JPH0493479A - シールドルームおよび電波暗室の製造方法 - Google Patents
シールドルームおよび電波暗室の製造方法Info
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- JPH0493479A JPH0493479A JP2400678A JP40067890A JPH0493479A JP H0493479 A JPH0493479 A JP H0493479A JP 2400678 A JP2400678 A JP 2400678A JP 40067890 A JP40067890 A JP 40067890A JP H0493479 A JPH0493479 A JP H0493479A
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Landscapes
- Buildings Adapted To Withstand Abnormal External Influences (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
本発明は、電磁界を遮蔽するためのシールドルーム、お
よび、電波の漏洩を防止するための電波暗室の製造方法
に関する。 ［０００２］
よび、電波の漏洩を防止するための電波暗室の製造方法
に関する。 ［０００２］
一般に、電磁シールドルームは、その内部で使用される
機器の仕様条件、例えば、性能、精度、電磁環境等、お
よび、シールドルーム周辺の環境条件、例えば、周辺機
器との取り合い、電磁環境、使い勝手等を考慮して、材
料、構成部材。 開口部の構造等が設計されている。 ［０００３］ そして、シールドルーム内で使用される機器が、磁界成
分のシールドを必要とするのか、電界成分のシールドを
必要とするのか、あるいは、これ等の両者のシールド全
必要とするのかによって、そのシール構造が異なってく
る。 例えば、微弱な磁気を測定するセンサーを使用するシー
ルドルームでは、電界成分も磁界成分もシールドする必
要があり、磁界成分をシールドするための透磁性の高い
材料と、磁界成分をシールドするための導電性の高い材
料とを組み合わせた構造のシールドルームが要望される
。 ［０００４］ 上述した微弱な磁気を測定するセンサーとしては、例え
ば、現在開発の進められている、脳から発生する微弱な
脳磁波を検出し、脳卒中、てんかん等の病気の解明を図
るための超電動量子干渉素子（ＳＱｔＪＩＤ）センサー
がある。 このセンサーは、１０のマイナス１２乗テスラの微弱な
磁気を測定するため、このセンサーを使用するためには
、周辺環境から発生する電磁ノイズを確実に遮断する必
要がある。 ［０００５］ 現在、このセンサーを使用するシールドルームは、磁界
成分を、パーマロイ等の高透磁性材料によりシールドし
、電界成分を、銅、亜鉛、鉄等の高導電性材料でシール
ドするように設計されており、高透磁性材料からなる板
材と、高導電性材料からなる板材を何層にも、パネル状
に組み合わせて構成されている。 ［０００６］
機器の仕様条件、例えば、性能、精度、電磁環境等、お
よび、シールドルーム周辺の環境条件、例えば、周辺機
器との取り合い、電磁環境、使い勝手等を考慮して、材
料、構成部材。 開口部の構造等が設計されている。 ［０００３］ そして、シールドルーム内で使用される機器が、磁界成
分のシールドを必要とするのか、電界成分のシールドを
必要とするのか、あるいは、これ等の両者のシールド全
必要とするのかによって、そのシール構造が異なってく
る。 例えば、微弱な磁気を測定するセンサーを使用するシー
ルドルームでは、電界成分も磁界成分もシールドする必
要があり、磁界成分をシールドするための透磁性の高い
材料と、磁界成分をシールドするための導電性の高い材
料とを組み合わせた構造のシールドルームが要望される
。 ［０００４］ 上述した微弱な磁気を測定するセンサーとしては、例え
ば、現在開発の進められている、脳から発生する微弱な
脳磁波を検出し、脳卒中、てんかん等の病気の解明を図
るための超電動量子干渉素子（ＳＱｔＪＩＤ）センサー
がある。 このセンサーは、１０のマイナス１２乗テスラの微弱な
