JPH0486665A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

感放射線性樹脂組成物

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JPH0486665A
JPH0486665A JP19999690A JP19999690A JPH0486665A JP H0486665 A JPH0486665 A JP H0486665A JP 19999690 A JP19999690 A JP 19999690A JP 19999690 A JP19999690 A JP 19999690A JP H0486665 A JPH0486665 A JP H0486665A
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JP
Japan
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sulfonic acid
resin
naphthoquinonediazide
bis
group
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JP19999690A
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English (en)
Inventor
Toru Kajita
徹 梶田
Chozo Okuda
奥田 長蔵
Yoshitsugu Isamoto
勇元 喜次
Takao Miura
孝夫 三浦
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JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、紫外線、遠紫外線、X線、電子線、分子線、
γ線、シンクロトロン放射線、プロトンビームなどの放
射線に感応する高集積回路作成用レジストとして好適な
感放射線性樹脂組成物に関する。
[従来の技術] ポジ型レジストは、高解像度のレジストパターンが得ら
れるので、集積回路の製造において多(用いられている
が、近年における集積回路の高集積化に伴なって、より
解像度の向上したレジストパターンを形成できるポジ型
レジストが望まれている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、従来のポジ型レジストの場合、形成すべ
きレジストパターンの間隔が0.8μm以下になると、
微細なパターン、ホールなどの露光量の少ない部分での
現像性およびパターン形状が不十分であった。
さらに集積回路の集積度の向上とともに、ウェハーのエ
ツチング方式が、従来のサイドエツチングの大きいウェ
ットエツチングから、サイドエツチングの小さいドライ
エツチングに移行している。
このドライエツチングでは、エツチング時に熱によるレ
ジストパターンが変化しないことが必要であるため、ポ
ジ型レジストには耐熱性が必要であるが、従来のポジ型
レジストは、十分な耐熱性を備えているとはいい難いも
のであった。
また従来のポジ型レジストは、フォーカスがずれた際に
、パターン形状の変形、現像性の悪化、設計線幅からの
□ずれなどが著しく、十分なフォーカス許容性を備えて
いるものではなかった。
従って本発明の目的は、高感度で、耐熱性および解像度
に優れ、十分なフォーカス許容性を備えたポジ型レジス
トとして好適な感放射線性樹脂組成物を提供することに
ある。
[課題を解決するための手段] 本発明の感放射線性樹脂組成物は、 (A)下記構造式[I a)または[Ib)H (式中、mは2または3の数である) で表わされるフェノール類の少なくとも1種(以下、「
フェノール類(A)」と称する)と、mクレゾールある
いはm−クレゾールとp−クレゾール(以下、これらを
[クレゾール類(A)」と称する)とを、アルデヒド類
を用いて重縮合して得られたアルカリ可溶性ノボラック
樹脂(以下、「樹脂(A)」と称する)、 (B)下記構造式(II) (式中、R1およびR2はそれぞれ水素原子、ハロゲン
原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアル
コキシ基およびヒドロキシル基のいずれかを示し、aお
よびbは1〜4の整数を示し、R3はヒドロキシル基で
置換されてもよい炭素数4〜12のアルキレン基を示し
、Dは水素原子および1.2−キノンジアジド基のいず
れかを示す) で表わされる化合物(以下、「化合物(B)」と称する
)、および (C)1.2−キノンジアジド化合物 を含有していることを特徴とする。
樹脂(A) 本発明において用いられる樹脂(A)は、フェノール類
(A)とクレゾール類(A)とを、アルデヒド類を用い
て重縮合して得られたノボラック樹脂である。
フェノール類(A)としては、例えば2,3キシレノー
ル、2.5−キシレノール、3,4−キシレノール、3
,5−キシレノール、2,3゜5−トリメチルフェノー
ル、3.4.5−トリメチルフェノールを挙げることが
でき、これらのうち、2.5−キシレノール、3.5−
キシレノールおよび2,3.5−トリメチルフェノール
が好ましい。これらのフェノール類(A)は、単独でま
たは2種以上を組み合わせて用いられる。
樹脂(A)の合成に際してのこれらのフェノール類(A
)、クレゾール類(A)の使用量は、mクレゾール/フ
ェノール類(A)の場合には、通常40〜95/60〜
5(モル比)、好ましくは50〜90150〜10(モ
ル比)であり、またm−クレゾール/p−クレゾール/
フェノール類(A)の場合には、通常20〜9015〜
7515〜75(モル比)、好ましくは40〜80/1
0〜50/10〜50(モル比)である。
また、ここで用いられるアルデヒド類としては、例えは
ホルムアルデヒド、トリオキサン、ノ々ラホルムアルデ
ヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピル
アルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニル
プロピルアルデヒド、βフェニルプロピルアルデヒド、
○−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、○−
クロロベンズアルデヒド、m−クロロベンスアルデヒド
、p−クロロベンスアルデヒド、0−ニトロベンズアル
デヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロベン
ズアルデヒド、0−メチルベンズアルデヒド、m−メチ
ルベンズアルデヒド、pメチルベンズアルデヒド、p−
エチルベンスアルデヒド、p−n−ブチルベンズアルデ
