JPH0471107A - 導電ペースト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野１ 本発明はサーデイツプ基板用ペースト、特にドラディン
グペーストに関するものである。

［従来の技術］ 近年、電子機器の小型、軽量化が著しく追求されている
中で、電子部品の小型化、高機能化、高密度化と共に高
信頼性が求められつつある。電子デバイスの１つである
ハイブリッドＩＣにおいても、小型化と急速な集積密度
の増大がすすんできた。

厚膜ハイブリッドＩＣの分野でも特に自動車用制御回路
や電源装置用などの産業用電子機器に用いる場合におい
ては、耐熱性、耐熱衝撃性にもすぐれたはるかに集積度
が上った大規模ハイブリッドＩＣ化の傾向が強い。最近
の厚膜ハイブリッドＩＣでは、セラミック基板上にダイ
オード、トランジスタ、半導体ＩＣなどの能動部品のほ
か、コイル、トランス、コンデンサーなどのほとんどの
電気部品を搭載しているため、したがって、これらの集
積度が一段と増加すると共に信頼性が飛躍的に向上した
ものが開発されており、厚膜技術が駆使されている。

サーデイツプＩＣでは通常ＡｌｚＯａ　９２〜９６％程
度のアルミナ基板上にシリコンのＩＣチップなどを、導
電ペーストを使用して固着している。

最近窒化アルミニウム（ＡＩＮ＋が高い熱伝導性と電気
絶縁性を持つため、新しい放熱セラミック基板として注
目され、利用されはじめてきた。

導電ペーストとして要求される特性は、形成された導電
膜が高導電性であり、基板との接着強度が強く、熱劣化
が小さく、また繰り返し焼成にも耐え、半田濡れ性が良
く且半田への溶解性が小さ（、さらにペーストとして適
度の粘性と印刷条件に合った流動特性を有することであ
る。

通常サーデイツプＩＣを製造するためにセラミック基板
にトランジスタのチップなどを接合する方法としては金
（ＡｕＪ系ペーストまたは半田、ガラスなどが使用され
ている。Ａｕ系ペーストは導電性に優れ、化学的にもま
ったく安定で、Ａｕワイヤとのボンダビリティがもっと
も良く、珪素（Ｓｉ）とも容易に合金化し、基板との接
着もきわめて良好で、特に信頼性に優れているが高価で
あるという難点がある。この難点を解消するためＡｕを
銀（Ａｇ）に代え、Ａｇの欠点であるマイグレーション
を防止するためにパラジウム（Ｐｄ）を添加したＡｇ−
Ｐｄ系のペーストが開発された。

〔発明が解決しようとする課題Ｊ 本発明者らも、特開昭６１〜６５９０７号公報、特開昭
６１〜６５９０８号公報、特開昭６１〜９２６６９号公
報に開示したとおり、Ａｇ−Ｐｔ系およびＡｇ−Ｐｄ系
ペーストの開発を行なった。

ところが、これらのペーストをＡＩＮ基板にメタライス
を行なうと、メタライズ層中に発泡を生じ、その結果と
して優れた接着強度が得られないという問題が生じた。

これらの原因について鋭意研究したところ、メタライズ
層の発泡の原因はペースト焼成過程におけるＡＩＮの酸
化による窒素（Ｎ２）ガスの発生およびペースト中の添
加成分と　ＡＩＮとの反応によるＮ２ガスの発生に起因
しており、これらの発泡はメタライズ層の緻密化進行度
合と強く関連することが判明した。

すなわち、メタライズ層における発泡は、金属微粉末の
焼結が進み、メタライズ層のｍ密化が完了するまでに、
発生したＮ２ガスが抜けきらないことにより生じたもの
である。

〔課題を解決するための手段および作用１上記のような
問題点を解消するために、Ａｇ微粉末などの金属微粉末
の焼結温度を含む軟化温度が４５０〜７００℃の間にあ
るガラス粉末を用いて、ＡＩＮと各種添加物およびガラ
ス粉末との反応により発生するＮ２ガスの放出を容易に
し、メタライズ層における発泡を無（すると共に、さら
にＡｇと銅（Ｃｕ）との複合微粉末、銅有機物、および
酸化イツトリウム（ｙ、ｏ、）などを添加して、高い接
着強度を得ることが可能となった。