磁気を測定するため、このセンサーを使用するためには
、周辺環境から発生する電磁ノイズを確実に遮断する必
要がある。 ［０００５］ 現在、このセンサーを使用するシールドルームは、磁界
成分を、パーマロイ等の高透磁性材料によりシールドし
、電界成分を、銅、亜鉛、鉄等の高導電性材料でシール
ドするように設計されており、高透磁性材料からなる板
材と、高導電性材料からなる板材を何層にも、パネル状
に組み合わせて構成されている。 ［０００６］
しかしながら、このように、高透磁性材料からなる板材
と、高導電性材料からなる板材を何層にも、パネル状に
組み合わせてシールドルームを構成する場合には、構造
的および性能的に、複雑な設計をする必要が生じ、製造
コストが増大するという問題があった。 ［０００７］ すなわち、重量、積層、耐震性等の構造的な面、および
、開口部、ジヨイント部２貫通部等の性能的な面におい
て、非常に複雑な設計をする必要があるという問題があ
った。 一方、電波の漏洩を防止するための電波暗室は、従来、
シールドルームの内壁に、必要に応じた電波吸収体を固
定することにより形成されており、シールドルームを構
築するためには、前述した問題が生ずる。 ［０００８］ 本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされた
もので、簡易な構造でかつ、従来より大幅に製造コスト
を低減することのできるシールドルームおよび電波暗室
の製造方法を提供することを目的とする。 ［０００９］
と、高導電性材料からなる板材を何層にも、パネル状に
組み合わせてシールドルームを構成する場合には、構造
的および性能的に、複雑な設計をする必要が生じ、製造
コストが増大するという問題があった。 ［０００７］ すなわち、重量、積層、耐震性等の構造的な面、および
、開口部、ジヨイント部２貫通部等の性能的な面におい
て、非常に複雑な設計をする必要があるという問題があ
った。 一方、電波の漏洩を防止するための電波暗室は、従来、
シールドルームの内壁に、必要に応じた電波吸収体を固
定することにより形成されており、シールドルームを構
築するためには、前述した問題が生ずる。 ［０００８］ 本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされた
もので、簡易な構造でかつ、従来より大幅に製造コスト
を低減することのできるシールドルームおよび電波暗室
の製造方法を提供することを目的とする。 ［０００９］
請求項１のシールドルームの製造方法は、建屋躯体に、
磁界成分をシールドするための高透磁性材料からなる金
属、または、電界成分をシールドするための高導電性材
料からなる金属を低温溶射し、第１低温溶射層を形成し
た後、この第１低温溶射層の表面に、電界成分をシール
ドするための高導電性材料からなる金属または、磁界成
分をシールドするための高透磁性材料からなる金属を低
温溶射し、第２低温溶射層を形成するものである。 ［００１０］ 請求項２の電波暗室の製造方法は、建屋躯体に、磁界成
分をシールドするための高透磁性材料からなる金属、ま
たは、電界成分をシールドするための高導電性材料から
なる金属を低温溶射し、第１低温溶射層を形成した後、
この第１低温溶射層の表面に、電界成分をシールドする
ための高導電性材料からなる金属、または、磁界成分を
シールドするための高透磁性材料からなる金属を低温溶
射し第２低温溶射層を形成し、この後、この第２低温溶
射層の表面に、電波吸収体を固定するものである。 ［００１１］
磁界成分をシールドするための高透磁性材料からなる金
属、または、電界成分をシールドするための高導電性材
料からなる金属を低温溶射し、第１低温溶射層を形成し
た後、この第１低温溶射層の表面に、電界成分をシール
ドするための高導電性材料からなる金属または、磁界成
分をシールドするための高透磁性材料からなる金属を低
温溶射し、第２低温溶射層を形成するものである。 ［００１０］ 請求項２の電波暗室の製造方法は、建屋躯体に、磁界成
分をシールドするための高透磁性材料からなる金属、ま
たは、電界成分をシールドするための高導電性材料から
なる金属を低温溶射し、第１低温溶射層を形成した後、
