JPH0481364B2 - - Google Patents
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- JPH0481364B2 JPH0481364B2 JP60167925A JP16792585A JPH0481364B2 JP H0481364 B2 JPH0481364 B2 JP H0481364B2 JP 60167925 A JP60167925 A JP 60167925A JP 16792585 A JP16792585 A JP 16792585A JP H0481364 B2 JPH0481364 B2 JP H0481364B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- oscillation
- circuit
- base
- potential
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Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 58
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テレビジヨンチユーナー回路や
CATVコンバーターや衛星放送受信器の室内ユ
ニツトに用いられる局部発振回路に関するもので
ある。
CATVコンバーターや衛星放送受信器の室内ユ
ニツトに用いられる局部発振回路に関するもので
ある。
従来の技術
近年、CATVの普及などにより、テレビジヨ
ンチユーナーの多チヤンネル受信の必要から、入
力信号を受信信号よりも高い周波数の中間周波数
に変換し、狭帯域のバンドパスフイルターを通し
た後に第２中間周波数に変換して使用するup−
down方式のチユーナーあるいは、CATVコンバ
ーターが多く用いられるようになつてきた。この
方式の特徴は、局部発振器の発振周波数を1GHz
以上の高い部分で可変させるため、簡単な構成に
て、多チヤンネル受信を可能とするものである。
ンチユーナーの多チヤンネル受信の必要から、入
力信号を受信信号よりも高い周波数の中間周波数
に変換し、狭帯域のバンドパスフイルターを通し
た後に第２中間周波数に変換して使用するup−
down方式のチユーナーあるいは、CATVコンバ
ーターが多く用いられるようになつてきた。この
方式の特徴は、局部発振器の発振周波数を1GHz
以上の高い部分で可変させるため、簡単な構成に
て、多チヤンネル受信を可能とするものである。
以下図面を参照しながら従来の局部発振装置に
ついて説明する。第４図は従来例を示す図であ
り、図において、４１は発振用増幅器、４２は共
振回路、４３は増幅器、４４は発振周波数の可変
範囲を切換えるための切換手段を示すものであ
る。図において、増幅器４１と共振回路４２によ
り局部発振器は構成され、外部同調直流電位にて
発振周波数を変化させる。その発振出力を増幅回
路４３において増幅し、出力端子４ｃより外部回
路に供給する。また、増幅回路４３は外部回路と
のバツフアーにもなり、発振用増幅器４１、共振
回路４２で構成される発振回路の安定性を向上さ
せているものである。
ついて説明する。第４図は従来例を示す図であ
り、図において、４１は発振用増幅器、４２は共
振回路、４３は増幅器、４４は発振周波数の可変
範囲を切換えるための切換手段を示すものであ
る。図において、増幅器４１と共振回路４２によ
り局部発振器は構成され、外部同調直流電位にて
発振周波数を変化させる。その発振出力を増幅回
路４３において増幅し、出力端子４ｃより外部回
路に供給する。また、増幅回路４３は外部回路と
のバツフアーにもなり、発振用増幅器４１、共振
回路４２で構成される発振回路の安定性を向上さ
せているものである。
第４図の具体構成を第５図に示す。図の破線で
囲んだブロツクは、第４図のブロツクに対応させ
て記述している。発振用増幅器４１は、トランジ
スタQ1のコレクタをバイパス容量C1にて交流的
に接地したときに、トランジスタQ1のベースか
ら見たインピーダンスが負性になることを利用し
て、結合容量C2を介して、さらに外部直流電位
により容量を可変できるバリキヤツプD1と共振
インダクタンスL1とトランジスタQ1のベース入
力側からみた内部容量とで構成される直列 振回
路を介して交流的に接地することにより、トラン
ジスタQ1のベース側からみた負性利得と共振体
の損失がキヤンセルされ、かつ、トランジスタ
