JPH047883A - エネルギー量制御装置 - Google Patents

エネルギー量制御装置

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JPH047883A
JPH047883A JP2109291A JP10929190A JPH047883A JP H047883 A JPH047883 A JP H047883A JP 2109291 A JP2109291 A JP 2109291A JP 10929190 A JP10929190 A JP 10929190A JP H047883 A JPH047883 A JP H047883A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、感応物体に対する照射エネルギー量の制御、
特にパルス発振型のエネルギー発生源からのエネルギー
量が経時的な変化を有する場合の総照射エネルギー量の
制御に係るものであり、例えば露光光としてエキツマ等
のパルスレーザを使用する露光装置の露光量制御に好適
なエネルギー量制御装置に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体素子製造のりソゲラフイエ程で使われるパルスレ
ーザを光源とした露光装置(ステッパーアライナ−等)
では、レーザ光が一般にパルス毎に±lO%程度のばら
つきを有している上、露光面(レチクル若しくはウェハ
)上にはレーザ光の持つ可干渉性による規則的な干渉パ
ターン、さらに照明光学系内の傷、ゴミ、面不良等によ
って生じる位相の異なった多数の光束が重なった不規則
な干渉パターン(スペックル)が発生し、これらにより
露光面には照度むらが生じ得る。
上記2つの干渉パターン、特に規則的な干渉パターンは
、半導体素子製造のフォトリソグラフィ工程におけるパ
ターン線幅のコントロールに重大な影響を与える。そこ
で、例えば特開昭59−226317号公報或いは特開
平1−259533号公報に開示された手法と同等の手
法で、規則的な干渉パターンやスペックル(以下、まと
めて干渉パターンと呼ぶ)を平滑化することも考えられ
ている。上記公報に開示された干渉パターンの平滑化(
インコヒーレント化)は、振動ミラー(ガルバノミラ−
、ポリゴンミラー)によりレーザ光を一定周期で一次元
又は二次元移動(ラスタースキャン)させて、空間的に
コヒーレンシイを低減させていくものである。つまり、
lパルス毎に照度均一化手段(オブチカルインテグレー
タ)へのレーザ光の入射角を変化させることによって、
干渉パターンをレチクル上で移動させ、最終的に干渉パ
ターンを平滑化する、換言すれば照度均一性を高めるも
のである。この際、振動ミラーによる一次元又は二次元
走査に同期させて複数のパルスを照射することになる。
通常、エキシマレーザの発振パルス幅は2 o’n5e
c程度と極めて短く、振動ミラーを101(Z程度で振
動させたとしてもエキシマレーザの1パルスは、振動ミ
ラーの振動周期中は恰も静止しているように振る舞う。
従って、複数パルスによる干渉パターンの平滑化(照度
均一化)と所望の露光量制御精度とを達成するためには
、(1)露光中はlパルス当たりのエネルギー量をほぼ
一定に保つこと、(2)振動ミラーによる一次元又は二
次元走査におけるミラー振動半周期の整数倍のパルス数
にて目標露光量を得ることが重要となる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、レーザ光はパルス毎に±10%程度のばらつ
きを有している上、短期的、長期的にレーザ密度の低下
現象がある。このレーザ密度の低下現象は、特にガスレ
ーザにおいて顕著であり、チャンバー内部に密封された
活性媒質(例えば、KrF、XeCA’等)の混合ガス
の劣化に伴って出力の低下が起こる。一般に、パルスレ
ーザ光源に対する印加電圧と、その印加電圧のもとで射
出されるパルスのエネルギーj1(以下、簡単に発振エ
ネルギー量と呼ぶ)との関係に経時的な変化が生じると
、例えばガスレーザにあっては活性媒質の混合ガスの劣
化に伴ってレーザ光源の出力が低下すると、上記関係か
ら次に射出すべきパルスエネルギー量に対応する印加電
圧を決定しても、所望の発振エネルギー量を得ることが
できなかった。
通常、レーザ光源には印加電圧一定モードとエネルギー
量一定モードとがある。特にエネルギー量一定モードに
おいてガス劣化による出力低下が生じた場合には、従来
からレーザ光の一部を受光してそのエネルギー量を検出
するモニタ部の出力に基づいて、チャンバー内部の2枚
の電極間の印加電圧を徐々に増加させ、出力の低下を少
なくするような工夫がなされている。しかしながら、上
記の如きエネルギー量制御では常に一定の発振エネルギ
ー量は得られるが、所定のエネルギー量制御範囲の全域
で所望の発振エネルギー量(即ち、その発振エネルギー
量に対応する印加電圧)を得ることはできない、換言す
ればパルス毎に正確な発振エネルギー量の微調整が行え
ず、高精度なエネルギー量制御を達成することができな
いという問題点があった。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、エネルギ
ー発生源における印加電圧と発振エネルギー量との関係
に経時変化が生じても、印加電圧調整によって高精度な
エネルギー量制御を達成することができるエネルギー量
制御装置を得ることを目的としている。
〔課題を解決する為の手段〕
かかる問題点を解決する為本発明においては、発振のた
びに所定の範囲内でエネルギー変動を伴うパルスエネル
ギーを射出するエネルギー発生源1を備え、エネルギー
発生源1−に対する印加電圧を調整することによって、
パルスエネルギーのエネルギー量を制御する装置におい
て、エネルギー発生源1に対する印加電圧と、この印加
電圧のもとでエネルギー発生源1から射出されるパルス
エネルギーのエネルギー量との関係に関する情報を格納
する記憶手段〔メモリ7〕と;エネルギー発生源1から
実際に射出されたパルスエネルギーのエネルギー量を検
出するエネルギー量計測手段〔エネルギーモニタ素子4
及びエネルギー量モニタ部5、又は受光素子4′及び光
量モニタ部5′〕と;所定の単位パルス数毎、若しくは
単位時間毎に、エネルギー発生源lに与えられた印加電
圧と、エネルギー量計測手段にて検出されたエネルギー
量とに基づいて、記憶手段に格納された印加電圧とエネ
ルギー量との関係に関する情報を更新する演算手段〔演
算器6〕と;演算手段により更新された情報に基づいて
、次に射出すべきパルスエネルギーのエネルギー量に対
応したエネルギー発生源1に対する印加電圧を決定する
決定手段〔演算器6〕とを設ける。
〔作 用〕
本発明においては、エネルギー発生源に対する印加電圧
(若しくは、エネルギー発振時の実際の充電電圧)と発
振エネルギー量とに関するデータを単位パルス数又は単
位時間毎に取り込み、予め記憶手段に格納された印加電
圧と発振エネルギー量との関係式を演算により逐次更新
していくこととした。このため、印加電圧若しくは充電
電圧と発振エネルギー量との関係が経時変化を起こして
も、それを表現する関係式は経時変化に応じて適宜更新
されるので、常に良好なエネルギー量制御を達成するこ
とが可能となる。
〔実 施 例〕
第1図は、本発明の第1の実施例によるエネルギー量制
御装置の概略的な構成を示すブロック図であって、ここ
では最も簡単で基本的な構成とするべく、入出力装置8
から入力された所定の発振条件に従って、パルス発振型
エネルギー発生源Iから発振されるパルスエネルギーを
被照射物体3に照射する構成をとっている。
第1図において、印加電圧制御部11はパルス発振型エ
ネルギー発生源1の高圧放電電圧(印加電圧に対応)を
制御するものであって、次に照射すべきパルスエネルギ
ーのエネルギー量に対応する印加電圧をエネルギー発生
源1に与えることで、パルス毎にそのエネルギー量の調
整を行うものである。トリが制御部10は、エネルギー
発生源1にて必要な所定の充電時間が経過した後、外部
トリがパルスをエネルギー発生源1に送ってその発振(
パルス数、発振間隔等)を制御する。ここで、トリガ制
御部10と印加電圧制御部11とは共に、主制御系9(
後述)から出力される所定指令に応じて動作する。尚、
エネルギー発生源1から発振されるパルスエネルギーは
、可干渉性のレーザ光、非干渉性のパルス光、或いは電
子線等の光量外のパルスエネルギー等であれば良い。
さて、エネルギー発生源lから射出されるエネルギービ
ームEBはビームスプリッタ−2で分割され、エネルギ
ービームEBの大部分はここを通過して被照射物体3に
照射される。一方、ビームスプリッタ−2で反射された
エネルギービームEBの一部は、エネルギーモニタ素子
4(例えばエキシマレーザであっては、焦電型のパワー
メータやPINフォトダイオード等)に入射し、モニタ
素子4はエネルギービームEBの各パルス毎のエネルギ
