JPH0481812A - 光アイソレータ - Google Patents
光アイソレータInfo
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- JPH0481812A JPH0481812A JP19722490A JP19722490A JPH0481812A JP H0481812 A JPH0481812 A JP H0481812A JP 19722490 A JP19722490 A JP 19722490A JP 19722490 A JP19722490 A JP 19722490A JP H0481812 A JPH0481812 A JP H0481812A
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- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信、光計測および光記録において反射戻
り光の除去等に使用される光アイソレータに関する。
り光の除去等に使用される光アイソレータに関する。
従来の技術
半導体レーザを光通信等の光信号伝送系の光源として用
いる場合、半導体レーザからの出射光の一部が、伝送路
あるいは伝送用光学部品の各接続部で反射し、この反射
戻り光が半導体レーザの発振特性の不安定化や雑音増加
を引き起こす原因となる。この反射戻り光が半導体レー
ザに帰還するのを防止するために、一般に光アイソレー
タが使用されている。
いる場合、半導体レーザからの出射光の一部が、伝送路
あるいは伝送用光学部品の各接続部で反射し、この反射
戻り光が半導体レーザの発振特性の不安定化や雑音増加
を引き起こす原因となる。この反射戻り光が半導体レー
ザに帰還するのを防止するために、一般に光アイソレー
タが使用されている。
最初に第4図(a)、 (b)によって、光アイソレー
タの従来例について説明する。第4図(a)に示すよう
に、順方向27に進行してきた順方向入射光28は、ま
ず偏光子32を通過して直線偏光29となる。続いてこ
の直線偏光29は、飽和磁界35中のファラデー効果を
持つ磁気光学素子33を通過する際に、その偏光方向は
45度回転されて直線偏光30となる。従ってこの直線
偏光30は、直線偏光が通過できる方向を偏光子32と
45度の角度に配置した検光子34を通過でき、直線偏
光31となる。逆に第4図(b)に示すように、逆方向
36に進行してきた逆方向入射光37は、まず検光子3
4を通過して直線偏光38となる。
タの従来例について説明する。第4図(a)に示すよう
に、順方向27に進行してきた順方向入射光28は、ま
ず偏光子32を通過して直線偏光29となる。続いてこ
の直線偏光29は、飽和磁界35中のファラデー効果を
持つ磁気光学素子33を通過する際に、その偏光方向は
45度回転されて直線偏光30となる。従ってこの直線
偏光30は、直線偏光が通過できる方向を偏光子32と
45度の角度に配置した検光子34を通過でき、直線偏
光31となる。逆に第4図(b)に示すように、逆方向
36に進行してきた逆方向入射光37は、まず検光子3
4を通過して直線偏光38となる。
続いてこの直線偏光38は、飽和磁界35中の磁気光学
素子33を通過する際に、ファラデー効果の持つ非相反
性により、その偏光方向はさらに45度回転されて直線
偏光39となる。従ってこの直線偏光39は、偏光子3
2の光の通過できる方向と直交するために、この偏光子
32を通過できなくなる。
素子33を通過する際に、ファラデー効果の持つ非相反
性により、その偏光方向はさらに45度回転されて直線
偏光39となる。従ってこの直線偏光39は、偏光子3
2の光の通過できる方向と直交するために、この偏光子
32を通過できなくなる。
以上のような原理で、光アイソレータを用いることによ
って、反射戻り光が半導体レーザに帰還するのを防止す
ることができる。
って、反射戻り光が半導体レーザに帰還するのを防止す
ることができる。
なお、磁気光学素子としては、YIG(イツトリウム・
鉄・ガーネット)、RIG(希土類・鉄・ガーネット)
、BiRIG (ビスマス置換希土類・鉄・ガーネット
)等ガーネット構造の単結晶が一般的に用いられ、磁気
光学素子による偏光方向の回転角θは次式のように表す
ことができる。
鉄・ガーネット)、RIG(希土類・鉄・ガーネット)
、BiRIG (ビスマス置換希土類・鉄・ガーネット
)等ガーネット構造の単結晶が一般的に用いられ、磁気
光学素子による偏光方向の回転角θは次式のように表す
ことができる。
θ=VHL