Q1のベース側からみた位相特性と、共振体の位
相特性の和が2nπ（ｎ＝０，１，２，３，……）
radとなる周波数において発振する。この発振周
波数は、端子４Ｂより加える同調電位（直流）を
変化させることにより、バリキヤツプD1の容量
を変化させ、共振体のインピーダンスの振幅、位
相特性が変化するため、発振条件を満たす周波数
も変化し、発振周波数も変化する。共振容量は、
バリキヤツプD1の容量と回路の浮遊容量の並列
和と、発振用トランジスタQ1の入力容量（主に
ベースコレクタ間の逆バイアス容量Cob）との直
列和となるため、発振器の可変範囲は、主に発振
用トランジスタQ1のCobにより制限されてしま
う。故にこれを利用して従来回路では、発振用ト
ランジスタQ1のベース電位を、端子４Ａに入力
される外部切換電位（直流）により抵抗R5を介
して切換えることにしている。すなわち、端子４
Ａの電位が高電位になつたときには、トランジス
タQ1のベース電位が上昇し、トランジスタQ1に
流れる電流が増加する。トランジスタQ1のCob
は、コレクタ電流の増大に応じて増加し、またト
ランジスタQ1のコレクタには電源Vccより抵抗
R2を介して電流を供給しているので、コレクタ
電流の増加に伴つてトランジスタQ1のコレクタ
電位が下がり、ベース、コレクタ間の逆バイアス
電圧も小さくなるので、Cobはさらに増加する方
向に働く。Cobの増加に伴つて前述のように、共
振回路に直列に挿入される容量値が増加するの
で、発振周波数は全体的に低い方に移動するもの
であり、この手段を用いない時に比べて、可変範
囲の低い部分を拡大できるという利点があつた。
（例えば特開昭59−149405号公報参照） 発明が解決しようとする問題点 ところで、従来の技術において、２つの問題点
があつた。１つは、第４図、第５図の切換電位を
高電位にしたときには、第５図の発振用トランジ
スタQ1に流れる電流が極端に増加し、例えば、
20mA→40mAのように、発振用トランジスタと
しての許容PCを越える状態になる場合が多かつ
た。第２の欠点は、第４図、第５図の増幅器４３
を用いるがために、電流が15mA程度必要になつ
てしまい、回路全体の消費電力が増加するという
ものである。
囲んだブロツクは、第４図のブロツクに対応させ
て記述している。発振用増幅器４１は、トランジ
スタQ1のコレクタをバイパス容量C1にて交流的
に接地したときに、トランジスタQ1のベースか
ら見たインピーダンスが負性になることを利用し
て、結合容量C2を介して、さらに外部直流電位
により容量を可変できるバリキヤツプD1と共振
インダクタンスL1とトランジスタQ1のベース入
力側からみた内部容量とで構成される直列 振回
路を介して交流的に接地することにより、トラン
ジスタQ1のベース側からみた負性利得と共振体
の損失がキヤンセルされ、かつ、トランジスタ
Q1のベース側からみた位相特性と、共振体の位
相特性の和が2nπ（ｎ＝０，１，２，３，……）
radとなる周波数において発振する。この発振周
波数は、端子４Ｂより加える同調電位（直流）を
変化させることにより、バリキヤツプD1の容量
を変化させ、共振体のインピーダンスの振幅、位
相特性が変化するため、発振条件を満たす周波数
も変化し、発振周波数も変化する。共振容量は、
バリキヤツプD1の容量と回路の浮遊容量の並列
和と、発振用トランジスタQ1の入力容量（主に
ベースコレクタ間の逆バイアス容量Cob）との直
列和となるため、発振器の可変範囲は、主に発振
用トランジスタQ1のCobにより制限されてしま
う。故にこれを利用して従来回路では、発振用ト
ランジスタQ1のベース電位を、端子４Ａに入力
される外部切換電位（直流）により抵抗R5を介
して切換えることにしている。すなわち、端子４
Ａの電位が高電位になつたときには、トランジス
タQ1のベース電位が上昇し、トランジスタQ1に
流れる電流が増加する。トランジスタQ1のCob
は、コレクタ電流の増大に応じて増加し、またト
ランジスタQ1のコレクタには電源Vccより抵抗
R2を介して電流を供給しているので、コレクタ
電流の増加に伴つてトランジスタQ1のコレクタ
電位が下がり、ベース、コレクタ間の逆バイアス
電圧も小さくなるので、Cobはさらに増加する方
向に働く。Cobの増加に伴つて前述のように、共
振回路に直列に挿入される容量値が増加するの
で、発振周波数は全体的に低い方に移動するもの
であり、この手段を用いない時に比べて、可変範
囲の低い部分を拡大できるという利点があつた。