ー量に応じた信号を正確に出力する。モニタ素子4から
の出力信号はエネルギー量モニタ部5に入力し、ここで
各パルス毎にエネルギー量に変換されていく。従って、
モニタ素子4とエネルギー量モニタ部5とは本発明のエ
ネルギー量計測手段を構成し、被照射物体3に照射され
るエネルギービームと所定の関係で対応付けられる、即
ちビームスプリッタ−2の光学性能により一義的に定め
られるエネルギービームのエネルギー量を計測する。
エネルギー量モニタ部5にて計測された実測値(実測し
たエネルギー量に対応した値であれば良く、エネルギー
量自体である必要はない)は演算器6に送られ、ここで
各パルス毎のエネルギー量が順次積算される一方、演算
器6はエネルギー発生源lに対する印加電圧と、その印
加電圧のもとでの発振エネルギー量、若しくは被照射物
体3へ与えられる実際のエネルギー量(所謂ドーズ量)
との関係に関する情報の更新する(詳細後述)。
尚、モニタ素子4は予めパワーメータによりエネルギー
ビームの実際のエネルギー量とモニタ素子4の感度との
関係が求められ、メモリ7に記憶されている。また、演
算器6にて積算エネルギー量を求める代わりに、エネル
ギー量モニタ部5においてパルス毎のエネルギー量を順
次積算しても良く、この場合にはパルス毎の発振エネル
ギー量と積算エネルギー量とを演算器6に出力する。
演算器6は、本発明における印加電圧と発振エネルギー
量(若しくはドーズ量)との関係を更新する演算手段を
備え、メモリ7に格納された上記情報、前パルスの発振
時の印加電圧、及びエネルギー量モニタ部5からの発振
エネルギー量を取り込み、これらのデータに基づき、所
定の演算処理に従って印加電圧と発振エネルギー量との
関係に関する情報を更新し、メモリ7に格納する(詳細
後述)。さらに、演算器6は本発明における印加電圧の
決定手段も含み、エネルギー量モニタ部5にて検出され
る発振エネルギー量をパルス毎に順次積算して求めた積
算エネルギー量に基づき、所定のエネルギー量制御ロジ
ック(後述)に従って、次に照射すべきエネルギービー
ムのエネルギー量を求める。そして、演算器6は更新し
た印加電圧と発振エネルギー量との関係に基づいて、次
に照射すべきパルスエネルギー量に対応する印加電圧を
演算により決定し、主制御系9に送る。
主制御系9は、印加電圧制御11とトリガ制御部IOと
の各々に、上記演算器6にて決定した印加電圧及び発振
トリガパルスの指令信号を出力する。入出力装置8は、
発振に必要な各種パラメータをオペレータから受は付け
ると共に、必要に応じて最終パルスのエネルギー量をオ
ペレータに知らせる。また、メモリ7には入出力装置8
から入力された発振動作、各種演算等に必要なパラメー
タ(定数)やテーブル等が記憶されている。
ここで、第1図中にはエネルギー発生源1におけるエネ
ルギー発振時の2枚の電極間の充電電圧(エネルギー発
生源lに与えられる印加電圧と一義的に対応している)
を検出する手段(本発明の充電電圧計測手段)を図示し
ておらず、本実施例では充電電圧計測手段がない場合に
ついて述べることとする。尚、エネルギー発生源1に充
電電圧計測手段を設ける場合には、充電電圧計測手段に
よる計測結果を演算手段6に取り込み、印加電圧の代わ
りに充電電圧と発振エネルギー量との関係に関する情報
を更新するだけで良いので、ここでは説明を省略する。
次に、本発明の中枢をなす印加電圧と発振エネルギー量
との関係に関する情報の更新方法について詳述する。第
2図は印加電圧とその射出パルスのエネルギー量との関
係の一例を示す図であって、ここでは2次関数形となっ
ている。第2図において黒丸が実際のデータであり、実
線はそのデータを最小二乗法により2次関数であてはめ
た曲線である。そこで、最小二乗法による2次関数のあ
てはめ(fitting)について述べる。尚、本実施
例では2次関数のあてはめに関して最小二乗法を用いて
いるが、以下に述べる最小二乗性以外に、例えばデーー
タに対する最大ずれを最小化する方法等を採用しても構
わない。従って、印加電圧をV、パルスエネルギー量を
Pとおくと、モデル関数は、次式で表される。
P=a+bV+cV”      ・・・−・・<1)
ここで、a、b、cは最小二乗法により求める未知数で
ある。次に、実際の印加電圧とパルスエネルギー量とに
関する各データをv、、p、とおく。添字iはデータの
新しさを表し、i=1が最新のデータで、以下iが大き
くなるに従って過去のデータとなる。さらに、評価関数
Eを、・・・・・・・ (2) とおく。但し、γ1はデータ(V、、P: )に対する
重み(後述)である。さて、評価関数Eを最小にする未
知数a、b、cは、最小二乗法の理論により、 なる3元連立方程式を解くことによって、次式から求ま
る。
但し、 ところで、γ、はデータ(V、 、P、)に対する重み
である。上述の如く印加電圧Vと発振エネルギー量Pと
の関係は、その経時変化(ガスレーザであってはチャン
バー内部の混合ガスの劣化)に応じて徐々に変化してい
く。このため、上記重みγ、をγ1〉γ2〉γ、・・・
・とすることで、最新データの重みを最も重くし、デー
タが古(なるに従って順次重みを軽くすることが必要で
ある。
そこで、重みγ1を次式のように規定する。
γ1=εl−1・・・・・・(4) ここで、εは0くε〈1なる定数であって、具体的には
印加電圧Vと発振エネルギー量Pとの関係の経時変化に
よる変化率等に応じて予め定められる値である。例えば
、ε=0.995とお(と、約920発前の発振パルス
に関するデータ(VP、)の評価関数Eに対する寄与(
重み)は、最新パルスに比べ1%程度となる。従って、
定数εの値を1に近づけると、上記(3)式にて明らか
なように多数のデータ(v:、p+)から未知数a〜C
が決定されることになって、パルス毎のエネルギー量の
ばらつき(±lO%程度)を要因とした未知数a −C
の検出精度の低下を防止できる。
しかしながら、何等かの原因により上記ばらつき以上に
印加電圧Vと発振エネルギー量Pとの関係が大きく変動
すると、過去のデータ(V、、P)を多数有しているが
故に、上記変動に遅れることな(追従して未知数a −
Cを算出することが困難になり得る。逆に定数εの値を
0に近づけると、わずかなデータ(V、、Pi >から
未知数a −cが決定されることになり、上記関係の変
動に対する追従性は良くなるが、パルス毎のエネルギー
量のばらつきの影響を大きく受けることになる。このた
め、実際には定数εの値をエネルギー発生源lの安定性
等に応じて両者のバランスを考慮し、実験により決定す
ることが望まい)。
次に、上記(3)式の右辺の行列の各要素を、りC1〜
c、 、D、〜D、をメモリ7に格納する。
そして、新たにデータ(V、、P、)、即ち最新のデー
タ(v5.Pl)が得られた時には、演算器6はメモリ
7からパラメータC1〜Ci、D〜D、を取り込み、定
数であるC1 (C1=1/(l−8m))以外は、以
下に示す漸化式によりパラメータC,−C5、D、−D
、を更新することとする。この結果、漸化式を適用する
ことにより印加電圧Vと発振エネルギー量Pとの関係に
関する情報の更新に要する演算時間が短くて済み、演算
器6はこの更新した情報を新たにメモリ7に格納するこ
とになる。
とおき、印加電圧Vと発振エネルギー量Pとの関係に関
する情報として上記各要素、即ちノくラメ−ところで、
先に述べた(1)式を印加電圧Vについて解き、■≧0
なる解のみ採用すれば、以下のように表される。
・・・・・・・・ (7) 従って、単位パルス数毎、若しくは一定時間毎に、適宜
上記(6)にて更新されたパラメータC1〜C,、D、
−D、から(3)式を計算して未知数a〜Cを求めれば
、印加電圧Vと発振エネルギー量Pの関係式((1)式
)が更新され、さらには(7)式により所定のエネルギ
ー量制御ロジックのもとで決定された次パルスの発振エ
ネルギー量Pに対応する印加電圧Vを求めることが可能
となるわけである。
次に、本実施例のエネルギー量制御ロジックの一例につ
いて述べる。複数パルスの照射により被照射物体3に与
えるべき目標積算エネルギー量をSo、必要とされるエ
ネルギー量制御精度をA。
(但し、O<A。く1)、同一印加電圧のものでのパル
ス間の発振エネルギー量のばらつきをΔP(例えば、Δ
P/P=10%程度)、上記(1)式において最大印加
電圧V maxに対応する発振エネルギー量をPmax
  (最大値)とおくと、第1発註のパルスエネルギー
のエネルギー量P、は、次式から定められる。
・・・・・・・・ (8) また、第に発註のパルスのエネルギー量をP。
とおくと、第j発註のパルスエネルギーまでの積算エネ
ルギー量(実測値)■1は、 と表され、第(j+1)発註のパルスエネルギー量P1
+1は、次式から決定される。尚、min  (σ、ρ
)は、σ、ρのうちの大きくない方の値を採用すること
を示す。
・・・・・・・・ 00) このエネルギー量制御ロジックはエネルギー制御のダイ
ナミックレンジ(即ち、印加電圧Vの調整範囲)は大き