ここで■はヴエルデ定数、Hは磁界の強さ、Lは磁気光
学素子の厚さである。材料の組成や種類を変更すること
によりヴエルデ定数を変えるか、磁気光学素子の厚みを
変えることにより、偏光方向の回転角を45度に合せる
ことができる。
学素子の厚さである。材料の組成や種類を変更すること
によりヴエルデ定数を変えるか、磁気光学素子の厚みを
変えることにより、偏光方向の回転角を45度に合せる
ことができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では、信号光として無偏光
光を用いる場合、偏光子を通過できる直線偏光成分以外
の光成分は偏光子によって反射され、光強度が減衰して
しまうという課題があった。
光を用いる場合、偏光子を通過できる直線偏光成分以外
の光成分は偏光子によって反射され、光強度が減衰して
しまうという課題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、無偏光光の
光強度を減衰させずに伝送し、かつ反射戻り光を遮断で
き、しかも小型軽量の光アイソレータを提供することを
目的とするものである。
光強度を減衰させずに伝送し、かつ反射戻り光を遮断で
き、しかも小型軽量の光アイソレータを提供することを
目的とするものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するための本発明による第1の手段は、
入射光を直交する2つの直線偏光に分離する第1の偏光
分離素子と、第1の直線偏光の偏光方向を45度回転さ
せる第1磁気光学素子と、45度回転された第1の直線
偏光を通過させる方向に配置した第2の偏光分離素子と
を同一光軸上に配備し、かつ第2の直線偏光の偏光方向
を45度回転させる第2の磁気光学素子を備え、第2の
直線偏光を第1の偏光分離素子から第2の磁気光学素子
に導く偏波面保存光ファイバーと、第2の磁気光学素子
から第2の偏光分離素子に導(偏波面保存光ファイバー
と、磁気光学素子に磁界を印加するための手段とを具備
し、第2の直線偏光が、その偏光方向が第1の直線偏光
の偏光方向と直交するように第2の偏光分離素子でほぼ
前記光軸上に反射され、第1の直線偏光と第2の直線偏
光とが合成された無偏光の出射光となるように構成した
ものである。
入射光を直交する2つの直線偏光に分離する第1の偏光
分離素子と、第1の直線偏光の偏光方向を45度回転さ
せる第1磁気光学素子と、45度回転された第1の直線
偏光を通過させる方向に配置した第2の偏光分離素子と
を同一光軸上に配備し、かつ第2の直線偏光の偏光方向
を45度回転させる第2の磁気光学素子を備え、第2の
直線偏光を第1の偏光分離素子から第2の磁気光学素子
に導く偏波面保存光ファイバーと、第2の磁気光学素子
から第2の偏光分離素子に導(偏波面保存光ファイバー
と、磁気光学素子に磁界を印加するための手段とを具備
し、第2の直線偏光が、その偏光方向が第1の直線偏光
の偏光方向と直交するように第2の偏光分離素子でほぼ
前記光軸上に反射され、第1の直線偏光と第2の直線偏
光とが合成された無偏光の出射光となるように構成した
ものである。
目的を達成するための第2の手段は、上記第1の手段に
おける第1の磁気光学素子と第2の磁気光学素子を、2
つの光軸を持つ1個の一体化された磁気光学素子で置換
し、第1の直線偏光と第2の直線偏光を、一体化された
磁気光学素子上のそれぞれ別の光軸を通過させて偏光方
向を45度回転させるようにしたもので、その他は第1
の手段と同じに構成したものである。
おける第1の磁気光学素子と第2の磁気光学素子を、2
つの光軸を持つ1個の一体化された磁気光学素子で置換
し、第1の直線偏光と第2の直線偏光を、一体化された
磁気光学素子上のそれぞれ別の光軸を通過させて偏光方
向を45度回転させるようにしたもので、その他は第1
の手段と同じに構成したものである。
作用
上記2つの手段により、無偏光入力は第1の偏光分離素
子により互いに直交する偏光方向を持つ2つの直線偏光
に分離され、それぞれ別の経路を経て磁気光学素子を通
過し、その磁気光学素子通過時に偏光方向が45度回転
し、第2の偏光分離素子により合成されるときには、第
1の直線偏光と第2の直線偏光の偏光方向は互いに直交
した関係となっているので、合成により減衰のない無偏
光光を出射させることができる。
子により互いに直交する偏光方向を持つ2つの直線偏光
に分離され、それぞれ別の経路を経て磁気光学素子を通
過し、その磁気光学素子通過時に偏光方向が45度回転
し、第2の偏光分離素子により合成されるときには、第