この第１低温溶射層の表面に、電界成分をシールドする
ための高導電性材料からなる金属、または、磁界成分を
シールドするための高透磁性材料からなる金属を低温溶
射し第２低温溶射層を形成し、この後、この第２低温溶
射層の表面に、電波吸収体を固定するものである。 ［００１１］
請求項１のシールドルームの製造方法では、建屋躯体に
、磁界成分をシールドするための高透磁性材料からなる
金属、または、電界成分をシールドするための高導電性
材料からなる金属が低温溶射され、第１低温溶射層が形
成され、この後この第１低温溶射層の表面に、電界成分
をシールドするための高導電性材料からなる金属、また
は、磁界成分をシールドするための高透磁性材料からな
る金属が低温溶射され、第２低温溶射層が形成される。 ［００１２］ また、請求項２の電波暗室の製造方法では、上述したよ
うにして製造されたシールドルームの第２低温溶射層の
表面に、電波吸収体が固定される。 ［００１３］
、磁界成分をシールドするための高透磁性材料からなる
金属、または、電界成分をシールドするための高導電性
材料からなる金属が低温溶射され、第１低温溶射層が形
成され、この後この第１低温溶射層の表面に、電界成分
をシールドするための高導電性材料からなる金属、また
は、磁界成分をシールドするための高透磁性材料からな
る金属が低温溶射され、第２低温溶射層が形成される。 ［００１２］ また、請求項２の電波暗室の製造方法では、上述したよ
うにして製造されたシールドルームの第２低温溶射層の
表面に、電波吸収体が固定される。 ［００１３］
以下、本発明の詳細を図面に示す実施例について説明す
る。 図１は、本発明のシールドルームの製造方法の一実施例
により製造されているシールドルームを示しており、図
において符号１１は、例えば、鉄筋コンクリートにより
形成される建屋躯体を示している。
る。 図１は、本発明のシールドルームの製造方法の一実施例
により製造されているシールドルームを示しており、図
において符号１１は、例えば、鉄筋コンクリートにより
形成される建屋躯体を示している。
【００土４】
この建屋躯体１１の内百には、全面にわたって、図２に
示すように、例えば、パーマロイ、アモルファス等の磁
界成分をシールドするための高透磁性材料からなる金属
が、直接、低温溶射され、第１低温溶射層１３が形成さ
れている。 そして、この第１低温溶射層１３の表面には、真鍮、銅
、アルミニウム、亜鉛等の電界成分をシールドするため
の高導電性材料からなる金属が低温溶射され、第２低温
溶射層１５が形成されている。 ［００Ｌ５．１ 図３は、高導電性材料（または高透磁性材料）からなる
金属の低温溶射に使用される低温溶射装置の一例（日本
ティオン溶射株式会社製の溶射装置）を示すもので、こ
の低温溶射装置は、溶射機２１と、電源ボックス２３と
、スクリューコンプレッサー２５とから構成されている
。 電源ボックス２３内には、高導電性材料（または高透磁
性材料）からなる線材２７を巻回した図示しないボビン
が収容されており、この線材２７の一端が、溶射機２１
に接続されている。 ［００１６］ スクリューコンプレッサー２５には、エアーホース２９
の一端が接続されており、このエアーホース２９は、電
源ボックス２３を介して、溶射機２１に接続されている
。 なお、図において符号３１は電源を、符号３３はアース
を、符号３５はケーブルを示している。 ［００１７］ このような低温溶射装置を使用しての第１低温溶射層１
３または第２低温溶射層１５の形成は、第１図に示した
ように、スクリューコンプレッサー２５および電源ボッ
クス２３を作動し、溶射機２１を手に掴んだ状態で、溶
射機２１内で、例えば、電気放電された線材２７の粒子
を、エアーホース２９からの空気により、溶射機２１か
ら噴出させ、建屋躯体１１、または、第」低温溶射層１
３に吹き付けることにより行なわれる。 ［００１８］ なお、上述した低温溶射装置では、低温溶射層１３．１
５の厚みを、必要に応じて、例えば、５０ミクロンメー
トルから５０ｍｍ程度まで任意に設定することができる
。 しかして、以上のようなシールドルームの製造方法では
、建屋躯体１１に、磁界成分をシールドするための高透