いものの、目標積算エネルギー量Soが最大パルスエネ
ルギー量P maxに比べてそれほど大きくなければ、
はんのわずかなパルス数で所望の照射エネルギー量を得
られるといった利点がある。
次に、第3図を参照して本実施例の動作について説明す
る。第3図は本実施例の動作の一例を示す概略的なフロ
ーチャート図である。ステップ100において、メモリ
7に格納された印加電圧Vと発振エネルギー量Pとの関
係に関する情報であるパラメータC,−C5、D、〜D
、をイニシャライズするか否かを判断する。これはオペ
レータによる判断であっても、所定のプログラムに従っ
て自動に行うものであっても構わない。第1図に示した
エネルギー量制御装置において、実際には演算器6がエ
ネルギー発生源lの発振停止時間等に基づいてイニシャ
ライズするか否かを判断し、エネルギー発生源1が発振
し続けている場合、さらに発振が停止していてもその停
止時間が短く、メモリ7内のパラメータC3〜C,、D
、〜D。
が十分信頼できる時には、ステップ103に進む。
一方、イニシャライズが必要な場合、例えばエネルギー
発生源1の立ち上げ時、若しくはその発振を長時間停止
していた時にはステップ101に進み、ここで印加電圧
Vを順次変化させながら、各電圧値のもとで発振された
パルス毎のパルスエネルギー量Pをエネルギー量モニタ
部5から取り込み、例えば第2図に示した関係を得る。
尚、本ステップの計測動作は短時間で済み、上記動作中
に経時変化によるパルスエネルギーの出力低下が生じる
ことはない。また、ここでの動作は予めプログラムされ
ていて自動で行われる。次のステップ102で演算器6
は、ステップ101で得られたデータ(V、、P、)に
基づき、上記(6)式からパラメータ01〜C,、D、
〜D、を算出し、メモリ7に格納する。
次のステップ103において、演算器6は入出力装置8
から与えられる目標積算エネルギー量S。と、メモリ7
に格納されたエネルギー量制御精度A。、パルス間のパ
ルスエネルギーのばらつき(ΔP/P) 、及び最大印
加電圧Vmaxとを取り込む。尚、ばらつき(八P/P
)は先のステップ101にて得られた実際のデータ(v
、 、p、)から求めた値であっても構わない。そして
、演算器6は(8)式に従って第1発註のパルスエネル
ギー量P1を決定すると共に、(3)式にて求めた未知
数a −Cから(7)式を計算し、第1発註のパルスエ
ネルギー量P、に対応する印加電圧v1を算出する(ス
テップ104)。しかる後、主制御系9は演算器6での
演算結果に応じた指令信号を印加電圧制御部11とトリ
ガ制御部10とに与え、印加電圧制御部11によるエネ
ルギー発生源1への印加電圧の設定終了後、一定時間経
過して充電が完了してから、トリガ制御部10はトリガ
パルスをエネルギー発生源lに送る(ステップ105)
。この結果、エネルギー発生源1からはパルスエネルギ
ー量のばらつきが(ΔP/P)以内に抑えられてエネル
ギービームEBが射出されることになる。
次に、エネルギー量モニタ部5はモニタ素子4により発
振エネルギー量を計測し、演算器6はパルス毎のエネル
ギー量を順次積算していき、積算エネルギー量I0を算
出する(ステップ106)。
そして、ステップ107において演算器6は、積算エネ
ルギー量I。(実測値)がエネルギー量制御精度A0を
満足するか否かを判断する。つまり、積算エネルギー量
I。が以下に示す(II)式を満足するか否かを判断し
、満足していれば被照射物体3に対する1つのエネルギ
ー照射のシーケンスを終了する。
1− (1,/S、) l  ≦A    −・−・−
−−(1,1)一方、上記(II)式を満足しない場合
にはステップ108に進み、ここで前パルスのデータ(
VP、)に基づいて、上記(6)式からパラメータC〜
C5、D l”D +を更新する。尚、本実施例では1
パルス毎にパラメータを更新するシーケンスを採用して
いる。そして、次のステップ109において演算器6は
、(10)式に従って第2発註のパルスエネルギー量P
2を決定し、さらに(7)式からパルスエネルギー量P
2に対応する印加電圧V2を算出した後、ステップ10
5へ戻る。このステップ105において主制御系9は印
加電圧v2に基づき、上記動作と同様に印加電圧制御部
11及びトリガ制御10に指令信号を与え、さらに演算
器6により積算エネルギー量I0を算出しくステップ1
06)、ステップ107にて積算エネルギー量I0が上
記(11)式を満足するか否かを判断する。
満足していなければ、再度ステップ108に進み、上記
(11)式を満足するまでステップ105〜109を繰
り返し実行することとし、09式が満たされた時点でエ
ネルギー照射動作を終了する。
従って、以上の動作を繰り返し行うことにより、エネル
ギー照射動作中に印加電圧Vと発振エネルギー量Pとの
関係が経時変化を起こしても、それを表現する関係式(
上記(3)式)は経時変化に応じて適宜更新されるので
、常に良好なエネルギー量制御精度を達成することが可
能となる。
次に、第4図〜第7図を参照して本発明の第2の実施例
について説明する。第4図は本実施例によるエネルギー
量制御装置の概略的な構成を示す平面図であって、ここ
ではエネルギー発生源lとして遠紫外域のパルス光を射
出するパルスレーザ光源を用いるものとし、レチクルR
のパターンを所定の露光量でウェハWへ転写するステッ
パーに応用した構成を示す。尚、第4図において第1の
実施例(第1図)と同じ機能、作用の部材には同一の符
号を付しである。
第4図において、トリガ制御部10、印加電圧制御部1
1は先の第1実施例で説明した如く、主制御系9からの
指令に基づいてパルスレーザ光源1にトリガパルス、及
び次に照射すべきパルス光のエネルギー量に対応する印
加電圧を送るものである。パルスレーザ光源1は、レー
ザチューブを挟んで両端に配置される2枚の共振ミラー
の間の一部にエタロン、分散素子等で構成される狭帯化
波長安定化機構を有し、安定共振器を持っレーザ光源と
して構成されている。さらに、レーザ光の光軸に沿って
平行に設けられた2枚の電極間に高電圧の放電を起こす
ことにより、レジスト層を感光するような波長の遠紫外
光、例えばKrFエキシマレーザ光(波長248 nm
)を発振する。
パルスレーザ光源1から射出されるレーザビームLB、
は、2枚の電極の配置形状に応じた矩形断面、即ちビー
ム断面の縦横比が1/2〜i15程度の長方形となって
いる。そこで、レーザビームLB、は2組(凹凸)のシ
リンドリカルレンズを組み合わせたビームエクスパンダ
−14(ビーム断面形状変換光学系)に入射し、ビーム
エクスパンダ−14はレーザビームLB、の短手方向の
幅を拡大して、・ビーム断面が略正方形に変換されたレ
ーザビームLB、とじて射出する。
エクスパンダ−14からの射出ビームLB、は減光部1
5に入射し、ここでそのビーム光量(エネルギー)が0
%(完全透過)から100%(完全遮光)の間で連続的
若しくは段階的に減衰させられる。減光制御部12は減
光部15へ所定の駆動指令を送って、その減光率(又は
透過率)を制御するものである。減光部15の減光率(
又は透過率)は、レチクルR1又はウェハW上に生じる
干渉パターンを平滑化するために必要なパルス数Nsp
と、ウェハWへ与えられる積算光量を所望の露光量制御
精度で制御するために必要なパルス数Neとから定めら
れる実際の露光に必要なパルス数Nexp、及び適正露
光量から決定されるものである。
ここで、例えば減光部15の減光率が離散的な6段階に
設定されるものとすると、その減光率は露光開始前にパ
ルス数Nexp及び適正露光量に基づいて選択され、少
なくとも1つのショットの露光中に別の値に変更される
ことはない。換言すれば、減光部15はウェハWへの露
光条件(例えば、レジストの感度特性に応じた1シヨツ
ト当たりの適正露光量)に変化がない限り、常に全ての
パルス光の光量を所定の減光率で一律に減衰させるもの
であって、応答速度(減光率の切替速度)が比較的低い
光量調整機構で構わないことになる。
本実施例で使用するのに好適な減光部15は、例えばタ
ーレット板に6種の減衰率(透過率)の異なるメツシュ
フィルターを取付け、このターレット板を回転させる方
式が採用される。第5図は、回転ターレット板16と6
種類のメツシュフィルター16a〜16fとの構造の一
例を示すもので、フィルター16aは単なる開口(透明
)部であり、減衰率0%(即ち、透過率100%)に定
められている。各フィルター16a〜16fは回転ター
レット板16の回転軸を中心とする円に沿った6ケ所に
、約60°おきに配置され、いずれか1つのフィルター
がエキスパンダー2からのほぼ正方形なビームLB、の
光路中に位置するように構成されている。
第6図は、第5図に示した回転ターレット板16の回転
量と透過率との関係を示するものである。
ここでは、フィルター16aがビームLB、の光路中に
位置する時の回転量を零とし、第5図において紙面内で
反時計回りに回転ターレット板16を回転させたものと
