JPH0472520A - 物理量検出光センサ - Google Patents
物理量検出光センサInfo
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- JPH0472520A JPH0472520A JP18574490A JP18574490A JPH0472520A JP H0472520 A JPH0472520 A JP H0472520A JP 18574490 A JP18574490 A JP 18574490A JP 18574490 A JP18574490 A JP 18574490A JP H0472520 A JPH0472520 A JP H0472520A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 123
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004880 explosion Methods 0.000 abstract description 3
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- NVLSIZITFJRWPY-ONEGZZNKSA-N n,n-dimethyl-4-[(e)-2-(4-nitrophenyl)ethenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NVLSIZITFJRWPY-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 241000287462 Phalacrocorax carbo Species 0.000 description 1
- 230000005697 Pockels effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- -1 cyanovinylidene Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、物理量検出光センサに関する。例えば、圧力
などの物理量の変化を非線形光学特性の変化として検出
可能な物理量検出光センサに関する。
などの物理量の変化を非線形光学特性の変化として検出
可能な物理量検出光センサに関する。
従来、物理量の検出は、物理量の変化を機械的変位量に
変換し、その機械的変位量を電気信号として検出する構
造である。
変換し、その機械的変位量を電気信号として検出する構
造である。
例えば、圧力の検出では、圧力の変化をブルドン管、ベ
ローズ、あるいは、ダイヤフラムなどの機械的エレメン
トの変位量に変換し、それらの変位量をインダクタンス
の変化、あるいは、静電容量の変化として取出す構造で
ある。
ローズ、あるいは、ダイヤフラムなどの機械的エレメン
トの変位量に変換し、それらの変位量をインダクタンス
の変化、あるいは、静電容量の変化として取出す構造で
ある。
従来の物理量の検出では、圧力などの物理量の変化をブ
ルドン管、ベローズ、あるいは、ダイヤフラムなどの機
械的エレメントの変位量に変換するものであるため、そ
の機械的エレメントの変位量が物理量の変化量に比例す
るようにエレメントを精密に製造しなければならない。
ルドン管、ベローズ、あるいは、ダイヤフラムなどの機
械的エレメントの変位量に変換するものであるため、そ
の機械的エレメントの変位量が物理量の変化量に比例す
るようにエレメントを精密に製造しなければならない。
しかも、機械的エレメントを変位可能に組み込むために
は、多くの部品が必要となることから、構造が複雑化し
、保守や取扱上において不利である上、高精度な検出が
望めないという欠点がある。
は、多くの部品が必要となることから、構造が複雑化し
、保守や取扱上において不利である上、高精度な検出が
望めないという欠点がある。
また、機械的エレメントの変位量を電気信号として取出
すにも電気回路が必要であるから、設置環境によっては
引火、爆発などの危険性を伴う。
すにも電気回路が必要であるから、設置環境によっては
引火、爆発などの危険性を伴う。
そのため、化学プラントなどにおける物理量の検出には
適用できないという欠点もある。
適用できないという欠点もある。
ここに、本発明の目的は、このような従来の欠点を一掃
し、簡単な構造で高精度に物理量を検出できるとともに
、安全性も確保できる物理量検出光センサを提供するこ
とにある。
し、簡単な構造で高精度に物理量を検出できるとともに
