JPH0481752A - レーザーマスク - Google Patents
レーザーマスクInfo
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- JPH0481752A JPH0481752A JP2195470A JP19547090A JPH0481752A JP H0481752 A JPH0481752 A JP H0481752A JP 2195470 A JP2195470 A JP 2195470A JP 19547090 A JP19547090 A JP 19547090A JP H0481752 A JPH0481752 A JP H0481752A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザーマスクに関し、詳しくはＩＣ生産の文
字捺印工程における従来の印刷方式に代わるレーザーに
よるマーキング装置に使用して好適なレーザー捺印用マ
スクに関するものである。
字捺印工程における従来の印刷方式に代わるレーザーに
よるマーキング装置に使用して好適なレーザー捺印用マ
スクに関するものである。
［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］従来、
ＩＣ生産における文字捺印工程は印刷方式によって行わ
れていたが、生産に時間かかかり、前処理や洗浄等の工
程が必要であった。そこで、生産性向上のために、従来
の方法に代わってレーザーを使用したマーキング技術が
検討されている。
ＩＣ生産における文字捺印工程は印刷方式によって行わ
れていたが、生産に時間かかかり、前処理や洗浄等の工
程が必要であった。そこで、生産性向上のために、従来
の方法に代わってレーザーを使用したマーキング技術が
検討されている。
しかしながら、従来検討されているのはマスクとして第
３図に示すような金属板７を使用しているために文字部
に第４図の様なブリッジ８をつけなければ″ならず、形
成される文字が歪になるという欠点があった。
３図に示すような金属板７を使用しているために文字部
に第４図の様なブリッジ８をつけなければ″ならず、形
成される文字が歪になるという欠点があった。
本発明はこのような従来の問題に鑑みなされたもので、
歪のないマーキングを行なえるレーザーマスクを提供す
ることを目的とする。
歪のないマーキングを行なえるレーザーマスクを提供す
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、本発明のレーザーマスクは
、石英ガラス基板上に、クロム膜、銅合金膜及び銅膜を
この順に積層した三層構成のパターン化された反射膜及
びその上に同じくパターン化された二酸化ケイ素膜を設
ける構成としたものである。また、マスクの表面及び反
射膜側の表面にさらに反射防止膜を設ける構成とするこ
ともできる。
、石英ガラス基板上に、クロム膜、銅合金膜及び銅膜を
この順に積層した三層構成のパターン化された反射膜及
びその上に同じくパターン化された二酸化ケイ素膜を設
ける構成としたものである。また、マスクの表面及び反
射膜側の表面にさらに反射防止膜を設ける構成とするこ
ともできる。
［作用］
本発明のレーザーマスクを使用してレーザーによるマー
キングを行なうことにより、従来の金属膜のように画像
部（文字部）にブリッジがいらなくなって歪な文字がな
くなる。また、反射膜を金属膜の三層構造にすることに
より、付着力、耐腐蝕性、エツチング形状（カケ防止）
の向上が図られる。さらに反射膜上に二酸化ケイ素膜を
設けて反射膜の変色を防止し、ここまでの工程を終了さ
せればブランクとして大量生産、保存が可能で、受注時
にパターニングから開始して少量多品種、短納期にもす
ばやく対応ができて、品質も安定する。また、マスクの
反射膜側の表面にさらに反射防止膜を設けると、画像部
（光透過部）の基板でのレーザー光の反射を防止すると
共に画像のエツジ部分を保護する。
キングを行なうことにより、従来の金属膜のように画像
部（文字部）にブリッジがいらなくなって歪な文字がな
くなる。また、反射膜を金属膜の三層構造にすることに
より、付着力、耐腐蝕性、エツチング形状（カケ防止）
の向上が図られる。さらに反射膜上に二酸化ケイ素膜を
設けて反射膜の変色を防止し、ここまでの工程を終了さ
せればブランクとして大量生産、保存が可能で、受注時
にパターニングから開始して少量多品種、短納期にもす
ばやく対応ができて、品質も安定する。また、マスクの
反射膜側の表面にさらに反射防止膜を設けると、画像部
（光透過部）の基板でのレーザー光の反射を防止すると
共に画像のエツジ部分を保護する。
［発明の詳細な説明コ
以下、さらに本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明のレーザーマスクを製造するのに用いら
れるマスクブランクの構成を示す断面図であり、石英ガ