磁性材料からなる金属を低温溶射し、第１低温溶射層１
３を形成した後、この第」低温溶射層１３の表面に、電
界成分をシールドするための高導電性材料からなる金属
を低温溶射し、第２低温溶射層１５を形成するようにし
たので、簡易な構造で、かつ、従来より大幅に製造コス
トを低減することが可能となる。 ［００１９］ すなわち、本発明のシールドルームの製造方法では、従
来のように、高透磁性材料からなる板材と、高導電性材
料からなる板材を何層にも、パネル状に組み合わせてシ
ールドルームを構成する必要がなくなるなめ、構造的お
よび性能的に、複雑な設計をする必要がなくなり、簡易
な構造で、かつ、従来より大幅に製造コストを低減する
ことができる。 ［００２０］ また、本発明のシールドルームの製造方法では、第１低
温溶射層１３に、第２低温溶射層１５を例えば、溶射面
温度が３０℃程度の状態で、低温溶射するようにしたの
で、第２低温溶射層１５の形成により第１低温溶射層１
３の性質が変化［００２ｉ］ さらに、本発明のシールドルームの製造方法では、異種
の材料を何層にも溶射することができるため、従来より
、空間スペースを低減することができる。 また、本発明方法では、低温溶射層１３．１５の厚みを
自由に変化することができるため、シールドルームに必
要なシールド性能に応じて、最も経済的なシールドルー
ムを容易に形成することが可能となる。 ［００２２］ さらに、上述した低温溶射装置は、非常に扱い易く、ま
た、溶射は、施工の手直しが容易に可能ななめ、素人で
も、低温溶射層１３．１５を容易に形成することが可能
となる。 図４は、本発明の電波暗室の製造方法の一実施例を示す
もので、この実施例では、上述したようにして製造され
たシールドルームの第２低温溶射層１５の表面に、例え
ば、フェライト板、ウレタン質吸収体等からなる電波吸
収体４１が、例えば、接着剤により国定され、電波暗室
が製造される。 ［００２３］ しかして、以上のような電波暗室の製造方法では、建屋
躯体１１に、磁界成分をシールドするための高透磁性材
料からなる金属を低温溶射し、第１低温溶射層１３を形
成した後、この第１低温溶射層１３の表面に、電界成分
をシールドするための高導電性材料からなる金属を低温
溶射し第２低温溶射層１５を形成し、この後、この第２
低温溶射層１５の表面に、電波吸収体４１を固定するよ
うにしたので、簡易な構造で、かつ、従来より大幅に製
造コストを低減することが可能となる。 ［００２４］ なお、以上述べた実施例では、建屋躯体１１に、磁界成
分をシールドするための高透磁性材料からなる第１低温
溶射層１３を形成した後、この第１低温溶射層１３に、
電界成分をシールドするための高導電性材料からなる金
属を低温溶射し第２低温溶射層１５を形成した例につい
て述べたが、本発明は、かがる実施例に限定されるもの
ではなく、建屋躯体に、電界成分をシールドするための
高導電性材料からなる第１低温溶射層を形成した後、こ
の第１低温溶射層に、磁界成分をシールドするための高
透磁性材料からなる金属からなる第２低温溶射層を形成
しても良いことは勿論である。 ［００２５］ また、以上述べた実施例では、建屋躯体１１に第１低温
溶射層１３および第２低温溶射層１５を形成した例につ
いて述べた力八本発明は、かかる実施例に限定されるも
のではなく、高透磁性材料と高導電性材料からなる低温
溶射層を交互に複数層形成しても良いことは勿論である
。 さらに、以上述べた実施例では、建屋躯体１１に第１低
温溶射層１３を直接形成した例について述べため八本発
明は、かかる実施例に限定されるものではなく、建屋躯
体と第１低温溶射層との電気的絶縁が求められる場合に
は、建屋躯体にエポキシ系樹脂等の絶縁樹脂を塗布した
後、第１低温溶射層を形成しても良いことは勿論である
。 ［００２６］ また、以上述べた実施例では、建屋躯体１１に第１低温
溶射層１３を直接形成した例について述べたが、本発明
は、かかる実施例に限定されるものではなく、例えば、
建屋躯体を構成する床、壁、天井等がモルタル、コンク
リート、ボード類等の接続部分で、亀裂９割れ等の発生
が起こり得る時には、例えば、シールド性能を有する繊
維質のシート材を貼着した後、第１低温溶射層を形成し
ても良いことは勿論である。 ［００２７］