1の直線偏光と第2の直線偏光の偏光方向は互いに直交
した関係となっているので、合成により減衰のない無偏
光光を出射させることができる。
次に、反射戻り光は、第2の偏光分離素子により偏光方
向が互いに直光する2つの直線偏光に分離され、別の経
路を経て磁気光学素子を通って第1の偏光分離素子に至
る。2つの直線偏光は磁気光学素子を通過するとき、偏
光方向が45度回転するが、その回転方向が順方向入射
光の場合とは偏光方向が90度の角度を持つ方向である
ため、第2の偏光分離素子から第1の偏光分離素子へ同
一光軸上を直進する直線偏光はその偏光方向が第1の偏
光分離素子を通過できる方向ではなく直角方向に反射さ
れ光源側には現れない。偏波面保存光ファイバーを通過
した直線偏光は、磁気光学素子を通過後、第1の偏光分
離素子に接続された偏波面保存光ファイバーを通過でき
なくなる。したがって反射戻り光はこの構成の光アイソ
レータにより遮断される。
向が互いに直光する2つの直線偏光に分離され、別の経
路を経て磁気光学素子を通って第1の偏光分離素子に至
る。2つの直線偏光は磁気光学素子を通過するとき、偏
光方向が45度回転するが、その回転方向が順方向入射
光の場合とは偏光方向が90度の角度を持つ方向である
ため、第2の偏光分離素子から第1の偏光分離素子へ同
一光軸上を直進する直線偏光はその偏光方向が第1の偏
光分離素子を通過できる方向ではなく直角方向に反射さ
れ光源側には現れない。偏波面保存光ファイバーを通過
した直線偏光は、磁気光学素子を通過後、第1の偏光分
離素子に接続された偏波面保存光ファイバーを通過でき
なくなる。したがって反射戻り光はこの構成の光アイソ
レータにより遮断される。
さらに第2の直線偏光を導く経路を偏光面保存光ファイ
バを用いることによって、小型で軽量の光アイソレータ
ーが実現できる。
バを用いることによって、小型で軽量の光アイソレータ
ーが実現できる。
実施例
以下本発明の実施例について、図面を参照しながらその
構成とともに動作を説明する。
構成とともに動作を説明する。
(実施例1)
第1図および第2図は本発明による光アイソレータの第
1の実施例を示す構成図で、第1図は順方向入射時の偏
光方向の回転を説明する図、第2図は逆方向入射時の偏
光方向の回転を説明する図である。
1の実施例を示す構成図で、第1図は順方向入射時の偏
光方向の回転を説明する図、第2図は逆方向入射時の偏
光方向の回転を説明する図である。
まず第1図に示すように、順方向1に進行してきた無偏
光入射光2は、第1の偏光分離素子IOで、光軸に沿っ
て直進する第1の直線偏光3と、直角方向に反射される
第2の直線偏光6に分離される。
光入射光2は、第1の偏光分離素子IOで、光軸に沿っ
て直進する第1の直線偏光3と、直角方向に反射される
第2の直線偏光6に分離される。
第1の直線偏光3は、飽和磁界16が印加された第1の
磁気光学素子11を通過する際に、その偏光方向は光源
に向かって逆時計の回転方向に45度回転されて直線偏
光4となる。従ってこの直線偏光4は、直線偏光が通過
できる方向を第1の偏光分離素子10と45度の角度に
配置した第2の偏光分離素子12を通過できる。
磁気光学素子11を通過する際に、その偏光方向は光源
に向かって逆時計の回転方向に45度回転されて直線偏
光4となる。従ってこの直線偏光4は、直線偏光が通過
できる方向を第1の偏光分離素子10と45度の角度に
配置した第2の偏光分離素子12を通過できる。
一方、第2の直線偏光6は偏波面保存光ファイバー14
によって直線偏光7として第2の磁気光学素子13に導
かれる。この直線偏光7は、飽和磁界16が印加された
第2の磁気光学素子13を通過する際に、その偏光方向
は光源に向かって逆時計方向に45度回転されて直線偏
光8となる。この直線偏光8は偏波面保存光ファイバー
15によって直線偏光9として第2の偏光分離素子12
に導かれる。この直線偏光9の偏光方向は第2の偏光分
離素子12から反射される方向となっているため、前記
光軸の順方向に反射される。この第2の直線偏光の偏光
方向は、第1の直線偏光の偏光方向と直交しているので
、合成されて無偏光出射光5となる。このようにして、
無偏光入射光2は2方向に分離された後、再び合成され
て無偏光出射光5となるので光強度を減衰させることな
く無偏光光を通過させることができる。
によって直線偏光7として第2の磁気光学素子13に導
かれる。この直線偏光7は、飽和磁界16が印加された
第2の磁気光学素子13を通過する際に、その偏光方向
は光源に向かって逆時計方向に45度回転されて直線偏