ヒド、フルフラールなどを挙げることができ、特にホル
ムアルデヒドを好適に用いることができる。これらのア
ルデヒド類も単独でまたは2種以上を組み合わせて用い
ることができる。
上記アルデヒド類の使用量は、フェノール類(A)とク
レゾール類(A)の合計量1モルに対し、0.7〜3モ
ルが好ましく、より好ましくは0.8〜1.5モルであ
る。
フェノール類(A)とクレゾール類(A)とアルデヒド
類との重縮合に通常用いられる触媒としは、塩酸、硝酸
、硫酸などの無機酸およびギ酸、シュウ酸、酢酸などの
有機酸の酸性触媒を挙げることができる。これら酸性触
媒の使用量は、通常、フェノール類(A)とクレゾール
類(A)との合計量1モルに対し、lXl0−5〜5X
10”モルである。
重縮合においては、通常、反応媒質として水が用いられ
るが、重縮合に用いられるフェノール類(A)およびク
レゾール類(A)がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、
反応初期から不均一系になる場合は、反応媒質として親
水性溶媒を使用することもできる。これらの親水性溶媒
としては、例えばメタノール、エタノール、プロパツー
ル、ブタノールなどのアルコール類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサンなどの環状エーテル類が挙げられる。こ
れらの反応媒質の使用量は、通常、反応原料100重量
部当たり、20〜1000重量部である。
重縮合の温度は、反応原料の反応性に応じて、適宜調整
することができるが、通常、10〜200℃、好ましく
は70〜150℃である。
重縮合の方法としては、フェノール類(A)、クレゾー
ル類(A)、アルデヒド類、酸性触媒などを一括して仕
込む方法、および酸性触媒の存在下にフェノール類(A
)、クレゾール類(A)、アルデヒド類などを反応の進
行とともに加えていく方法を採用することかできる。
重縮合終了後、系内に存在する未反応原料、酸性触媒、
反応媒質などを除去するために、−船釣には、反応系の
温度を130〜230℃に上昇させ、減圧下、例えば2
0〜50mmHg程度で揮発分を留去し、得られた樹脂
(A)を回収する。
また本発明において用いる樹脂(A)は、ポリスチレン
換算重量平均分子量(以下、r M w Jと称する)
が、通常、4,000〜20,000、特に5.000
〜15,000の範囲にあることが好ましい。Mwが2
0,000を超えると、本発明の組成物をウェハーに均
一に塗布しに(くなり、さらに現像性および感度が低下
し、またMwが4,000未満であると、耐熱性が低下
する傾向がある。
なお、Mwの高い樹脂(A)を得るためには、例えば重
縮合終了後に回収された樹脂(A)を、エチルセロソル
ブアセテート、ジオキサン、メタノール、酢酸エチルな
どの良溶媒に溶解した後、水、n−ヘキサン、n−ヘプ
タンなどの貧溶媒を混合し、次いで析出する樹脂溶液層
を分離し、高分子量の樹脂(A)を回収すればよい。
本発明の感放射線性樹脂組成物においては、上述した樹
脂(A)は、1種単独で配合されていてもよいし、また
2種以上の組み合わせで配合されていてもよい。
化合物(B) 本発明に用いられる化合物(B)は、前述した構造式〔
■〕、すなわち で表わされる化合物である。
これらの構造式において、R1およびR2は、それぞれ
水素原子;フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロ
ゲン原子;メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ
プロピル基、n−ブチル基、5ec−ブチル基、ter
t−ブチル基などの炭素数1〜4のアルキル基;メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などの炭
素数1〜4のアルコキシ基およびヒドロキシル基のいず
れかを示し、aおよびbはそれぞれ1〜4の整数を示し
、R3はブチレン基、メチルブチレン基、ペンチレン基
、メチルペンチレン基、エチルペンチレン基、プチルペ
ンチレン基、ヘキシレン基、メチルヘキシレン基、ヒド
ロキシペンチレン基などのヒドロキシル基で置換しても
よい炭素数4〜12のアルキレン基を示し、Dは水素原
子および1゜2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニ
ル基、1.2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
基、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基
、2,1−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基、
2,1−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基など
の1,2−キノンジアジド基のいずれかを示す。
前記構造式[IIEで表わされる化合物(B)の具体例
としては、 1.1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘ
キサンの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン
酸モノエステル、1,1ビス(4−ヒドロキシフェニル
)シクロヘキサンの1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸モノエステル、1.1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)シクロヘキサンの1.2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸ジエステル、1,1−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンの1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸モノエステル、1
,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン
の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエ
ステル、1゜1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シク
ロヘキサンの2.1−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸モノエステル、1,1−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)シクロヘキサンの2,1−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸モノエステル、1.1−ビス(3−
メチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1
,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)シ
クロヘキサンの1.2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸モノエステル、1,1−ビス(3,5−ジメチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1゜1
−ビス(3,5−ジーtert−ブチルー4−ヒドロキ
シフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(2,6−
シメチルー4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、
1,1−ビス(2,6−シメチルー4−ヒドロキシフェ
ニル)シクロヘキサンの1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸モノエステル、1,1−ビス(2,6
−シメチルー4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン
の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエ
ステル、1,1−ビス(2−ブロモ−4−ヒドロキシフ
ェニル)シクロヘキサン、1.1−ビス(3−メトキシ
−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−
ビス(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサンの1゜2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸ジエステル、1,1−ビス(2,4−ジヒドロキシ
フェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス(2,4−ジ
ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンの1゜2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸ジエステル、1,1−
ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)シクロヘキサン
の1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエ
ステル、1.1−ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル
)シクロヘキサンの1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸トリエステル、1,1−ビス(2,4ジヒ
ドロキシフエニル)シクロヘキサンの1,2ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホン酸トリエステル、1,1−ビ
ス(2,4−ジヒドロキシフェニル)シクロヘキサンの
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸テトラ
エステル、1゜1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
4−メチルシクロヘキサン、1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−4−メチルシクロヘキサンの1゜2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸モノエステル、
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−メチル
シクロヘキサンの1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸ジエステル、1.1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−4tert−ブチルシクロヘキサン、1,
1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4−tert−
ブチルシクロヘキサンの1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸ジエステル、1.1−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)シクロペンタン、1゜1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)シクロペンタンの2,1−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸モノエステル、1.1
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタンの2
,1−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ジエステ
ル、1゜1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロへ
ブタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)4−
ヒドロキシシクロヘキサンなどを挙げることができる。
これらの中でも、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4ヒドロキシフエ
ニル)−4−メチルシクロヘキサン、1,1−ビス(3
,5−ジメチル−4−ヒドロキンフェニル)シクロヘキ
サン、およびこれらの1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステルが好ましい。
化合物(B)は、単独でまたは2種以上の組み合わせで
使用されるが、その使用量は、通常、樹脂(A)との重
量比で、樹脂(A)/化合物(B)−9515〜501
50、特に90/10〜70/30の範囲であることが
好ましい。
1.2−キノンジアジド化合物 本発明の組成物においては、樹脂(A)および化合物(
B)に加えて、化合物(B)以外の1゜2−キノンジア
ジド化合物が配合される。このような1,2−キノンジ
