アスコルビン酸も金属イオンと錯化合物を作り得る水酸
基を持ち、かつ還元性がある点て還元型電子交換樹脂と
共通している。従って、これをエポキシ樹脂と混合して
ボンド磁石のバインダーにしたものの防錆機構もやはり
上述の機構と同じであると推定される。
基を持ち、かつ還元性がある点て還元型電子交換樹脂と
共通している。従って、これをエポキシ樹脂と混合して
ボンド磁石のバインダーにしたものの防錆機構もやはり
上述の機構と同じであると推定される。
次に本発明の詳細を実施例にもとづいて説明する。これ
らは磁性金属粉末の計算上の割合か約８０体積％である
ボンド磁石であるか、本発明実施様態のほんの一例にす
ぎず、なんら本発明を制限するものてはない。
らは磁性金属粉末の計算上の割合か約８０体積％である
ボンド磁石であるか、本発明実施様態のほんの一例にす
ぎず、なんら本発明を制限するものてはない。
実施例１：
次の化学構造式で示されるポリビニルハイドロキノン樹
脂１０グラムをメチルエチルケトン溶液（以下、ＭＥＫ
溶液と称す）に溶かし、これに２７７グラムの超急冷法
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁性粉（米国ゼネラルモータ社のＭＱ
−Ｂ）を投入し、よく混合した。
脂１０グラムをメチルエチルケトン溶液（以下、ＭＥＫ
溶液と称す）に溶かし、これに２７７グラムの超急冷法
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁性粉（米国ゼネラルモータ社のＭＱ
−Ｂ）を投入し、よく混合した。
その後溶媒をほとんど蒸発せしめてほぼ乾燥したコンパ
ウンドを得、これを金型に充填し６ｔ／ｄの圧力でプレ
ス成形した。ここで得られたグリーン成形体を１６０°
Ｃのオーブン中で３時間キュアし、概寸法ｌＯφＸ１０
ｍｍのボンド磁石を得た（また未着磁である）。この磁
石体を温度６０°Ｃ湿度９０％の環境試験器中に放置し
１００時間経過毎に取り出して肉眼及び光学顧微鏡（倍
率３０）で表面状態を観察した。観察の終了したサンプ
ルは直ちに環境試験器内に戻した。これを繰り返し、累
積５００時間まで放置した。
ウンドを得、これを金型に充填し６ｔ／ｄの圧力でプレ
ス成形した。ここで得られたグリーン成形体を１６０°
Ｃのオーブン中で３時間キュアし、概寸法ｌＯφＸ１０
ｍｍのボンド磁石を得た（また未着磁である）。この磁
石体を温度６０°Ｃ湿度９０％の環境試験器中に放置し
１００時間経過毎に取り出して肉眼及び光学顧微鏡（倍
率３０）で表面状態を観察した。観察の終了したサンプ
ルは直ちに環境試験器内に戻した。これを繰り返し、累
積５００時間まで放置した。
実施例２：
Ｌ−アスコルビン酸（ビタミンＣ）０．５０グラムをメ
タノールに溶かし、８８２５グラムのエピコート１００
７ （油化シェル社の固形エポキシ、分子量約２９００
）を含むＭＥＫ溶液と混合した。これに２２２グラムの
ＭＱ−Ｂ粉を投入し、均一に混合した。その後は、キュ
ア雰囲気をアルゴンガス中にした以外は実施例１と同様
に行い、１０φＸ１０ｍｍのボンド磁石体を成形し、や
はり実施例１と同様の累積５００時間の環境試験器内放
置を行なった。なお、ここてキュア雰囲気をアルゴンガ
ス（一般に不活性ガス雰囲気）にしたのは、未反応のア
スコルビン酸が酸化され分解するのを防ぐためである。
タノールに溶かし、８８２５グラムのエピコート１００
７ （油化シェル社の固形エポキシ、分子量約２９００
）を含むＭＥＫ溶液と混合した。これに２２２グラムの
ＭＱ−Ｂ粉を投入し、均一に混合した。その後は、キュ
ア雰囲気をアルゴンガス中にした以外は実施例１と同様
に行い、１０φＸ１０ｍｍのボンド磁石体を成形し、や
はり実施例１と同様の累積５００時間の環境試験器内放
置を行なった。なお、ここてキュア雰囲気をアルゴンガ
ス（一般に不活性ガス雰囲気）にしたのは、未反応のア
スコルビン酸が酸化され分解するのを防ぐためである。
比較例１゜
通常よく用いられる硬化剤の一つであるジシアンジアミ
ド０．５０グラムをメタノール−トルエン混合溶液に溶
かし、９．５０グラムのエピコート１００７を含むＭＥ
Ｋ溶液と混合した。これに２５３グラムのＭＱＢ粉と均
一に混合した。これ以後は実施例１と同様に行い１０φ
Ｘ１０ｍｍのボンド磁石体を成形し、やはり実施例１と
同様の累積５００時間の環境試験器内放置を行なった。
ド０．５０グラムをメタノール−トルエン混合溶液に溶
かし、９．５０グラムのエピコート１００７を含むＭＥ
Ｋ溶液と混合した。これに２５３グラムのＭＱＢ粉と均
一に混合した。これ以後は実施例１と同様に行い１０φ
Ｘ１０ｍｍのボンド磁石体を成形し、やはり実施例１と
同様の累積５００時間の環境試験器内放置を行なった。
比較例２：
表面がグルコースタンニン酸樹脂被膜で覆われた磁石体
を次の様にして作成した。比較例１で成形した磁石体の
別の１０個を１５重量％のタンニン酸樹脂を含むＭＥＫ
溶液に浸した。その後溶媒を蒸発せしめ、１５０°Ｃで
１５分の条件下で当樹脂を硬化せしめた。ピンホールテ
ストのため、これらを１規定の稀硫酸に入れたところ、
約３０秒間は気泡の発生がなく、実質的に完全に被覆さ
れていた。これらを実施例１と同様の累積５００時間の
環境試験器内放置を行なった。
を次の様にして作成した。比較例１で成形した磁石体の
別の１０個を１５重量％のタンニン酸樹脂を含むＭＥＫ
溶液に浸した。その後溶媒を蒸発せしめ、１５０°Ｃで
１５分の条件下で当樹脂を硬化せしめた。ピンホールテ
ストのため、これらを１規定の稀硫酸に入れたところ、
