JPH0474606A - 劈開加工方法 - Google Patents
劈開加工方法Info
- Publication number
- JPH0474606A JPH0474606A JP18799290A JP18799290A JPH0474606A JP H0474606 A JPH0474606 A JP H0474606A JP 18799290 A JP18799290 A JP 18799290A JP 18799290 A JP18799290 A JP 18799290A JP H0474606 A JPH0474606 A JP H0474606A
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- Japan
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- wafer
- cleavage
- line
- jig
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- Pending
Links
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- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000007017 scission Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 24
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェハ等、劈開性のある平板状物質の弱
開加工方法に関する。この方法は特にオリエンテーショ
ンフラット面と呼ばれる襞間方向を示す平坦面を加工す
るために使用される。
開加工方法に関する。この方法は特にオリエンテーショ
ンフラット面と呼ばれる襞間方向を示す平坦面を加工す
るために使用される。
インゴットをスライシングして得られた例えばGaAs
等の半導体ウェハはその後、襞間面を出すために劈開加
工がなされる。
等の半導体ウェハはその後、襞間面を出すために劈開加
工がなされる。
これら半導体ウェハ等の物質の特徴は弱開性があるため
に、端部にスクライバ−(ケガキ針)でキズを付けて、
襞間方向に切断した場合、襞間面に沿って割れ、切断面
が直線になることである。
に、端部にスクライバ−(ケガキ針)でキズを付けて、
襞間方向に切断した場合、襞間面に沿って割れ、切断面
が直線になることである。
劈開加工の方法としてはせん断力による方法と回転力に
よる方法が考えられるがせん断力による切断では切断面
が曲線状になり、襞間面が出す製品とならない。
よる方法が考えられるがせん断力による切断では切断面
が曲線状になり、襞間面が出す製品とならない。
従来第5図に示す垂直ギロチン方式、第6図に示す斜め
ギロチン方式が知られており、半導体ウェハ1を支持台
(チャッチ台)2に固定してギロチン刃7により該ウェ
ハ1をケガキ線3に沿って襞間していた。
ギロチン方式が知られており、半導体ウェハ1を支持台
(チャッチ台)2に固定してギロチン刃7により該ウェ
ハ1をケガキ線3に沿って襞間していた。
また、半導体ウェハの璧開面を出すための劈開加工を行
う際は、端部にスクライバ−で襞間のきっかけとなるケ
ガキ線加工を行った後、人手でつエバにケガキ線を施し
両側を押さえ、注意深く割っていた。
う際は、端部にスクライバ−で襞間のきっかけとなるケ
ガキ線加工を行った後、人手でつエバにケガキ線を施し
両側を押さえ、注意深く割っていた。
上記垂直ギロチン方式も斜め□ギロチン方式も加工方法
が悪いと切断面に線が入ったり、曲線状になって弱開面
が出す製品にならない。
が悪いと切断面に線が入ったり、曲線状になって弱開面
が出す製品にならない。
また人手による劈開加工は個人差があり、作業に熟練を
要する、また切断面が曲線になったり、ウェハに割れが
発生する等の問題を生じた。
要する、また切断面が曲線になったり、ウェハに割れが
発生する等の問題を生じた。
本発明は上記問題を解消し、良好な鏡面の弱開面が得ら
れ、個人差のない生産性の良い劈開加工方法を提供する
ことを目的とする。
れ、個人差のない生産性の良い劈開加工方法を提供する
ことを目的とする。
上記課題は本発明によれば劈開性のある平板状物質を劈
開加工するに際し、 前記平板状物質表面に舅開面を出すためのケガキ線加工
を施し、該ケガキ線の近傍にその先端を有するように対
の把持治具で前記平板状物質を把持し、前記把持治具を
前記ケガキ線の軸線に対しはり直角方向に回転力を与え
ることを特徴とする劈開加工方法によって解決される。
開加工するに際し、 前記平板状物質表面に舅開面を出すためのケガキ線加工
を施し、該ケガキ線の近傍にその先端を有するように対
の把持治具で前記平板状物質を把持し、前記把持治具を
前記ケガキ線の軸線に対しはり直角方向に回転力を与え
ることを特徴とする劈開加工方法によって解決される。
また本発明では平板状物質が半導体ウェハ、その他車結
晶物質等が好ましく用いられる。
晶物質等が好ましく用いられる。
本発明によれば従来の人手による作業から機械を用いた
作業とすることができ、生産性の向上に寄与しうる。
作業とすることができ、生産性の向上に寄与しうる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例を説明するための立面図であ
り、第2図及び第3図はそれぞれ第1図の側面図であっ
て、半導体ウェハを把持する前の状態、把持した状態を
示し、第4図は第3図のAA断面図である。
り、第2図及び第3図はそれぞれ第1図の側面図であっ
て、半導体ウェハを把持する前の状態、把持した状態を
示し、第4図は第3図のAA断面図である。
以下、大きさ100mmφ以下(例えば95mmφ)厚
さ0.5〜1mm程度の半導体ウェハを例にとって説明
する。
さ0.5〜1mm程度の半導体ウェハを例にとって説明
する。
半導体ウェハ1を第1〜4図に示すように支持台2上に
真空吸着で固定する。支持台2の一端は直線状になって
おり、この部分とウェハの予想される骨間方向が平行に
なるようにする。この際切断する面を支持台からはみ出
すように固定する。
真空吸着で固定する。支持台2の一端は直線状になって
おり、この部分とウェハの予想される骨間方向が平行に
なるようにする。この際切断する面を支持台からはみ出
すように固定する。
支持台の直線面の向い側には、ケガキ線に沿って璧開さ
せるため1〜4−m(好ましくは1〜2…m)隔てて平
行にウェハの端部をつかむピンセット状の璧開用治具4
が用意されている。実施例では、−する程度とした。広