第１の発明はＡｇ微粉末と、ＡｇとＣｕとの複合微粉末
を含み、これら金属微粉末の合計がペースト中において
６０〜９０％であり、かつ金属微粉末中のＣｕ含有量が
０．１〜１０％であり、ペースト中のガラス粉末が口、
１〜１０％であり、銅有機物をペースト中の銅純分の合
計で０．１〜１０％含み、さらに固形成分中に含まれる
Ｙ２Ｏ３が０．０２〜２％であり、残部が有機ビヒクル
よりなることを要旨とする。

第２の発明は、Ａｇ微粉末とＡｇとＣｕとの複合微粉末
およびＡｇと白金（ｐｇ　との複合微粉末もしくはｐｔ
微粉末を含み、これら金属微粉末の合計がペースト中に
おいて６０〜９０％であり、かつ金属微粉末中のＣｕ含
有量が０．１〜１０％で、ｐｔ含有量が０．２〜１０％
であり、ペースト中のガラス粉末が０．１〜５％であり
、銅有機物をペースト中の銅純分の合計で０．１〜１０
％含み、さらに固形成分中に含まれるＹ２Ｏ３が００２
〜２％であり、残部が有機ビヒクルよりなることを要旨
とする。

第３の発明はＡｇ微粉末とＡｇとＣｕとの複合微粉末お
よびＡｇとパラジウム（Ｐｄ）との複合微粉末もしくは
Ｐｄ微粉末を含み、これら金属微粉末の合計がペースト
中において６０〜９０％であり、かつ金属微粉末中のＣ
ｕ含有量が０．１〜１０％で、Ｐｄ含有量が０．２〜３
０％であり、ペースト中におけるガラス粉末が０．１〜
１０％であり、銅有機物をペースト中の銅純分の合計で
０．１〜１０％含み、さらに固形成分中に含まれるＹ２
Ｏ３が０．０２〜２％であり、残部が有機ビヒクルより
なることを要旨とする。

第４ないし第５の発明は第１ないし第３の発明をなす上
で軟化温度が４５０〜７００℃の範囲の該ガラス粉末の
化学組成を規定したものである。

第４の発明はガラス粉末の化学組成が酸化鉛（Ｐｂ０１
４０〜７０％、酸化ホウ素（Ｂ２０．）　１０〜４５％
およびシリカ（ＳｉＯ□）４〜４５％よりなり、さらに
酸化亜鉛（Ｚｎ０）　３０％以下と、アルミナ（Ａｌ２
Ｏ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ，）　、酸化カルシ
ウム（Ｃａｌｌおよび酸化バリウム（Ｒａｎ）の内１種
または２種以上の成分１０％以下とを添加することを要
旨とする。第５の発明はガ２ス扮末の化学組成がＺｎ０
４０〜６０％、８２０３１０〜４５％および３１０２４
〜３０％よりなり、さらにＰｂＯ３０％以下とＡ１１ａ
ｓ　、Ｚｒ０ｉ、ＣａＯおよびＢａＯの内１種または２
種以上の成分１０％以下とを添加することを要旨とする
。

次に°本発明につき詳説する。本発明においてＡｇ微粉
末は粒径１０ｕ■以下であり、好ましくは平均粒径（Ｄ
、。）が０．５〜５μ−のものを使用する。

１０μ−より大きくなると有機ビヒクル中での分散性が
悪くなり、ドラディングの時にニードルが閉塞する恐れ
がある。又、焼成仕上がり面の平滑性が得難くなる。Ａ
ｇ微粉末は特殊なものである必要はなく、通常の還元法
や電解法で得られたＡｇ微粉末を使用することができる
。

