JPH0482471A - 密着型イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、ファクシミリ装置などの原稿読取部に用い
られるイメージセンサに関し、特に、原稿画像を縮小光
学系を用いずに読取るタイプの密着型イメージセンサの
改良に関する。

従来の技術 例えば「日経エレクトロニクス」１９９０年２月１９日
号（ＮＱ４９３　）の１１２〜１１３ページに解説され
ている、完全密着型と呼ばれるイメージセンサが本出願
人らによって最近開発された。この種の従来のイメージ
センサの典型的な構造の要点を第３図に示している。

このイメージセンサは、全体のベースとなる支持基板１
の上に接続基板２とセンサ基板３とを並べて接着した基
本構造になっている。これら各基板はいずれも透明なガ
ラス板である。

センサ基板３の上面にはＳｉ膜からなる不透明な遮光層
４が形成され、その遮光層４には、光源加からの照明光
を図の下から上へ透過させるための多数の窓１４が直線
状の配列パターンであけられている。この窓１４をとも
なう遮光層４の上にＳ　ｉ０２膜からなる透明な絶縁層
５が形成され、この絶縁層５上の前記窓１４の近傍に多
数の光電変換素子（ＣｄＳ　　ＣｄＳｅ多結晶薄膜によ
る光伝導素子）６が窓１４と同様に直線状の配列パター
ンで形成されている。また、光電変換素子６の配列に付
帯して電極パターン７も形成されている。

接続基板２の上面には配線パターン１１が形成さ。

れておシ、センサ基板３の電極パターン７とこの配線パ
ターン１１とが導電性ペースト８で接続されているとと
もに、外部のドライブ回路につながるフレキシブル配線
板１２が配線パターン１１に接続される。

さらに、センサ基板３から接続基板２にわたる上面部分
には紫外線硬化樹脂からなる透明な保護層９が形成され
、その上に原稿１３と接する薄板ガラスからなる透明な
耐摩耗層１０が配設されている。

ＬＥＤアレイ等の光源側からの光が支持基板１→センサ
基板３→遮光層４の窓１４→絶縁層５→保護層９→耐摩
耗層１０と透過して原稿１３を照明し、原稿１３からの
反射光の一部が耐摩耗層１０、保護層９を経て光電変換
素子６に受光される。

発明が解決しようとする課題 第３図に示したような従来の密着型イメージセンサでは
、センサ基板３の製造上の問題から、基板３の上面の全
面に（窓列１４は除く）遮光層４を形成することができ
ず、基板３の両側端近くに遮光層４のない部分（矢印Ａ
で示す）が存在している。そのため、光源側からの光の
一部がこの非遮光部分Ａを通って下から上に漏れ出して
しまい、その漏れ光が保護層９や耐摩耗層１０の表面な
どで反射を繰シ返して光電変換素子６に達してしまう。

このような光を迷光と呼んでおり、この迷光によシイメ
ージセンサの黒レベルが上昇し、また解像度や中間調特
性も悪化する。

なお、非遮光部分Ａを生じる製造上の問題とは次のこと
である。複数個のセンサ基板３を同時に製造するだめ、
大きなガラス基板に複数個分の窓１４列や光電変換素子
６列を作り込んだ後、ガラス基板をカットして個々のセ
ンサ基板３に切り分ける。その際、ガラス基板の表面に
全面的に遮光層４を形成しておけば前記の非遮光部分Ａ
を生じないが、そうすると基板の切υ分は時に遮光層４
の上からカットすることになる。その場合はカット時に
遮光層４が局部的にはがれることが多く・それを避ける
ためにカットラインに沿って遮光層４を設けないパター
ンにしている。したがって切り分けられたセンサ基板３
の表面端部に非遮光部分Ａが生じる。

この発明は前述した従来の問題点に鑑みなされたもので
、その目的は、前述の非遮光部分による迷光を少なくし
てセンサ特性をよシ向上させることにある。

課題を解決するだめの手段 そこでこの発明では、センサ基板の光電変換素子列とは
反対側の面に第２の遮光層を設け、ここに前記窓列と対
応したパターンの第２の窓列をあけた構造を付加した。