して示している。第6図では、回転クーレット板16を
約60° (π/3)ずつ回転させると、所定の割合で
ビームLB、が減光される。尚、回転量が2π(360
°又は0°)の時はフィルター16aが選ばれるため、
透過率は100%になる。
ここで、回転ターレット板16に取り付ける減光素子と
しては、メツシュフィルター以外のものとして、異なる
透過率を持った誘電体ミラーでも構わない。また、2組
の回転ターレット板16を一定の間隔をおいて相対回転
可能に設け、例えば第1回転ターレット板の減光素子の
透過率を100%、90%、80%、70%、60%、
50%とし、第2回転ターレット板の減光素子の透過率
を100%、40%、30%、20%、10%。
5%に設定すれば、両者の組合せで、計36通りの透過
率が実現できる。
尚、減光部15として所定の短形アパーチャとズームレ
ンズ系とを組み合わせて、ズーム比やアパーチャー径を
変えることで連続的に減光を行う方式、2枚のガラス板
(石英等)を所定間隔で略平行に保持した、所謂エタロ
ンを回転させる方式、2枚の位相格子若しくは明暗格子
を相対的に移動させる方式、或いは露光光として直線偏
光のレーザ光を用いる場合には偏光板を回転させる方式
等を採用しても構わない。
第4図の説明に戻って、減光部15において所定の減衰
を受けた略平行なビームL B roは、干渉パターン
を平滑化する干渉パターン低減部17に入射する。干渉
パターン低減部17は、アクチュエータ(ピエゾ素子等
)によって−次元(又は二次元)に振動する振動ミラー
(ガルバノミラ−ポリゴンミラー等)を有し、lパルス
毎にフライアイレンズ19へのビームL B 、’の入
射角を変化させることで、干渉パターンをレチクル上で
一次元(又は二次元)移動させて最終的に平滑化する、
換言すれば照度均一性を高めるものである。
さて、干渉パターン低減部17を通過したビームLB、
°は、微小な角度で一次元(又は二次元)に振れる振動
ビームとなった後、ミラー18で折り返されてオプチカ
ルインテグレータとしてのフライアイレンズ19に入射
する。従って、フライアイレンズ19に入射するビーム
L B 、’は、そのフライアイレンズ19に入射面に
おける入射角が時々刻々変化する。ここで、プライアイ
レンズ19は複数本のロッド状のエレメントレンズを束
ねたもので、その射出端にはエレメントレンズの数だけ
2次光源像(ここではビームL B 、’の部分光束の
夫々の集光スポット)が形成されることになる。
第7図は、フライアイレンズ19の入射ビームと2次光
源像(スポット光)との関係を示し、特開昭59−22
6317号公報に開示された原理に従う模式的な説明図
である。フライアイレンズ19の各ロッドレンズ19a
は、両端に凸球面が形成された石英ガラスの四角柱であ
る。光軸AXと平行にビームLBb  (平行光束)が
フライアイレンズ19に入射すると、フライアイレンズ
19の各ロッドレンズ19aの射出端、又は射出端から
所定量だけ空気中に出た位置には、スポット光SPbが
集光する。このスポット光SPbは第7図では1つのロ
ッドレンズのみについて表したが、実際にはビームLB
bが照射されるロッドレンズの全ての射出側に形成され
ることになる。しかも、ビームLBbに対して各スポッ
ト光SPbは、口ラドレンズの射出面の略中心に集光さ
れる。一方、光軸AXに対して右方に傾いた平行なビー
ムLBCがフライアイレンズ19に入射すると、各ロッ
ドレンズ19aの射出面の左側にスポット光SPCとし
て集光される。同様に、光軸AXに対して左方に傾いた
平行なビームLBaは、ロッドレンズ19aの射出面の
右側にスポット光SPaとして集光される。従って、干
渉パターン低減部13による平行ビームL B 、+の
一次元の振動によって、フライアイレンズ19の射出側
に生じる複数のスポット光の全てが、フライアイレンズ
19(光軸AX)に対して一方向に同時に往復移動する
ことになる。
こうして、フライアイレンズ19の射出側にできた各ス
ポット光を成す複数のビームLB2は、第4図に示され
るようにビームスプリッタ−2で大部分が透過して、コ
ンデンサーレンズCLに入射した後、レチクルR上でそ
れぞれ重ね合わされる。これによって、レチクルRは略
−様な照度分布で照明され、レチクルRのパターンは投
影レンズPLによってステージ(不図示)上に載置され
たウェハW(第1の実施例での被照射物体3に相当)の
レジスト層に所定の露光量で転写される。
この際、少なくとも像(ウェハ)側テレセントリックの
投影レンズPLの瞳(入射瞳)Epには、フライアイレ
ンズ19の射出端にできる複数のスポット光が再結像さ
れ、所謂ケーラー照明系が構成される。
以上のように、干渉パターン低減部17はフライアイレ
ンズ19に入射するビームを振動させることにより、レ
チクル面又はウェハ面に生じる干渉縞を微小量移動させ
、露光完了時においては、結果的にレジスト層に転写さ
れた明暗縞を平滑化して、干渉縞のビジビリティを低減
させるものである。尚、本実施例では干渉パターンを平
滑化するにあたって、フライアイレンズ19に入射する
レーザ光を振動させているが、この他に例えば回転拡散
板をパルス光の発光に同期して回転させる構成としても
良い。
次に、ビームスプリッタ−2で分割されたビームLB2
の一部は、集光光学系20により受光素子4′の受光面
上に集光される。受光素子4′は、ビームLB、の各パ
ルス毎の光量(光強度)に応じた光電信号を正確に出力
するもので、紫外域において十分な感度を有するPIN
フォトダイオード等で構成される。受光素子4°から出
力される光電信号は光量モニタ部5′に入力し、光量モ
ニタ部5”にて各パルス毎に実際の光量に変換される。
従って、受光素子4°及び光量モニタ部5′は本発明の
エネルギー量計測手段を構成し、このように計測された
エネルギー量は演算器6に送られ、ここで各パルス毎の
光量が順次積算される一方、演算器6において上記実測
値(光量)は、露光量制御、パルスレーザ光源1の印加
電圧と発振エネルギー量との関係に関する情報の更新、
及びトリガ制御部10から発振されるトリがパルスの1
シヨツト毎の発振制御の基礎データとなっている。尚、
受光素子4′ は予めパワーメータによりウェハWに照
射されるレーザビームの実際の光量と、受光素子4゛の
感度との関係が求められ、両者は一定の関係で対応付け
られてメモリ7に記憶されている。また、光量モニタ部
5°にてパルス毎の光量を順次積算することとし、この
積算光量と先のパルス毎の光量を演算器6に出力するよ
うにしても構わない。
演算器6は、本発明での印加電圧(若しくは、充電電圧
)と発振エネルギー量(若しくは、ドーズ量)との関係
に関する情報を更新する手段と、次に照射すべきパルス
エネルギー量に対応する印加電圧を決定する手段とを備
え、その役割は第1の実施例で述へた通りである。但し
、本実施例では干渉パターンの平滑化(照度均一化)を
行う点が第1の実施例と異なる。従って、本実施例にお
ける演算器6でのエネルキー量制御ロジックは第1の実
施例と異なるので、これについては後で詳述する。尚、
本実施例においても第1の実施例と同様に充電電圧計測
手段を図示していないが、演算器6にて印加電圧の代わ
りに充電電圧と発振エネルギー量との関係に関する情報
を更新するように構成しても構わないことは言うまでも
ない。
主制御系9は、印加電圧制御11とトリが制御部IOと
の各々に、上記演算器6にて決定した印加電圧及び発振
トリガパルスの指令を出力する他、各種演算結果に従っ
て減光度や干渉パターン制御に関する所定の指令信号を
各制御部に送って、ステッパー全体の動作を統括制御す
る。また、必要に応じて最終的な積算光量(ウェハWへ
の総露光量)を入出力装置8に出力する。入出力装置8
は、オペレータとステッパー本体とのマン・マシーン・
インターフェイスであり、露光に必要な各種パラメータ
をオペレータから受は付けると共に、ステッパーの動作
状態をオペレータに知らせる。
また、メモリ7には入出力装置8から入力された露光動
作、及び各種演算等に必要なパラメータ(定数)やテー
ブル、或いは上記受光素子4°の感度特性等が記憶され
ている。特に本実施例では、干渉パターン低減部17に
よりビームL B 、+が半周期だけ振動する間に、良
好な干渉パターンの平滑化に最低限必要なパルス数(後
述のNvib)を決定するための情報が記憶されている
。ここで、ビームの半周期とは、第7図においてスポッ
ト光をS Pa −+S Pb −*S Pcの順(又
は逆)に移動させるのに、ビームをL Ba −+L 
Bb −+L Bcの順(又は逆)に揺動角α0だけ傾
けることに対応している。尚、実際の振動ミラーの傾き
量は、倍角定理からα0/2になる。
さて、演算器6はメモリ7に予め記憶されている干渉パ
ターンを平滑化するために必要なパルス数Nspと、1
シヨツトの露光において所望の露光量制御精度を達成す
るのに必要なパルス数Neと、レジストの感度特性に応