ＡｇとＣｕの複合微粉末は有機ビヒクル中でＡｇ粒子と
Ｃｕ粒子が結合を保っていれば良く、メツキ粉、共沈粉
、メカニカルアロイ粉末等が利用できる。

特にメカニカルアロイ粉末は、ＡｇとＣｕの粉末をボー
ルミル中で高速回転させて混合粉砕した結果書られるも
のであり、Ａｇ粒子とＣｕ粒子が機械的に噛合って結合
しており、バインダーを何ら使用することなくＡｇ粒子
とＣｕ粒子の強固な結合を保つことが可能である。メカ
ニカルアロイ粉末による場合は広範囲のＣｕ含有量の複
合微粉末を任意に選択使用できる利点を有する。Ａｇと
Ｃｕとの複合微粉末の粒子経は１０μｍ以下、好ましく
は平均粒子径（Ｄｇ。）が０．５〜５μ−のものが良い
。ＡｇとＣｕとの複合微粉末中のＣｕの含有量は２０〜
９５％が適当である。　Ｃｕ含有量が２０％以下では皮
膜強度が充分でなく、９５％を超えると複合粉末化の効
果がなくなる。さらに比重値がなるべくＡｇとＣｕとの
中間値に近いものが有機ビヒクル中での分散性を良くす
る上で望ましい。

導電ペースト中の金属微粉末中に占めるＣｕ含有量は０
．１〜１０％、好ましくは２〜５％である。Ｃｕ含有量
が０．１％以下では、セラミック基板への拡散が不充分
で接着強度が上がらない。また、Ｃｕ含有量が１０％を
超えるとＣｕの酸化が著しくなり、かえっで悪影響をお
よぼす結果となる。

導電ペースト中の金属粉末含有量は６０〜９０％とする
必要があり、これ以外では取扱い易いペースト粘度が得
られない。

ｐｔは化学的に安定であるから単独で混合しても上記特
性を改善するのに有効であるが、Ａｇとの複合微粉末を
使用すると有機ビヒクル中で均一に分散するので、−層
効果的である。Ａｇとｐｔとの複合微粉末はメツキ粉、
共沈粉、メカニカルアロイ粉等が使用できる。複合微粉
末中のｐｔの含有率は５〜６０％が適する。メカニカル
アロイ粉ではｐｔ含有率の高いものを容易に得ることが
できる。複合微粉末の粉末粒子径は１０μ■以下、平均
粒子径（Ｄ　ｓｏ）は５μ−以下程度のものが良い、Ｐ
ｔの含有量はペースト中の金属粒子に対し０．２〜１０
％、好ましくは０．５〜３．０％である。ｐｔ含有量が
０．２％以下では添加効果が認められず、１０％以上で
はコスト削減の効果が現われない。

Ｐｄを添加したペーストはＡｇのマイグレーションを防
止する効果を有することは広く知られた事実であるが、
Ｐｄを単独で添加したペーストは、焼成過程でＰｄが容
易に酸化され、表面粗さが極端に粗くなる欠点がある。

そのためＰｄを単独で添加する場合、粒度（Ｄ、。）が
２μ■以下の微粉末を使用しなければならない。本発明
ではＰｄをＡｇと複合化した粉末を使用することにより
、Ｐｄの酸化を防止しつつ平面状態のきわめて良好な皮
膜が得られることを見出した。

ＡｇとＰｄとの複合微粉末としては共沈粉末、メカニカ
ルアロイ粉末、メツキ粉末が利用できる。複合微粉末中
のＰｄの含有率は１０〜４０％、好ましくは２０〜３０
％のものが使い易い。複合微粉末の粒子径は１０ｕ園以
下、平均粒子径（Ｄ　ｓｏ）は５μ−以下程度のものが
良い。

Ｐｄの含有量はペースト中の金属粒子に対して０．２〜
３０％、好ましくは０．５〜１０％である。Ｐｄ含有量
が０．２％以下では添加の効果が認められず、３０％以
上添加しても著しい特性向上は期待できなくなるからで
ある。