アジド化合物としては、例えば1.2−ベンゾキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、1.2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステルなとが挙げら
れる。
具体的には、p−クレゾール、レゾルシノール、ピロガ
ロール、フロログリシツールなどの(ポリ)ヒドロキシ
ベンゼンの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステルまたは1.2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸エステル; 2.4−ジヒドロキシフェニルプロピルケトン、2.4
−ジヒドロキシフェニル−n−へキシルケトン、2,4
−ジヒドロキシベンゾフェノン、2゜3.4−t−ジヒ
ドロキシフェニル−n−へキシルケトン、2,3.4−
トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4.64リヒドロ
キシベンゾフエノン、2,3.4.4’  −テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、2.2’ 3,4.−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、3′−メトキシ−2,3,
4゜4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2゜2’
 4.4’  −テトラヒドロキシベンゾフェノン、2
.2’  3,4.6’ −ペンタヒドロキシベンゾフ
ェノン、  2. 3. 3’ 、 4.4’ 、  
5’ −へキサヒドロキシベンゾフェノン、2.3’ 
、4゜4’   5’   6−ヘキサヒドロキシベン
ゾフェノンなどの(ポリ)ヒドロキシフェニルアルキル
ケトンまたは(ポリ)ヒドロキシフェニルアリールケト
ンの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステル;ビス(4−ヒドロキシフェニル)
メタン、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン
、ビス(2,3,44リヒドロキシフエニル)メタン、
2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2
,2−ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン
、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル
)プロパンなどのビス[(ポリ)ヒドロキシフェニルコ
アルカンの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1.2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド
5−スルホン酸エステル; 3.5−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル、2,3゜4−
トリヒドロキシ安息香酸フェニル、3,4゜5−トリヒ
ドロキシ安息香酸ラウリル、3,4゜5−トリヒドロキ
シ安息香酸プロピル、3,4゜5−トリヒドロキシ安息
香酸フェニルなどの(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アルキ
ルエステルまたは(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アリール
エステルの1.2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸エステル; ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス
(2,3,44リヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス
(2,4,6−)ジヒドロキシベンゾイル)メタン、p
−ビス(2,5−ジヒドロキジベンゾイル)ベンゼン、
p−ビス(2,3,4トリヒドロキシベンゾイル)ベン
ゼン、p−ビス(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイ
ル)ベンゼンなどのビス[(ポリ)ヒドロキシベンゾイ
ル)アルカンもしくはビス[(ポリ)ヒドロキシベンゾ
イル)ベンゼンの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−
スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル; エチレングリコール−ジー(3,5−ジヒドロキシベン
ゾエート)、ポリエチレングリコール−ジー(3,5−
ジヒドロキシベンゾエート)、ポリエチレングリコール
−ジー(3,4,5−トリヒドロキシベンゾエート)な
どのポリエチレングリコール−ジー[(ポリ)ヒドロキ
シベンゾエート]の1,2−ベンゾキノンジアジド−4
−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸エステル;アルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂またはアルカリ可溶性レゾール樹脂(以下
、単に「樹脂(a)」と称する)の1.2−ベンゾキノ
ンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル;1
.1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニル
エタン、1,1.1−)リス(4−ヒドロキシフェニル
)エタン、4.4’  −[1−[4[1−(4−ヒド
ロキシフェニル)−1−メチルフェニルコフェニル]エ
チリデンコピスフエノールなどの置換トリフェニルエタ
ン類の1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステルまたは1.2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル; などを例示することができる。
前記1.2−キノンジアジド化合物のうち、特に2,3
.4−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2.3.4
−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,3,4.4
’ −テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3.
