JPH0480372A - マイクロ波プラズマ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ装置Info
- Publication number
- JPH0480372A JPH0480372A JP2194007A JP19400790A JPH0480372A JP H0480372 A JPH0480372 A JP H0480372A JP 2194007 A JP2194007 A JP 2194007A JP 19400790 A JP19400790 A JP 19400790A JP H0480372 A JPH0480372 A JP H0480372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- reaction chamber
- substrate
- window
- ultraviolet irradiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 244000005700 microbiome Species 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 28
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 14
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 abstract description 2
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造に必要なエツチング工程または堆積工
程において使用されるマイクロ波プラズマ装置の改良、
特にエツチング速度または堆積速度を向上する改良に関
し、 エツチング速度または堆積速度を顕著に向上することの
出来るマイクロ波プラズマ装置を提供することを目的と
し、 ガス導入手段とガス排出手段とマイクロ波導入窓と紫外
線照射窓と前記のマイクロ波導入窓に対向して設けられ
る基板支持台とを有する反応室と、前記のマイクロ波導
入窓を介して前記の反応室にマイクロ波を供給するマイ
クロ波供給手段と、前記の紫外線照射窓を介して前記の
基板支持台に支持される基板に垂直方向に紫外線を照射
する紫外線照射手段とを存するマイクロ波プラズマ装置
をもって構成される。
程において使用されるマイクロ波プラズマ装置の改良、
特にエツチング速度または堆積速度を向上する改良に関
し、 エツチング速度または堆積速度を顕著に向上することの
出来るマイクロ波プラズマ装置を提供することを目的と
し、 ガス導入手段とガス排出手段とマイクロ波導入窓と紫外
線照射窓と前記のマイクロ波導入窓に対向して設けられ
る基板支持台とを有する反応室と、前記のマイクロ波導
入窓を介して前記の反応室にマイクロ波を供給するマイ
クロ波供給手段と、前記の紫外線照射窓を介して前記の
基板支持台に支持される基板に垂直方向に紫外線を照射
する紫外線照射手段とを存するマイクロ波プラズマ装置
をもって構成される。
本発明は、半導体装置の製造に必要なエツチング工程ま
たは堆積工程において使用されるマイクロ波プラズマ装
置の改良、特にエツチング速度または堆積速度を向上す
る改良に関する。
たは堆積工程において使用されるマイクロ波プラズマ装
置の改良、特にエツチング速度または堆積速度を向上す
る改良に関する。
従来技術に係るマイクロ波プラズマ装置の代表例として
、電子サイクロトロン共鳴（以下、ＥＣＲと云う、）効
果を使用したマイクロ波プラズマ装置の構成図を第２図
に示す０図において、１は反応ガス供給手段２とガス排
出手段３とマイクロ波導入窓４とを有する反応室である
０反応室ｌの下部には、マイクロ波導入窓４に対向して
基板５を支持する基板支持台６が設けられ、基板支持台
６には基板５をバイアスする高周波電源１３が接続され
ている。７はマイクロ波発生手段であり、マイクロ波発
生手段７において発生されたマイクロ波は導波管８とマ
イクロ波導入窓４とを介して反応室１内に導入される。
、電子サイクロトロン共鳴（以下、ＥＣＲと云う、）効
果を使用したマイクロ波プラズマ装置の構成図を第２図
に示す０図において、１は反応ガス供給手段２とガス排
出手段３とマイクロ波導入窓４とを有する反応室である
０反応室ｌの下部には、マイクロ波導入窓４に対向して
基板５を支持する基板支持台６が設けられ、基板支持台
６には基板５をバイアスする高周波電源１３が接続され
ている。７はマイクロ波発生手段であり、マイクロ波発
生手段７において発生されたマイクロ波は導波管８とマ
イクロ波導入窓４とを介して反応室１内に導入される。
９はガス導入手段２を介して導入された反応ガスをマイ
クロ波との共鳴効果によってプラズマ化するのに必要な
磁場を発生させる磁場発生手段である。
クロ波との共鳴効果によってプラズマ化するのに必要な
磁場を発生させる磁場発生手段である。
従来は、磁場発生手段９を構成する’ｉ：ｉＮ石の配置
、磁場の強さ等を調整することによって、反応室１内に
発生するプラズマ密度、イオン電流密度を調節してエツ
チング速度または堆積速度を向上する検討がなされてき
た。さらには、反応室１内に横方向から、すなわち、基