ラス基板１上に、クロム膜２ａ、銅合金膜２ｂ及び銅膜
２ｃをこの順に積層した三層構成の反射膜２を設け、さ
らにこの上に二酸化ケイ素膜３を設けている。
れるマスクブランクの構成を示す断面図であり、石英ガ
ラス基板１上に、クロム膜２ａ、銅合金膜２ｂ及び銅膜
２ｃをこの順に積層した三層構成の反射膜２を設け、さ
らにこの上に二酸化ケイ素膜３を設けている。
ここで、石英ガラス基板１はレーザー光に対して光学的
に透明な材料であり、その厚みには本質的な制約はない
が、通常０２〜６ ｍｍ程度のものが使用される。
に透明な材料であり、その厚みには本質的な制約はない
が、通常０２〜６ ｍｍ程度のものが使用される。
また、反射膜２は、上述の如く、クロム膜２ａ。
銅合金膜２ｂ及び銅膜２ｃをこの順に積層した三層構成
よりなるが、マスクとしての遮光性を有するためには一
定の光学濃度（一般には２６〜３０程度）が必要である
。ここで言う遮光性とは、レーザー光に対しての遮光性
のことである。この光学濃度をもたせるのに要する膜厚
はクロム膜２ａ。
よりなるが、マスクとしての遮光性を有するためには一
定の光学濃度（一般には２６〜３０程度）が必要である
。ここで言う遮光性とは、レーザー光に対しての遮光性
のことである。この光学濃度をもたせるのに要する膜厚
はクロム膜２ａ。
銅合金膜２ｂ及び銅膜２ｃの三層全体で確保すればよい
ので、各層ごとの膜厚はそれぞれ任意に定めることが出
来るか、本発明では、クロム膜２ａは主として付着性、
銅合金膜（例えば銅とアルミニウムの合金等）２ｂは主
として遮光性、付着性、銅膜２Ｃは主として滞電防止の
機能を有していることから、具体的には、クロム膜２ａ
の好ましい膜厚は付着力が付くならどの厚さでも良く、
銅合金膜２ｂの好ましい膜厚はレーザー波長によっても
違うが２０００Å以上であり、また銅膜２Ｃの好ましい
膜厚は要求される滞電度にもよるが４００Å以上である
。石英ガラス基板１上にこの反射膜２を形成するには、
例えばマグネトロンスパッタリング、真空蒸着、イオン
ブレーティング、ＣＶＤ法といった従来公知の薄膜形成
方法のいずれをも採用することが出来る。特に、反射膜
２を構成する三層を連続的（例えば連続スパッタリング
）に形成するのが途中で異物の混入等がなく好ましい。
ので、各層ごとの膜厚はそれぞれ任意に定めることが出
来るか、本発明では、クロム膜２ａは主として付着性、
銅合金膜（例えば銅とアルミニウムの合金等）２ｂは主
として遮光性、付着性、銅膜２Ｃは主として滞電防止の
機能を有していることから、具体的には、クロム膜２ａ
の好ましい膜厚は付着力が付くならどの厚さでも良く、
銅合金膜２ｂの好ましい膜厚はレーザー波長によっても
違うが２０００Å以上であり、また銅膜２Ｃの好ましい
膜厚は要求される滞電度にもよるが４００Å以上である
。石英ガラス基板１上にこの反射膜２を形成するには、
例えばマグネトロンスパッタリング、真空蒸着、イオン
ブレーティング、ＣＶＤ法といった従来公知の薄膜形成
方法のいずれをも採用することが出来る。特に、反射膜
２を構成する三層を連続的（例えば連続スパッタリング
）に形成するのが途中で異物の混入等がなく好ましい。
形成された三層からなる反射膜２は例えばドライエツチ
ングによりパターン化が可能である。
ングによりパターン化が可能である。
また二酸化ケイ素膜３は反射膜２の変色を防止するもの
で、その膜厚は好ましくは２０００Å以上である。二酸
化ケイ素膜３を形成するには、前記反射膜２の形成と同
様の方法を用いることができる。
で、その膜厚は好ましくは２０００Å以上である。二酸
化ケイ素膜３を形成するには、前記反射膜２の形成と同
様の方法を用いることができる。
また該二酸化ケイ素膜３は前記反射膜２と一緒にドライ
エツチングによりパターン化ができる。
エツチングによりパターン化ができる。
次に、第１図に示す構成のマスクブランクを用いてレー
ザーマスクを製造する方法の一例を、第第２図（ａ）〜
（Ｃ）に基いて述べる。
ザーマスクを製造する方法の一例を、第第２図（ａ）〜
（Ｃ）に基いて述べる。
マスクブランクの表面に必要な洗浄を行なった後、感光
性樹脂を塗布して所望のパターンを露光し、現像してパ
ターン化されたレジスト層４を形成する（第２図（ａ）
参照）。次にドライエツチングにより、二酸化ケイ素膜
３及び反射膜２をパターン化３’、２’する（同図（ｂ
）参照）。しかる後、残存するレジスト層４を除去し、
レーザーマスクとする（同図（ｃ）参照）。図中、符号
５はレーザー光が非遮光部を透過することを示している
。
性樹脂を塗布して所望のパターンを露光し、現像してパ
ターン化されたレジスト層４を形成する（第２図（ａ）
参照）。次にドライエツチングにより、二酸化ケイ素膜
３及び反射膜２をパターン化３’、２’する（同図（ｂ
）参照）。しかる後、残存するレジスト層４を除去し、
レーザーマスクとする（同図（ｃ）参照）。図中、符号
５はレーザー光が非遮光部を透過することを示している