いとウェハが自然に割れず、また狭いとウェハが欠ける
。
せるため1〜4−m(好ましくは1〜2…m)隔てて平
行にウェハの端部をつかむピンセット状の璧開用治具4
が用意されている。実施例では、−する程度とした。広
いとウェハが自然に割れず、また狭いとウェハが欠ける
。
まず、ウェハ1の端部にスクライバ−(ケガキ針)で切
断のきっかけとなるケガキ線3加工を施す、ケガキの位
置は、支持台の端部と骨間用治具端部の中間とし、ケガ
キの長さはウェハの端から数鰺鰺とした。
断のきっかけとなるケガキ線3加工を施す、ケガキの位
置は、支持台の端部と骨間用治具端部の中間とし、ケガ
キの長さはウェハの端から数鰺鰺とした。
その後、エアシリンダー等を用いた機構5で、璧開用治
具の先端を閉じウェハをつかむ。さらに、エアシリンダ
ーを用いた回転機構6で、ケガキ線の位置を中心に襞間
用治具に回転力を与える。この方法により、ウェハが劈
開面に沿って、劈開加工される。
具の先端を閉じウェハをつかむ。さらに、エアシリンダ
ーを用いた回転機構6で、ケガキ線の位置を中心に襞間
用治具に回転力を与える。この方法により、ウェハが劈
開面に沿って、劈開加工される。
以上の説明したように、本発明によれば、半導体ウェハ
等の劈開加工が機械によって行なえ、作業時間が短縮で
きると共に、ウェハの割れも減少することが期待される
。
等の劈開加工が機械によって行なえ、作業時間が短縮で
きると共に、ウェハの割れも減少することが期待される
。
また、端部にケガキ線を入れる人手による作業も機械化
することにより、全工程を自動化することが可能となる
。
することにより、全工程を自動化することが可能となる
。
第1図は本発明の一実施例を説明するための立面図であ
り、 第2図及び第3図はそれぞれ第1図の側面図であって、
半導体ウェハを把持する前の状態、把持した状態を示し
、 第4図は第3図のAA断面図であり、 第5図及び第6図は従来法を説明するための斜視図であ
る。 1・・・半導体ウェハ等平板状物質、 2・・・支持台、 3・・ケガキ線(切断のキラカケとなる)、4・・・ウ
ェハの端部を把持するピンセット状の襞間用治具、 5・・・エアシリンダーを用いたピンセ・ント先端を閉
じる機構、 6・・・エアシリンダーを用いたピンセット回転機構、 7・・・ギロチン刃。 楽 図 6・・・エアシリンダを用いたピンセット回転機構従来
法 第5図 従来法 第6図
り、 第2図及び第3図はそれぞれ第1図の側面図であって、
半導体ウェハを把持する前の状態、把持した状態を示し
、 第4図は第3図のAA断面図であり、 第5図及び第6図は従来法を説明するための斜視図であ
る。 1・・・半導体ウェハ等平板状物質、 2・・・支持台、 3・・ケガキ線(切断のキラカケとなる)、4・・・ウ
ェハの端部を把持するピンセット状の襞間用治具、 5・・・エアシリンダーを用いたピンセ・ント先端を閉
じる機構、 6・・・エアシリンダーを用いたピンセット回転機構、 7・・・ギロチン刃。 楽 図 6・・・エアシリンダを用いたピンセット回転機構従来
法 第5図 従来法 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、劈開性のある平板状物質を劈開加工するに際し、 前記平板状物質表面に劈開面を出すためのケガキ線加工
を施し、該ケガキ線の近傍にその先端を有するように対
の把持治具で前記平板状物質を把持し、前記把持治具を
前記ケガキ線の軸線に対しほゞ直角方向に回転力を与え
ることを特徴とする劈開加工方法。 2、前記平板状物質が半導体ウェハであることを特徴と
する請求項1記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18799290A JPH0474606A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 劈開加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18799290A JPH0474606A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 劈開加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0474606A true JPH0474606A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16215732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18799290A Pending JPH0474606A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | 劈開加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0474606A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0771628A3 (en) * | 1995-10-30 | 1998-04-22 | AT&T Corp. | A fixture and method for laser fabrication by in-situ cleaving of semiconductor bars |
KR100848595B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2008-07-28 | 주식회사 이오테크닉스 | 웨이퍼 프레임 그립장치 |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP18799290A patent/JPH0474606A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0771628A3 (en) * | 1995-10-30 | 1998-04-22 | AT&T Corp. | A fixture and method for laser fabrication by in-situ cleaving of semiconductor bars |
KR100848595B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2008-07-28 | 주식회사 이오테크닉스 | 웨이퍼 프레임 그립장치 |
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