板５の表面に平行する方向に紫外線を照射して、ＥＣＲ
プラズマをより高密度化し、かつ、プラズマ放電を維持
しやすくする方法も検討されている。
、磁場の強さ等を調整することによって、反応室１内に
発生するプラズマ密度、イオン電流密度を調節してエツ
チング速度または堆積速度を向上する検討がなされてき
た。さらには、反応室１内に横方向から、すなわち、基
板５の表面に平行する方向に紫外線を照射して、ＥＣＲ
プラズマをより高密度化し、かつ、プラズマ放電を維持
しやすくする方法も検討されている。
上記の１ｍ石の配置、磁場の強さ等を調整する方法、あ
るいは、紫外線を反応室内に横方向から照射する方法の
いずれの場合においても、エンチング速度または堆積速
度の向上の面では顕著な成果が得られていない。
るいは、紫外線を反応室内に横方向から照射する方法の
いずれの場合においても、エンチング速度または堆積速
度の向上の面では顕著な成果が得られていない。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、エツ
チング速度または堆積速度を顕著に向上することの出来
るマイクロ波プラズマ装置を提供することにある。
チング速度または堆積速度を顕著に向上することの出来
るマイクロ波プラズマ装置を提供することにある。
〔！ｌ１ｌｌｌを解決するための手段〕上記の目的は、
ガス導入手段（２）とガス排出手段（３）とマイクロ波
導入窓（４）と紫外線照射窓（１０）と前記のマイクロ
波導入窓（４）に対向して設けられる基板支持台（６）
とを有する反応室（１）と、前記のマイクロ波導入窓（
４）を介して前記の反応室（１）にマイクロ波を供給す
るマイクロ波供給手段（７）と、前記の紫外線照射窓（
１０）を介して前記の基板支持台（６）に支持される基
板（５）に垂直方向に紫外線を照射する紫外線照射手段
（１２）とを有するマイクロ波プラズマ装置によって達
成される。
ガス導入手段（２）とガス排出手段（３）とマイクロ波
導入窓（４）と紫外線照射窓（１０）と前記のマイクロ
波導入窓（４）に対向して設けられる基板支持台（６）
とを有する反応室（１）と、前記のマイクロ波導入窓（
４）を介して前記の反応室（１）にマイクロ波を供給す
るマイクロ波供給手段（７）と、前記の紫外線照射窓（
１０）を介して前記の基板支持台（６）に支持される基
板（５）に垂直方向に紫外線を照射する紫外線照射手段
（１２）とを有するマイクロ波プラズマ装置によって達
成される。
なお、前記の紫外線照射窓（１０）と前記の紫外線照射
手段（１２）とは、前記のマイクロ波導入窓（４）の周
囲に、前記の基板（５）を支持する基板支持台（６）に
対向して設けられ、また、前記の紫外線照射窓（１０）
は、金属メソシュ（１１）をもって覆われることが好適
であり、前記の反応室（１）は電子サイクロトロン共共
鳴基を発生する磁場発生手段（９）が巻装されていても
よい。
手段（１２）とは、前記のマイクロ波導入窓（４）の周
囲に、前記の基板（５）を支持する基板支持台（６）に
対向して設けられ、また、前記の紫外線照射窓（１０）
は、金属メソシュ（１１）をもって覆われることが好適
であり、前記の反応室（１）は電子サイクロトロン共共
鳴基を発生する磁場発生手段（９）が巻装されていても
よい。
本発明に係るマイクロ波プラズマ装置においては、基板
表面にエネルギーの大きな紫外線を照射することによっ
て基板表面が活性化され、プラズマ放電によって生成さ
れる反応ガスの活性種との反応が促進されるので、エツ
チング速度または堆積速度が著しく向上する。また、紫
外線をマイクロ波導入口の周囲から基板表面に照射する
ことによって、プラズマ密度の比較的低い反応室周辺部
のプラズマ放電が助勢されるため、反応室内における活
性種密度の分布が均一化し、エンチングまたは堆積の基
板面内における均一性が向上する。
表面にエネルギーの大きな紫外線を照射することによっ
て基板表面が活性化され、プラズマ放電によって生成さ
れる反応ガスの活性種との反応が促進されるので、エツ
チング速度または堆積速度が著しく向上する。また、紫
外線をマイクロ波導入口の周囲から基板表面に照射する
ことによって、プラズマ密度の比較的低い反応室周辺部
のプラズマ放電が助勢されるため、反応室内における活
性種密度の分布が均一化し、エンチングまたは堆積の基
板面内における均一性が向上する。
なお、紫外線照射によって表面が活性化される物質をエ
ンチングする場合器こは、紫外線の照射される領域と紫
外線の照射されない領域とのエンチング速度比が大きく
なることから、エンチングの異方性が高（なり、サイド
エツチングによるアンダーカットの発生が防止される。
ンチングする場合器こは、紫外線の照射される領域と紫
外線の照射されない領域とのエンチング速度比が大きく
なることから、エンチングの異方性が高（なり、サイド
エツチングによるアンダーカットの発生が防止される。
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係るマイ
クロ波プラズマ装置について説明する。
クロ波プラズマ装置について説明する。
第１閣参照
図において、１は石英材等をもって内張すされたステン
レス鋼等から成る反応室であり、反応ガス供給手段２と
ガス排出手段３とが設けられている０反応室１の下部に
