JPH0492452A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0492452A JPH0492452A JP20981890A JP20981890A JPH0492452A JP H0492452 A JPH0492452 A JP H0492452A JP 20981890 A JP20981890 A JP 20981890A JP 20981890 A JP20981890 A JP 20981890A JP H0492452 A JPH0492452 A JP H0492452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- wiring
- hole
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置における配線の接続方法に関する。
［従来の技術］
従来の半導体装置における配線の接続方法は第−層目の
導電層としてシリコン基板表面に不純物を拡散した拡散
層と、第二層目の導電層として第一層目の配線と、第三
層目の導電層として第二層目の配線を有し、前記拡散層
と前記第一層目の配線とを電気的に接続するために第一
層目の絶縁膜に開孔されたコンタクトホールと、前記第
一層目の配線と前記第二層目の配線とを電気的に接続す
るために第二Ｎ目の絶縁膜に開孔されたスルーホールと
は異なった位置に配置されていた。
導電層としてシリコン基板表面に不純物を拡散した拡散
層と、第二層目の導電層として第一層目の配線と、第三
層目の導電層として第二層目の配線を有し、前記拡散層
と前記第一層目の配線とを電気的に接続するために第一
層目の絶縁膜に開孔されたコンタクトホールと、前記第
一層目の配線と前記第二層目の配線とを電気的に接続す
るために第二Ｎ目の絶縁膜に開孔されたスルーホールと
は異なった位置に配置されていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら従来の技術では配線密度があまり高められ
ないという問題点があった。
ないという問題点があった。
そこで本発明はコンタクトホールとスルーホールを同軸
上に配置することにより配線密度の高い優れた半導体装
置を提供することを目的とする。
上に配置することにより配線密度の高い優れた半導体装
置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
（１）第一層目の導電層と、前証第−層目の４電層上に
形成された第一層目の絶縁膜と、前記第層巨の絶縁膜上
に形成された第二層目の導電層と、前記第二層目の導電
層上に形成された第二層目の絶縁膜と、前記第二層目の
絶縁膜上に形成された第三層目の導電層と、前記第一層
目の導電層と前記第二層目の導電層を電気的に接続する
ために前記第一層目の絶縁膜に開孔された孔と、前記開
孔された孔と同軸上に配置され、前記第三層目の導電層
と前記第三層目の導電層を電気的に接続するために第二
層目の絶縁膜に開孔された孔を有することを特徴とする
。
形成された第一層目の絶縁膜と、前記第層巨の絶縁膜上
に形成された第二層目の導電層と、前記第二層目の導電
層上に形成された第二層目の絶縁膜と、前記第二層目の
絶縁膜上に形成された第三層目の導電層と、前記第一層
目の導電層と前記第二層目の導電層を電気的に接続する
ために前記第一層目の絶縁膜に開孔された孔と、前記開
孔された孔と同軸上に配置され、前記第三層目の導電層
と前記第三層目の導電層を電気的に接続するために第二
層目の絶縁膜に開孔された孔を有することを特徴とする
。
（２）前記第三層目の導電層としてアルミニウムの下層
に高融点、金属を有する二層構造の金属配線を有するこ
とを特徴とする。
に高融点、金属を有する二層構造の金属配線を有するこ
とを特徴とする。
（３）前記第一層目の導電層と前記第二層目の配線を電
気的に接続するために前記第一層目の絶縁膜に開孔され
た孔の直径が前記第一層目の絶縁膜の膜厚の２倍〜３倍
以下程度であることを特徴とする６ （４）前記第二層目の導電層について前記第一層目の絶
縁膜と同等か、もしくはより厚い膜厚であることを特徴
とする。
気的に接続するために前記第一層目の絶縁膜に開孔され
た孔の直径が前記第一層目の絶縁膜の膜厚の２倍〜３倍
以下程度であることを特徴とする６ （４）前記第二層目の導電層について前記第一層目の絶
縁膜と同等か、もしくはより厚い膜厚であることを特徴
とする。
（５）前記第二層目の導電層と、前記第三層目の導電層
を形成する際に加熱しながらスパッタすることを特徴と
する。
を形成する際に加熱しながらスパッタすることを特徴と
する。
（６）前記第二層目の導電層と前記第三層目の導電層を
電気的に接続するために第一層目の絶縁膜に開孔された
孔と、前記第二層目の導電層と前記第三層目の導電層を
電気的に接続するために第二層目の絶縁膜に開孔された
孔の側壁が傾斜していることを特徴とする。
電気的に接続するために第一層目の絶縁膜に開孔された
孔と、前記第二層目の導電層と前記第三層目の導電層を