示すように、例えば、パーマロイ、アモルファス等の磁
界成分をシールドするための高透磁性材料からなる金属
が、直接、低温溶射され、第１低温溶射層１３が形成さ
れている。 そして、この第１低温溶射層１３の表面には、真鍮、銅
、アルミニウム、亜鉛等の電界成分をシールドするため
の高導電性材料からなる金属が低温溶射され、第２低温
溶射層１５が形成されている。 ［００Ｌ５．１ 図３は、高導電性材料（または高透磁性材料）からなる
金属の低温溶射に使用される低温溶射装置の一例（日本
ティオン溶射株式会社製の溶射装置）を示すもので、こ
の低温溶射装置は、溶射機２１と、電源ボックス２３と
、スクリューコンプレッサー２５とから構成されている
。 電源ボックス２３内には、高導電性材料（または高透磁
性材料）からなる線材２７を巻回した図示しないボビン
が収容されており、この線材２７の一端が、溶射機２１
に接続されている。 ［００１６］ スクリューコンプレッサー２５には、エアーホース２９
の一端が接続されており、このエアーホース２９は、電
源ボックス２３を介して、溶射機２１に接続されている
。 なお、図において符号３１は電源を、符号３３はアース
を、符号３５はケーブルを示している。 ［００１７］ このような低温溶射装置を使用しての第１低温溶射層１
３または第２低温溶射層１５の形成は、第１図に示した
ように、スクリューコンプレッサー２５および電源ボッ
クス２３を作動し、溶射機２１を手に掴んだ状態で、溶
射機２１内で、例えば、電気放電された線材２７の粒子
を、エアーホース２９からの空気により、溶射機２１か
ら噴出させ、建屋躯体１１、または、第」低温溶射層１
３に吹き付けることにより行なわれる。 ［００１８］ なお、上述した低温溶射装置では、低温溶射層１３．１
５の厚みを、必要に応じて、例えば、５０ミクロンメー
トルから５０ｍｍ程度まで任意に設定することができる
。 しかして、以上のようなシールドルームの製造方法では
、建屋躯体１１に、磁界成分をシールドするための高透
磁性材料からなる金属を低温溶射し、第１低温溶射層１
３を形成した後、この第」低温溶射層１３の表面に、電
界成分をシールドするための高導電性材料からなる金属
を低温溶射し、第２低温溶射層１５を形成するようにし
たので、簡易な構造で、かつ、従来より大幅に製造コス
トを低減することが可能となる。 ［００１９］ すなわち、本発明のシールドルームの製造方法では、従
来のように、高透磁性材料からなる板材と、高導電性材
料からなる板材を何層にも、パネル状に組み合わせてシ
ールドルームを構成する必要がなくなるなめ、構造的お
よび性能的に、複雑な設計をする必要がなくなり、簡易
な構造で、かつ、従来より大幅に製造コストを低減する
ことができる。 ［００２０］ また、本発明のシールドルームの製造方法では、第１低
温溶射層１３に、第２低温溶射層１５を例えば、溶射面
温度が３０℃程度の状態で、低温溶射するようにしたの
で、第２低温溶射層１５の形成により第１低温溶射層１
３の性質が変化［００２ｉ］ さらに、本発明のシールドルームの製造方法では、異種
の材料を何層にも溶射することができるため、従来より
、空間スペースを低減することができる。 また、本発明方法では、低温溶射層１３．１５の厚みを
自由に変化することができるため、シールドルームに必
要なシールド性能に応じて、最も経済的なシールドルー
ムを容易に形成することが可能となる。 ［００２２］ さらに、上述した低温溶射装置は、非常に扱い易く、ま
た、溶射は、施工の手直しが容易に可能ななめ、素人で
も、低温溶射層１３．１５を容易に形成することが可能
となる。 図４は、本発明の電波暗室の製造方法の一実施例を示す
もので、この実施例では、上述したようにして製造され
たシールドルームの第２低温溶射層１５の表面に、例え
ば、フェライト板、ウレタン質吸収体等からなる電波吸
収体４１が、例えば、接着剤により国定され、電波暗室
が製造される。 ［００２３］ しかして、以上のような電波暗室の製造方法では、建屋
躯体１１に、磁界成分をシールドするための高透磁性材
料からなる金属を低温溶射し、第１低温溶射層１３を形
成した後、この第１低温溶射層１３の表面に、電界成分