じた1シヨツト当たりの適正露光量Sに関するデータと
に基づいて、減光部15の減光率βと後述するlパルス
光たりの平均光量値(P・β)とを算出する。また、演
算器6はこの平均光量値で各パルスを照射した時に、ウ
ェハWに与えられるべき目標積算光量を算出した後、こ
の目標積算光量と前述した光量モニタ部5°から送られ
てきた実測値(エネルギー量)を順次積算して求めた実
際の積算光量との差分りを算出する。そして、この差分
りに基づいてパルスレーザ光源lの印加電圧を算出し、
この印加電圧に関する情報を主制御系9へ出力する。
言い換えれば、演算器6は上記差分りに基づいて、次に
照射すべきパルス光の光量を平均光量値(P・β)から
補正して求め、主制御系9に送る。
そして、この補正値に基づいて、印加電圧制御部11は
パルスレーザ光源1の印加電圧を制御する、即ち上記補
正値に対応した分だけ印加電圧を修正してパルスレーザ
光源1に与えることになる。尚、パルスレーザ光源1へ
の印加電圧とその射出パルスの光量(パルスエネルギー
)との関係の一例は、第2図に示した通りである。
また、主制御系9はパルスレーザ光源1のパルス発光と
干渉パターン低減部17によるビームの振れ角とが同期
するように、干渉パターン制御部13に駆動信号を出力
する。尚、この同期はビームの振れ角を高精度にモニタ
ーする検出器の出力に追従して、パルスレーザ光源Iに
パルス発光のトリガをかけるように、トリガ制御部10
へ発振開始及び停止の信号を出力するようにしても良い
ここで、先に述べた減光部I5は第4図にて示した位置
のみでなく、パルスレーザ光源1とエクスパンダ−14
との間、若しくはパルスレーザ光源lの内部の共振器ミ
ラーの間に入れても同様の効果が得られる。さらに、上
述した干渉パターン低減部17によりビームを微小角振
動させる方式を採らない場合は、干渉パターン低減部1
7とフライアイレンズ19との間に入れても良い。しか
しながら、いずれにしても減光部15は、フライアイレ
ンズ19にレーザ光が入射する前の段階に入れておく必
要がある。なんとなれば、メツシュフィルター等の減光
素子は、ビーム断面での照度均一性の劣化を招くことが
多いため、これをフライアイレンズ19によって解消す
る必要があるからである。
次に、干渉パターンの平滑化(照度均一化)を行うため
に最低限必要なパルス数Nspについて述べるが、干渉
パターンの平滑化については、例えば特開平1−257
327号公報に開示されているので、ここでは簡単に説
明する。上記公報では、オプチカルインテグレータ、特
にフライアイレンズを備えた照明光学系を採用する場合
、レチクル(又はウェハ)上に形成される干渉パターン
をある範囲内で移動させつつ、複数のパルス光を照射す
ることで平滑化を行う際には、干渉パターンを1ピッチ
分移動させる間に照射すべき最小のパルス数が予めある
一定値に制限され、その最小パルス数以上の数のパルス
光を照射しなければならないという原理を利用している
さて、第7図にも示したように干渉パターンは、フライ
アイレンズ19の各ロッドレンズによって作られたスポ
ット光が互いに干渉し合うことで生じる。この時、互い
に隣り合った2つのロッドレンズのスポット光のみが干
渉する場合、或いはロッドレンズの配列方向の3つのス
ポット光が互いに干渉し合う場合等でも良いが、最大で
もロッドレンズの配列方向の数だけのスポット光が互い
に干渉し合う場合について考えれば良い。
従って、理論上はフライアイレンズ19を構成するロッ
ドレンズの配列方向の数のうち、互いに干渉し合うスポ
ット光をもつ数等に応じて、良好な干渉パターンの平滑
化に最低限必要なパルス数Nsp、さらには干渉パター
ンの1ピツチ移動に必要な振動ミラーによるビーム揺動
の半周期中に照射すべき最小パルス数Nvib (Nv
ibはNvib≧Nspなる任意の整数)も決定される
ことになる。
例えば、互いに隣り合った2つのスポット光のみが干渉
する場合、干渉パターンの強度分布は数学上、理論的に
は単純な正弦波状になる。この干渉パターンを平滑化す
るためには、2つのスポット光の位相差をπだけずらす
(干渉パターンの1/2周期の移動)前後で1パルスず
つ、計2パルスを照射すれば良いことになる。また、一
般にn個のスポット光が互いに干渉し合う場合は、理論
的には、干渉パターンを1 / n周期ずつ移動させつ
つ、lパルスを照射して、計nパルスで平滑化が可能で
ある。
ここで、レチクル上に1パルス発光時に生じる干渉パタ
ーンの一方向(例えばY方向)の強度分布について考え
てみると、一般的にはY方向に所定のピッチYpで明る
い縞と暗い縞が交互に並ぶ。
但し、フライアイレンズの2段化等の構成によっては、
フライアイレンズのロッドレンズの配列ピッチ、レーザ
光波長等で決まるピッチypの基本成分以外に、さらに
細いピッチで強度変化する弱い干渉縞が重畳して現われ
ることもある。従って、実際には上記条件で完全に平滑
化が達成されることは少なく、干渉パターンの平滑化に
必要な最小パルス数Nspの最適値は実験等によって決
める必要がある。
本実施例では、実験により求めた最小パルス数Nspに
基づいて、n・ΔY≧Ypなる関係を満すように振動ミ
ラー(不図示)の角度変化と発光パルス間隔(周波数)
とを設定する。そして、干渉パターンを単数乃至複数パ
ルスの発光毎にレジスト層上で順次Y方向に微小量ΔY
(ΔY<Yp)だけずらしていくことで、露光完了時に
干渉パターンの平滑化(照度均一化)を行ない、精度上
影響のない程度に微小量のリップル分を含む略一定の照
度分布を得るようにするものである。
そこで、照度均一化に必要な条件を考えると、以下の2
つの条件が挙げられる。
(1)  ミラー振動の半周期(ビーム揺動角が0゜か
らα0まで変化する期間)内に、略均−にある数Nsp
以上のパルス発光が行なわれること。
ここで、パルス数Nspは干渉パターンのビジビリティ
(visibility)によって決まるもので、ビジ
ビリティが大きいほどNspも大きな値になる。
また、パルス数Nspは予め試し焼き等の実験によって
決定され、異なる光学系を備えた装置間では、その数値
も異なってくる。従って、Nspよりも小さい数のパル
ス発光をビーム揺動角変化(0°→α″)の半周期内で
略均等に振り分けた場合、照度均一化(像面での照明む
ら)の点で所望の精度内に納まらないことになる。
(2)振動ミラーの所定角度における1パルス当たりの
平均的な露光エネルギーは、ビーム揺動範囲(0°→α
0)内のどの角度に対しても略一定であること。
第2の条件は、実際に1シヨツトの露光に必要な総パル
ス数N expがビーム揺動の半周期中のパルス数Nv
ibの整数倍であること、及び第1発註のパルス光をミ
ラー振動(0°〜α6/2)の最大角(例えば第4図の
ビームLBaが得られる角θ°)で発光させることで達
成される。また、パルス数Nexpがミラー振動(0°
〜α0/2)の1周期中のパルス数の整数倍である場合
は、第1発註のパルス光をミラー振動(0°〜α0/2
)の任意の角度で発光させ始めて良い。
以上のことから、上述した2つの条件(1)、(2)を
同時に満すように、■パルス光たりの平均露光エネルギ
ーを調整して、最適なパルス数を決定してやれば、照度
均一化と露光量制御とを極めて効率的に両立させること
ができる。また、露光エネルギーのみならず、振動ミラ
ーの振動周期(揺動速度)も変化させてやれば、必要以
上に露光パルスを増加させることがな(なり、スループ
ット上有利である。
さて、パルスレーザ光源1に対する印加電圧は、発振パ
ルス毎の露光エネルギーのばらつきを考慮し、パルスレ
ーザ光源lへの最大印加電圧V maxよりもやや小さ
い値に設定される。lショットの露光においては、上記
設定値のもとで第1発註のパルス光を射出した後、主制
御系9は第2発目以降のパルス毎にその印加電圧を演算
器6にて算出される電圧値に順次制御する。そこで、次
にパルスレーザ光源1の印加電圧制御による露光エネル
ギー制御範囲について述べる。lパルス光たりの平均露
光エネルギーをP(減光部15の減光率が1のもとで)
、この露光エネルギーのパルス間のばらつきをΔFとし
、lショットの露光でN回パルス発光させたものとする
と、目標積算光量p・N(適正露光量Sで、5=P−N
)に対する実際の積算光量Iのばらつきは、以下の(1
2)式で表される。
・・・・・・・ (12) 上記(12)式から明らかなように印加電圧制御による
光量の制御比率は、0くΔP/P<1、パルス数Nをあ
る程度大きい整数として、 (1±(ΔP/P)/ (
1−ΔP/P)l となる。従って、この制御比率の最
大値11/ (1−ΔP/P)]が露光エネルギー制制
御部の最大値を越えないようにするためには、露光前に
設定される平均的な露光エネルギー制御値を、上記制御
範囲の最大値の(l−ΔP/P)倍以下にしておけば良
い。
実際には、平均露光エネルギーpがパルスレーザ光源1
の最大出力の(l−ΔP/P)倍以下となるように、第