4゜4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、3′−
メトキシ−2,3,4,4’ −テトラヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、3′−メトキシ−2,3,4,4’ 
 −テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフト
キノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどのポリヒ
ドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステル、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−1−フェニルエタン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホン酸エステル、1.1−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン−1,
2−ナフトキノンジアジド5−スルホン酸エステル、1
,1.1−)リス(4−ヒドロキシフェニル)エタン−
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1.1.1−’トリス(4−ヒドロキシフェニル)
エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステル、4−4’ −[1−[4−[1(4−ヒド
ロキシフェニル)−1−メチルエチルコフェニル]エチ
リデンコピスフエノール−1゜2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、4−4’ −[1−[4
−[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチ
ルコフェニルコエチリデンコビスフェノール−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどが
好ましい。
また本発明においては、樹脂(a)の水酸基の水素原子
を、平均縮合率20〜100%、好ましくは40〜10
0%の割合で1.2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ニル基などの1,2キノンジアジドスルホニル基で置換
した1、2キノンジアジドスルホン酸エステルも好適に
使用することができる。
ここで樹脂(a)は、フェノール類とアルデヒド類の重
縮合によって得られるが、フェノール類としては、樹脂
(A)の合成に用いられるフェノール類(A)として例
示したもののほか、フェノール、1−ナフトール、2−
ナフトールなどを使用することができる。またアルデヒ
ド類としても、樹脂(A)の合成に用いられるものを使
用することができる。この樹脂(a)の合成に使用され
るアルデヒド類の使用量は、フェノール類1モルに対し
て、通常0.1〜3モル、好ましくは0.2〜1.5モ
ルである。またこの重縮合においては、樹脂(A)の合
成に用いる酸性触媒のほか、アルカリ性触媒も用いるこ
とができる。
ここで、アルカリ性触媒としては、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、硅酸ナトリウム、メタ
硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プ
ロピルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ
ェタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられるが、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムが好ま
しい。
樹脂(a)のMwは、エステル化反応のしやすさおよび
溶剤への溶解性の点から、通常、10゜000以下であ
ることが好ましく、200〜2゜000であることがさ
らに好ましい。
本発明の組成物において、1,2−キノンジアジド化合
物の配合量は、樹脂(A)100重量部に対して、通常
、3〜100重量部、好ましくは5〜50重量部である
が、組成物中の1,2−キノンジアジドスルホニル基の
総量は、通常、5〜25重量%、好ましくは10〜20
重量%となるように調節される。
各種配合剤 本発明の組成物においては、増感剤、界面活性剤などの
各種配合剤を配合することができる。
増感剤は、組成物の感度を向上させるために配合される
ものであり、このような増感剤としては、例えば2H−
ピリド−(3,2−b)−(1,4)−オキサジン−3
(4H)−オン類、l0H−ピリド−(3,2−b)−
(1,4)−ベンゾチアジン類ζウラゾール類、ヒダン
トイン類、パルビツール酸類、グリシン無水物類、1−
ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレ
イミド類などが挙げられる。これらの増感剤の配合量は
、樹脂(A)100重量部に対し、通常100重量部以
下、好ましくは60重量部以下である。
また界面活性剤は、組成物の塗布性、例えばストリエー
ションや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良
するために配合されるものである。
このような界面活性剤としては、例えばポリオキシエチ
レンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリル
エーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリ
オキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシ
エチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコ
ールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレ
ート、エフトップEF301、EF303、EF352
(商品名、新秋田化成社製)、メガファックスF171
