JPH0488660A - 実装部材 - Google Patents

実装部材

Info

Publication number
JPH0488660A
JPH0488660A JP20431190A JP20431190A JPH0488660A JP H0488660 A JPH0488660 A JP H0488660A JP 20431190 A JP20431190 A JP 20431190A JP 20431190 A JP20431190 A JP 20431190A JP H0488660 A JPH0488660 A JP H0488660A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
sheet
mounting member
heat
board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20431190A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Magai
勝 真貝
Kazuyuki Iwata
和志 岩田
Yoshihiro Yoshida
芳博 吉田
Takeshi Kozuka
小塚 武
Tsutomu Sakatsu
務 坂津
Hiroshi Kobayashi
寛史 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP20431190A priority Critical patent/JPH0488660A/ja
Publication of JPH0488660A publication Critical patent/JPH0488660A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野] 本発明は、実装基板に例えば発熱し易い半導体素子を実
装するのに好適な実装部材に関する。
〔従来の技術] 近時、パワートランジスタ、パワーMO3FET、発光
ダイオード等のような半導体素子においては、その実装
密度を高めるために高集積化、小型化に拍車がかかって
おり、それに伴って単位面積当りの発熱量が増加する傾
向にある。
このように発熱する半導体素子を実装基板に実装する場
合、例えば素子に隣接する放熱板を設け、前記半導体素
子の放熱効果を高めるというような工夫が従来からなさ
れている。また、この放熱板は、多くの場合熱伝導性の
良い金属(例えばアルミニウム)から形成されるため、
半導体素子の電気的接続部分とは接触しないようにする
(絶縁する)必要が有り、例えばこの接続部とはほぼ反
対側の絶縁被覆上に放熱板が取付けられている。
[発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、このような従来の半導体素子の実装技術
にあっては、放熱板(放熱用の部材)を半導体素子の電
気的接続部分から離して設置していたため、半導体素子
が実装基板に近接する部分で発生する熱、特にその接続
部周辺からの熱を積極的に放熱することができなかった
また、異方性導電シートのように高密度実装に適用する
ものにあっても、絶縁部材を熱伝導率の低い樹脂から形
成していたため、放熱性が悪いという問題があった。
[発明の目的] そこで、本発明は、接続部を取り囲む熱伝導性の良い実
装部材を設けるにより、実装する半導体素子の接続部か
ら発生する熱をこの実装部材により積極的に拡散させ、
放熱性を高めることを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
請求項1記載の発明は、上記目的達成のため、実装基板
と、該実装基板上に実装された半導体素子との間に介装
される実装部材であって、陽極酸化された絶縁部で前記
実装基板と半導体素子との接続部を取り囲み該接続部か
らの熱を伝導するシート部を有することを特徴とするも
のであり、請求項2記載の発明は、上記目的達成のため
、前記絶縁部に形成される複数の空孔に、導電材料を埋
め込み、異方性接続を可能にしたことを特徴とするもの
である。
また、請求項3記載の発明は、上S己各発明におけるシ
ート部に放熱部材を結合するようにしたことを特徴とす
るものである。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1〜3図は本発明の一実施例を示す図であり、本発明
を異方性導電シートに適用した例を示している。
まず、構成を説明する。
第1.2図において、■は異方性導電シートであり、異
方性導電シート1はその厚さ方向に貫通する導体部2を
有している。この異方性導電シート1は導体部2を半導
体素子3の金属電極3aと実装基板4の金属電極4aと
に接触させ、半導体素子を実装基板4上に実装する実装
部材である。
また、異方性導電シート1は周縁部で熱導伝性ペースト
5を介して例えばAlからなる放熱部材6に結合されて
おり、放熱部材6は実装基板4上に画定され、複数の放
熱フィン6aによって所定の放熱面積を確保している。
一方、異方性導電シート1は、例えばアルミニウムの陽
極酸化膜(AffiZ○3)からなる絶縁部を有するシ
ート部7を形成し、そのシート部7の絶縁部の位置に厚
さ方向へ貫通するよう複数の導体部2を埋め込んだもの
である。具体的には、異方性導電シート1は、第3図(
a、)〜(C)に示すような工程で製造される。まず、
第3図(a)に示すように、導電性の基板、例えばアル
ミニウム(Al)箔11を準備し、このAffi箔11
上にレジス日2を塗布して、露光・現像によりバターニ
ングし、A/2箔11を陽極とする酸性溶液中の電気分
解でこのA2箔11を選択的に陽極酸化する。そして、
第3図(b)に示すように、A2□0.からなる陽極酸
化部13(絶縁部)を形成する。この陽極酸化の処理は
、例えば5〜20%の硫酸溶液を使用し、条件を例えば
温度10〜25°C(変動幅土2°C以内)、電流密度
0.6〜3 A / d m”で10−120分とする
ものであり、この処理により孔径10〜30n m (
0,03μm以下)、孔ピッチ30〜90nmの多数の
@細な孔(図示していない)を有する多孔室皮膜として
陽極酸化部13が形成される。あるいは、例えば2〜1
0%のリン酸を含む電解液を使用し、条件を温度20〜
30°C(変動幅=2°C以内)、印加電圧20〜16
0■で30〜120分(電流密度0.5〜3A/dm2
)とする処理を行うことができ、この処理により孔径0
.2μm以下で陽極酸化部13の厚さ方向に延在する多
数の微細孔が孔ピッチ0.3〜0.4μm程度に形成さ
れる。
一方、例えばA/2箔11の一面側に電極(図示してい
ない)を配置し、電解析出によって前記複数の微細な孔
内に熱伝導性の良い(熱伝導率が高い)導電性材料、例
えば金のような金属を埋め込んで、第3図(c)に示す
ように、導体部2を形成する。
なお、半導体素子3と実装基板4の接続部である導体部
2を取り囲むように、各導電部は、前記微細孔の複数個
に埋設された導電材料が異方性導電シート1の上下面で
一体化して突起電極を形成するまで、前記電解析出を継
続するのが好ましい。
この電解析出の条件は、例えば浴温50〜70°C1電
流密度0.1〜20A/dm2、時間10〜120分で
ある。また、導体部2のその他の形成方法としては、陽
極酸化膜12の微細な孔を適当な孔径に処理し、無電解
メツキにより、又は、蒸着、スパッタリング、CVD等
のドライメンキにより導電材料を埋め込む方法を採用で
きる。
このような構成によれば、接続部である導体部2がシー
ト部7の陽極酸化部13、すなわち、熱伝導性の良い(
例えば238 W/m−に程度)アルミナ層(Aj22
Ch)に埋め込まれていることから、半導体素子3の接
続部から発生する熱を異方性導電シート1のシート全面
及び実装基板4側に積極的に拡散させることができ、異
方性導電シート1の放熱性を高めるとともに、所望の異
方性接続が実現できる。また、異方性導電シート1は、
Affiの陽極酸化膜(Af203 )からなる陽極酸
化部13を介して半導体素子3と放熱部材6とを熱的に
結合しているので、異方性導電シート1による良好な放
熱性を確保しつつ、放熱部材6への電流のリークを確実
に防止することができる。
〔効果] 本発明によれば、陽極酸化された絶縁部で実装基板と素
子との接続部を取り囲むようにしているので、この絶縁
部での熱伝導を良好にすることができ、素子の接続部等
から発生する熱を積極的に基板側に拡散させ、実装部材
による放熱性を高めることができる。
また、絶縁部に形成される複数の空孔に導電材料を埋め
込み、異方性接続を可能にすれば、良好な放熱性を確保
し得る異方性導電シートを提供できる。
さらに、前記シート部に放熱部材を結合すれば9、その
放熱性を更に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
第1〜3図は本発明に係る実装部材の一実施例を示す図
であり、 第1図はその実装部材の要部断面図、 第2図はその実装構造を示す正面図、 第3図はその製造工程の説明図である。 1・・・・・・異方性導電シート、 2・・・・・・導体部、 3・・・・・・半導体素子、 4・−・・・・実装基板、 5・・・・・・熱導伝性ペースト、 6・・・・・・放熱部材、 7・・・・・・シート部、 [3・・・・・・陽極酸化部(絶縁部)。 第1図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)実装基板と該実装基板上に実装された半導体素子
    との間に介装される実装部材であって、陽極酸化された
    絶縁部で前記実装基板と半導体素子との接続部を取り囲
    み該接続部からの熱を伝導するシート部を有することを
    特徴とする実装部材。
  2. (2)前記絶縁部に形成される複数の空孔に、導電材料
    を埋め込み、異方性接続を可能にしたことを特徴とする
    請求項1記載の実装部材。
  3. (3)前記シート部に放熱部材を結合するようにしたこ
    とを特徴とする請求項1又は2記載の実装部材。
JP20431190A 1990-07-31 1990-07-31 実装部材 Pending JPH0488660A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20431190A JPH0488660A (ja) 1990-07-31 1990-07-31 実装部材