光8となる。この直線偏光8は偏波面保存光ファイバー
15によって直線偏光9として第2の偏光分離素子12
に導かれる。この直線偏光9の偏光方向は第2の偏光分
離素子12から反射される方向となっているため、前記
光軸の順方向に反射される。この第2の直線偏光の偏光
方向は、第1の直線偏光の偏光方向と直交しているので
、合成されて無偏光出射光5となる。このようにして、
無偏光入射光2は2方向に分離された後、再び合成され
て無偏光出射光5となるので光強度を減衰させることな
く無偏光光を通過させることができる。
逆に第2図に示すように、逆方向17に進行してきた無
偏光入射光18は、第2の偏光分離素子12で、光軸に
沿って直進する第1の直線偏光19と、直角方向に反射
される第2の直線偏光23に分離される。
偏光入射光18は、第2の偏光分離素子12で、光軸に
沿って直進する第1の直線偏光19と、直角方向に反射
される第2の直線偏光23に分離される。
第1の直線偏光19は、飽和磁界16が印加された第1
の磁気光学素子11を通過する際に、ファラデー効果の
持つ非相反性により、その偏光方向は光源に向かって逆
時計方向にさらに45度回転されて直線偏光20となる
。従ってこの直線偏光20は、第1の偏光分離素子10
の光の通過できる方向と直交するために、この第1の偏
光分離素子10を通過できなくなり、直角方向に反射さ
れて直線偏光21となる。
の磁気光学素子11を通過する際に、ファラデー効果の
持つ非相反性により、その偏光方向は光源に向かって逆
時計方向にさらに45度回転されて直線偏光20となる
。従ってこの直線偏光20は、第1の偏光分離素子10
の光の通過できる方向と直交するために、この第1の偏
光分離素子10を通過できなくなり、直角方向に反射さ
れて直線偏光21となる。
一方、第2の直線偏光23は偏波面保存光ファイバー1
5によって直線偏光24として第2の磁気光学素子13
に導かれる。この直線偏光24は、飽和磁界16が印加
された第2の磁気光学素子13を通過する際に、ファラ
デー効果の持つ非相反性により、その偏光方向は光源に
向かって逆時計方向にさらに45度回転されて直線偏光
25となる。この直線偏光25は偏波面保存光ファイバ
ー14の光の通過できる方向と直交するために、この偏
波面保存光ファイバー14を通過できなくなり、戻り光
26遮断できる。
5によって直線偏光24として第2の磁気光学素子13
に導かれる。この直線偏光24は、飽和磁界16が印加
された第2の磁気光学素子13を通過する際に、ファラ
デー効果の持つ非相反性により、その偏光方向は光源に
向かって逆時計方向にさらに45度回転されて直線偏光
25となる。この直線偏光25は偏波面保存光ファイバ
ー14の光の通過できる方向と直交するために、この偏
波面保存光ファイバー14を通過できなくなり、戻り光
26遮断できる。
このようにして、分離された2つの直線偏光は、ともに
第1の偏光分離素子lOから光源方向へ戻ることができ
なくなり、光源への戻り光22を遮断できる。
第1の偏光分離素子lOから光源方向へ戻ることができ
なくなり、光源への戻り光22を遮断できる。
(実施例2)
第2の実施例について、第3図を用い、第1の実施例と
同し部分については第1図と同じ番号を付し、詳しい説
明は省略し異る点について説明する。
同し部分については第1図と同じ番号を付し、詳しい説
明は省略し異る点について説明する。
第3図において、41は2つの光軸を持つ磁気光学素子
であり、第1図に例示された第1の磁気光学素子11と
第2の磁気光学素子13を一体化したものであり、第3
図のように構成された第2の実施例は、使用する磁気光
学素子が第1の実施例と異るだけで、その作用は全く同
しである。
であり、第1図に例示された第1の磁気光学素子11と
第2の磁気光学素子13を一体化したものであり、第3
図のように構成された第2の実施例は、使用する磁気光
学素子が第1の実施例と異るだけで、その作用は全く同
しである。
発明の効果
以上の説明からも明らかなように本発明によれば、無偏
光光を減衰することなく伝達し、かつ反射戻り光を遮断
する小型で軽量の光アイソレータを提供することができ
るので、本発明の光アイソレータを用いることにより、
反射戻り光が光源に帰還するのを簡便に防止し、光源の
半導体レーザの発振特性を不安定にしたり、雑音増加を
引き起す等の反射戻り光による悪影響を防止できる。
光光を減衰することなく伝達し、かつ反射戻り光を遮断
する小型で軽量の光アイソレータを提供することができ
るので、本発明の光アイソレータを用いることにより、
反射戻り光が光源に帰還するのを簡便に防止し、光源の