（例えば特開昭59−149405号公報参照） 発明が解決しようとする問題点 ところで、従来の技術において、２つの問題点
があつた。１つは、第４図、第５図の切換電位を
高電位にしたときには、第５図の発振用トランジ
スタQ1に流れる電流が極端に増加し、例えば、
20mA→40mAのように、発振用トランジスタと
しての許容PCを越える状態になる場合が多かつ
た。第２の欠点は、第４図、第５図の増幅器４３
を用いるがために、電流が15mA程度必要になつ
てしまい、回路全体の消費電力が増加するという
ものである。
本発明は、このような従来の発明の問題点を解
消するものであり、簡単な構成にて、外部切換電
位を高電位にしたときでも、全体の電流の増加を
最小限度に抑えることのできる局部発振回路を提
供するものである。
消するものであり、簡単な構成にて、外部切換電
位を高電位にしたときでも、全体の電流の増加を
最小限度に抑えることのできる局部発振回路を提
供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明の局部発振回路は、エミツタ接地型の発
振用トランジスタベースに共振回路を付加し、か
つこのエミツタ接地型トランジスタのエミツタ一
側に定電流特性を有するエミツタ接地型の増幅器
のコレクタを接続するとともに交流分除去フイル
ターを挿入し、上記エミツタ接地型トランジスタ
からの発振出力を、上記エミツタ接地型増幅器の
ベースに供給し、増幅された信号をコレクタより
得るとともに、前記エミツタ接地型トランジスタ
ーのベース電位を切換える手段を持つことによ
り、回路の電流（電力）の増加を抑えつつ、定電
流化を図つたものである。
振用トランジスタベースに共振回路を付加し、か
つこのエミツタ接地型トランジスタのエミツタ一
側に定電流特性を有するエミツタ接地型の増幅器
のコレクタを接続するとともに交流分除去フイル
ターを挿入し、上記エミツタ接地型トランジスタ
からの発振出力を、上記エミツタ接地型増幅器の
ベースに供給し、増幅された信号をコレクタより
得るとともに、前記エミツタ接地型トランジスタ
ーのベース電位を切換える手段を持つことによ
り、回路の電流（電力）の増加を抑えつつ、定電
流化を図つたものである。
作 用
本発明の局部発振回路は、発振用トランジスタ
のエミツタ側に定電流回路を付加していることに
より、発振用トランジスタのベース電位を変化さ
せても電流の変動を抑えることができるが、発振
用トランジスタのベース電位を上昇させ、コレク
タ電位との電位差を小さくすることにより、Cob
を増加でき、従来例と同様の効果を得ることがで
きるものである。また、定電流回路と発振用トラ
ンジスタとを交流的に分離して、発振用トランジ
スタの出力を定電流回路を使用して増幅すること
により、増幅された出力を、回路の電力を増加す
ることなく得ることができるものである。
のエミツタ側に定電流回路を付加していることに
より、発振用トランジスタのベース電位を変化さ
せても電流の変動を抑えることができるが、発振
用トランジスタのベース電位を上昇させ、コレク
タ電位との電位差を小さくすることにより、Cob
を増加でき、従来例と同様の効果を得ることがで
きるものである。また、定電流回路と発振用トラ
ンジスタとを交流的に分離して、発振用トランジ
スタの出力を定電流回路を使用して増幅すること
により、増幅された出力を、回路の電力を増加す
ることなく得ることができるものである。
実施例
以下、本発明の一実施例の局部発振回路を図面
を参照して説明する。第２図に示すように、発振
用増幅回路１１には、共振回路１２と外部切換手
段１３が接続されており、共振回路１２には、端
子１Ｂより同調電圧が与えられ、共振回路１２と
発振用増幅回路１１により構成される回路の共振
周波数を変化させている。一方、外部切換手段１
３には、端子１Ａより切換電位が与えられ、切換
電位の大小により、発振用増幅回路１１のベー
ス、コレクタ間の電位を変化させる。発振用増幅
回路１１には、Vcc端子より電源電圧が与えら
れ、直流系路を介して電流源共用増幅器１５に接
続される。直流系路には、交流除去フイルター１
４が接続され、交流成分を遮断している。発振用
増幅回路１１の交流出力は、交流信号系路を通し
て、電流源共用増幅器１５の交流入力端子に与え
られ、増幅され端子１Ｃより増幅された発振出力
信号を得ることができる。
を参照して説明する。第２図に示すように、発振
用増幅回路１１には、共振回路１２と外部切換手
段１３が接続されており、共振回路１２には、端
子１Ｂより同調電圧が与えられ、共振回路１２と