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20431190A JPH0488660A (ja) 1990-07-31 1990-07-31 実装部材

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0488660A true JPH0488660A (ja) 1992-03-23

Family

ID=16488386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20431190A Pending JPH0488660A (ja) 1990-07-31 1990-07-31 実装部材

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0488660A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008048005B3 (de) * 2008-09-19 2010-04-08 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008048005B3 (de) * 2008-09-19 2010-04-08 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101077378B1 (ko) 방열기판 및 그 제조방법
US5774336A (en) High-terminal conductivity circuit board
JP5523299B2 (ja) パワーモジュール
US5687062A (en) High-thermal conductivity circuit board
KR100917841B1 (ko) 전자부품 모듈용 금속 기판과 이를 포함하는 전자부품 모듈및 전자부품 모듈용 금속 기판 제조방법
JP4281363B2 (ja) 配線板及び発光装置
JP2008527733A (ja) 電力基板
KR100934476B1 (ko) 회로 기판 및 그 제조 방법
JP2012064914A (ja) 放熱基板及びその製造方法
KR101027422B1 (ko) 엘이디 어레이 기판
KR20130036650A (ko) Led용 금속 기판 모듈과 그 제조 방법, 그리고 금속 기판 모듈을 이용한 차량용 led 패키지
JP2012004527A (ja) 放熱基板及びその製造方法
JPH0487213A (ja) 異方性導電膜およびその製造方法
JPH0488660A (ja) 実装部材
KR101125752B1 (ko) 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법
KR20060010763A (ko) 케이스화된 열 관리 장치 및 그 제조 방법
JP3539796B2 (ja) 熱電変換装置
JP6114948B2 (ja) 放熱構造を有する半導体装置およびその製造方法
JPH09266374A (ja) 放熱性基板の製造方法
KR101157446B1 (ko) 고방열용 메탈 인쇄회로 기판 및 그 제조방법
KR102603297B1 (ko) 고방열, 고기능성, 고집적 led조명을 위한 양면 방열기판및 이를 제조하는 방법
TW201344707A (zh) 一種新型鋁基板的製造方法
KR102657028B1 (ko) Led조명에 적용되는 고방열, 고기능성, 고집적 방열기판
JPH0495312A (ja) 異方性導電膜
JP4360285B2 (ja) 半導体パッケージおよびその製造方法