。
また、第２図（ｄ）に示すように、出来上がったマスク
の反射膜側の最表面に反射防止膜６を設けることが望ま
しい。このようにすると、画像部（非遮光部）ｌａの基
板でのレーザー光の反射を防止して照射光を有効利用で
きると共に、画像のエツジ部分を保護するとともに耐腐
蝕効果も有することができる。反射防止膜６の材質は使
用するレーザー光に対する反射防止特性を有するもので
あれば特に限定はされない。レーザー波長が１．０６人
のときＴ ｉ ０２を２７７人とＳ ｉ Ｏｚ２３０９
人の２層構造やＳｉＯ□単層膜でも良い。この最適反射
特性は波長によって相違し、レーザー波長１０６人のと
きは７０００人のＳｉＯ□単層膜、１．３人のときは９
４００人とすると良い。反射防止膜６を設ける方法は公
知の手段を任意に用いればよく、その膜厚は２７００人
程度である。また同様な目的で基板１の反対面側にも同
様な反射防止膜６′を設けることができる。
の反射膜側の最表面に反射防止膜６を設けることが望ま
しい。このようにすると、画像部（非遮光部）ｌａの基
板でのレーザー光の反射を防止して照射光を有効利用で
きると共に、画像のエツジ部分を保護するとともに耐腐
蝕効果も有することができる。反射防止膜６の材質は使
用するレーザー光に対する反射防止特性を有するもので
あれば特に限定はされない。レーザー波長が１．０６人
のときＴ ｉ ０２を２７７人とＳ ｉ Ｏｚ２３０９
人の２層構造やＳｉＯ□単層膜でも良い。この最適反射
特性は波長によって相違し、レーザー波長１０６人のと
きは７０００人のＳｉＯ□単層膜、１．３人のときは９
４００人とすると良い。反射防止膜６を設ける方法は公
知の手段を任意に用いればよく、その膜厚は２７００人
程度である。また同様な目的で基板１の反対面側にも同
様な反射防止膜６′を設けることができる。
なお、本発明のレーザーマスクは、以上説明したような
マスクブランクからエツチングにより（通常のパターニ
ング）形成する方法の他に、リフトオフ法を用いて形成
することもできる。
マスクブランクからエツチングにより（通常のパターニ
ング）形成する方法の他に、リフトオフ法を用いて形成
することもできる。
［実施例］
次に、本発明の具体的実施例を説明するが、本発明はこ
れらの態様に限定されるものではない。
れらの態様に限定されるものではない。
洗浄済の石英ガラス基板上に、クロム７００人。
銅−アルミニウム合金２５００人及び銅４００人の三層
構成の反射膜並びに２０００人の二酸化ケイ素膜を形成
してマスクブランクを作製した。該薄膜の形成はマグネ
トロンスパッタリングにより行なった。
構成の反射膜並びに２０００人の二酸化ケイ素膜を形成
してマスクブランクを作製した。該薄膜の形成はマグネ
トロンスパッタリングにより行なった。
反射膜の金属膜三層は連続スパッタにより行ない途中で
異物の混入がなく、レーザー波長１０６μｍに対して９
５％以上の反射率を有し、また１００ｋｇ／ｃｒｒｒ以
上の付着力を有していた。
異物の混入がなく、レーザー波長１０６μｍに対して９
５％以上の反射率を有し、また１００ｋｇ／ｃｒｒｒ以
上の付着力を有していた。
このマスクブランクに粘度が高い為−度に厚膜が形成で
きるＡＺ−５２１４Ｅ （ベキスト社製ポジ型感光性樹
脂）をドライエツチング耐性を生む程度の１．７μ厚に
スピンナー塗布してレジスト層とし、ＩＣ捺印用文字パ
ターンを露光した。しかる後、Ａ Ｚ−５２１４Ｅの指
定現像液を用いて露光部のレジスト層を除去し、レジス
トパターンを形成した。
きるＡＺ−５２１４Ｅ （ベキスト社製ポジ型感光性樹
脂）をドライエツチング耐性を生む程度の１．７μ厚に
スピンナー塗布してレジスト層とし、ＩＣ捺印用文字パ
ターンを露光した。しかる後、Ａ Ｚ−５２１４Ｅの指
定現像液を用いて露光部のレジスト層を除去し、レジス
トパターンを形成した。
次に、このレジストパターンを形成したマスクブランク
を反応性イオンエツチング装置にセットし、以下の手順
でドライエツチングを行ない、レーザーマスクを得た。
を反応性イオンエツチング装置にセットし、以下の手順
でドライエツチングを行ない、レーザーマスクを得た。
排気−０２ガス導入−０２ガスによるプラズマデイスカ
ム処理−排気−Ｃ，Ｆ、ガス導入→二酸化ケイ素膜ドラ
イエツチング−排気−Ｃｕ、ＣｕＡｆｉウェットエツチ
ング−Ｃｒウニ・ソトエ・ブランク なお、ＣｕとＣｕ−Ａｆｆｉｆｆミラエツトエツチング
５ ｇ ／ Ｑ比に希釈した酸化クロム水溶液に浸漬を
１乃至３分間室温で行う。また、Ｃｒのウニ・ノドエツ
チングは６２．５ｇ／Ｖ比に希釈過マンガン酸水溶液に
５分間３０℃〜３５℃の下で浸漬する。
ム処理−排気−Ｃ，Ｆ、ガス導入→二酸化ケイ素膜ドラ
イエツチング−排気−Ｃｕ、ＣｕＡｆｉウェットエツチ
ング−Ｃｒウニ・ソトエ・ブランク なお、ＣｕとＣｕ−Ａｆｆｉｆｆミラエツトエツチング
５ ｇ ／ Ｑ比に希釈した酸化クロム水溶液に浸漬を