、安全性も確保できる物理量検出光センサを提供するこ
とにある。
そのため、本発明の物理量検出光センサは、高分子圧電
性物質中に有機非線形光学物質を混合させた複合光学素
子と、この複合光学素子にレーザ光を照射し非線形光学
特性を発現させる光照射部と、前記複合光学素子で非線
形光学特性を発現されたレーザ光を受光する光検出部と
、を具備したことを特徴とする。
性物質中に有機非線形光学物質を混合させた複合光学素
子と、この複合光学素子にレーザ光を照射し非線形光学
特性を発現させる光照射部と、前記複合光学素子で非線
形光学特性を発現されたレーザ光を受光する光検出部と
、を具備したことを特徴とする。
上記複合光学素子は、例えば、次の手順によって作製す
ることができる。高分子圧電性物質と有機非線形光学物
質とを所定の割合で同一の有機溶媒を用いて均一な溶解
液とし、平滑な鋳型などを用いてキャスト膜を作製する
。乾燥後に、キャスト膜を面の平坦な金属板の間にスペ
ーサとともに挿入し、面方向から圧力を加えなから高分
子圧電性物質の結晶化温度以下の温度でアニーリングを
行う。次に、その素子の両面または両断面に電極を取り
付け、高電圧(例えば、数十KV)によりポーリングを
行う。この間、温度を室温から徐々に高分子圧電性物質
のポーリング温度まで上げ、数十分間その温度に保った
後、所定の速度で室温まで下げる。これにより、複合光
学素子を作製することができる。
ることができる。高分子圧電性物質と有機非線形光学物
質とを所定の割合で同一の有機溶媒を用いて均一な溶解
液とし、平滑な鋳型などを用いてキャスト膜を作製する
。乾燥後に、キャスト膜を面の平坦な金属板の間にスペ
ーサとともに挿入し、面方向から圧力を加えなから高分
子圧電性物質の結晶化温度以下の温度でアニーリングを
行う。次に、その素子の両面または両断面に電極を取り
付け、高電圧(例えば、数十KV)によりポーリングを
行う。この間、温度を室温から徐々に高分子圧電性物質
のポーリング温度まで上げ、数十分間その温度に保った
後、所定の速度で室温まで下げる。これにより、複合光
学素子を作製することができる。
ここで、高分子圧電性物質としては、光透過性がよく、
つまりレーザ光の波長で吸収か少ない有機圧電性物質な
らば制限はない。例えば、ポリフッ化ビニリデン(PV
DF) 、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンの
共重合体(VDF/TrFE)、シアノビニリデンと酢
酸ビニル共重合体(VDCN/VAC)などを用いるこ
とができる。
つまりレーザ光の波長で吸収か少ない有機圧電性物質な
らば制限はない。例えば、ポリフッ化ビニリデン(PV
DF) 、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンの
共重合体(VDF/TrFE)、シアノビニリデンと酢
酸ビニル共重合体(VDCN/VAC)などを用いるこ
とができる。
また、非線形光学物質としては、有機系物質で非線形光
学特性を示す物質ならば制限はない。例えば、4−ニト
ロ−4゛ −ジメチルアミノスチルベン(DANS)
、4− CP−ジメチルアミノスチリル〕−1−メチル
ピリジニウム P−トルエンスルフォネート、4−[:
P−オキシスチリルツー1−メチルピリジニウム イン
ナーソルトなどを用いることができる。
学特性を示す物質ならば制限はない。例えば、4−ニト
ロ−4゛ −ジメチルアミノスチルベン(DANS)
、4− CP−ジメチルアミノスチリル〕−1−メチル
ピリジニウム P−トルエンスルフォネート、4−[:
P−オキシスチリルツー1−メチルピリジニウム イン
ナーソルトなどを用いることができる。
また、高分子圧電性物質と非線形光学物質との混合比は
、要求される非線形光学特性、つまり検出しようとする
物理量に応じて決定すればよい。
、要求される非線形光学特性、つまり検出しようとする
物理量に応じて決定すればよい。
例えば、高分子圧電物質としてフッ化ビニリデンとトリ
フルオロエチレンの共重合体(VDF/TrFE)を、
非線形光学物質として4−〔P−ジメチルアミノスチル
リチル〕−1−メチルピリジウム P−トルエンスルフ
ォネートを用い、かつ、検出しようとする物理量によっ
て複合光学素子の厚みを50μmとした場合、フッ化ビ
ニリデンとトリフルオロエチレンの共!6体(VDF/
TrFE)に対して、4−〔P−ジメチルアミノスチル
リチル〕−1−メチルピリジウム p−トルエンスルフ
ォネートか1.0wt%以下の濃度が最適である。
フルオロエチレンの共重合体(VDF/TrFE)を、