本発明で使用されるガラス粉末は、基板とメタライズ層
との接着性を向上するという効果よりは、特にＡＩＮ基
板を使用した際に、基板にメタライズ層を形成せしめる
焼成時に、ＡＩＮより発生するＮ２ガスが極めて容易に
放出しやすくなるような低粘液相を形成するという役割
が主である。そのためには、Ａｇ微粉末などの金属微粉
末の焼結温度に合わせて、ガラス粉末の軟化温度を４５
０〜７００℃の範囲に調整すると共に、その添加量は０
．１〜１０％の範囲にする必要がある。０．１％未満で
はガラス粉末の軟化による液相量が不足するため、上記
のような効果が得られ難い。１０％を超えると導体抵抗
値が上昇し、しかもダイアタッチ性も劣るようになる。

ガラス粉末の軟化温度を調整するために、その化学組成
は第４の発明ないし第５の発明の要旨とする。

以下各化字組成の限定理由について説明する。

請求項４について、ガラス粉末中におけるＰｂＯ含有量
は４０〜７０％である。４０％以下ではガラス粉末の軟
化温度が上昇してしまい、好ましくない。

また７０％を超えると熱膨張係数が大きくなり、かつ耐
水性に劣るようになる。　Ｂ、０．は含有量が少ないと
ガラス化し難いことと、露化点が下がり難いことにより
１０％以上が必要である。しかし、４５％を超えると水
分を吸着しやすくなり、安定性に劣ったり、熱膨張係数
が大きくなり、基板とのマツチング性がとりに（くなる
。したがってガラス粉末に対する８、０３量は１０〜４
５％の範囲とする。

ＳｉＯｘは含有量が少ないと耐水性等の安定性に劣るの
で４％以上が必要であり、３０％を超えると露化点が上
昇するので好ましくない。したがってガラス粉末全体に
対する５ｉＯａ量は４〜３０％の範囲とする。

さらにＺｎＯは基板との熱膨張係数を適合させるために
３０％まで適宜添加する。またガラス粉末の安定化のた
めに、Ａｌｔｏｓ　、ＺｒＯ＊、　　ＣａＯおよびＢａ
Ｏの内の１種または２種以上を１０％まで適宜添加する
。ガラス粉末の安定化のためには酸化ストロンチウム！
５ｒＯ）　、酸化チタン（Ｔｉｅｓ）らを添加すること
も効果がある。

請求項５については、ＺｎＯは４０〜６０％である。

４０％以下では′ガラス粉末の軟化温度が上昇しすぎ、
好ましくない。また手口％を超えると熱膨張係数が大き
くなり、かつ耐水性に劣るようになる。

Ｂ２Ｏ３は含有量が少ないとガラス化しにくいことと軟
化温度が下がりにくいことにより、１０％以上が必要で
ある。しかし、４５％を超えると水分を吸着しやすくな
り、安定性に劣ったり、熱膨張係数が太き（なり、基板
とのマツチング性がとりにく（なる。したがってガラス
粉末に対するＢ２０．含有量は１０〜４５％の範囲とす
る。

Ｓｉｎｇは含有量が少ないと耐水性等の安定性に劣るの
で４％以上が必要で３０％を超えると軟化点が上昇する
ので好ましくない。したがってガラス全体に対する５１
０２量は４〜３０％の範囲とする。さらにＰｂＯは基板
との熱膨張係数を合わせるために３０％まで適宜添加す
る。また、ガラス粉末の安定化のために、Ａｌｔｏｓ　
、Ｚｒ０ｉ、ＣａＯおよびＢａＯの内の１種または２種
以上を１０％以下適宜添加する。

ガラス粉末の安定化のために５ｒＯ１ＴｉＯａ等を添加
することも効果がある。

本発明で使用する銅有機物とは、 （Ｒは飽和型炭化水素）の一般式で示されるもので、環
式テルペン系誘導体またはＲ−３−Ｃｕ又はＲ−３−Ｃ
ｕ−３−Ｒの一般式で示されるものでもよい。銅の含有
量は一般に３〜１０％である。

