JPH0472063A - スパッタリング用ターゲット - Google Patents
スパッタリング用ターゲットInfo
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- JPH0472063A JPH0472063A JP18480590A JP18480590A JPH0472063A JP H0472063 A JPH0472063 A JP H0472063A JP 18480590 A JP18480590 A JP 18480590A JP 18480590 A JP18480590 A JP 18480590A JP H0472063 A JPH0472063 A JP H0472063A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
磁気記録媒体、あるいは種々の保護膜として使用される
薄膜形成用スパッタリングのスパッタリング用ターゲッ
トに関する。
薄膜形成用スパッタリングのスパッタリング用ターゲッ
トに関する。
［従来技術］
薄膜形成用スパッタリングのスパッタリング用金属ター
ゲットの製造方法としては、従来より所望元素を溶解鋳
造し所望の形状に加工する鋳造法、鋳造金属を粉砕焼結
する焼結法がある。
ゲットの製造方法としては、従来より所望元素を溶解鋳
造し所望の形状に加工する鋳造法、鋳造金属を粉砕焼結
する焼結法がある。
［発明が解決しようとする課題］
しかし従来の製造法にて製造したターゲットにてスパッ
タリングを行なうとターゲット直上とターゲットから煎
れたところに形成される成膜組成が大きく異なり所望の
性能が得られないという問題点を有した。ターゲット形
成元素の原子番号が離れれば離れるほど大きく成膜組成
が異なる傾向がある。
タリングを行なうとターゲット直上とターゲットから煎
れたところに形成される成膜組成が大きく異なり所望の
性能が得られないという問題点を有した。ターゲット形
成元素の原子番号が離れれば離れるほど大きく成膜組成
が異なる傾向がある。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところはスパッタリングの成膜面内にて
組成分布が少ない均一な薄膜を得ることである。
その目的とするところはスパッタリングの成膜面内にて
組成分布が少ない均一な薄膜を得ることである。
［課題を解決するための手段］
そこで本発明のスパッタリング用ターゲットは、（１）
２種類以上の金属元素にて形成されるスパッタリング用
ターゲットにおいて、ターゲットの金属組織に各金属元
素単相と少なくとも２種類以上の元素を含む合金相ある
いは金属間化合物相が混在することを特徴とし く２）上記ターゲットの金属組織において、合金相ある
いは金属間化合物相の面積比率が１０〜９０％であるこ
とを特徴とする。
２種類以上の金属元素にて形成されるスパッタリング用
ターゲットにおいて、ターゲットの金属組織に各金属元
素単相と少なくとも２種類以上の元素を含む合金相ある
いは金属間化合物相が混在することを特徴とし く２）上記ターゲットの金属組織において、合金相ある
いは金属間化合物相の面積比率が１０〜９０％であるこ
とを特徴とする。
［実施例コ
以下に実施例に基づき本発明を説明する。
［実施例１］
元素としてＡｌ、Ｃｒを含むターゲットを製作した。ま
ず原料としてＡ１、Ｃｒそれぞれの単元素粉を原子比に
てそれぞれ９０％、１０％づつ準備する。この原料粉に
に焼結助材としてステアリン酸亜鉛を添加、Ａｒ中にて
混合後、直径４インチ厚さ５ｍｍの円板状にプレス成形
後焼成炉にて焼成した。焼結時間を調整することにより
、拡散により生成する合金あるいは金属間化合物相の厚
さを制御し、７水準のターゲットを製作した。焼結後の
金属を金属顕微鏡にて観察し合金相あるいは金属間化合
物の存在比率を測定する。
ず原料としてＡ１、Ｃｒそれぞれの単元素粉を原子比に
てそれぞれ９０％、１０％づつ準備する。この原料粉に
に焼結助材としてステアリン酸亜鉛を添加、Ａｒ中にて
混合後、直径４インチ厚さ５ｍｍの円板状にプレス成形
後焼成炉にて焼成した。焼結時間を調整することにより
、拡散により生成する合金あるいは金属間化合物相の厚
さを制御し、７水準のターゲットを製作した。焼結後の
金属を金属顕微鏡にて観察し合金相あるいは金属間化合
物の存在比率を測定する。
このよ−うにしてできたターゲットを用いて第１図に示
すような構成にてスパッタリングを行なった。第１図に
おいて１０１は装着したスパッタリング用ターゲット。
すような構成にてスパッタリングを行なった。第１図に
おいて１０１は装着したスパッタリング用ターゲット。
１０２は回転する基板ホルダー成膜後、成膜基板中にお
ける、基板のホルダー中心と外端のＣｒ含有量を組成分
析し、その差を調べる。
ける、基板のホルダー中心と外端のＣｒ含有量を組成分
析し、その差を調べる。
このようにして得られた結果を、合金相あるいは金属間
化合物の存在比率を横軸に、基板のホルダー中心と外端
のＣｒ含有量差（原子比率：ａｔ％）を縦軸にし第２図
に示す。
化合物の存在比率を横軸に、基板のホルダー中心と外端
のＣｒ含有量差（原子比率：ａｔ％）を縦軸にし第２図
に示す。
一般的にＡｌＣｒは光学記録媒体の反射膜に使用する。
このとき、成膜組成が１％以上変化した場合は膜中の反
射率のむらが大きすぎて使用に耐えつる良好な成膜とな
らない。
射率のむらが大きすぎて使用に耐えつる良好な成膜とな
らない。
第２図より合金相あるいは金属間化合物相の面積比率が
１０〜９０％ときに良好な成膜が得られることかわかる
。
１０〜９０％ときに良好な成膜が得られることかわかる
。
［実施例２］
元素としてＡＩ、Ｔａを含むターゲットを製作した。ま
−ず原料としてＡ１、Ｔａそれぞれの単元素粉を原子比
にてそれぞれ９０％、１０％づつ準備する。この原料粉
にに焼結助材としてステアリン酸亜鉛を添加、Ａｒ中に
て混合後、直径４インチ厚さ５ｍｍの円板状にプレス成
形後焼成炉にて焼成した。焼結時間を調整することによ
り、拡散により生成する合金あるいは金属間化合物相の
厚さを制御し、７水準のターゲットを製作した。焼結後
の金属を金属顕Ｗ鏡にて観察し合金相あるいは金属間化