非線形光学物質として4−〔P−ジメチルアミノスチル
リチル〕−1−メチルピリジウム P−トルエンスルフ
ォネートを用い、かつ、検出しようとする物理量によっ
て複合光学素子の厚みを50μmとした場合、フッ化ビ
ニリデンとトリフルオロエチレンの共!6体(VDF/
TrFE)に対して、4−〔P−ジメチルアミノスチル
リチル〕−1−メチルピリジウム p−トルエンスルフ
ォネートか1.0wt%以下の濃度が最適である。
上記光照射部は、レーザ光を複合光学素子に照射できる
ものであればいずれでもよい。例えば、レーザ光源と、
このレーザ光源から出射されたレーザ光を複合光学素子
に照射させる光学レンズなどから構成できる。ここで、
レーザ光の出力は、複合光学素子が非線形光学特性を発
現できる範囲内であればよい。また、レーザ光の波長は
、複合光学素子のカットオフ波長より長波長にレーザ光
の第2高調波が得られるものなら自由である。
ものであればいずれでもよい。例えば、レーザ光源と、
このレーザ光源から出射されたレーザ光を複合光学素子
に照射させる光学レンズなどから構成できる。ここで、
レーザ光の出力は、複合光学素子が非線形光学特性を発
現できる範囲内であればよい。また、レーザ光の波長は
、複合光学素子のカットオフ波長より長波長にレーザ光
の第2高調波が得られるものなら自由である。
上記光検出部は、複合光学素子により非線形光学特性を
発現されたレーザ光を受光し、その受光量に応じた信号
を出力できるものであればいずれでもよい。例えば、光
増倍管などで構成することができる。
発現されたレーザ光を受光し、その受光量に応じた信号
を出力できるものであればいずれでもよい。例えば、光
増倍管などで構成することができる。
光照射部からのレーザ光が複合光学素子に照射されると
、その光電場Eにより、複合光学素子中の非線形光学物
質の分極率が変化し、非線形光学特性が発現される。
、その光電場Eにより、複合光学素子中の非線形光学物
質の分極率が変化し、非線形光学特性が発現される。
一般に、物質にレーザ光が照射された場合、物質中に生
じる分極Pとレーザ光の光電場Eとの関係は、 P=αE+βEE+γEEE+・・・・・・・・・(1
)で表わされる。ここで、上記(1)式の右辺第1項は
線形分極成分、第2項以降が非線形分極成分である。通
常、第2項以降の非線形感受率β、γ・・・は小さいの
で、光強度が小さい場合には第1項のみが認められるが
、レーザ光の強光電界下では第2項以降が無視できなく
なり、非線形光学効果が認められる。
じる分極Pとレーザ光の光電場Eとの関係は、 P=αE+βEE+γEEE+・・・・・・・・・(1
)で表わされる。ここで、上記(1)式の右辺第1項は
線形分極成分、第2項以降が非線形分極成分である。通
常、第2項以降の非線形感受率β、γ・・・は小さいの
で、光強度が小さい場合には第1項のみが認められるが
、レーザ光の強光電界下では第2項以降が無視できなく
なり、非線形光学効果が認められる。
例えば、2次の非線形光学効果の代表的な例としては、
第2高調波発振(ω+ω→2ω)、光混合(ω、+ω2
→ω3)、ポッケルス効果(ω十0→ω)などが挙げら
れる。また、3次の非線形光学効果の代表的な例として
は、第3高調波発振(ω+ω+ω→3ω)、光双安定性
(ω十ω−ω→ω)、カー効果(ω+0+0−ω)など
が挙げられる。
第2高調波発振(ω+ω→2ω)、光混合(ω、+ω2
→ω3)、ポッケルス効果(ω十0→ω)などが挙げら
れる。また、3次の非線形光学効果の代表的な例として
は、第3高調波発振(ω+ω+ω→3ω)、光双安定性
(ω十ω−ω→ω)、カー効果(ω+0+0−ω)など
が挙げられる。
ここでは、上述した非線形光学効果のうち、いずれかを
発現させ、その発現している状態を定常状態とする。
発現させ、その発現している状態を定常状態とする。
この定常状態において、外部から物理量、例えば圧力か
複合光学素子に加えられると、その圧力の大きさに応じ
て複合光学素子中の高分子圧電性物質が分極し、新たな
電場(内部電場)が生じる。
複合光学素子に加えられると、その圧力の大きさに応じ
て複合光学素子中の高分子圧電性物質が分極し、新たな
電場(内部電場)が生じる。
すると、これが非線形光学物質の電場環境を変化させる
ので、結果として、非線形光学特性の変化として現れる
。その変化量は、複合光学素子に加えられる物理量の大
きさに略比例して定量的に観察することができる。
ので、結果として、非線形光学特性の変化として現れる
。その変化量は、複合光学素子に加えられる物理量の大