具体的には、レジネート銅、銅アリールメルカプチド、
銅エルペンメチドなどがある。これらの有機銅はペース
ト中で溶剤に溶けた状態で存在する。有機銅は、ＩＲ法
（Ｉｎｆｒａ−Ｒｅｄ　ＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎＳｐｅｃ
ｔｒｕｍ　、赤外線吸収スペクトル）、ＮＭＲ法（Ｎｕ
ｃｌｅａｒ　Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｒｅ５ｏｎａｎｃｅ核
磁気共鳴法）等で金属銅と区別して存在が判別できる。

銅有機物を使用することによる効果は ｉ）液体であるため有機ビヒクルと良く混ざるため、分
散性に優れたペーストが可能である。

ｉｉ）基板にドツティングしても偏析が殆んどない。

１ｉｉ１焼成過程に於て、Ａ　ｇ　／　Ｃｕ複合粉、Ｙ
２Ｏ３粉末は、主に基板との接着強度に寄与し、銅有機
物は均一に分散するため、メタライズ層間の焼結を促進
させる効果がある。

従って接着強度のばらつきが小さくなり、安定した強度
の製品を得られる点にある。

これらの発明において、銅有機物を配合する利点は、液
体であるため有機ビヒクルに非常に良く混合できる利点
と、ドツティングの際も分離・偏析しない利点があり、
焼成後の強度を高くかつ安定的に保つ利点がある。

Ｙ２Ｏ，は化学的手法で製造された純度が９９．６％以
上のものが好ましい。粒度は平均粒径で５μ麿以下が好
ましく、粒径は強度を向上させるために、あるいは分散
性を良くするために細かい方が良い。平均粒径が１０μ
−以上になると、均一分散性が悪く表面平滑性の面で好
ましくない。

Ｙ２Ｏ，の添加量はペーストの固形成分中の割合が０．
０２〜２％、好ましくは０．０５〜１％となるよう添加
すると接着強度向上に著しい効果を発揮することが判明
した。添加量が０，０５％以下では効果が認められず、
２％を超えるとＹ２Ｏ３が析出し、表面平滑性に悪影響
を及ぼし、ダイアタッチ性を阻害する。表面平滑性を保
ちしかも接着強度を向上させるにはペーストの固形成分
中に０．０５〜１％添加するのが良い。

有機ビヒクルは金属微粉末を均一に分散させ、使用に際
しては適度の粘性と表面張力を有し、塗布面に滑らかに
拡散させる機能を有する。本発明で使用する有機ビヒク
ルは通常使用されているエチルセルロースをバインダー
として、溶剤としてテレピネオール、ブチルカルピトー
ル、ブチルカルピトールアセテート、テキサノール等の
有機質溶媒が使用できる。また、金属微粉末との漏れ性
を良くするため界面活性剤を０．５〜１０％添加すると
分散性が良くなる。又、分散剤としてロジン系樹脂を０
．１〜２％添加する場合もある。ペースト状態では金属
微粉末粒子の分離偏析を避けるため、粘度は高（調整し
ておくが、使用に際しては溶剤を用いて希釈し、４０〜
４５０ｃｐｓの粘度に調整する。

なお、本発明導電ペーストはＡＩＮ基板だけに限定され
ず、Ａｌ２Ｏ３基板、ムライト基板等のあらゆるセラミ
ック基板に適用が可能である。

［実施例］ 次に実施例をあげて本発明を説明する。

表１に示す金属診粉末とガラス粉末とＹ２Ｏ，とを使用
し、有機ビヒクルとして有機銅を配合したテレピネオー
ル、エチルセルロースおよび界面活性剤を使用して三本
ロールミルで混練してペーストを作った。

Ａｇ微粉末は市販の還元粉を使用し、純度は９９．９％
、粒度は１〜４ｕｍであった。

ＡｇとＣｕとの複合微粉末としてＣｕ粉９０％とＡｇ粉
１０％をボールミル中で高速混合粉砕したメカニカルア
ロイ粉を使用した。複合微粉末の粒度は１０μ■以下に
分級したものを使用した。