2図に示した関係に基づいて所望の露光エネルギーが得
られるパルスレーザ光源1への印加電圧(電極間放電電
圧)を設定すれば良い。例えばエキシマレーザの場合、
通常(Δp/P)=10%程度であるから、パルスレー
ザ光源lの最大印加電圧時の露光エネルギーを10mJ
/cm !とすると、露光エネルギーpが9 m J 
7cm”以下となるように印加電圧を設定すれば良い。
実際には、レーザ密度の低下現象(混合ガスの劣化に伴
う出力の低下)や光学部品の寿命等も考慮して、露光エ
ネルギーpが例えば5 m J /am”以下となるよ
うに印加電圧を設定することが望ましい。
尚、本実施例ではウェハWへの露光条件(レジストの種
類、適正露光量等)に応じて減光部15の減光率を変化
させるため、第2発目以降のパルス光の露光エネルギー
はパルス間のばらつきによる積算光量の誤差を補正する
ためだけに微調整されることになる。従って、パルスレ
ーザ光源lでの電極間放電電圧を大きく変化させる必要
がなく、印加電圧制御部11のダイナミックレンジが小
さくて済むことになる。このため、lショットの露光に
おける印加電圧と露光エネルギーとの関係は、第2図に
示したグラフのごく一部のみを使用するだけで良く、そ
の関係式は1次式で十分近似できることになる。
次に、1シヨツトの露光において所望の露光量制御精度
A (A=1−1/P−N)を達成するのに必要なパル
ス数Neについて簡単に説明する。
本実施例における露光量制御は、lパルス毎にその露光
エネルギーを調整しながら、実際の積算光量■と目標積
算光量p−Nとをほぼ一致させるものであるため、最終
的な積算光量の誤差は最終パルス光の露光エネルギーの
ばらつきとなる。従って、露光量制御精度を達成するに
は、最終パルス光の露光エネルギーのばらつきを露光量
制御精度の許容誤差内に入れなければならない。つまり
、露光エネルギーpを小さな値に設定しなければならず
、1シヨツトの露光に必要なパルス数N (N=S/P
)はある程度大きな数でなければならない。これより、
上記(迄式において(ΔP/P)Nは零と見做せるから
、各辺をP−Nで割って整理すると、露光量制御精度A
は、 と表される。ここで(13)式において露光量制御精度
Aが最大許容誤差となる時、即ち となる時、露光量制御精度を達成するのに必要なパルス
数Nが最も少なくなる。これより、上記ノくルス数Ne
は以下の(15)式で表される。
従って、少なくとも上記(15)式で表されるノくルス
数Ne以上の数のパルス光で露光を行えば、最終的な積
算光量Iは目標積算光量p−Hに対して、±A(例えば
1%の場合、A=0.01)の制御精度が保証されるこ
とになる。
次に、lショットの露光パルス数Nexpを決定する方
法について述べる。一般に、露光ノくルス数N exp
は、Nexp = i NT (S/ P)となる。尚
、1NT(ω)は実数値ωの小数点以下を切り上げて整
数値に変換することを示している。
さて、パルスレーザ光源lから発振されるパルス光は、
減光部15により所定の減光率β(0≦β≦1)で−律
に減衰されてレチクルRに照射されることになる。この
ため、露光パルス数N expは、下記の条件式(16
)を満たすことが要求される。
また、先に述べた露光量制御精度Aを達成するためには
、以下の(17)式も満たす必要がある。
N exp≧Ne         = (17)さら
に、干渉パターンを平滑化するためには、露光パルス数
N expは振動ミラーの半周期中のパルス数Nvib
の整数倍でなければならない。このため、露光パルス数
N expは以下の(18)式で表される。
Nexp =m−Nvib≧mIINSp(m : m
≧1なる整数)・・・・・(18)従って、減光部15
の減光率βは(15)〜(17)式%式% また、整数mは(15)、(17)、(18)式より、
以下の(20)式で表される。
さらに、減光率βは1以下であるため、(16)、(1
8)式より、以下のように表される。
以上のことから、本実施例においてはまず始めに(19
)式を満たすように減光部15の減光率を定める、即ち
回転ターレット板16のフィルターを選択する。次に、
この選択したフィルターの減光率のもとで(16)式か
ら算出されるパルス数N expが、(17)及び(1
8)式を満足するか否かをチエツクする。満足しない場
合は、(19)式を満たすさらに減光率が小さいフィル
ターを選択して、露光パルス数N expが(17)、
(18)式を満たすようにする。
このように露光パルス数N expが決まれば、(20
)及び(21)式を同時に満たすようにm、Nvibを
定めてやれば良い。
一例として、平均露光エネルギーのパルス間のばらつき
ΔP/PをI 0% (AP/P=0.1)、露光量制
御精度Aを1%(A=0.01)とすると、(15)式
からパルス数Neは12パルスとなる。−方、減光部1
5の減光率βが1となる場合の平均露光エネルギーpを
2 m J 7cm”、適正露光量Sを80 m J 
7cm”、干渉パターンの平滑化に必要なパルス数Ns
pを50パルスとすると、(16)式から露光パルス数
N expは40パルスとなるが、このパルス数N e
xpは(18)式を満たさないことになる。
そこで、減光部15の減光率を1より小さく設定し、こ
の減光率、即ち平均露光エネルギーr・βのもとで(1
6)式から算出される露光パルス数Nexpが(18)
式を満たすようにする。
ここで、減光部15の減光率βの設定が連続的に可能で
ある場合、Ne = 12. N5p=50パルスであ
ることから、(20)、(21)式に基づいてm。
N vibを設定する。この時、(m、 Nvib)の
組合せは、例えば(1,50)、(1,60)、(2,
100)等のように種々考えられるが、ここではスルー
ブツトを考慮して露光パルス数Nexp (Nexp=
m−Nvib)を最小にするため、m=1.Nvib=
50に設定して露光パルス数N expを50パルスと
する。Nexp=50として露光を行えば、最小のパル
ス数N expで露光量の最適化及び干渉パターンの平
滑化を行うことができる。この結果、(16)式から減
光部15の減光率βは0.80に設定されることになる
。また、ΔP/P =±lO%からΔpは±0.2 m
 J 7cm”となって、平均光量値p・βのばらつき
Δp・βは±0.160 mJ/cm”となる。従って
、最終パルス光の平均光量値のばらつき、即ち最終的な
積算露光量の誤差は±0.160 m J 7cm”程
度であると見做せるから、十分に露光量制御精度(1%
)が達成されることが分かる。
一方、減光部15の減光率βの設定が非連続の場合(減
光部15が回転ターレット板等である場合)は、まず(
19)式を満足する回転ターレット板16のメツシュフ
ィルターを選択し、このフィルターの減光率(例えばβ
−0,5とする)のもとで(16)式から算出されるパ
ルス数N expが、(18)式を満足するか否かをチ
エツクする。ここでは上記N expを最小とするため
、(19)式を満たすフィルターのうち、減光率が一番
大きいものから選択していくようにする。β=0.50
(即ち、p・β=1 m J 7cm”)の場合にはN
exp=80パルスとなって、(17)、(18)式を
満足することになる。このようにパルス数N expを
決定すれば、後はN exp=80であることから(2
0)、(21)式を同時に満たすm、Nvibを定める
だけで良く、ここではm=1、 Nvib =80とな
る。
尚、上記のことから明らかなように、減光部15の減光
率の設定が非連続である場合、必ずしもその減光率を計
算から求めた最適値に設定できないので、連続設定可能
な場合と比較してパルス数N expが大きくなって、
スループット上不利となり得る。このため、減光部15
としては減光率の設定が連続的に可能なもの、若しくは
非連続的なものであっても減衰率(透過率)を細かく設
定できるもの(例えば、2枚の回転ターレット板を組合
せたもの)等を用いることが望ましい。
次に、本実施例において中枢をなす印加電圧と発振エネ
ルギー量との関係に関する情報の更新方法について詳述
する。さて、前述したように本実施例では印加電圧制御
による露光エネルギー制御のダイナミックレンジが小さ
いので、第2図に示した関係のうち一部を使用する形と
なる。このため、印加電圧と発振エネルギー量との関係
は1次関数で十分近似できることになる。従って、印加
電圧と発振エネルギー量との関係に対して関数をあては
める際には、1次関数で議論を進めれば良いことになる
。そこで、本実施例におけるモデル関数は、以下のよう
に表される。
P = s + t V         = (22
)ここで、s、tは最小二乗法により求めるパラメータ
である。また、本実施例において評価関数Eは、データ
(V、、P、) に与える重みγ、を考慮して、次式で
表される。
の右辺の行列の各要素を次式のように表す。
・・・・・・・・ (23) さて、評価関数Eを最小にする未知数s、tは、最小二