電気的に接続するために第二層目の絶縁膜に開孔された
孔の側壁が傾斜していることを特徴とする。
（７）前記第二層目の導電層としてアルミニウムの下層
に高融点金属を有する二層構造の金属配線を有すること
を特徴とする。
に高融点金属を有する二層構造の金属配線を有すること
を特徴とする。
本発明の上記の構成によればコンタクトホールは第一層
目の絶縁膜の膜厚の２〜３倍程度以下の直径て（ｉｊｌ
ｌ壁に傾斜をつけて開孔し、第一層目の配線としてアル
ミニウムの下層に高融点金属を有する二層構造の金属配
線を加熱をしながらスパッタして第一層目の絶縁膜の膜
厚より厚く形成することによりコンタクトホールにおけ
る第一層目の配線のステップカバレージが非常に良好に
なり、コンタクトホール上での第一層目の配線の表面が
平坦化される。
目の絶縁膜の膜厚の２〜３倍程度以下の直径て（ｉｊｌ
ｌ壁に傾斜をつけて開孔し、第一層目の配線としてアル
ミニウムの下層に高融点金属を有する二層構造の金属配
線を加熱をしながらスパッタして第一層目の絶縁膜の膜
厚より厚く形成することによりコンタクトホールにおけ
る第一層目の配線のステップカバレージが非常に良好に
なり、コンタクトホール上での第一層目の配線の表面が
平坦化される。
次に前記コンタクトホールと同軸上にスルーホルを側壁
に傾斜をつけて開孔し、第二層目の配線としてアルミニ
ウムの下層に高融点金属を有する二層構造の金属配線を
加熱しながらスパッタすることにより、下部のコンタク
トホールの影響で大きな段差をしているスルーホールを
良好なステップカバレージで第二層目の配線を形成する
ことができる。上記、側壁に傾斜をつけることは、スパ
ンターされた金属の入射を容易にし、又、アルミニウム
の下層に高融点金属を用いることは、アルミニウムとの
ぬれ性をよくして、コンタクトホールをＡ２で埋め込む
事を一層容易にする。
に傾斜をつけて開孔し、第二層目の配線としてアルミニ
ウムの下層に高融点金属を有する二層構造の金属配線を
加熱しながらスパッタすることにより、下部のコンタク
トホールの影響で大きな段差をしているスルーホールを
良好なステップカバレージで第二層目の配線を形成する
ことができる。上記、側壁に傾斜をつけることは、スパ
ンターされた金属の入射を容易にし、又、アルミニウム
の下層に高融点金属を用いることは、アルミニウムとの
ぬれ性をよくして、コンタクトホールをＡ２で埋め込む
事を一層容易にする。
［実 施 例］
本発明の半導体装置における配線の接続方法のひとつの
実施例の断面図を第一図に示す。図中１０１はシリコン
基板表面に不純物を拡散した拡散層、＋０２は第一層目
の絶縁膜、１０７と１０３は二層構造をもつ第一層目の
配線のうちの下層の高融点金属と上層のアルミニウム、
１０４は第二層目の絶縁膜、１０８と１０５は二層構造
をもつ第二層目の配線のうちの下層の高融点金属と上層
のアルミニウム、１０６はパッシベーション膜である。
実施例の断面図を第一図に示す。図中１０１はシリコン
基板表面に不純物を拡散した拡散層、＋０２は第一層目
の絶縁膜、１０７と１０３は二層構造をもつ第一層目の
配線のうちの下層の高融点金属と上層のアルミニウム、
１０４は第二層目の絶縁膜、１０８と１０５は二層構造
をもつ第二層目の配線のうちの下層の高融点金属と上層
のアルミニウム、１０６はパッシベーション膜である。
以下、詳細は工程を追いながら説明する。まずシリコン
基板の表面に不純物を拡散して形成した拡散層１０１上
に第一層目の絶縁膜１０２をＣＶＤ法により約５０００
人形成する。次にフォト工程においてコンタクトホール
を開孔する部分はレジストを除去し、まず等方性エツチ
ングを行なった後、異方性エツチングを行なって拡散層
表面まで開孔することにより側壁に傾斜をつけたコンタ
クトホールを開孔することができる。またこのときに開
孔されるコンタクトホールの直径は拡散層表面において
一層目の絶縁膜厚の約２倍〜３倍以下１．０μｍ程度と
する。このような形状のコンタクトホールを開孔するこ
とにより第一層目の配線を良好なステップカバレージで
形成することができる。
基板の表面に不純物を拡散して形成した拡散層１０１上
に第一層目の絶縁膜１０２をＣＶＤ法により約５０００
人形成する。次にフォト工程においてコンタクトホール
を開孔する部分はレジストを除去し、まず等方性エツチ
ングを行なった後、異方性エツチングを行なって拡散層
表面まで開孔することにより側壁に傾斜をつけたコンタ
クトホールを開孔することができる。またこのときに開
孔されるコンタクトホールの直径は拡散層表面において
一層目の絶縁膜厚の約２倍〜３倍以下１．０μｍ程度と
する。このような形状のコンタクトホールを開孔するこ
とにより第一層目の配線を良好なステップカバレージで
形成することができる。
次に窒化チタンを約１０００人スパッタし、アルミニウ
ムを加熱を行ないながら約８０００人スパッタ法により
形成し、フォトエッチすることにより、コンタクトホー
ルにおいて良好なステップカバレージで第一層目の配線
を形成すると同時に第一層目の配線と拡散層の接続抵抗