、F172、F173 (商品名、大日本インキ社製)
、フロラードFC・430、FC431(商品名、住人
スリーエム社製)、アサヒガードAG710、サーフo
ンS−382,5C−101,5C−102,5C−1
03,5C−104,5C−105,5C−106(商
品名、旭硝子社製)、オルガノシロキサンポリマーKP
341(商品名、信越化学工業社製)、アクリル酸系ま
たはメタクリル酸系(共)重合体ポリフローNo、 7
5、No、95(商品名、共栄社油脂化学工業社製)が
挙げられる。
これらの界面活性剤の配合量は、組成物の固形分100
重量部当たり、通常、2重量部以下、好ましくは1重量
部以下である。
さらに本発明の組成物には、放射線照射部の潜像を可視
化させ、放射線照射時のハレーションの影響を少なくす
るために、染料や顔料を配合することができ、また接着
性を改善するために、接着助剤を配合することもできる
。さらに必要に応じて保存安定剤、消泡剤なども配合す
ることができる。
組成物の調製およびパターン形成 本発明の組成物は、前述した樹脂(A)、化合物(B)
、1.2−キノンジアジド化合物および各種配合剤の所
定量を混合することにより調製され、固形分濃度が20
〜40重量%となるように溶剤に溶解させ、孔径0.2
μm程度のフィルターでP遇することによって使用に供
される。
この際に用いられる溶剤としては、例えばエチレングリ
コールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセ
ロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエ
ン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン
、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ
−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル
、オキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタ
ン酸メチル、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオ
ネート、酢酸エチル、酢酸ブチルを用いることができる
。これらの有機溶剤は単独で、または2種以上の組み合
わせで使用される。さらに、N−メチルホルムアミド、
N、N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニ
リド、N−メチルアセトアミド、N。
N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキ
シルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプ
ロン酸、カプリル酸、1−オクタツール、1−ノナノー
ル、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチ
ル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチ
ロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニル
セロソルブアセテートなどの高沸点溶剤を添加すること
もできる。
本発明の組成物は、これを回転塗布、流し塗布、ロール
塗布などによって、例えばシリコンウェハーまたはアル
ミニウムなどが被覆されたウェハーに塗布することによ
り組成物層を形成し、所定のマスクパ・ターンを介して
該組成物層に放射線を照射し、現像液で現像することに
よりパターンの形成が行なわれる。
現像液 本発明の組成物の現像液としては、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウ
ム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン
、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロ
ピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン
、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリ
ジン、1,8−ジアザビシクロ−(5,4゜0)−7−
ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ(4,3,0)−
5−ノナンなどのアルカリ性化合物を、濃度が、通常、
1〜10重量%、好ましくは2〜5重量%となるように
溶解してなるアルカリ性水溶液が使用される。
また該現像液には、水溶性有機溶媒、例えばメタノール
、エタノールなどのアルコール類や界面活性剤を適量添
加して使用することもできる。
なお、このようなアルカリ性水溶液からなる現像液を用
いて現像を行なった場合は、−船釣には引き続き水でリ
ンスを行なう。
[実 施 例] 以下、実施例により本発明の詳細な説明するが、本発明
は、これらの実施例によって何ら制約されるものではな
い。
なお、実施例中のMwの測定およびレジストの評価は、
以下の方法により行なった。
MW  : 東洋ソーダ社製、GPCカラム(G2000H62本、
G3000H61本、G4000H61本)を用い、流
量1.5ml/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラ
ム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準
とするゲルパーミェーションクロマトグラフ(GPC)
法により測定した。
感    度: ニコン社製、N5R−150504D縮小投影露光機〔
レンズの開口数(以下、rNAJと称する’)=0.4
5) 、波長436nmのg線を用いて露光を行なうか
、またはニコン社製、N5R1505i6A縮小投影露
光機(NA=0.45)で露光時間を変化させ、波長3
65nmのi線を用いて露光を行ない、次いでテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド2.4重量%水溶液を現