乗法の理論により、 es         clt なる2元連立方程式を解くことによって、次式から求め
ることができる。
但し、 ここで、第1の実施例と全(同様にデータに対する重み
γ1を(4)式のようにおき、上記(24)式この際、
印加電圧と発振エネルギー量との関係に関する情報とし
て、上記各要素、即ちパラメータ01〜G3、H,、H
lをメモリ7に格納する。
そして、新たにデータ(V、、P、)、即ち最新データ
(V、  P、)が得られた時には、演算器6はメモリ
7からパラメータG1〜G、、Hl2を取り込み、定数
であるG、(G、=1/ (1ε2))以外は、以下に
示す漸化式を用いてG2、Gs及びH,、Hlを更新す
ることとする。この結果、漸化式を適用することにより
印加電圧Vと発振エネルギー量Pとの関係に関する情報
の更新に要する演算時間が短くて済み、演算器6はこの
更新した情報を新たにメモリ7に格納することになる。
従って、単位パルス数、若しくは一定時間毎に、適宜上
記(26)式にてG、、G、及びHl、Hlを更新し、
さらに(24)式を計算して未知数s、tを求めれば、
印加電圧Vと発振エネルギー量Pとの関係式((22)
式)が更新され、次に照射すべきパルス光の発振エネル
ギー量Pに対応する印加電圧Vを(22)式により求め
ることができる。
次に、第8図を参照して本実施例の動作について説明す
る。第8図は本実施例の動作の一例を示す概略的なフロ
ーチャート図である。まず、ステップ200において演
算器6は、メモリ7に格納されたパラメータG、〜G、
 、H,、Haをイニシャライズするか否か判断し、パ
ラメータ01〜G、、H,、Hlが十分信頼できる時に
は、ステップ203に進む。一方、イニシャライズが必
要な場合、例えばパルスレーザ光源1の立ち上げ、若し
くはその発振を長時間停止していた時、或いはチャンバ
ー内の活性媒質のガス交換を行った直後にはステップ2
01に進み、ここで印加電圧Vを使用予定範囲内(関係
式(22)が1次関数で十分近似できる範囲内)で数通
りに変化させ、各電圧値のもとで発振されたパルス毎の
光量を光量モニタ部5′から取り込む。しかる後、ステ
ップ202において演算器6はステップ201で求めた
データ(vl、Pl)に基づき、上記(26)式カラハ
ラメータG、−G、 、及びH+ 、 H−を算出し、
メモリ7に格納する。
次のステップ203において、演算器6は入出力装置8
から目標積算光量Sを、メモリ7から露光量制御精度A
、平均露光エネルギーのパルス間のばらつき(ΔP/P
) 、最大印加電圧V max、及び干渉パターンの平
滑化に必要なパルス数Nspを取り込む。勿論、平均露
光エネルギーのパルス間のばらつき(ΔP/P)は、第
1の実施例と同様にステップ201でのデータ(V、、
PI)から求めた値であっても構わない。次に、演算器
6はステップ203にて取り込んだ各データに基づき、
減光部15の減光率β(平均光量値r・β)、即ち回転
ターレット板16のフィルター、及びこの選択したフィ
ルターの減光率のもとでの露光パルス数Nexp、振動
ミラーの半周期中のパルス数Nvib及び整数mを算出
する(ステ・ツブ204)。
続いて、ステップ205において回転ターレット板16
を回転させて減光部15の減光率をβに設定し、さらに
ステップ206で(22)式から平均露光エネルギーP
を得るための印加電圧Vを算出する。ここで、平均露光
エネルギーpは、最大印加電圧V maxのもとでパル
スレーザ光源lから発振される露光エネルギーpmax
  (最大値)の(1−ΔP/P)倍量下に設定してお
くことが望ましい。
さて、次のステップ207においてパルスカウンタn及
び積算光量■を、それぞれN exp及び零に設定する
。続くステップ208において、主制御系9はパルスカ
ウンタnが零であるか否かを判断し、零でなければ、次
のステップ209に進む。
そして、ステップ209では印加電圧制御部11により
パルスレーザ光源lの印加電圧を設定した後、トリガ制
御部10からトリガパルスをパルスレーザ光源1に送っ
て1パルスを発光させる。続くステップ210において
、受光素子4′により発振されたパルス光の実際の光量
に対応する値paを検出し、光量モニタ部5°を介して
演算器6に送る。次に、ステップ211において演算器
6は積算光量Iを算出して、積算光量の設定をI=1+
Paとすると共に、パルスカウンタの設定を(Nexp
 −1)とする。
次にステップ212では、(27)式に従って先のステ
ップ204で決定した平均光量値p・βによって与えら
れるべき目標積算光量、及びこの目標積算光量と演算器
6にて求めた実際の積算光量Iとの差分りを求める。
D=(Nexp−n)・p・β−I  −−−−−(2
7)続いて、ステップ213において上記差分りに基づ
き、次に照射すべきパルス光の光量P°を、(28)式
によってステップ204で決定した平均光量p・βから
補正して求める。
β 次のステップ214において、演算器6は前ノ々ルスの
データ、即ちステップ209にてノ(ルスレーザ光源l
に与えられた印加電圧Vと、ステ・ンプ210にて検出
された1パルス分の光量paとに基づいて、上記(26
)式からパラメータ01〜G。
、H+ + Hiを更新し、メモリ7に収納する。そし
て、次のステップ215において演算器6は、(22)
式により上記光量r′に対応した印加電圧を算出し、ス
テップ208に戻る。このステ・ツブ208において前
述した動作と同様にパルスカウンタnが零であるか否か
を判断する。零でなければ、ステップ209に進み、ス
テップ209〜215において上述と同様の動作を行っ
た後、再びステップ208に戻り、パルスカウンタnが
零となるまでステップ209〜215を繰り返し実行し
、パルスカウンタnが零となった時点で露光動作を終了
する。
次に、第9図を用いて本実施例による装置における露光
量制御の状態を説明する。第9図は、1つのショットを
露光する際のパルス数と積算露光量との関係を示すグラ
フであって、ここでは8パルスで露光が終了する場合を
示している。尚、説明を簡単にするため、減光部15の
減光率βはlに設定されているものとする。
第9図において、二点鎖線で示した直線はステップ20
4で決定した平均光量値p・βのパルス光によって与え
られるべき積算露光量の目標値を示している。従って、
本発明では上記目標値に沿って露光量制御が行われるよ
うに、第2発註以降のパルス毎にその光量が調整される
さて、第1発註のパルス光がplという露光量を目標と
して発光され、発光後の実際に検出された露光量がPI
’であったとすると、第2発註のパレス光は目標露光量
2 P 1 とP+’との差(2PP+’)=P−なる
光量に設定されて発光が行われることになる。この際、
印加電圧制御部11は上記光量p2に対応した印加電圧
をパルスレーザ光源lへ与えれば良い。同様に、第2発
註のパルス光量の実測値がP2゛であったとすると、第
3発目f)パ)レス光は(3PI P+’  Pt’)
=Psなる光量に設定されて発光が行われる。
従って、以上の動作を繰り返して行うことにより、二点
鎖線の目標ラインからのずれが少ない状態で8パルス目
で露光が完了する。この際、最終的な露光量制御精度(
適正露光量に対する実測値のばらつき)は、第8発註の
パルス光の光量誤差(ばらつき)となることは明らかで
ある。
以上の通り本発明の第2の実施例では、■ショットを複
数のパルス光で露光するのにあたり、第(i+l)発註
までの積算露光量の目標値と過去(第i発註まで)の積
算露光量との差に基づいて、次に照射すべき第(i+1
)発註のパルス光の光量を設定していた。しかしながら
、パルス毎のばらつき方に何等かの傾向がある場合には
、単位パルス毎の目標値と単位パルス毎の実測値の比を
過去の複数パルスに対して平均化し、目標値をこの比の
平均値で除算したもので新たな目標値を設定しても良い
また、上記第2の実施例では露光用照明光源から発振さ
れるパルスエネルギーが可干渉性のレーザ光である場合
について述べたが、露光装置の光源が非干渉性のパルス
光を射出する場合や、例えば電子線等の光以外のパルス
エネルギーを射出する場合には、干渉パルスの低減(平
滑化)ということについては全く考慮する必要がない。
従って、複数のパルス光の照射によってウェハWへ与え
られる実際の積算露光量のばらつきを、目標とする適正
露光量に対して所望の露光量制御精度で制御するために
最低限必要なパルス数(本実施例のパルス数Neに対応
)を、1パルス当たりのパルスエネルギーの変動範囲と
露光量制御精度とから定め、このパルス数と最適露光量
とに基づいてパルス毎にそのパルスエネルギーの目標値
を設定すれば良い。即ち、最終的な積算露光量の適正露
光量に対する誤差は、最終パルス光の光量誤差によって
決定されるわけであるから、最終パルスのばらつきが露
光量制御精度の許容誤差内に入るように(15)式に従
ってパルス数を定め、(16)式に従って1パルス当た
りの平均的なエネルギー量を設定すれば良い。