発振用増幅回路１１により構成される回路の共振
周波数を変化させている。一方、外部切換手段１
３には、端子１Ａより切換電位が与えられ、切換
電位の大小により、発振用増幅回路１１のベー
ス、コレクタ間の電位を変化させる。発振用増幅
回路１１には、Vcc端子より電源電圧が与えら
れ、直流系路を介して電流源共用増幅器１５に接
続される。直流系路には、交流除去フイルター１
４が接続され、交流成分を遮断している。発振用
増幅回路１１の交流出力は、交流信号系路を通し
て、電流源共用増幅器１５の交流入力端子に与え
られ、増幅され端子１Ｃより増幅された発振出力
信号を得ることができる。
第２図をさらに具体的に示したのが第１図であ
り、図の破線で囲まれたブロツクは第２図と対応
させて表記している。発振用増幅回路１１は、ト
ランジスタQ1のコレクタを大容量C1にて接地す
ることにより、トランジスタQ1のベース側から
見たインピーダンスを負性にするものであり、ト
ランジスタQ1のベースには、バイパス容量C2を
介して、バリキヤツプD1と共振線路L1とからな
る共振回路が直列に挿入され、他端が接地されて
いる。バリキヤツプD1のカソードには、抵抗R2
を介して同調電位が端子１Ｂより加えられてい
る。一方、発振増幅用トランジスタQ1のベース
には、コレクタよりバイアス抵抗R1によりバイ
アスが与えられるとともに、抵抗R4とダイオー
ドD2を介して、切換端子１Ａより外部切換電位
が与えられる。図の例では切換電位が高電位にな
つたときのみ、トランジスタQ1のベース電位を
上昇させる様になつているが、ダイオードD2の
向きを逆にすれば、切換電位が低電位のときの
み、トランジスタQ1のベース電位を下げること
ができ、ダイオードD2を省略すれば、切換電位
の高低に応じてトランジスタQ1のベース電位を
変化させることができる。故にどれを選択しても
よい。トランジスタQ1のエミツタには、高周波
成分除去用のコイルL2、抵抗R3を介して、交流
除去用フイルターを構成する容量C4が接続され、
これにより高周波成分は除去され、直流成分が電
流源共用増幅器１５を構成する増幅用トランジス
タQ2のコレクタに高周波除去用コイルL3を介し
て供給される。トランジスタQ2のベースにはVcc
電源より抵抗R5，R6により分割された電位が与
えられ、トランジスタQ2のエミツタを接地する
ことにより直流的に定電源となつている。一方、
トランジスタQ1のエミツタからは、結合容量C3
を介して発振出力信号がトランジスタQ2のベー
スに供給される。トランジスタQ2は、これを増
幅して、コレクタより結合容量C5を介して発振
出力信号を外部負荷に供給するものである。この
定電流効果により、トランジスタQ1のベース電
位を多少変動させても、実験によればトランジス
タQ1に流れる電流は本発明を使用しない場合が
20mA→40mAであつたものが20mA→24mA程度
におさまり、トランジスタP.Cをオーバーするこ
ともなく、Cobの増加により回路動作も安定した
ものとなる。
り、図の破線で囲まれたブロツクは第２図と対応
させて表記している。発振用増幅回路１１は、ト
ランジスタQ1のコレクタを大容量C1にて接地す
ることにより、トランジスタQ1のベース側から
見たインピーダンスを負性にするものであり、ト
ランジスタQ1のベースには、バイパス容量C2を
介して、バリキヤツプD1と共振線路L1とからな
る共振回路が直列に挿入され、他端が接地されて
いる。バリキヤツプD1のカソードには、抵抗R2
を介して同調電位が端子１Ｂより加えられてい
る。一方、発振増幅用トランジスタQ1のベース
には、コレクタよりバイアス抵抗R1によりバイ
アスが与えられるとともに、抵抗R4とダイオー
ドD2を介して、切換端子１Ａより外部切換電位
が与えられる。図の例では切換電位が高電位にな
つたときのみ、トランジスタQ1のベース電位を
上昇させる様になつているが、ダイオードD2の
向きを逆にすれば、切換電位が低電位のときの
み、トランジスタQ1のベース電位を下げること
ができ、ダイオードD2を省略すれば、切換電位
の高低に応じてトランジスタQ1のベース電位を
変化させることができる。故にどれを選択しても
よい。トランジスタQ1のエミツタには、高周波
成分除去用のコイルL2、抵抗R3を介して、交流
除去用フイルターを構成する容量C4が接続され、
これにより高周波成分は除去され、直流成分が電
流源共用増幅器１５を構成する増幅用トランジス
タQ2のコレクタに高周波除去用コイルL3を介し
て供給される。トランジスタQ2のベースにはVcc