合物の存在比率を測定する。
−ず原料としてＡ１、Ｔａそれぞれの単元素粉を原子比
にてそれぞれ９０％、１０％づつ準備する。この原料粉
にに焼結助材としてステアリン酸亜鉛を添加、Ａｒ中に
て混合後、直径４インチ厚さ５ｍｍの円板状にプレス成
形後焼成炉にて焼成した。焼結時間を調整することによ
り、拡散により生成する合金あるいは金属間化合物相の
厚さを制御し、７水準のターゲットを製作した。焼結後
の金属を金属顕Ｗ鏡にて観察し合金相あるいは金属間化
合物の存在比率を測定する。
このようにしてできたターゲットを用いて第１図に示す
ような構成にてスパッタリングを行なった。第１図にお
いて１０１は装着したスパッタリング用ターゲット。１
０２は回転する基板ホルダー成膜後、成膜基板中におけ
る、基板のホルダー中心と外端のＴａ含有量を組成分析
し、その差を調べる。
ような構成にてスパッタリングを行なった。第１図にお
いて１０１は装着したスパッタリング用ターゲット。１
０２は回転する基板ホルダー成膜後、成膜基板中におけ
る、基板のホルダー中心と外端のＴａ含有量を組成分析
し、その差を調べる。
このようにして得られた結果を、合金相あるいは金属間
化合物の存在比率を横軸に、基板のホルダー中心と外端
のＴａ含有量差（原子比″ｉ：ａｔ％）を縦軸にし第２
図に示す。
化合物の存在比率を横軸に、基板のホルダー中心と外端
のＴａ含有量差（原子比″ｉ：ａｔ％）を縦軸にし第２
図に示す。
一般的にＡｌＴａは光学記録媒体の反射膜に使用する。
このとき、成膜組成が１％以上変化した場合は膜中の反
射率のむらが大きすぎて使用に耐えうる良好な成膜とな
らない。
射率のむらが大きすぎて使用に耐えうる良好な成膜とな
らない。
第２図より合金相あるいは金属間化合物相の面積比率が
１０〜９０％のときに良好な成膜が得られることがわか
る。
１０〜９０％のときに良好な成膜が得られることがわか
る。
上記実施例においてはＡｌＣｒ、ＡｌＴａについて記述
したが、含有する複数の元素同士が金属間化合物あるい
は合金相を形成するような金属、例えば、ＡｌＳｉ、Ａ
ｌＴｉ、ＡｌＺｒにおいても本発明のターゲットを使用
すると組成分布のない均一な膜が得られる。
したが、含有する複数の元素同士が金属間化合物あるい
は合金相を形成するような金属、例えば、ＡｌＳｉ、Ａ
ｌＴｉ、ＡｌＺｒにおいても本発明のターゲットを使用
すると組成分布のない均一な膜が得られる。
また本実施令においては、ターゲットの作成方法には焼
結方法にて行なったが、金属粉末に金属液体を含浸させ
る含浸法も有効である。
結方法にて行なったが、金属粉末に金属液体を含浸させ
る含浸法も有効である。
［発明の効果コ
本発明のスパッタリング用ターゲットを使用すれば成膜
面内で組成分布のない均一な成膜が可能となる。−
面内で組成分布のない均一な成膜が可能となる。−
第１図はスパッタリング装置の概略図
１０１はスパッタリング用ターゲット。
１０２は基板ホルダー
第２区はＡｌＣｒ膜、成膜時における基板のホルダー中
心と外端のＣｒ含有量の差を示す図。 第３図はＡｌＴａ膜、成膜時における基板のホルダー中
心と外端のＴａ含有量の差を示す図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 銘木喜三部 他−名
心と外端のＣｒ含有量の差を示す図。 第３図はＡｌＴａ膜、成膜時における基板のホルダー中
心と外端のＴａ含有量の差を示す図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 銘木喜三部 他−名
Claims (2)
- （１）２種類以上の金属元素にて形成されるスパッタリ
ング用ターゲットにおいて、ターゲットの金属組織に各
金属元素単相と少なくとも２種類以上の元素を含む合金
相あるいは金属間化合物相が混在することを特徴とする
スパッタリング用ターゲット。 - （２）上記ターゲットの金属組織において、合金相ある
いは金属間化合物相の面積比率が１０〜９０％であるこ
とを特徴とする特許請求第１項のスパッタリング用ター
ゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18480590A JPH0472063A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | スパッタリング用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18480590A JPH0472063A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | スパッタリング用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472063A true JPH0472063A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16159604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18480590A Pending JPH0472063A (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | スパッタリング用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472063A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012224890A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP18480590A patent/JPH0472063A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012224890A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
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