１乃至３分間室温で行う。また、Ｃｒのウニ・ノドエツ
チングは６２．５ｇ／Ｖ比に希釈過マンガン酸水溶液に
５分間３０℃〜３５℃の下で浸漬する。
なお、上記二酸化ケイ素膜のエツチングはＣ２ＦＢガス
で全圧０．０１ｔｏｒｒ、放電電力密度０．３ｗ／ｃｒ
ｔｒで行ない、反射膜のエツチングは全圧０．１ｔｏｒ
ｒ。
で全圧０．０１ｔｏｒｒ、放電電力密度０．３ｗ／ｃｒ
ｔｒで行ない、反射膜のエツチングは全圧０．１ｔｏｒ
ｒ。
放電電力密度０ 、２ｗ／ｃ ｒｒｒで行なった。
得られたレーザーマスクを用いてマーキングを行なった
ところ、従来のような歪な文字がなく、きれいな文字の
マーキングが行えた。
ところ、従来のような歪な文字がなく、きれいな文字の
マーキングが行えた。
［発明の効果コ
以上詳細に説明したように、本発明のレーザーマスクを
使用してマーキングを行なうと、従来の金属版のように
画像部（文字部）にブリッジがいらなくなって歪な文字
かなくなり、きれいな文字のマーキングが行える。また
、反射膜を金属膜の三層構造にしたことにより、付着力
、対腐蝕性、エツチング形状（カケ防止）の向上が図ら
れ、さらに反射膜上に二酸化ケイ素膜を設けて反射膜の
変色を防止でき、またここまでの工程を終了させればブ
ランクとして大量生産、保存が可能で、受注時にバター
ニングから開始して少量多品種、短納期にもすばやく対
応ができ、品質も安定するようになる。また、マスクの
反射膜側の表面にさらに反射防止膜を設けることにより
、画像部（光透過部）の基板でのレーザー光の反射を防
止できると共に画像のエツジ部分を保護することができ
る。
使用してマーキングを行なうと、従来の金属版のように
画像部（文字部）にブリッジがいらなくなって歪な文字
かなくなり、きれいな文字のマーキングが行える。また
、反射膜を金属膜の三層構造にしたことにより、付着力
、対腐蝕性、エツチング形状（カケ防止）の向上が図ら
れ、さらに反射膜上に二酸化ケイ素膜を設けて反射膜の
変色を防止でき、またここまでの工程を終了させればブ
ランクとして大量生産、保存が可能で、受注時にバター
ニングから開始して少量多品種、短納期にもすばやく対
応ができ、品質も安定するようになる。また、マスクの
反射膜側の表面にさらに反射防止膜を設けることにより
、画像部（光透過部）の基板でのレーザー光の反射を防
止できると共に画像のエツジ部分を保護することができ
る。
第１図は本発明のレーザーマスクを製造するのに用いら
れるマスクブランクの構成を示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｄ）は本発明のレーザーマスクの製造法の一例を工
程順に示す断面図、第３図は従来例を示す金属版の断面
図、第４図は従来技術によるマーキング文字の一例を示
す図である。 １・・・石英ガラス基板 ２・・・反射膜 ２ａ・・・クロム膜 ２ｂ・・・銅合金膜 ２Ｃ・・・銅膜 ３・・・二酸化ケイ素膜 ４・−・レジストパターン ５・・・レーザー光 ６・・・反射防止膜 ７・・・金属板 ８・・・ブリッジ
れるマスクブランクの構成を示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｄ）は本発明のレーザーマスクの製造法の一例を工
程順に示す断面図、第３図は従来例を示す金属版の断面
図、第４図は従来技術によるマーキング文字の一例を示
す図である。 １・・・石英ガラス基板 ２・・・反射膜 ２ａ・・・クロム膜 ２ｂ・・・銅合金膜 ２Ｃ・・・銅膜 ３・・・二酸化ケイ素膜 ４・−・レジストパターン ５・・・レーザー光 ６・・・反射防止膜 ７・・・金属板 ８・・・ブリッジ
Claims (2)
- （１）石英ガラス基板上に、クロム膜、銅合金膜及び銅
膜をこの順に積層した三層構成のパターン化された反射
膜及びその上に同じくパターン化された二酸化ケイ素膜
を設けてなることを特徴とするレーザーマスク。 - （２）マスクの表面及び反射膜側の表面に反射防止膜を
設けたことを特徴とする請求項１記載のレーザーマスク
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19547090A JPH0823686B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | レーザーマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19547090A JPH0823686B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | レーザーマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0481752A true JPH0481752A (ja) | 1992-03-16 |