きさに略比例して定量的に観察することができる。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図に本実施例の物理量検出光センサの構成を示して
いる。同物理量検出光センサは、複合光学素子1と、こ
の複合光学素子1にレーザ光L1を照射し非線形光学特
性を発現させる光照射部11と、前記複合光学素子1で
非線形光学特性を発現されたレーザ光L2を受光する光
検出部21とから構成されている。
いる。同物理量検出光センサは、複合光学素子1と、こ
の複合光学素子1にレーザ光L1を照射し非線形光学特
性を発現させる光照射部11と、前記複合光学素子1で
非線形光学特性を発現されたレーザ光L2を受光する光
検出部21とから構成されている。
前記複合光学素子1は、高分子圧電性物質中に有機非線
形光学物質を混合させて作製される。ここでは、高分子
圧電性物質にフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレン
の共重合体(VDF/TrFE)を、非線形光学物質に
4−〔P−ジメチルアミノスチリルクー1−メチルピリ
ジニウム Pトルエンスルフォネートをそれぞれ用いて
いる。
形光学物質を混合させて作製される。ここでは、高分子
圧電性物質にフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレン
の共重合体(VDF/TrFE)を、非線形光学物質に
4−〔P−ジメチルアミノスチリルクー1−メチルピリ
ジニウム Pトルエンスルフォネートをそれぞれ用いて
いる。
作製に当たっては、これらを所定の割合で同一の有機溶
媒を用いて均一な溶解液とし、平滑な鋳型などを用いて
キャスト膜を作製する。乾燥後に、キャスト膜を面の平
坦な金属板の間にスペーサとともに挿入し、面方向から
所定の圧力を加えながら高分子圧電性物質の結晶化温度
以下の温度でアニーリングを行う。すると、この操作に
よって、素子の透明度が向上されると同時に、膜厚の制
御が行われる。
媒を用いて均一な溶解液とし、平滑な鋳型などを用いて
キャスト膜を作製する。乾燥後に、キャスト膜を面の平
坦な金属板の間にスペーサとともに挿入し、面方向から
所定の圧力を加えながら高分子圧電性物質の結晶化温度
以下の温度でアニーリングを行う。すると、この操作に
よって、素子の透明度が向上されると同時に、膜厚の制
御が行われる。
次に、その素子の両面または両断面に電極を取り付け、
高電圧(例えば、数十KV)によりポーリングを行う。
高電圧(例えば、数十KV)によりポーリングを行う。
この間、温度を室温から徐々に高分子圧電物質のポーリ
ング温度まで上げ、数十分間その温度に保った後、所定
の速度で室温まで下げる。すると、この処理により、素
子中の高分子圧電性物質および非線形光学物質の分子配
向が行われ、圧電性および非線形光学特性の向上が見込
まれる。これにより、光学的透過性が良好で、かつ、圧
電性および非線形光学特性を示す複合光学素子が作製さ
れる。
ング温度まで上げ、数十分間その温度に保った後、所定
の速度で室温まで下げる。すると、この処理により、素
子中の高分子圧電性物質および非線形光学物質の分子配
向が行われ、圧電性および非線形光学特性の向上が見込
まれる。これにより、光学的透過性が良好で、かつ、圧
電性および非線形光学特性を示す複合光学素子が作製さ
れる。
前記光照射部11は、レーザ光源12と、このレーザ光
源12から出射されたレーザ光L1を前記複合光学素子
1に照射させる光学レンズ13とから構成されている。
源12から出射されたレーザ光L1を前記複合光学素子
1に照射させる光学レンズ13とから構成されている。
光学レンズ13は、第2図に示す如く、焦点Fが前記複
合光学素子lに位置するように配置されている。
合光学素子lに位置するように配置されている。
前記光検出部21は、前記複合光学素子1で非線形光学
特性を発現されたレーザ光L2を受光しその受光量に応
した信号を出力するもので、例えば、分光器またはモノ
クロメータを用いた光倍増管などの光検出装置によって
構成されている。
特性を発現されたレーザ光L2を受光しその受光量に応
した信号を出力するもので、例えば、分光器またはモノ
クロメータを用いた光倍増管などの光検出装置によって
構成されている。
次に、本実施例の作用を説明する。
いま、第1図において、光照射部11のレーザ光源12
から出射されたレーザ光り、か複合光学素子1に照射さ
れている状態を定常状態とする。
から出射されたレーザ光り、か複合光学素子1に照射さ
れている状態を定常状態とする。