ｐｔは市販の０．５〜０．８μ膿の微粉末、およびＡｇ
とｐｔの割合が８５：１５の共沈粉末を５μＩ以下に分
散して使用した。

Ｐｄは市販の粒度０．８〜１．８μ−の微粉末、および
ＡｇとＰｄの重量比が７＝３である共沈粉末を５μ−以
下に４鯰したものを使用した。

カラス粉末は６９．９９％　ＰｂＯ−１６，８３％ＢＺ
Ｏ３−１０，３２％５１０２−２．８６％ＺｎＯの粉末
を粉砕分級し、平均粒径で２μ−としたものを使用した
。またこのときのガラス粉末の露化温度はＤＴＡ−ＴＧ
を用いて測定し、約４９０℃であった。

有機ビヒクル成分はテルピネオールに対して１２％のエ
チルセルロース及びノニオン系界面活性剤２．５％及び
銅有機物としてレジネート銅をあらかじめ添加したもの
を用いた。

有機ビヒクル成分およびレジネート銅の配合割合は、ペ
ースト全体に対し上記有機ビヒクル成分が１１％、レジ
ネート銅４重量％になるように配合した。

レジネート鋼中のＣｕ含有量は６．４％であるので、レ
ジネート銅から入るＣｕ純分は０．２５６％となる。

Ｙ２Ｏ，は平均粒径１．２μ−１純度９９．９％の市販
品を使用した。

これらの金属微粉末とガラス粉末とＹ２Ｏ，と有機ビヒ
クルおよびレジネート銅とを表１に示す配合条件で三本
ロールミルを使用して充分混練し、ペーストを得た。そ
の時の粘度はＢｒｏｏｋｆｉｅｌｄ粘度計ＨＢＴで、１
４番スピンドルを使用して一１１定したところ、　２０
０±５０にｃｐｓであった。

次に該ペーストを、ブチルカルピトールとテルピネオー
ルを１：ｌに混合した溶液をシンナーとして使用し、最
終粘度が約１００ｃｐｓになるように調整してドラディ
ングに使用した。

基板はＡＩＮを使用し、キャビティーの寸法は６．２５
Ｘ　６．２５Ｘ　Ｏ，１８ｔｓ＠であった。

ＡＩＮ基板はトリクロレンで洗浄後使用した。このキャ
ビティー上に粘度調整された希釈導電ペーストをドラデ
ィングにより滴下塗布した。

ドラディング装置は岩下エンジニアリング製のものを使
用した。該導電ペーストをドラディング後、レベリング
を１時間おこなった後１２０℃で２０分間乾燥し、厚膜
焼成炉により、大気雰囲気中で焼成した。焼成条件は６
０分間プロファイルでピーク温度９２０℃で１０分間と
した。

このようにして得られたペースト皮膜表面を観察し、表
面粗さを東京精密製表面粗さ計により測定した。サンプ
ルは各水準毎に５０個を使用した。

さらに２．５Ｘ２．５１１１１０×２５μ信のＡｕプレ
フォームを使用し、ウェストボンド社製ダイアタッチ装
置により　４５０℃でシリコンチップを接着した。この
ようにして得られたサーデイツプＩＣにつき特性試験を
実施した。これらの結果を表２に示す。

接着強度はダイアタッチ性とダイプッシュ試験で判定し
た。ダイアタッチ性とは接着時のスクライビングの時間
により判断し、表２中○印は短時間に接着できたもので
ある。ダイプッシュ試験は耐熱試験終了後のテストピー
スについてエンジニアド・テクニカル・プロダクト社製
のバーチカルポンドテスターを使用して測定した。

表２中Ｏ印は２０個全部のテストピースがダイ破壊を示
した場合。Δ印は２０個のサンプルのうち１個でも膜剥
離があった場合を示す。ｘ印は２０個のテストピース全
部が膜剥離６をしたことを示している。

上記の耐熱試験では熱サイクルテストと熱衝撃テストを
実施した。試験条件としては熱サイクルテストは−ＩＬ
Ｌ−３ＴＤ　８８３Ｂ　１０１０・２に基づきＧＯＮＯ
ＩＴＩＯＮ　Ｃで行なった。熱衝撃テストは同じくＭＩ
ＬＬ−５ＴＤ　８８３Ｂ　１０１１・２、Ｃ０ＮＤＩＴ
ＩＯＮ　Ｃで行なった。