| JPH0823686B2 JPH0823686B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=16341618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19547090A Expired - Fee Related JPH0823686B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | レーザーマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823686B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4420417C2 (de) * | 1993-06-10 | 2002-07-18 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zur Herstellung einer Maske zur Erzeugung eines Musters auf einem Halbleiterbauelement |
| JP2008534330A (ja) * | 2005-03-30 | 2008-08-28 | ゴス インターナショナル アメリカス インコーポレイテッド | 枢着されたタッカを備えるウェブオフセット印刷機 |
| US20170183767A1 (en) * | 2015-05-28 | 2017-06-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask Plate for Laser Irradiation and Method of Laser Encapsulation Using the Same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60250345A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-11 | Toshiba Corp | 半導体装置のレ−ザマ−キング用マスク |
| JPH01214859A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Hitachi Ltd | マスク |
| JPH01243062A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Nikon Corp | フォトマスク |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP19547090A patent/JPH0823686B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60250345A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-11 | Toshiba Corp | 半導体装置のレ−ザマ−キング用マスク |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE4420417C2 (de) * | 1993-06-10 | 2002-07-18 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zur Herstellung einer Maske zur Erzeugung eines Musters auf einem Halbleiterbauelement |
| JP2008534330A (ja) * | 2005-03-30 | 2008-08-28 | ゴス インターナショナル アメリカス インコーポレイテッド | 枢着されたタッカを備えるウェブオフセット印刷機 |
| JP4740314B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-08-03 | ゴス インターナショナル アメリカス インコーポレイテッド | 枢着されたタッカを備えるウェブオフセット印刷機 |
| US20170183767A1 (en) * | 2015-05-28 | 2017-06-29 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask Plate for Laser Irradiation and Method of Laser Encapsulation Using the Same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0823686B2 (ja) | 1996-03-06 |
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