作用 照明光源からの光は、前記第２の窓列をともなった前記
第２の遮光層で制限され、第２の窓列を通過した光が前
記センサ基板中に入り、センサ基板の光電素子列側の面
の第１の遮光層でさらに制限される。第１の遮光層には
第２の窓列と対応するパターンの第１の窓列があシ、そ
こを通過した光が原稿を照明する。第１の遮光層のない
前記非遮光部分Ａが存在していても、そこに達する以前
に第２の遮光層で不用方向への光が制限されるので、漏
れ光はきわめて少なくなる。

実施例 第１図および第２図は本発明の２つの実施例をそれぞれ
示すもので、両図において、支持基板１、接続基板２、
センサ基板３、第１の遮光層４、絶縁層５、光電変換素
子６、電極パターン７、導電性ペースト８、保護層９、
耐摩耗層１０．配線パターン１１、フレキシブル配線板
１２、原稿１３、光源側の構成は既に詳述した従来のも
の（第３図）と同じであり、本発明ではこれらの構成に
以下の構成を付加している。

第１図の実施例においては、センサ基板３の下面（支持
基板１この貼り合せ面）に第２の遮光層１５を形成する
とともに、この遮光層１５に上面側の窓１４列と対応す
る位置に同じパターンで第２の窓１９列をあけている。

また、センサ基板３の接続基板２この貼り合せ面に遮光
層１７を形成するとともに、接続基板２の下面にも遮光
層１６を形成している。

第２図の実施例においては、支持基板１の上面側（セン
サ基板３この貼シ合せ面）に第２の遮光層１８を形成し
、その遮光層１８に第２の窓１９列をあけている。

いずれの実施例においても、光源加からの光の一部が第
２の窓１９および第１の窓１４を通過して原稿１３を照
明する。ここで、センサ基板Ｂ（の上面端部に前述した
非遮光部分Ａがあっても、センサ基板３の下面側よシ光
源加に近い部分の第２の遮光層１８、第２の窓１９によ
って光の進路が制限されているので、非遮光部分Ａを通
って迷光となる光量は従来より著しく減少する。

なお、第２の窓１９の配列パターンを第１の窓１４の配
列パターンと同じにする必要はなく、迷光を低減し、有
効な照明光は効率よく通過させるようなパターンとする
。

発明の効果 以上詳細に説明したように、この発明では、センサ基板
の上面（光電変換素子側）に第１の遮光層と第１の窓を
設けるのに加えて、センサ基板の下面側にも第２の遮光
層と第２の窓を設けたので、光源から原稿に達する照明
光以外の光の進行が２つの遮光層で２重に制限されるの
で、遮光層のない隙間から漏れて光電変換素子に達する
迷光のレベルが従来のものより大幅に小さくなり、黒レ
ベル特性、解像度、中間調特性などが向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明による密着型イメージセン
サの第１および第２実施例の要部断面図、第３図は従来
の密着型イメージセンサの要部断面図である。 １・・・支持基板、２・・・接続基板、計・・センサ基
板、４・・・遮光層、５・・・絶縁層、６・・・光電変
換素子、７・・・電極パターン、８・・・導電性ペース
ト、９・・・保護層、１０・・・耐摩耗層、１１・・・
配線パターン、１２・・・フレキシブル配線板、１３・
・・原稿、】４・・・窓、１５．１６゜１７、１８・・
・遮光層、１９・・・窓、加・・・光源。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明なセンサ基板と、このセンサ基板の一方の表
   面上に形成された不透明な遮光層と、この遮光層に所定
   パターンであけられた照明光透過用の窓列と、この窓列
   の近傍において前記遮光層上に所定パターンで形成され
   た光電変換素子列と、前記センサ基板の他方の表面側に
   配設された不透明な第２の遮光層と、この第２の遮光層
   に前記窓列と対応するパターンであけられた照明光透過
   用の第２の窓列とを備えた密着型イメージセンサ。
2. （２）前記第２の遮光層は前記センサ基板の表面上に形
   成されていることを特徴とする請求項１記載の密着型イ
   メージセンサ。
3. （３）前記センサ基板の他方の表面側が透明な支持基板
   に接着されていて、その支持基板の前記センサ基板と接
   する側の表面に前記第２の遮光層が形成されていること
   を特徴とする請求項１記載の密着型イメージセンサ。