は基板５を支持する基板支持台６が設けられ、反応室１
の上部にはマイクロ波導入窓４が設けられ、導波管８を
介してマグネトロンよりなるマイクロ波供給手段７に接
続されている。また、反応室１を囲んで、ＥＣＲ条件を
満たす磁場を発生する磁場発生手段９が配設されている
。
レス鋼等から成る反応室であり、反応ガス供給手段２と
ガス排出手段３とが設けられている０反応室１の下部に
は基板５を支持する基板支持台６が設けられ、反応室１
の上部にはマイクロ波導入窓４が設けられ、導波管８を
介してマグネトロンよりなるマイクロ波供給手段７に接
続されている。また、反応室１を囲んで、ＥＣＲ条件を
満たす磁場を発生する磁場発生手段９が配設されている
。
反応室１のマイクロ波導入窓４の周囲に石英よりなる紫
外線照射窓１０が設けられ、紫外線照射窓１０はマイク
ロ波の漏出を遮蔽するために、金属メソシュ１１をもっ
て覆われている。１２は紫外線照射窓１０を介して紫外
線を基板５に垂直方向に照射するキセノン・水銀ランプ
よりなる紫外線照射手段である。 １３は基板５をバイ
アスするために基板支持台６に接続された高周波′ｇｌ
源である。
外線照射窓１０が設けられ、紫外線照射窓１０はマイク
ロ波の漏出を遮蔽するために、金属メソシュ１１をもっ
て覆われている。１２は紫外線照射窓１０を介して紫外
線を基板５に垂直方向に照射するキセノン・水銀ランプ
よりなる紫外線照射手段である。 １３は基板５をバイ
アスするために基板支持台６に接続された高周波′ｇｌ
源である。
上記の構成を有するマイクロ波プラズマ装置を使用して
、ｎ゛型多結晶シリコン層をエツチングする場合につい
て以下に説明する。
、ｎ゛型多結晶シリコン層をエツチングする場合につい
て以下に説明する。
基板５上に形成されたｎ゛梨型多結８９９３層上にレジ
ストマスクを形成して基板支持台６上に載置し、ガス排
出手段３を介して反応室１内を真空に排気した後、反応
ガス供給手段２を介して塩素ガスを流量１１００５ＣＣ
をもって反応室ｌ内に供給し、反応室ｌ内の圧力を３
Ｘ １０−３Ｔｏｒｒに保持する。高周波電源１３の発
生する１３．５６ＭＨｚ、５０Ｗの高周波電力を基板支
持台６に印加して、基板５をバイアスし、マグネトロン
よりなるマイクロ波供給手段７において発生された２、
４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管８及びマイクロ波導入
窓４を介して反応室１内に導入すると−もに、磁場発生
手段９を使用して磁束密度８７５ガウスの共鳴磁場を発
生させ、マイクロ波とのＥＣＲ効果によって反応室１内
に高密度のプラズマを発生させる。この例においては、
直径２０ｃｍ、高さ２０ｃｍの反応室１の上面から約５
ｃｍ下方にＥＣＲ共鳴点が形成された。
ストマスクを形成して基板支持台６上に載置し、ガス排
出手段３を介して反応室１内を真空に排気した後、反応
ガス供給手段２を介して塩素ガスを流量１１００５ＣＣ
をもって反応室ｌ内に供給し、反応室ｌ内の圧力を３
Ｘ １０−３Ｔｏｒｒに保持する。高周波電源１３の発
生する１３．５６ＭＨｚ、５０Ｗの高周波電力を基板支
持台６に印加して、基板５をバイアスし、マグネトロン
よりなるマイクロ波供給手段７において発生された２、
４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管８及びマイクロ波導入
窓４を介して反応室１内に導入すると−もに、磁場発生
手段９を使用して磁束密度８７５ガウスの共鳴磁場を発
生させ、マイクロ波とのＥＣＲ効果によって反応室１内
に高密度のプラズマを発生させる。この例においては、
直径２０ｃｍ、高さ２０ｃｍの反応室１の上面から約５
ｃｍ下方にＥＣＲ共鳴点が形成された。
紫外線照射手段１２にはキセノン・水銀ランプを使用し
、このキセノン・水銀ランプの発生する２００乃至２４
５ｎｍの波長帯を含む紫外線を紫外線照射窓１０と金属
メツシュ１１とを介して、基板５に垂直方向に照射する
。
、このキセノン・水銀ランプの発生する２００乃至２４
５ｎｍの波長帯を含む紫外線を紫外線照射窓１０と金属
メツシュ１１とを介して、基板５に垂直方向に照射する
。
以上の方法をもって基板５に形成されたｎ゛型多結晶シ
リコン層をエツチングした結果、紫外線を照射しない場
合に２，０００人／分であったエツチング速度が２，５
００〜３，０００人／分に上昇し、２０〜２５％程度の
エツチング速度の向上がみられた。
リコン層をエツチングした結果、紫外線を照射しない場
合に２，０００人／分であったエツチング速度が２，５
００〜３，０００人／分に上昇し、２０〜２５％程度の
エツチング速度の向上がみられた。
また、紫外線の照射される領域のエツチング速度が上昇
することから、エツチングの異方性が高められ、アンダ
ーカットの発生が防止された。
することから、エツチングの異方性が高められ、アンダ
ーカットの発生が防止された。
ところで、塩素のエネルギー吸収が最大となる波長は、
３２０〜３３０ｎｍであるので、反応室１内に照射する
紫外線に３２０ｎｍの波長成分をさらに加えると、プラ
ズマ内の活性種の量が増加し、エツチング速度をさらに
向上させることが可能である。
３２０〜３３０ｎｍであるので、反応室１内に照射する
紫外線に３２０ｎｍの波長成分をさらに加えると、プラ