をシールドするための高導電性材料からなる金属を低温
溶射し第２低温溶射層１５を形成し、この後、この第２
低温溶射層１５の表面に、電波吸収体４１を固定するよ
うにしたので、簡易な構造で、かつ、従来より大幅に製
造コストを低減することが可能となる。 ［００２４］ なお、以上述べた実施例では、建屋躯体１１に、磁界成
分をシールドするための高透磁性材料からなる第１低温
溶射層１３を形成した後、この第１低温溶射層１３に、
電界成分をシールドするための高導電性材料からなる金
属を低温溶射し第２低温溶射層１５を形成した例につい
て述べたが、本発明は、かがる実施例に限定されるもの
ではなく、建屋躯体に、電界成分をシールドするための
高導電性材料からなる第１低温溶射層を形成した後、こ
の第１低温溶射層に、磁界成分をシールドするための高
透磁性材料からなる金属からなる第２低温溶射層を形成
しても良いことは勿論である。 ［００２５］ また、以上述べた実施例では、建屋躯体１１に第１低温
溶射層１３および第２低温溶射層１５を形成した例につ
いて述べた力八本発明は、かかる実施例に限定されるも
のではなく、高透磁性材料と高導電性材料からなる低温
溶射層を交互に複数層形成しても良いことは勿論である
。 さらに、以上述べた実施例では、建屋躯体１１に第１低
温溶射層１３を直接形成した例について述べため八本発
明は、かかる実施例に限定されるものではなく、建屋躯
体と第１低温溶射層との電気的絶縁が求められる場合に
は、建屋躯体にエポキシ系樹脂等の絶縁樹脂を塗布した
後、第１低温溶射層を形成しても良いことは勿論である
。 ［００２６］ また、以上述べた実施例では、建屋躯体１１に第１低温
溶射層１３を直接形成した例について述べたが、本発明
は、かかる実施例に限定されるものではなく、例えば、
建屋躯体を構成する床、壁、天井等がモルタル、コンク
リート、ボード類等の接続部分で、亀裂９割れ等の発生
が起こり得る時には、例えば、シールド性能を有する繊
維質のシート材を貼着した後、第１低温溶射層を形成し
ても良いことは勿論である。 ［００２７］
以上述べたように、請求項１のシールドルームの製造方
法では、建屋携＝体に、磁界成分をシールドするための
高透磁性材料からなる金属、または、電界成分をシール
ドするための高導電性材料からなる金属を低温溶射し、
第１低温溶射層を形成した後、この第１低温溶射層の表
面に、電界成分をシールドするための高導電性材料から
なる金属、または、磁界成分をシールドするための高透
磁性材料からなる金属を低温溶射し、第２低温溶射層を
形成するようにしたので、簡易な構造で、かつ、従来よ
り大幅に製造コストを低減することができるという利点
がある。 ［００２８］ また、請求項２の電波暗室の製造方法では、請求項１の
ようにして製造されたシールドルームの第２低温溶射層
の表面に、電波吸収体を固定するようにしたので、簡易
な構造で、かつ、従来より大幅に製造コストを低減する
ことができるという利点がある。
法では、建屋携＝体に、磁界成分をシールドするための
高透磁性材料からなる金属、または、電界成分をシール
ドするための高導電性材料からなる金属を低温溶射し、
第１低温溶射層を形成した後、この第１低温溶射層の表
面に、電界成分をシールドするための高導電性材料から
なる金属、または、磁界成分をシールドするための高透
磁性材料からなる金属を低温溶射し、第２低温溶射層を
形成するようにしたので、簡易な構造で、かつ、従来よ
り大幅に製造コストを低減することができるという利点
がある。 ［００２８］ また、請求項２の電波暗室の製造方法では、請求項１の
ようにして製造されたシールドルームの第２低温溶射層
の表面に、電波吸収体を固定するようにしたので、簡易
な構造で、かつ、従来より大幅に製造コストを低減する
ことができるという利点がある。
［図１１
本発明のシールドルームの製造方法の一実施例によりシ
ールドルームを製造している状態を示す説明図である。
ールドルームを製造している状態を示す説明図である。
【図２］
図１のＩＩ部の詳細を示す断面図である。
【図３】
低温溶射装置の一例を示す斜視図である。
【図４】
本発明の電波暗室の製造方法の一実施例により製造され
た電波暗室の壁部を示す断面図である。