電源より抵抗R5，R6により分割された電位が与
えられ、トランジスタQ2のエミツタを接地する
ことにより直流的に定電源となつている。一方、
トランジスタQ1のエミツタからは、結合容量C3
を介して発振出力信号がトランジスタQ2のベー
スに供給される。トランジスタQ2は、これを増
幅して、コレクタより結合容量C5を介して発振
出力信号を外部負荷に供給するものである。この
定電流効果により、トランジスタQ1のベース電
位を多少変動させても、実験によればトランジス
タQ1に流れる電流は本発明を使用しない場合が
20mA→40mAであつたものが20mA→24mA程度
におさまり、トランジスタP.Cをオーバーするこ
ともなく、Cobの増加により回路動作も安定した
ものとなる。
第３図は、第１図の電流源共用増幅器１５の他
の例を示すもので、バイアス源を自己バイアス型
として、トランジスタQ2のバイアスを、コレク
タから抵抗R5，R6の分割電位をトランジスタQ2
のベースに与えることにより供給しているもので
ある。このようにすれば、定電流効果は多少悪く
なるが、第２図との差は数mAであり、実用上問
題はない。
の例を示すもので、バイアス源を自己バイアス型
として、トランジスタQ2のバイアスを、コレク
タから抵抗R5，R6の分割電位をトランジスタQ2
のベースに与えることにより供給しているもので
ある。このようにすれば、定電流効果は多少悪く
なるが、第２図との差は数mAであり、実用上問
題はない。
発明の効果
以上のように、本発明の局部発振回路は、発振
用増幅トランジスタのベース電位を変化させるこ
とにより、発振周波数の共振要素を構成するCob
を変化させることができ、可変範囲の拡大を図る
ことができるとともに、ベース電位の切換時のト
ランジスタの電流変化を抑えることができ、回路
の信頼性を著しく向上させることができるもので
ある。
用増幅トランジスタのベース電位を変化させるこ
とにより、発振周波数の共振要素を構成するCob
を変化させることができ、可変範囲の拡大を図る
ことができるとともに、ベース電位の切換時のト
ランジスタの電流変化を抑えることができ、回路
の信頼性を著しく向上させることができるもので
ある。
第１図は本発明の一実施例における局部発振回
路の回路図、第２図は本発明の一実施例のブロツ
ク図、第３図は本発明の第２の実施例の要部回路
図、第４図は従来の局部発振回路の構成図、第５
図は従来例の具体例を示す回路図である。 １１……発振用増幅回路、１２……共振回路、
１３……外部切換手段、１４……交流除去フイル
ター、１５……電流源共用増幅器、１Ａ……切換
電位入力端子、１Ｂ……同調電位入力端子、１Ｃ
……発振出力端子、Q1……発振増幅用トランジ
スタ、Q2……定電流回路を構成する増幅用トラ
ンジスタ、D1……バリキヤツプダイオード。
路の回路図、第２図は本発明の一実施例のブロツ
ク図、第３図は本発明の第２の実施例の要部回路
図、第４図は従来の局部発振回路の構成図、第５
図は従来例の具体例を示す回路図である。 １１……発振用増幅回路、１２……共振回路、
１３……外部切換手段、１４……交流除去フイル
ター、１５……電流源共用増幅器、１Ａ……切換
電位入力端子、１Ｂ……同調電位入力端子、１Ｃ
……発振出力端子、Q1……発振増幅用トランジ
スタ、Q2……定電流回路を構成する増幅用トラ
ンジスタ、D1……バリキヤツプダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発振用トランジスタのコレクタを容量により
接地し、そのベースに外部の可変電位により容量
値が可変されるバリキヤツプダイオードと共振線
路を直列に配した共振回路を接続し、この共振回
路の他端を交流的に接地し、上記バリキヤツプダ
イオードのカソードには、外部より可変電位を与
えるとともに、上記発振用トランジスタのベース
にはベース電位を可変できる手段を接続し、エミ
ツタには高周波除去用のインピーダンス負荷を接
続して、発振周波数1GHz以上の発振信号をとり
だすとともに、上記高周波除去用のインピーダン
ス負荷の他端には、高周波除去用のフイルターを
対接地間に挿入し、この高周波除去用のインピー
ダンス負荷を介して定電流回路を構成するトラン
ジスタのコレクタに接続するとともに、ベースに
は上記発振用トランジスタのエミツタ出力を接続
することを特徴とする局部発振回路。 ２ 発振用トランジスタのベース電位を変化させ
る手段として、抵抗または、抵抗とダイオードを
直列に接続したものを用いることを特徴とした特
