JPH047855A - ウエハキヤリア - Google Patents
ウエハキヤリアInfo
- Publication number
- JPH047855A JPH047855A JP2107584A JP10758490A JPH047855A JP H047855 A JPH047855 A JP H047855A JP 2107584 A JP2107584 A JP 2107584A JP 10758490 A JP10758490 A JP 10758490A JP H047855 A JPH047855 A JP H047855A
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- Japan
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- wafer
- dust
- wafer carrier
- electrodes
- gas flow
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- Pending
Links
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェハがウェハキャリア内に存在する状態で
、静電気によるウェハ表面上への塵埃の付着が生じない
ウェハキャリアに関する。
、静電気によるウェハ表面上への塵埃の付着が生じない
ウェハキャリアに関する。
従来、ウェハキャリア内ウェハの除電に関しては、特開
平1−13717号公報に記載のように、ウェハキャリ
アにウェハに帯電した電荷を大地に放出する接地部を設
ける方法が考えられていた。
平1−13717号公報に記載のように、ウェハキャリ
アにウェハに帯電した電荷を大地に放出する接地部を設
ける方法が考えられていた。
上記従来技術は、ウェハキャリアのウェハ収納部は材質
として絶縁物が最も一般的であるため帯電が起こりやす
く、帯電電位は数十kVになることもあるという点につ
いて考慮がされていなかった。このため、ウェハが除電
されていたとしても、ウェハ収納部によってつくられる
電界の影響で塵埃が引き寄せられ、ウェハ周辺部の塵埃
濃度が高くなり、直接、静電気力により付着する塵埃は
少ないとしても、間接的な静電気の影響により塵埃濃度
が高くなるためにウェハに付着する塵埃が多くなるとい
う問題があった。
として絶縁物が最も一般的であるため帯電が起こりやす
く、帯電電位は数十kVになることもあるという点につ
いて考慮がされていなかった。このため、ウェハが除電
されていたとしても、ウェハ収納部によってつくられる
電界の影響で塵埃が引き寄せられ、ウェハ周辺部の塵埃
濃度が高くなり、直接、静電気力により付着する塵埃は
少ないとしても、間接的な静電気の影響により塵埃濃度
が高くなるためにウェハに付着する塵埃が多くなるとい
う問題があった。
また、従来技術は、塵埃が帯電している場合にはウェハ
が除電されていてもウェハと塵埃の間にクーロンカ以外
の静電気力である影像力、誘起力が働くという点につい
ての考慮がされておらず、塵埃はウェハに引き寄せられ
るという問題点があった。
が除電されていてもウェハと塵埃の間にクーロンカ以外
の静電気力である影像力、誘起力が働くという点につい
ての考慮がされておらず、塵埃はウェハに引き寄せられ
るという問題点があった。
さらに、従来技術は、接地部として導電性の金属等を用
いるが、金属材質はエツチング溶液などにより腐食する
という点について考慮されておらず、ウェハキャリアの
本体の材質として耐薬品性の良いテフロン等を用いたと
してもエツチング溶液等は金属が腐食するために使用で
きないという問題点があった。
いるが、金属材質はエツチング溶液などにより腐食する
という点について考慮されておらず、ウェハキャリアの
本体の材質として耐薬品性の良いテフロン等を用いたと
してもエツチング溶液等は金属が腐食するために使用で
きないという問題点があった。
本発明の目的はウェハ、ウェハ収納部及びウェハキャリ
ア内の塵埃を同時に除電することにより静電気が塵埃付
着に及ぼす影響をすべて排除することにあり、さらに、
金属が腐食するエツチング等の溶液にも使用可能とする
ことにある。
ア内の塵埃を同時に除電することにより静電気が塵埃付
着に及ぼす影響をすべて排除することにあり、さらに、
金属が腐食するエツチング等の溶液にも使用可能とする
ことにある。
上記目的を達成するために、本発明はウェハキャリアに
正負のイオンを同量に発生する除電機構を設けた。また
、イオン発生機構をウェハ収納部から着脱可能とした。
正負のイオンを同量に発生する除電機構を設けた。また
、イオン発生機構をウェハ収納部から着脱可能とした。
除電機構から正負に帯電したイオンが発生し、そのイオ
ンが帯電物体に付着することにより、帯電物体であるウ
ェハ、ウェハ収納部、及び、ウェハキャリア内の塵埃は
電気的に中和して除電される。また、除電機構をウェハ
収納部から着脱可能としたためウェハキャリアを金属が
腐食する溶液に浸す場合にも除電機構を取り外し、ウェ
ハ収納部のみを溶液中に浸すことにより使用可能となる
。
ンが帯電物体に付着することにより、帯電物体であるウ
ェハ、ウェハ収納部、及び、ウェハキャリア内の塵埃は
電気的に中和して除電される。また、除電機構をウェハ
収納部から着脱可能としたためウェハキャリアを金属が
腐食する溶液に浸す場合にも除電機構を取り外し、ウェ
ハ収納部のみを溶液中に浸すことにより使用可能となる
。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。テフ
ロン製のウェハ収納部5にウェハ4が収納されていて、
ウェハ収納部5の上部には除電機構6が着脱可能に取り
付けられている。除電機構6は下から電極1.フィルタ
3.送風用ファン2によって構成され、電極にはスイッ
チ9によって電源のON、OFFのできる高電圧電源7
がつながっている。電源をONすることにより電極1に
は高電圧電源7から交流の高電圧が印加され、電極に付
いている電極針8の先から正負のコロナ放電が生じ、気
中の気体分子がイオン化される。このイオン化した分子
は、送風用ファンにより発生し、フィルタを通過するこ
とにより塵埃が捕集されて清浄となった気流によってウ
ェハ、ウェハ収納部、及び、ウェハキャリア内の塵埃に
運ばれ、それらに付着して除電する。本実施例によれば
、イオン化した分子が送風ファンによって運ばれるため
効率良くウェハ、ウェハ収納部、及び、ウェハキャリア
内の塵埃の除電ができる。
ロン製のウェハ収納部5にウェハ4が収納されていて、
ウェハ収納部5の上部には除電機構6が着脱可能に取り
付けられている。除電機構6は下から電極1.フィルタ
3.送風用ファン2によって構成され、電極にはスイッ
チ9によって電源のON、OFFのできる高電圧電源7
がつながっている。電源をONすることにより電極1に
は高電圧電源7から交流の高電圧が印加され、電極に付
いている電極針8の先から正負のコロナ放電が生じ、気
中の気体分子がイオン化される。このイオン化した分子
は、送風用ファンにより発生し、フィルタを通過するこ
とにより塵埃が捕集されて清浄となった気流によってウ
ェハ、ウェハ収納部、及び、ウェハキャリア内の塵埃に
運ばれ、それらに付着して除電する。本実施例によれば