を低くおさえることができる。次に第二層目の絶縁Ｉｔ
！１０４をＣＶＤ法により約５０００人形成する。次に
フォト工程においてコンタクトホールを開孔する部分は
レジストを除去し、まず等方性エツチングを行なった後
、異方性エツチングを行なって第一層目の配線の表面ま
で開孔することにより側壁に傾斜をつけたスルーホール
を開孔することができる。
ムを加熱を行ないながら約８０００人スパッタ法により
形成し、フォトエッチすることにより、コンタクトホー
ルにおいて良好なステップカバレージで第一層目の配線
を形成すると同時に第一層目の配線と拡散層の接続抵抗
を低くおさえることができる。次に第二層目の絶縁Ｉｔ
！１０４をＣＶＤ法により約５０００人形成する。次に
フォト工程においてコンタクトホールを開孔する部分は
レジストを除去し、まず等方性エツチングを行なった後
、異方性エツチングを行なって第一層目の配線の表面ま
で開孔することにより側壁に傾斜をつけたスルーホール
を開孔することができる。
このときコンタクトホールと同軸上にスルーホールが開
孔されてもコンタクトホール部分における第一層目の配
線の表面は平坦化されているために、スルーホールのア
スペクト比を比較的低くおさえることができる。次に高
融点金属１０８としてチタンを約１０００人スパッタし
、アルミニウムを約８０００人スパッタ法により形成し
、フォトエッヂすることにより第二層目の配線１０５を
形成する。このときスルーホールにおいては第一層目の
配線のアルミニウムと第二層目の配線のアルミニウムは
第二層目の配線の下層に形成したチタンを介して接続さ
れるために、チタンとアルミニウムの接続抵抗が大きく
影響するものと予想されるが、これについては熱をかけ
ることによりアルミニウムとチタンが化合するために接
続抵抗の増大をおさえることができる。このような構造
の第二層目の配線を用いることにより、スルーホルにお
いて良好なステップカバレージで第二層目の配４８１０
５を形成すると同時に第二層目の配線と第一層目の配線
の接続抵抗を低くおさえることがてきる。
孔されてもコンタクトホール部分における第一層目の配
線の表面は平坦化されているために、スルーホールのア
スペクト比を比較的低くおさえることができる。次に高
融点金属１０８としてチタンを約１０００人スパッタし
、アルミニウムを約８０００人スパッタ法により形成し
、フォトエッヂすることにより第二層目の配線１０５を
形成する。このときスルーホールにおいては第一層目の
配線のアルミニウムと第二層目の配線のアルミニウムは
第二層目の配線の下層に形成したチタンを介して接続さ
れるために、チタンとアルミニウムの接続抵抗が大きく
影響するものと予想されるが、これについては熱をかけ
ることによりアルミニウムとチタンが化合するために接
続抵抗の増大をおさえることができる。このような構造
の第二層目の配線を用いることにより、スルーホルにお
いて良好なステップカバレージで第二層目の配４８１０
５を形成すると同時に第二層目の配線と第一層目の配線
の接続抵抗を低くおさえることがてきる。
次にパッシベーション膜２０６として窒化硅素膜を約５
ｏｏｏ人形成する。
ｏｏｏ人形成する。
以上述べたような本発明の半導体装置の配線構造によれ
ばコンタクトホールと同軸上に開孔したスルーホールに
おいて、デバイスとしての信頼性を低下させずに低い接
続抵抗によって配線の接続をすることができ、これによ
って配線密度が高く優れた半導体装置を提供することが
できる。
ばコンタクトホールと同軸上に開孔したスルーホールに
おいて、デバイスとしての信頼性を低下させずに低い接
続抵抗によって配線の接続をすることができ、これによ
って配線密度が高く優れた半導体装置を提供することが
できる。
また、本発明のもう一つの実施例として前記第一層目の
配線は配線としては使用せずに第二層目の配線だけを配
線として使用して拡散層と配線との間の絶縁膜の膜厚を
厚くとり、電気的な容量を小さくおさえることにより高
速な信号伝達を可能とし、遅延の少ない優れた半導体装
置を提供することができる。
配線は配線としては使用せずに第二層目の配線だけを配
線として使用して拡散層と配線との間の絶縁膜の膜厚を
厚くとり、電気的な容量を小さくおさえることにより高
速な信号伝達を可能とし、遅延の少ない優れた半導体装
置を提供することができる。
尚、ここでは第一の導電層としてシリコン基板表面に不
純物を拡散した拡散層と、第二の導電層及び第三の導電
層としてアルミニウム配線を例に挙げて説明しているが
、本発明はこれに限定されるものではないことは言うま
でもない。例えば第一、第二及び第三層目の導電層とし
て第二、第三及び第四層目のアルミニウム配線を用いて
も主旨を逸脱するものではない、また、第−及び第二層
目の配線の下層を形成する高融点金属としてここでは窒
化チタン、チタンを挙げて説明しているが２本発明はこ
れに限定されるものではなく配線の主材料である例えば
アルミニウムとのぬれ性がよく、コンタクト抵抗が低い
材料であればよいということは言うまでもない。
純物を拡散した拡散層と、第二の導電層及び第三の導電