許請求の範囲第１項記載の局部発振回路。 ３ 定電流回路として、NPNトランジスタのエ
ミツタを交流的に接地し、ベースに定電位を与
え、コレクタにはチヨークコイルを介して発振用
トランジスタのエミツタ系路を接続し、発振出力
信号を、定電流回路を構成するトランジスタのベ
ースに結合容量を介して供給し、増幅された出力
をコレクタから得ることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の局部発振回路。 ４ 定電流回路用トランジスタのベース電位は、
コレクタ電位を抵抗分割して与えることを特徴と
する特許請求の範囲第３項記載の局部発振回路。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16792585A JPS6229209A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 局部発振回路 |
| PCT/JP1986/000359 WO1987000993A1 (en) | 1985-07-30 | 1986-07-14 | Local oscillation circuit |
| US07/030,852 US4797638A (en) | 1985-07-30 | 1986-07-14 | Oscillator including a transistor used both as constant current source and amplifier |
| DE19863690396 DE3690396T1 (ja) | 1985-07-30 | 1986-07-14 | |
| GB8705532A GB2189101B (en) | 1985-07-30 | 1986-07-14 | Local oscillator circuit |
| DE3690396A DE3690396C2 (ja) | 1985-07-30 | 1986-07-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16792585A JPS6229209A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 局部発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6229209A JPS6229209A (ja) | 1987-02-07 |
| JPH0481364B2 true JPH0481364B2 (ja) | 1992-12-22 |
Family
ID=15858599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16792585A Granted JPS6229209A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | 局部発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6229209A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2507124B2 (ja) * | 1990-03-12 | 1996-06-12 | 松下電器産業株式会社 | 高周波発振装置 |
| KR960003560B1 (ko) * | 1992-11-26 | 1996-03-15 | 삼성전기주식회사 | 전압제어 발진회로 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50123245U (ja) * | 1974-03-16 | 1975-10-08 | ||
| JPS5921528Y2 (ja) * | 1976-08-12 | 1984-06-26 | ソニー株式会社 | 可変周波数発振器 |
| JPS5696717U (ja) * | 1979-12-26 | 1981-07-31 |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP16792585A patent/JPS6229209A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6229209A (ja) | 1987-02-07 |
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