約３０秒間は気泡の発生がなく、実質的に完全に被覆さ
れていた。これらを実施例１と同様の累積５００時間の
環境試験器内放置を行なった。
以上の実施例と比較例の試験結果は表１に示した。
実施例３：
実施例１と実施例２の未試験磁石体に比較例２の要領で
グルコースタンニン酸樹脂を塗布した。
グルコースタンニン酸樹脂を塗布した。
これらの名称をそれぞれ３−１．３−２とする。
ハイフンの次の数字は上の実施例の番号を表す。
これらサンプルを温度８０°Ｃ湿度９５％というより苛
酷な条件下に、比較例２のサンプルとともに、８００時
間累積放置した。この試験結果を表２に示す。
酷な条件下に、比較例２のサンプルとともに、８００時
間累積放置した。この試験結果を表２に示す。
実施例４ニ
ゲルコースタンニン酸樹脂をバインダーとし、ＭＱ−Ｂ
磁粉を計算上８０体積％含む大口径円筒磁石（外径３２
ｍｍ、内径３０ｍｍ、長さ１０ｍｍ）と、実施例の１か
ら２までの配合組成を持つ大口径円筒磁石（外径３２ｍ
ｍ、内径３０ｍｍ、長さ１０ｍｍ）とをプレス成形し、
それらの強度を比較するため、５０ａｎの高さからコン
クリート床面に、円筒側面が床面に衝突するように自由
落下せしめた。その結果グルコースタンニン酸樹脂バイ
ンダーのものは数個の破片に割れたか、実施例の１およ
び２の組成のものはいずれも割れなかった。またプレス
成形からキュア工程を経て落下試験にいたるまでの作業
の間、何ら割れなかった。それに対してグルコースタン
ニン酸樹脂バインダーのものはしばしば割れ欠けか発生
した。
磁粉を計算上８０体積％含む大口径円筒磁石（外径３２
ｍｍ、内径３０ｍｍ、長さ１０ｍｍ）と、実施例の１か
ら２までの配合組成を持つ大口径円筒磁石（外径３２ｍ
ｍ、内径３０ｍｍ、長さ１０ｍｍ）とをプレス成形し、
それらの強度を比較するため、５０ａｎの高さからコン
クリート床面に、円筒側面が床面に衝突するように自由
落下せしめた。その結果グルコースタンニン酸樹脂バイ
ンダーのものは数個の破片に割れたか、実施例の１およ
び２の組成のものはいずれも割れなかった。またプレス
成形からキュア工程を経て落下試験にいたるまでの作業
の間、何ら割れなかった。それに対してグルコースタン
ニン酸樹脂バインダーのものはしばしば割れ欠けか発生
した。
表１
表２
（温度６０°Ｃ１
（温度８０°Ｃ１
湿度９０％）
湿度９５％）
〔発明の効果〕
表１から明らかなように、本発明のボンド磁石の耐酸化
性は、比較例２の如く磁石体をグルコースタンニン酸樹
脂で完全に被覆したものには及ばないものの、通常の樹
脂をバインダーにしただけである従来のものよりはるか
に優れている。従って極端に苛酷な防錆性能を要求され
ない一般的応用に対して、本発明では［成形後に行なう
防錆処理工程」を必要としないので製造コストの安価な
ボンド磁石を提供することかできる。また表２か示すよ
うに、本発明磁石体にグルコースタンニン酸樹脂を被覆
したものはより苛酷な条件にも耐える。このことは本発
明磁石体の表面に防錆用の被覆を施せば一層効果的であ
ることを意味する。その被覆には本発明で開示したエポ
キシ樹脂も適用できることは言うまでもない。さらに実
施例４かられかるように、本発明の磁石体の強度はグル
コースタンニン酸樹脂ボンド磁石より高く、十分実用に
耐え得る程である。
性は、比較例２の如く磁石体をグルコースタンニン酸樹
脂で完全に被覆したものには及ばないものの、通常の樹
脂をバインダーにしただけである従来のものよりはるか
に優れている。従って極端に苛酷な防錆性能を要求され
ない一般的応用に対して、本発明では［成形後に行なう
防錆処理工程」を必要としないので製造コストの安価な
ボンド磁石を提供することかできる。また表２か示すよ
うに、本発明磁石体にグルコースタンニン酸樹脂を被覆
したものはより苛酷な条件にも耐える。このことは本発
明磁石体の表面に防錆用の被覆を施せば一層効果的であ
ることを意味する。その被覆には本発明で開示したエポ
キシ樹脂も適用できることは言うまでもない。さらに実
施例４かられかるように、本発明の磁石体の強度はグル
コースタンニン酸樹脂ボンド磁石より高く、十分実用に
耐え得る程である。
上述の通り、本発明によれば鉄を主成分とする磁性金属
を用いたボンド磁石の宿命である錆易し）という欠点を
事実上克服でき、耐酸化性、耐蝕性のきわめて優れ、か
つ実用上十分な強度を有するボンド磁石を提供すること
ができる。
を用いたボンド磁石の宿命である錆易し）という欠点を
事実上克服でき、耐酸化性、耐蝕性のきわめて優れ、か
つ実用上十分な強度を有するボンド磁石を提供すること
ができる。
Claims (8)
- （１）鉄を５０原子％以上含む磁性金属粉末をバインダ
ーとなる合成樹脂に分散混合してなるボンド磁石におい
て、分子構造中に配位結合能力と還元能力とを有する原
子団を持つ樹脂をバインダーに用いたことを特徴とする
ボンド磁石。 - （２）分子構造中に配位結合能力と還元能力とを有する
原子団を持つ樹脂として、電子交換樹脂の還元型をバイ
ンダーに用いたことを特徴とする請求項１記載のボンド
磁石。 - （３）分子構造中に配位結合能力と還元能力とを有する
原子団を持つバインダー用樹脂として、アスコルビン酸
またはその誘導体とエポキシ樹脂とを混合した後、硬化
反応を起こさせることによって得られる樹脂をバインダ
ーに用いたことを特徴とする請求項１記載のボンド磁石
。 - （４）鉄を５０原子％以上含む磁性金属粉末としてＮｄ
＿２Ｆｅ＿１４Ｂもしくはこれに他の元素を添加したも