さらに、上記実施例の露光装置(第4図)においてパル
スレーザ光源lに対する印加電圧制御が有効(必要)な
動作は、ウェハ露光、及び印加電圧と露光エネルギーと
の関係に関する情報を得るためのデータ収集(第8図の
ステップ201)である。通常、露光装置におけるパル
スレーザ光源1の発振は、例えば投影レンズPLと別設
され、専らウェハW上のアライメントマークのみを検出
するオフ・アクシス方式のアライメント系の検出基準位
置(マーク検出中心位置)と、レチクルRの投影像の投
影位置く露光位置)との距離、所謂ベースラインの計測
時にも必要となる。ここで、パルスレーザを光源とする
露光装置でのベースラインの計測動作については、例え
ば特開昭6410105号公報に開示されているので説
明は省略するが、複数の反射部材(又は光ファイバー)
によりパルスレーザ光源から伝送された照明光で、ウェ
ハステージ上に設けられた基準マークを下方(ウェハス
テージ内部)から照明光することによって、レチクルR
のアライメントマークとウェハステージ上の基準マーク
の投影像とが合致した時のウェハステージの位置を検出
する。さらに、アライメント系を用いてそのマーク検出
中心位置とウェハステージ上の基準マークとが合致した
時のウェハステージの位置を求め、この2点間の間隔を
もってベースラインとしている。このため、上記の如き
ベースライン計測時には、必ずしもパルスレーザ光源l
に対する印加電圧制御を行う必要はない。従って、露光
装置の動作モードに応じてパルスレーザ光源1の発振モ
ードを、印加電圧制御モードとエネルギー量一定モード
(或いは印加電圧一定モード)とに切替可能とし、ウェ
ハ露光及びステップ201でのデータ収集を除く動作で
はエネルギー量一定モードを使用することが望ましい。
以上、本発明の第1、第2の実施例においては、印加電
圧(若しくは充電電圧)と発振エネルギー量(若しくは
ドーズ量)との関係に関する情報を(5)又は(25)
式で示した行列要素として表したが、各要素、即ちパラ
メータC,−C,、D、〜D。
、又は61〜G、、H,、H,の代わりに、例えば上記
関係のイニシャライズ時(ステップ102、又は202
)の未知数a −c、又はs、  tに対する更新時(
ステップ108、又は214)の未知数a  −c’又
はs’、t’ の比率を上記情報としても良く、さらに
所定のパルスエネルギーを得るのに必要な印加電圧の上
記関係のイニシャライズ時の印加電圧に対する補正率を
パルスエネルギーの関数として持ち、この関数を適宜更
新していくこととしても構わない。
また、本発明の第1、第2の実施例では印加電圧(若し
くは充電電圧)と発振エネルギー量(若しくはドーズ量
)との関係に関する情報を1パルス毎に更新する場合に
ついて述べたが、パルス発振周波数が高く、しかも1パ
ルス毎の演算時間が十分に得られない場合には、単位パ
ルス数毎(例えば、5パルス毎)、又は一定時間毎に上
記情報の更新を行うこととしても構わない。この際、上
記情報の更新間隔を両者の関係の経時変化よりも十分に
短い時間に設定することが望ましい。上記方式の場合、
単位パルス数毎、又は一定時間毎のデータのみを用い、
その他のデータは使わない方式(間引き方式)が最も演
算量が少なく、有効であると予測される。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明では印加電圧(若しくは、充電電
圧)と発振エネルギー量(若しくは、ドーズ量)とを、
単位パルス数毎、又は単位時間毎に適宜取り込み、演算
により両者の関係式を更新していくこととした。従って
、印加電圧と発振エネルギー量との関係の経時的な変化
に応じて上記関係式が逐次更新されていくので、常に良
好なエネルギー量制御が可能となる。
また、エネルギー発生源がパルスレーザであって、レー
ザの部分ガス交換等が露光動作に伴って行われる場合に
も、印加電圧と発振エネルギー量との関係の経時変化(
即ち、チャンバー内の混合ガスの劣化による出力低下)
に追従して上記関係式の更新を行うことができる。特に
露光装置では、最終的な干渉パターンをほぼ完全に平滑
化(照度均一化)する上で好都合であり、パルスレーザ
光源の出力低下等があっても従来に比較してより高精度
に露光量の最適化及び干渉パターンの平滑化を行いなが
ら、しかも必要最低限のパルス数で1シヨツトの露光を
行うことが可能となって、生産性の向上を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例によるエネルギー量制御
装置の概略的な構成を示すブロック図、第2図はエネル
ギー発生源における印加電圧とその印加電圧のもとでの
出力(パルスエネルギー)との関係の一例を表す図、第
3図は第1図に示した第1の実施例によるエネルギー量
制御装置の動作の一例を示すフローチャート図、第4図
は本発明の第2の実施例によるエネルギー量制御装置を
備えたステッパーの概略的な構成を示す平面図、第5図
は減光部に適用するのに好適な回転ターレット板の一例
を示す構成図、第6図は第5図に示した回転ターレット
板により減光を行う場合の減光素子の回転量と透過率と
の関係を示す図、第7図はオプチカルインテグレータ(
フライアイレンズ)へ入射するビームとその2次光源像
(スポット光)との関係を模式的に示す図、第8図は第
4図に示した第2の実施例によるエネルギー量制御の動
作の一例を示すフローチャート図、第9図は第4図に示
した第2の実施例による露光量制御の様子を示すグラフ
である。 〔主要部分の符号の説明〕 1・・・パルス発振型エネルギー発生源、5・・・エネ
ルギー量モニタ部、5°・・・光量モニタ部、6・・・
演算器、7・・・メモリ、8・・・入出力装置、9・・
・主制御系、10・・・トリが制御部、11・・・印加
電圧制御部、12・・・減光制御部、13・・・干渉パ
ターン制御部、l5・・・減光部、16・・・回転ター
レット板、17・・・干渉パターン低減部、19・・・
フライアイレンズ、R・・・レチクル、PL・・・投影
レンズ、Ep・・・入射瞳、W・・・ウェハ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)発振のたびに所定の範囲内でエネルギー変動を伴
    うパルスエネルギーを射出するエネルギー発生源を備え
    、該エネルギー発生源に対する印加電圧を調整すること
    によって、前記パルスエネルギーのエネルギー量を制御
    する装置において、前記エネルギー発生源に対する印加
    電圧と、該印加電圧のもとで前記エネルギー発生源から
    射出されるパルスエネルギーのエネルギー量との関係に
    関する情報を格納する記憶手段と; 前記エネルギー発生源から実際に射出されたパルスエネ
    ルギーのエネルギー量を検出するエネルギー量計測手段
    と; 所定の単位パルス数毎、若しくは単位時間毎に、前記エ
    ネルギー発生源に与えられた印加電圧と、前記エネルギ
    ー量計測手段にて検出されたエネルギー量とに基づいて
    、前記記憶手段に格納された前記情報を更新する演算手
    段と; 該演算手段により更新された情報に基づいて、次に射出
    すべきパルスエネルギーのエネルギー量に対応する前記
    エネルギー発生源への印加電圧を決定する決定手段とを
    備えたことを特徴とするエネルギー量制御装置。
  2. (2)発振のたびに所定の範囲内でエネルギー変動を伴
    うパルスエネルギーを射出するエネルギー発生源を備え
    、該エネルギー発生源に対する印加電圧を調整すること
    によって、前記パルスエネルギーのエネルギー量を制御
    する装置において、前記エネルギー発生源におけるエネ
    ルギー発振時の充電電圧と、該充電電圧のもとで前記エ
    ネルギー発生源から射出されるパルスエネルギーのエネ
    ルギー量との関係に関する情報を格納する記憶手段と;
    前記エネルギー発生源の充電電圧を検出する充電電圧計
    測手段と; 前記エネルギー発生源から実際に射出されたパルスエネ
    ルギーのエネルギー量を検出するエネルギー量計測手段
    と; 所定の単位パルス数毎、若しくは単位時間毎に、前記充
    電電圧計測手段とエネルギー量計測手段との計測結果に
    基づいて、前記記憶手段に格納された前記情報を更新す
    る演算手段と; 該演算手段により更新された情報に基づいて、次に射出
    すべきパルスエネルギーのエネルギー量に対応する前記
    エネルギー発生源への印加電圧を決定する決定手段とを
    備えたことを特徴とするエネルギー量制御装置。
  3. (3)前記エネルギー発生源は、エキシマレーザ光を発
    振することを特徴とする請求項第1項又は第2項記載の
    エネルギー量制御装置。
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