ここで、第3図に示す如く、複合光学素子Iに物理量、
例えば、圧力か加えられると、その圧力変化かレーザ光
L2の非線形光学特性の変化として光検出部21によっ
て検出計測される。
例えば、圧力か加えられると、その圧力変化かレーザ光
L2の非線形光学特性の変化として光検出部21によっ
て検出計測される。
例えば、上記高分子圧電物質;フッ化ビニリデンとトリ
フルオロエチレンの共重合体(VDF/TrFE)に対
して、非線形光学物質;4−CP−ジメチルアミノスチ
リル〕−1−メチルピリジニウム P−トルエンスルフ
ォネートの濃度が0゜1〜1.0wt%を用い、かつ、
レーザ光源12を波長1310nm、光圧力90mWの
半導体レーザを用い、その半導体レーザから出射される
第2高調波(波長659.5nm、光圧力約1mW)の
光を信号光として、前記1310nmの光とともに複合
光学素子1に入射させたところ、659.5nmの信号
光の波長より長波長または短波長へそれぞれ約1.5n
mシフトした波長、また、659.5nmでそれぞれ光
強度か数十%増幅される非線形光学特性が発現された。
フルオロエチレンの共重合体(VDF/TrFE)に対
して、非線形光学物質;4−CP−ジメチルアミノスチ
リル〕−1−メチルピリジニウム P−トルエンスルフ
ォネートの濃度が0゜1〜1.0wt%を用い、かつ、
レーザ光源12を波長1310nm、光圧力90mWの
半導体レーザを用い、その半導体レーザから出射される
第2高調波(波長659.5nm、光圧力約1mW)の
光を信号光として、前記1310nmの光とともに複合
光学素子1に入射させたところ、659.5nmの信号
光の波長より長波長または短波長へそれぞれ約1.5n
mシフトした波長、また、659.5nmでそれぞれ光
強度か数十%増幅される非線形光学特性が発現された。
この状態を定常状態として、第3図に示す如く、複合光
学素子1に50μmの範囲内で伸縮を行ったところ、伸
張では光量の減少が、収縮では光量の増加か観測された
。この伸縮量と光量との関係を第4図に示す。同図では
、縦軸に光検出部21で計測される光量を、横軸に複合
光学素子1のサンプル長をそれぞれ示しである。また、
口は伸張時のデータ、点線・・・・・・・・・はそれら
伸張時のデータの略中間を通る線である。+は収縮時の
データ、点線−m−はそれら収縮時のデータの略中間を
通る線である。このことから、複合光学素子1の伸縮量
の大きさ、つまり複合光学素子1に加えられた物理量の
大きさに応じて光量が変化することか判る。
学素子1に50μmの範囲内で伸縮を行ったところ、伸
張では光量の減少が、収縮では光量の増加か観測された
。この伸縮量と光量との関係を第4図に示す。同図では
、縦軸に光検出部21で計測される光量を、横軸に複合
光学素子1のサンプル長をそれぞれ示しである。また、
口は伸張時のデータ、点線・・・・・・・・・はそれら
伸張時のデータの略中間を通る線である。+は収縮時の
データ、点線−m−はそれら収縮時のデータの略中間を
通る線である。このことから、複合光学素子1の伸縮量
の大きさ、つまり複合光学素子1に加えられた物理量の
大きさに応じて光量が変化することか判る。
従って、本実施例によれば、高分子圧電性物質中に有機
非線形光学物質を混合させた複合光学素子1と、この複
合光学素子lにレーザ光L1を照射し非線形光学特性を
発現させる光照射部11と、前記複合光学素子lて非線
形光学特性を発現さされたレーザ光L!を受光する光検
出部21とから構成したので、従来の欠点を全て解消す
ることができる。
非線形光学物質を混合させた複合光学素子1と、この複
合光学素子lにレーザ光L1を照射し非線形光学特性を
発現させる光照射部11と、前記複合光学素子lて非線
形光学特性を発現さされたレーザ光L!を受光する光検
出部21とから構成したので、従来の欠点を全て解消す
ることができる。
つまり、従来のように、圧力の変化をブルドン管、ベロ
ーズ、あるいは、ダイヤフラムなどの機械的エレメント
の変位量に変換しなくてもよいので、部品点数を少なく
できる。よって、構造を簡単にできる。このことは、保
守や取扱上における問題も無くすことができるとともに
、高精度な検出を達成することができる。また、機械的
変位量を電気信号として取出すものでないため、引火、
爆発などの危険性もなく、安全性を確保できる。
ーズ、あるいは、ダイヤフラムなどの機械的エレメント
の変位量に変換しなくてもよいので、部品点数を少なく
できる。よって、構造を簡単にできる。このことは、保
守や取扱上における問題も無くすことができるとともに
、高精度な検出を達成することができる。また、機械的