のを用いたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
記載のボンド磁石。 - （５）鉄を５０原子％以上含む磁性金属粉末をバインダ
ーとなる合成樹脂に分散混合してなるボンド磁石におい
て、分子構造中に配位結合能力と還元能力とを有する原
子団を持つ樹脂をバインダーに用いたことを特徴とする
ボンド磁石の製造方法。 - （６）分子構造中に配位結合能力と還元能力とを有する
原子団を持つ樹脂として、電子交換樹脂の還元型をバイ
ンダーに用いたことを特徴とする請求項５記載のボンド
磁石の製造方法。 - （７）分子構造中に配位結合能力と還元能力とを有する
原子団を持つバインダー用樹脂として、アスコルビン酸
またはその誘導体とエポキシ樹脂とを混合した後、硬化
反応を起こさせることによって得られる樹脂をバインダ
ーに用いたことを特徴とする請求項５記載のボンド磁石
の製造方法。 - （８）鉄を５０原子％以上含む磁性金属粉末としてＮｄ
＿２Ｆｅ＿１４Ｂもしくはこれに他の元素を添加したも
のを用いたことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに
記載のボンド磁石の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213110A JPH0494501A (ja) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | ボンド磁石及びその製造方法 |
| EP19910112333 EP0468449B1 (en) | 1990-07-24 | 1991-07-23 | Bonded rare earth magnet and a process for manufacturing the same |
| CA 2047592 CA2047592C (en) | 1990-07-24 | 1991-07-23 | Bonded rare earth magnet and a process for manufacturing the same |
| DE1991601413 DE69101413T2 (de) | 1990-07-24 | 1991-07-23 | Gebundener Seltenerdmagnet und Verfahren zur Herstellung. |
| US07/748,769 US5240627A (en) | 1990-07-24 | 1991-08-22 | Bonded rare earth magnet and a process for manufacturing the same |
| US08/013,402 US5300156A (en) | 1990-07-24 | 1993-02-04 | Bonded rare earth magnet and a process for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213110A JPH0494501A (ja) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | ボンド磁石及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494501A true JPH0494501A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16633747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2213110A Pending JPH0494501A (ja) | 1990-07-24 | 1990-08-11 | ボンド磁石及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0494501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1266936A1 (en) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition used for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the composition |
-
1990
- 1990-08-11 JP JP2213110A patent/JPH0494501A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1266936A1 (en) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition used for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the composition |
| US6800804B2 (en) | 2001-06-12 | 2004-10-05 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition used for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the composition |
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