メタライズ焼成膜の垂直引張強度は、次の方法で行なっ
た。まず、先端２．８５ｍ■中のＣｕスタッドに１０μ
ｍの厚さでＡｇメツキしたものをＰｔ−３ｉ合金箔（２
，２ｍｍＸ　２．２ＩＩＩＩＸ　５０μ１ｌｔ）をプレ
フォームとして使用し、４５０℃でスクライブさせなか
らＡｇメツキＣｕスタッドを接着させた。次いでＡｇメ
ツキＣｕスタッドを引張速度１６ｗｍ／分の一定速度で
、金玉製作所製ブツシュ・プル・テスターにより垂直方
向の引きはがし強度を測定した。

また、メタライズ層中の発泡の有無については目視によ
り判定し発泡の発生が無いものを○印とし、発生したも
のについてはｘ印を付けた。

［発明の効果１ 本発明による導電ペーストは厚膜ハイブリッドＩＣ回路
用導電ペーストとして求められる諸性性を有し、今後の
需要の伸びが期待出来る窒化アルミニウム基板を用いた
厚膜ＩＣ回路としての品質上の問題点を解決出来た。

従って高性能・大規模厚膜ハイブリッドＩＣ回路の信頼
性の向上に寄与出来る。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）銀微粉末と、銀と銅との複合微粉末を含み、これ
   ら金属微粉末の合計がペースト中において６０〜９０％
   （重量％、以下同じ）であり、かつ金属微粉末中の銅含
   有量が０．１〜１０％であり、ペースト中に含まれるガ
   ラス粉末が０．１〜１０％であり、銅有機物をペースト
   中の銅純分の合計が０．１〜１０％の範囲で含み、さら
   に酸化イットリウムを固形成分中に０．０２〜２％含み
   、残部が有機ビヒクルであることを特徴とする導電ペー
   スト。
2. （２）銀微粉末と、銀と銅との複合微粉末と、銀と白金
   との複合微粉末もしくは白金微粉末を含み、これら金属
   微粉末の合計がペースト中において６０〜９０％であり
   、かつ金属微粉末中の銅含有量が０．１〜１０％で、白
   金含有量が０．２〜１０％であり、ペースト中に含まれ
   るガラス粉末が０．１〜５％であり、銅有機物をペース
   ト中の銅純分の合計が０．１〜１０％の範囲で含み、さ
   らに酸化イットリウムを固形成分中に０．０２〜２％含
   み、残部が有機ビヒクルであることを特徴とする導電ペ
   ースト。
3. （３）銀微粉末と、銀と銅との複合微粉末と、銀とパラ
   ジウムとの複合微粉末もしくはパラジウム微粉末を含み
   、これら金属微粉末の合計がペースト中において６０〜
   ９０％であり、かつ金属微粉末中の銅含有量が０．１〜
   １０％で、パラジウム含有量が０．２〜３０％であり、
   ペースト中に含まれるガラス粉末が０．１〜１０％であ
   り、銅有機物をペースト中の銅純分の合計が０．１〜１
   ０％の範囲で含み、さらに酸化イットリウムを固形成分
   中に０．０２〜２％含み、残部が有機ビヒクルであるこ
   とを特徴とする導電ペースト。
4. （４）ガラス粉末中の含有量で、酸化鉛が４０〜７０％
   で、酸化ホウ素が１０〜４５％で、シリカが４〜３０％
   であり、さらに酸化亜鉛が３０％以下で、アルミナ、酸
   化ジルコニウム、酸化カルシウムおよび酸化バリウムの
   内１種または２種以上の成分が１０％以下である請求項
   １ないし３記載の導電ペースト。
5. （５）ガラス粉末中の含有量で、酸化亜鉛が４０〜６０
   ％で、酸化ホウ素が１０〜４５％で、シリカが４〜３０
   ％であり、酸化鉛が３０％以下で、アルミナ、酸化ジル
   コニウム、酸化カルシウムおよび酸化バリウムの内１種
   または２種以上の成分が１０％以下である請求項１ない
   し３記載の導電ペースト。