た電波暗室の壁部を示す断面図である。
１１ 建屋躯体
１３ 第」低温溶射層
１５ 第２低温溶射層
４１ 電波吸収体
図面
【図１】
【図２１
【図３】
【図４１
Claims (2)
- 【請求項１】 建屋躯体に、磁界成分をシールドするた
めの高透磁性材料からなる金属、または、電界成分をシ
ールドするための高導電性材料からなる金属を低温溶射
し、第１低温溶射層を形成した後、この第１低温溶射層
の表面に、電界成分をシールドするための高導電性材料
からなる金属、または、磁界成分をシールドするための
高透磁性材料からなる金属を低温溶射し、第２低温溶射
層を形成することを特徴とするシールドルームの製造方
法。 - 【請求項２】 建屋躯体に、磁界成分をシールドするた
めの高透磁性材料からなる金属、または、電界成分をシ
ールドするための高導電性材料からなる金属を低温溶射
し、第１低温溶射層を形成した後、この第１低温溶射層
の表面に、電界成分をシールドするための高導電性材料
からなる金属、または、磁界成分をシールドするための
高透磁性材料からなる金属を低温溶射し第２低温溶射層
を形成し、この後、この第２低温溶射層の表面に、電波
吸収体を固定することを特徴とする電波暗室の製造方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-206336 | 1990-08-03 | ||
| JP20633690 | 1990-08-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493479A true JPH0493479A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2804848B2 JP2804848B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=16521616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2400678A Expired - Lifetime JP2804848B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-12-06 | シールドルームおよび電波暗室の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2804848B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163580A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Tekunet:Kk | 無反射型電磁波シールド構造体 |
| WO2005050778A1 (de) * | 2003-11-14 | 2005-06-02 | Leoni Ag | Begehbarer raum und verfahren zur ausbilding einer antenne oder einer abschirmung |
-
1990
- 1990-12-06 JP JP2400678A patent/JP2804848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11163580A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Tekunet:Kk | 無反射型電磁波シールド構造体 |
| WO2005050778A1 (de) * | 2003-11-14 | 2005-06-02 | Leoni Ag | Begehbarer raum und verfahren zur ausbilding einer antenne oder einer abschirmung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2804848B2 (ja) | 1998-09-30 |
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