、イオン化した分子が送風ファンによって運ばれるため
効率良くウェハ、ウェハ収納部、及び、ウェハキャリア
内の塵埃の除電ができる。
また、除電機構を取り外すことによりエツチングを行な
う際にも使用できるという効果がある。
う際にも使用できるという効果がある。
次に本発明の第二の実施例を第2図により説明する。テ
フロン製のウェハ収納部5にウェハ4が収納されていて
ウェハ収納部5の上部には除電機構6が着脱可能に取り
付けられている。除電機構6は上面11.下面12が網
状になった立方体で四本の支持棒13によって支えられ
ている。除電機構6の中には弱い放射性物質が子細入っ
ている。
フロン製のウェハ収納部5にウェハ4が収納されていて
ウェハ収納部5の上部には除電機構6が着脱可能に取り
付けられている。除電機構6は上面11.下面12が網
状になった立方体で四本の支持棒13によって支えられ
ている。除電機構6の中には弱い放射性物質が子細入っ
ている。
放射性物質10は気中の分子を電離し、イオン化する。
除電機構の付いたウェハキャリアをダウンフロー中に置
くことによりイオンは下方へと流れ。
くことによりイオンは下方へと流れ。
ウェハ、ウェハ収納部、及び、ウェハキャリア内の塵埃
は除電される。本発明によると、容易な構造でウェハ、
ウェハ収納部、及び、ウェハキャリア内の塵埃の除電が
できる。
は除電される。本発明によると、容易な構造でウェハ、
ウェハ収納部、及び、ウェハキャリア内の塵埃の除電が
できる。
また、除電機構を取り外すことによりエツチングを行な
う際にも使用できるという効果がある。
う際にも使用できるという効果がある。
本発明によれば、ウェハ、ウェハ収納部及びウェハキャ
リア内の塵埃を除電することができるので、静電気の影
響で付着していた塵埃をなくすことができる。
リア内の塵埃を除電することができるので、静電気の影
響で付着していた塵埃をなくすことができる。
第1図は本発明の一実施例の説明図、第2図は本発明の
第二の実施例の斜視図である。 1・・・電極、2・・・送風用ファン、3・・・フィル
タ、4・・・ウェハ、5・・・ウェハ収納部、6・・・
除電機構、7・・・高電圧電源、8・・・電極針、9・
・・スイッチ、1゜・・・放射性物質、11・・・上面
、12・・・下面、13・・・支持棒。 3−−− Vイルフ 8−一一電伸針 寓2−図 (〇− 放身ゴへ」巳1セつ15[
第二の実施例の斜視図である。 1・・・電極、2・・・送風用ファン、3・・・フィル
タ、4・・・ウェハ、5・・・ウェハ収納部、6・・・
除電機構、7・・・高電圧電源、8・・・電極針、9・
・・スイッチ、1゜・・・放射性物質、11・・・上面
、12・・・下面、13・・・支持棒。 3−−− Vイルフ 8−一一電伸針 寓2−図 (〇− 放身ゴへ」巳1セつ15[
Claims (1)
- 1、ウェハを収納するウェハキャリアにおいて、前記ウ
ェハの収納部に正負のイオンを発生し、前記ウェハ、前
記ウェハ収納部及び前記ウェハキャリア内の塵埃を除電
する機構を設けたことを特徴とするウェハキャリア。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2107584A JPH047855A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | ウエハキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2107584A JPH047855A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | ウエハキヤリア |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH047855A true JPH047855A (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=14462869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2107584A Pending JPH047855A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | ウエハキヤリア |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH047855A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2324412A (en) * | 1997-04-16 | 1998-10-21 | Nec Corp | Wafer storage box |
WO2003098675A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-27 | Intel Corporation | Apparatus, system and method to reduce wafer warpage |
WO2011108215A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板収納装置 |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP2107584A patent/JPH047855A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2324412A (en) * | 1997-04-16 | 1998-10-21 | Nec Corp | Wafer storage box |
US5964344A (en) * | 1997-04-16 | 1999-10-12 | Nec Corporation | Wafer storage box and method for preventing attachment of dust caused by static electricity on a wafer storage box |
GB2324412B (en) * | 1997-04-16 | 2001-10-24 | Nec Corp | Wafer storage box |
WO2003098675A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-27 | Intel Corporation | Apparatus, system and method to reduce wafer warpage |
WO2011108215A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板収納装置 |
JP2011186006A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板収納装置 |
CN102714169A (zh) * | 2010-03-04 | 2012-10-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基板收纳装置 |
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