ズマ内の活性種の量が増加し、エツチング速度をさらに
向上させることが可能である。
なお、磁場発生手段９を有しないマイクロ波プラズマ装
置においても、紫外線を基板表面に垂直に照射すること
によって、エツチング速度または堆積速度が向上する。
置においても、紫外線を基板表面に垂直に照射すること
によって、エツチング速度または堆積速度が向上する。
以上説明せるとおり、本発明に係るマイクロ波プラズマ
装置においては、基板表面に紫外線を照射することによ
って基板表面が活性化され、プラズマ放電によって生成
された反応ガスの活性種との反応が促進されるので、エ
ツチング速度または堆積速度が顕著に向上し、スループ
ットが向上する。また、紫外線をマイクロ波導入窓の周
囲から導入することによって、プラズマ密度の比較的低
い反応室周辺部のプラズマ密度が高くなり、反応室内の
活性種密度分布が改善されるので、エツチングまたは堆
積の基板面内における均一性が向上し、歩留りが向上す
る。さらには、紫外線照射領域のエツチング速度が高く
なることから、エツチングの異方性が高くなり、アンダ
ーカットの発生が防止される。
装置においては、基板表面に紫外線を照射することによ
って基板表面が活性化され、プラズマ放電によって生成
された反応ガスの活性種との反応が促進されるので、エ
ツチング速度または堆積速度が顕著に向上し、スループ
ットが向上する。また、紫外線をマイクロ波導入窓の周
囲から導入することによって、プラズマ密度の比較的低
い反応室周辺部のプラズマ密度が高くなり、反応室内の
活性種密度分布が改善されるので、エツチングまたは堆
積の基板面内における均一性が向上し、歩留りが向上す
る。さらには、紫外線照射領域のエツチング速度が高く
なることから、エツチングの異方性が高くなり、アンダ
ーカットの発生が防止される。
第１図は、本発明の一実施例に係るマイクロ波プラズマ
装置の構成図である。 第２図は、従来技術に係るマイクロ波プラズマ装置の構
成図である。 反応室、 ガス供給手段、 ガス排出手段、 マイクロ波導入窓、 基板、 基板支持台、 マイクロ波供給手段、 導波管、 磁場発生手段、 紫外線照射窓、 金属メツシュ、 紫外ｍ照射手段、 高周波電源。
装置の構成図である。 第２図は、従来技術に係るマイクロ波プラズマ装置の構
成図である。 反応室、 ガス供給手段、 ガス排出手段、 マイクロ波導入窓、 基板、 基板支持台、 マイクロ波供給手段、 導波管、 磁場発生手段、 紫外線照射窓、 金属メツシュ、 紫外ｍ照射手段、 高周波電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］ガス導入手段（２）とガス排出手段（３）とマイ
クロ波導入窓（４）と紫外線照射窓（１０）と前記マイ
クロ波導入窓（４）に対向して設けられる基板支持台（
６）とを有する反応室（１）と、前記マイクロ波導入窓
（４）を介して前記反応室（１）にマイクロ波を供給す
るマイクロ波供給手段（７）と、 前記紫外線照射窓（１０）を介して前記基板支持台（６
）に支持される基板（５）に垂直方向に紫外線を照射す
る紫外線照射手段（１２）と を有することを特徴とするマイクロ波プラズマ装置。 ［２］前記紫外線照射窓（１０）と前記紫外線照射手段
（１２）とは、前記マイクロ波導入窓（４）の周囲に、
前記基板（５）に対向して設けられてなる ことを特徴とする請求項［１］記載のマイクロ波プラズ
マ装置。 ［３］前記紫外線照射窓（１０）は、金属メッシュ（１
１）をもって覆われてなる ことを特徴とする請求項［１］または［２］記載のマイ
クロ波プラズマ装置。 ［４］前記反応室（１）は電子サイクロトロン共鳴磁場
を発生する磁場発生手段（９）が巻装されてなる ことを特徴とする請求項［１］、［２］または［３］記
載のマイクロ波プラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2194007A JPH0480372A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | マイクロ波プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2194007A JPH0480372A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | マイクロ波プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480372A true JPH0480372A (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16317419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2194007A Pending JPH0480372A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | マイクロ波プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0480372A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289548A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光物質用包装材料 |