変位量を電気信号として取出すものでないため、引火、
爆発などの危険性もなく、安全性を確保できる。
また、複合光学素子1は薄膜形成が可能であるから小型
化かはかれる。大きさや形状についても、非線形光学特
性の発現が認められる範囲内で複合光学素子1の受ける
物理量の大きさによって自由に選定することかできる。
化かはかれる。大きさや形状についても、非線形光学特
性の発現が認められる範囲内で複合光学素子1の受ける
物理量の大きさによって自由に選定することかできる。
しかも、高分子圧電性物質と有機非線形光学物質との混
合比を変えれば、所望の非線形光学特性を得ることかで
きる。
合比を変えれば、所望の非線形光学特性を得ることかで
きる。
なお、上記実施例では、高分子圧電性物質にフッ化ビニ
リデンとトリフルオロエチレンの共重合体(VDF/T
rFE)を、非線形光学物質に4〔P−ジメチルアミノ
スチリル)−1−メチルピリジニウム p−トルエンス
ルフォネートをそれぞれ用いたか、これに限られるもの
でなく、高分子圧電性物質および有機非線形光学物質な
らばいずれでもよい。ちなみに、高分子圧電性物質およ
び非線形光学物質を他のものに変えれば、上記実施例と
は異なる非線形光学特性を得ることかできる。更に、レ
ーザ光の波長、出力、光入射条件なども変えてもよい。
リデンとトリフルオロエチレンの共重合体(VDF/T
rFE)を、非線形光学物質に4〔P−ジメチルアミノ
スチリル)−1−メチルピリジニウム p−トルエンス
ルフォネートをそれぞれ用いたか、これに限られるもの
でなく、高分子圧電性物質および有機非線形光学物質な
らばいずれでもよい。ちなみに、高分子圧電性物質およ
び非線形光学物質を他のものに変えれば、上記実施例と
は異なる非線形光学特性を得ることかできる。更に、レ
ーザ光の波長、出力、光入射条件なども変えてもよい。
また、上記実施例において、複合光学素子lに電極を取
り付け、その垂直方向からレーザ光を照射すれば、電界
強度に応した光特性変化を得ることができる。
り付け、その垂直方向からレーザ光を照射すれば、電界
強度に応した光特性変化を得ることができる。
また、第5図に示す如(、複合光学素子1とレーザ光源
12との間および複合光学素子1と光検出部21との間
に、それぞれ光ファイバ31,32を用いれば、複合光
学素子1に対してレーザ光源12および光検出部21を
離れた場所に配置することができる。
12との間および複合光学素子1と光検出部21との間
に、それぞれ光ファイバ31,32を用いれば、複合光
学素子1に対してレーザ光源12および光検出部21を
離れた場所に配置することができる。
以上の通り、本発明によれば、高分子圧電性物質中に有
機非線形光学物質を含む複合光学素子と、この複合光学
素子にレーザ光を照射し非線形光学特性を発現させる光
照射部と、前記複合光学素子で非線形光学特性を発現さ
れたレーザ光を受光する光検出部とから構成したので、
従来の欠点を全て解消し、簡単な構造で高精度に物理量
を検出できるとともに、安全性も確保できる物理量検出
光センサを提供することができる。
機非線形光学物質を含む複合光学素子と、この複合光学
素子にレーザ光を照射し非線形光学特性を発現させる光
照射部と、前記複合光学素子で非線形光学特性を発現さ
れたレーザ光を受光する光検出部とから構成したので、
従来の欠点を全て解消し、簡単な構造で高精度に物理量
を検出できるとともに、安全性も確保できる物理量検出
光センサを提供することができる。
第1図〜第4図は本発明の一実施例を示すもので、第1
図は全体の構成を示す図、第2図は光学レンズの詳細を
示す図、第3図は複合光学素子に加わる物理量を示す図
、第4図は複合光学素子の伸縮量と光量との関係を示す
図である。第5図は本発明の他の実施例を示す図である
。 1・・・複合光学素子、11・・・光照射部、21・・
・光検出部。 第1図 第4図 第2図 第3図 サンプル長〔鵜〕 第5図
図は全体の構成を示す図、第2図は光学レンズの詳細を
示す図、第3図は複合光学素子に加わる物理量を示す図
、第4図は複合光学素子の伸縮量と光量との関係を示す
図である。第5図は本発明の他の実施例を示す図である
。 1・・・複合光学素子、11・・・光照射部、21・・
・光検出部。 第1図 第4図 第2図 第3図 サンプル長〔鵜〕 第5図
Claims (1)
- (1)高分子圧電性物質中に有機非線形光学物質を混合
させた複合光学素子と、 この複合光学素子にレーザ光を照射し非線形光学特性を
発現させる光照射部と、 前記複合光学素子で非線形光学特性を発現されたレーザ
光を受光する光検出部と、 を具備したことを特徴とする物理量検出光センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18574490A JPH0472520A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 物理量検出光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18574490A JPH0472520A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 物理量検出光センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0472520A true JPH0472520A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16176101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18574490A Pending JPH0472520A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 物理量検出光センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0472520A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6651481B1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-11-25 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Method and apparatus for characterizing pressure sensors using modulated light beam pressure |
JP2008009904A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | 電子機器 |
JP2017116531A (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-29 | ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company | 薄膜光センシングネットワークを用いた触覚センシングシステム及び方法 |
WO2017207230A1 (de) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | Osram Gmbh | Bestrahlungsvorrichtung mit leuchtstoffelement |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18574490A patent/JPH0472520A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6651481B1 (en) * | 2001-10-12 | 2003-11-25 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Method and apparatus for characterizing pressure sensors using modulated light beam pressure |
JP2008009904A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | 電子機器 |
JP2017116531A (ja) * | 2015-11-24 | 2017-06-29 | ザ・ボーイング・カンパニーThe Boeing Company | 薄膜光センシングネットワークを用いた触覚センシングシステム及び方法 |
WO2017207230A1 (de) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | Osram Gmbh | Bestrahlungsvorrichtung mit leuchtstoffelement |
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