半導体レーザの発振特性を不安定にしたり、雑音増加を
引き起す等の反射戻り光による悪影響を防止できる。
第1図および第2図はそれぞれ本発明による光アイソレ
ータの第1の実施例を示す構成図で、第1図は+1方向
入射時の偏光方向の回転を説明する図、第2図は逆方向
入射時の偏光方向の回転を説明する図、第3図は本発明
の他の実施例の構成図、第4図(alおよび(b)は光
アイソレータの従来例を示す説明図である。 10・・・・・・第1の偏光分離素子、11・・・・・
・第1の磁気光学素子、12・・・・・・第2の偏光分
離素子、13・・・・・・第2の磁気光学素子、14.
15・・・・・・偏波面保存光ファイバー、41・・・
・・・一体化した磁気光学素子。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名10− !
Iの偏光分級賽子 第 2 図 /4J5− 偏濠面碌存尤ファイハ 第 図 一本イヒしr−、、mh気光字11で4第 図 fα) (b)
ータの第1の実施例を示す構成図で、第1図は+1方向
入射時の偏光方向の回転を説明する図、第2図は逆方向
入射時の偏光方向の回転を説明する図、第3図は本発明
の他の実施例の構成図、第4図(alおよび(b)は光
アイソレータの従来例を示す説明図である。 10・・・・・・第1の偏光分離素子、11・・・・・
・第1の磁気光学素子、12・・・・・・第2の偏光分
離素子、13・・・・・・第2の磁気光学素子、14.
15・・・・・・偏波面保存光ファイバー、41・・・
・・・一体化した磁気光学素子。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名10− !
Iの偏光分級賽子 第 2 図 /4J5− 偏濠面碌存尤ファイハ 第 図 一本イヒしr−、、mh気光字11で4第 図 fα) (b)
Claims (2)
- (1)入射光を直交する2つの直線偏光に分離する第1
の偏光分離素子と、第1の直線偏光の偏光方向を45度
回転させる第1の磁気光学素子と、45度回転された第
1の直線偏光を通過させる方向に配置した第2の偏光分
離素子とを同一光軸上に配置し、かつ第2の直線偏光の
偏光方向を45度回転させる第2の磁気光学素子を備え
、第2の直線偏光を第1の偏光分離素子から第2の磁気
光学素子に導く偏波面保存光ファイバーと、第2の磁気
光学素子から第2の偏光分離素子に導く偏波保存光ファ
イバーと、磁気光学素子に磁界を印加するための手段と
を具備し、第2の直線偏光が、その偏光方向が第1の直
線偏光の偏光方向と直交するように第2の偏光分離素子
でほぼ前記光軸上に反射され、第1の直線偏光と第2の
直線偏光とが合成された無偏光の出射光となることを特
徴とする光アイソレータ。 - (2)第1の磁気光学素子と第2の磁気光学素子を、2
つの光軸を持つ1個の一体化された磁気光学素子で置換
し、第1の直線偏光と第2の直線偏光を前記一体化され
た磁気光学素子のそれぞれ別の光軸を通過させて偏光方
向を45度回転させるようにした請求項1記載の光アイ
ソレータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19722490A JPH0481812A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19722490A JPH0481812A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 光アイソレータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0481812A true JPH0481812A (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=16370906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19722490A Pending JPH0481812A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0481812A (ja) |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP19722490A patent/JPH0481812A/ja active Pending
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