| KR102322101B1 (ko) * | 2021-06-24 | 2021-11-04 | 주식회사 자이시스 | 반도체 제조 장치 |
| KR102374482B1 (ko) * | 2021-06-29 | 2022-03-16 | 주식회사 자이시스 | 반도체 제조 장치 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP2194007A patent/JPH0480372A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289548A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光物質用包装材料 |
| KR102322101B1 (ko) * | 2021-06-24 | 2021-11-04 | 주식회사 자이시스 | 반도체 제조 장치 |
| WO2022270945A1 (ko) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 | (주)넥스틴 | 반도체 제조 장치 |
| KR102374482B1 (ko) * | 2021-06-29 | 2022-03-16 | 주식회사 자이시스 | 반도체 제조 장치 |
| WO2023277450A1 (ko) * | 2021-06-29 | 2023-01-05 | (주)넥스틴 | 반도체 제조 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5593539A (en) | Plasma source for etching | |
| WO2012066779A1 (en) | Apparatus for plasma treatment and method for plasma treatment | |
| JPH05267233A (ja) | 基体およびフィルムの表面の下流の迅速な成形のためのプラズマ発生方法および装置 | |
| JPH0480372A (ja) | マイクロ波プラズマ装置 | |
| JPS60154620A (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPS6289882A (ja) | 気相エツチング方法 | |
| US5433788A (en) | Apparatus for plasma treatment using electron cyclotron resonance | |
| JPS63103088A (ja) | エッチング方法及びその装置 | |
| JP3643549B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法 | |
| JP3555447B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0635663B2 (ja) | 表面処理方法および装置 | |
| JPH07130494A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2000294548A (ja) | 誘電体窓を用いたマイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2902009B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法 | |
| JPH025413A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10330970A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
| JPH11193466A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2005123389A (ja) | プラズマ処理方法、プラズマ成膜方法、プラズマエッチング方法およびプラズマ処理装置 | |
| JPH0896990A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| JPH08330294A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06196420A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH06349776A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06275564A (ja) | マイクロ波プラズマエッチング装置 | |
| JP2001115267A (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
| JPH11126773A (ja) | プラズマ処理装置及びこの装置のガスの導入方法 |