像液として用い、25℃で60秒間現像し、水でリンス
し、乾燥してウェハー上にレジストパターンを形成させ
、0.6μmのライン・アンド・スペースパターン(I
L  Is)を1対1の幅に形成する露光時間(以下、
これを「最適露光時間」という)を求めた。
解像度: 最適露光時間で露光したときに解像されている最少のラ
イン・アンド・スペースパターンの寸法を測定した。
ホール解像度: 最適露光時間における最小のホールパターンの寸法を測
定した。
耐熱性: クリーンオーブン中にレジストパターンを形成したウェ
ハーを入れて、パターンが崩れ始めたときの温度を測定
した。
パターン形状: 走査型電子顕微鏡を用い、0.6μmのレジストパター
ンの現像後の方形状断面の下辺Aと上辺Bを測定し、0
.85≦B/A≦1である場合をパターン形状が良好で
あると判定した。ただし、パターン形状が裾を引いてい
たり、オーバーハング状になっている場合は、B/Aが
上記範囲に入っていても良好と判定しない。
フォーカス許容性: 走査型電子顕微鏡を用い、0.8μmのコンタクトホー
ルパターンにおいて、フォーカスを振った場合のコンタ
クトホールパターンがウェハー面まで解像されているフ
ォーカスの振れ幅、および0.6μmのライン・アンド
・スペースパターンにおいて、残膜率が95%以上でパ
ターンが解像されているフォーカスの振れ幅をフォーカ
スレンジとした。フォーカスレンジが大きいことは、良
好なフォーカス許容性を有していることを意味する。
く樹脂Aの合成〉 合成例1 m−クレゾール 46.8g (0,43モル)3.5
−キシレノール 13.2g (0,11モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 39.5g (ホルムアルデヒド:0.49モル) シュウ酸2水和物0.90g (7,lXl0−3モル) 水         52.3g および ジオキサン    193g をオートクレーブに仕込み、これを油浴に浸し、内温を
130℃に保持して撹拌しながら8時間重縮合を行ない
、反応後、室温まで戻し、内容物をビーカーに取り出し
た。
ビーカーの内容物が2層に分離した後、下層を取り出し
、濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂(A)を回収した。
この樹脂を、樹脂(A1)とする。
合成例2 m−クレゾール 45.4g (0,42モル)2.5
−キシレノール 34.2g (0,28モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 53、6g (ホルムアルデヒド:0.66モル) シュウ酸2水和物4.41g (0,035モル) 水            68g および ジオキサン    256g をオートクレーブに仕込み、合成例1と同様に重縮合を
行ない、かつ樹脂(A)を回収した。
この樹脂を、樹脂(A2)とする。
合成例3 m−クレゾール 55.2g (0,51モル)2.3
.5−)リメチルフェノール 12.3g (0,09モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 43、8g (ホルムアルデヒド:0.54モル) シュウ酸2水和物3.78g (0,03モル) 水         48.2g および ジオキサン    228g をオートクレーブに仕込み、合成例1と同様に重縮合を
行ない、かつ樹脂(A)を回収した。
この樹脂を、樹脂(A3)とする。
合成例4 撹拌機、冷却管および温度計を装着したフラスコに、 m−クレゾール 67.6g (0,63モル)2.3
.5−)リメチルフェノール 10.0g (0,073モル) p−クレゾール 31.8g (0,29モル)37重
量%ホルムアルデヒド水溶液 107.1g (ホルムアルデヒド:1.32モル) および シュウ酸2水和物1. 33g (1,06xlO−2モル) を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100℃に保
持して撹拌しながら30分間重縮合を行なった後に、 m−クレゾール 17.5g (0,16モル)および 2.3.5−トリメチルフェノール 40.0g (0,29モル) を加えてさらに40分間重縮合を行なった。
次いで油浴温度を180℃まで上昇させ、同時にフラス
コ内の圧力を30〜50 mmHgまで減圧し、水、シ
ュウ酸、未反応のホルムアルデヒド、m−クレゾール、
p−クレゾールおよび2,3.5−トリメチルフェノー
ルを除去した。次いで溶融した樹脂(A)を室温に戻し
て回収した。
この樹脂を、樹脂(A4)という。
合成例5 樹脂(A4)をエチルセロソルブアセテートに固形分が
20重量%になるように溶解した後、この樹脂溶液の重
量に対し、1.5倍のメタノールおよび等量の水を加え
て撹拌し、放置することによって2層に分離した後、樹
脂溶液層(下層)を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥し
て樹脂(A)を回収した。
この樹脂を、樹脂(A5)とする。
合成例6 合成例4で用いたのと同様なフラスコに、m−クレゾー
ル 95.2g (0,88モル)2.3.5−1リメ
チルフエノール 24.4g (0,18モル) 37重量%ホルムアルデヒド水溶液 154.0g (ホルムアルデヒド:1.90モル) および シュウ酸2水和物1.82g (0,014モル)を仕
込み、フラスコを油浴に浸し、内温を100°Cに保持
して撹拌しながら90分間重縮合を行なった後に、 m−クレゾール 23.8g (0,22モル)および 2.3.5−トリメチルフェノール 97.6g (0,72モル) を加えてさらに60分間重縮合を行なった。
次いで合成例4と同様の操作により樹脂を回収した。
この樹脂を、エチルセロソルブアセテートに固形分が2
0重量%になるように溶解した後、この樹脂溶液の重量
に対し、0.4倍のメタノールおよび等量の水を加えて
撹拌し、放置した。次いで合成例6と同様の操作により
樹脂(A)を回収した。
この樹脂を、樹脂(A6)という。
比較合成例1 m−クレゾール 96.0g (0,89モル)p−ク
レゾール 24.0g (0,22モル)37重量%ホ