層としてアルミニウム配線を例に挙げて説明しているが
、本発明はこれに限定されるものではないことは言うま
でもない。例えば第一、第二及び第三層目の導電層とし
て第二、第三及び第四層目のアルミニウム配線を用いて
も主旨を逸脱するものではない、また、第−及び第二層
目の配線の下層を形成する高融点金属としてここでは窒
化チタン、チタンを挙げて説明しているが２本発明はこ
れに限定されるものではなく配線の主材料である例えば
アルミニウムとのぬれ性がよく、コンタクト抵抗が低い
材料であればよいということは言うまでもない。
［発明の効果］
以上述べたような本発明によればコンタクトホールとス
ルーホールを同軸上に形成することにより配線密度を高
めることができる。また、第一層目の配線はコンタクト
ホール部のみに形成し、第二層目の配線だけを配線とし
て使用することにより、信号の伝達速度の速い配線を形
成することができる。
ルーホールを同軸上に形成することにより配線密度を高
めることができる。また、第一層目の配線はコンタクト
ホール部のみに形成し、第二層目の配線だけを配線とし
て使用することにより、信号の伝達速度の速い配線を形
成することができる。
第１図は本発明の半導体装置のひとつの実施例の断面図
である。 第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １０１ 、２０１ ・ １０２、２０２ ・ １０３、２０３ ・ １０４、２０４ １０５、２０５ ・ １０６、２０６ ・ １０７ ・ ・ ・ ・ ・ １０８ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・拡散層 ・第一層目の絶縁膜 ・第一層目の配線 第二層目の絶縁膜 ・第二層目の配線 ・パッシベーション膜 ・第一層目の配線の高融点 金属 ・第二層目の配線の高融色、 金属 以上 第１０
である。 第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １０１ 、２０１ ・ １０２、２０２ ・ １０３、２０３ ・ １０４、２０４ １０５、２０５ ・ １０６、２０６ ・ １０７ ・ ・ ・ ・ ・ １０８ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・拡散層 ・第一層目の絶縁膜 ・第一層目の配線 第二層目の絶縁膜 ・第二層目の配線 ・パッシベーション膜 ・第一層目の配線の高融点 金属 ・第二層目の配線の高融色、 金属 以上 第１０
Claims (7)
- （１）第一層目の導電層と、前記第一層目の導電層上に
形成された第一層目の絶縁膜と、前記第一層目の絶縁膜
上に形成された第二層目の導電層と、前記第二層目の導
電層上に形成された第二層目の絶縁膜と、前記第二層目
の絶縁膜上に形成された第三層目の導電層と、前記第一
層目の導電層と前記第二層目の導電層を電気的に接続す
るために前記第一層目の絶縁膜に開孔された孔と、前記
開孔された孔と同軸上に配置され、前記第二層目の導電
層と前記第三層目の導電層を電気的に接続するために第
二層目の絶縁膜に開孔された孔を有することを特徴とす
る半導体装置。 - （２）前記第三層目の導電層としてアルミニウムの下層
に高融点金属を有する二層構造の金属配線を有すること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - （３）前記第一層目の導電層と前記第二層目の配線を電
気的に接続するために前記第一層目の絶縁膜に開孔され
た孔の直径が前記第一層目の絶縁膜の膜厚の２倍〜３倍
以下程度であることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置。 - （４）前記第二層目の導電層について前記第一層目の絶
縁膜と同等か、もしくはより厚い膜厚であることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。 - （５）前記第二層目の導電層と、前記第三層目の導電層
を形成する際に加熱しながらスパッタすることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置。 - （６）前記第二層目の導電層と前記第三層目の導電層を
電気的に接続するために第一層目の絶縁膜に開孔された
孔と、前記第二層目の導電層と前記第三層目の導電層を
電気的に接続するために第二層目の絶縁膜に開孔された
孔の側壁が傾斜していることを特徴とする請求項１記載
の半導体装置。 - （７）前記第二層目の導電層としてアルミニウムの下層
に高融点金属を有する二層構造の金属配線を有すること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20981890A JPH0492452A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20981890A JPH0492452A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492452A true JPH0492452A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16579125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20981890A Pending JPH0492452A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0492452A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008143313A1 (ja) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置 |
| JP2009054879A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積回路の製造方法 |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP20981890A patent/JPH0492452A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008143313A1 (ja) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置 |
| JP2009054879A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積回路の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100342897B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| JPH11154679A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0492452A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5950544A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JP2850380B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2705111B2 (ja) | 半導体集積回路の多層配線構造の製造方法 | |
| JPH0577185B2 (ja) | ||
| JP2803188B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JPH03131032A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63107141A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0697299A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2818979B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1154617A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0298960A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02148755A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06125012A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JPH0415925A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01230269A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH05304216A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05136270A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01268043A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08274164A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08222627A (ja) | 多層配線の接続方法 | |
| JPH02162745A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03296219A (ja) | 半導体装置 |