ルムアルデヒド水溶液 83、 3g (ホルムアルデヒド+1.03モル) シュウ酸2水和物2.04g (0,016モル) 水          137g および ジオキサン    405g をオートクレーブに仕込み、合成例1と同様にして6時
間重縮合を行ない、合成例1と同様にして樹脂を回収し
た。
この樹脂を、樹脂(A′)とする。
実施例1〜12、比較例1〜3 前記合成例で合成された各種の樹脂(A)または樹脂(
A′)ならびに下記に述べる各種の化合物(B)および
/またはキノンジアジド化合物および溶剤を使用し、こ
れらを混合して均一溶液とした後、孔径0.2μmのメ
ンブランフィルタ−で沢過し、本発明の組成物の溶液を
調製した(実施例1〜12)。
化合物(B)としては、以下のものを使用した。
(Bl);1.1ビス(4−ヒドロキシフェニル)シク
ロヘキサン (B2)、1.1ビス(4−ヒドロキシフェニル)−4
−メチルシクロヘキサン H3 (B3);1,1ビス(3,5−ジメチル−4ヒドロキ
シフエニル)シクロヘキサン (B4);  (Bl)1モルと1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸クロリド 1モルとの縮合物 (B5);  (B2)1モルと1.2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸クロリド 1モルとの縮合物 (B6);  (B2)1モルと1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホン酸クロリド 2モルとの縮合物 キノンジアジド化合物としては、以下のものを使用した
(CI);2,3.4−トリヒドロキシベンゾフェノン
1モルと、1,2−ナフトキノ ンジアジド−5−スルホン酸クロリド 3.0モルとの縮合物。
(C2);2.3,4.4’ −テトラヒドロキシベン
ゾフェノン1モルと、1,2−ナ フトキノンジアジド−5−スルホン酸 クロリド3.5モルとの縮合物。
(C3);2,3,4.4’ −テトラヒドロキシベン
ゾフェノン1モルと、1,2−ナ フトキノンジアジド−5−スルホン酸 クロリド4.0モルとの縮合物。
(C4);4.4’ −[1−[4−[1−(4ヒドロ
キシフエニル)−1−メチルエ fルコフェニルコエチリデンコビスフ ェノール1モルと、1,2−ナフトキ ノンジアジド−5−スルホン酸クロリ ド2.0モルとの縮合物。
(C5);4,4’ −[1−[4−[1−(4ヒドロ
キシフエニル)−1−メチルエ チルコフェニル]エチリデンコピスフ エノール1モルと、1.2−ナフトキ ノンジアジド−4−スルホン酸クロリ ド2.5モルとの縮合物。
溶剤としては、以下のものを使用した。
(α);エチルセロソルブアセテート (β);2−ヒドロキシプロピオン酸エチルまた比較の
ために、化合物(B)を全く使用しない組成物の溶液(
比較例1)、およびアルカリ可溶性樹脂として比較合成
例1で合成された樹脂(A′)を使用して調製された組
成物の溶液(比較例2)を用いた。
得られた溶液を、シリコン酸化膜を有するシリコンウェ
ハー上にスピンナーを用いて塗布した後、ホットプレー
ト上で90℃にて2分間プレベークして厚さ1.2μm
のレジスト膜を形成し、レクチルを介して前記のように
波長436nm (g線)または365nm(i線)を
用いて露光し、現像し、リンスし、乾燥した後、該レジ
スト膜の感度、解像度、残膜率、現像性、耐熱性、パタ
ーン形状およびフォーカス許容性についての評価を行な
った。
評価結果を、使用した樹脂などと併せて第1表に示す。
なお、実施例1〜6および比較例1〜2はg線(NA=
0.45)を照射し、実施例7〜8はi線(NA=0.
45)を照射した。
[発明の効果] 本発明の感放射線性樹脂組成物は、特定のアルカリ可溶
性ノボラック樹脂と、特定の構造の化合物(B)とが組
み合わせで使用されていることに関連して、十分なフォ
ーカス許容性を備えているとともに、高感度で、かつ耐
熱性および解像度に優れたポジ型レジストとして好適に
使用できる。
特許出願人  日本合成ゴム株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(A)下記構造式〔 I a〕または〔 I b〕▲数
    式、化学式、表等があります▼〔 I a〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I b〕 (式中、mは2または3の数である) で表わされるフェノール類の少なくとも1種と、m−ク
    レゾールあるいはm−クレゾールとp−クレゾールとを
    、アルデヒド類を用いて重縮合して得られたアルカリ可
    溶性ノボラック樹脂、 (B)下記構造式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1およびR^2はそれぞれ水素原子、ハロ
    ゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4の
    アルコキシ基およびヒドロキシル基のいずれかを示し、
    aおよびbは1〜4の整数を示し、R^3はヒドロキシ
    ル基で置換されてもよい炭素数4〜12のアルキレン基
    を示し、Dは水素原子および1、2−キノンジアジド基
    のいずれかを示す) で表わされる化合物、および (C)1、2−キノンジアジド化合物 を含有していることを特徴とする感放射線性樹脂組成物
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05127376A (ja) * 1991-04-26 1993-05-25 Nippon Zeon Co Ltd ポジ型レジスト組成物
EP0658807B1 (en) * 1993-12-17 2000-04-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working photoresist composition
JP2006213634A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Mitsubishi Gas Chem Co Inc フェナントレンキノン誘導体及びその製造方法

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