JPH0367283B2 - - Google Patents

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JPH0367283B2
JPH0367283B2 JP8624085A JP8624085A JPH0367283B2 JP H0367283 B2 JPH0367283 B2 JP H0367283B2 JP 8624085 A JP8624085 A JP 8624085A JP 8624085 A JP8624085 A JP 8624085A JP H0367283 B2 JPH0367283 B2 JP H0367283B2
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JP8624085A
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Takashi Shoji
Kenji Ochiai
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Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明はサーデイツプ基板用ペースト、特にド
ツテイングペーストに関するものである。 従来の技術 近年、電子機器の薄型化、コンパクト化は著し
く、集積度の増加と共に一段と信頼性が向上し、
用途も拡大の一途をたどつている。モノリシツク
ICでは急速な密度の増加、小型化がすすんでき
ており、一方ハイブリツトICの分野でも特に自
動車用制御回路や電源装置用などの産業機器にお
いては耐熱性、耐熱衝撃性にすぐれた大規模ハイ
ブリツトIC化の傾向が強い。最近のハイブリツ
トICでは、セラミツク基板上にダイオード、ト
ランジスタ、半導体ICなどの能動部品のほかコ
イル、トランス、コンデンサーなどほとんどの電
気部品を搭載している。集積度も一段と増加し信
頼度も飛躍的に向上した混成集積回路が開発され
ている。 これらのハイブリツトICはセラミツク基板上
に、個別部分あるいはICエレメントを搭載した
り、厚膜技術を駆使して構成されている。サーデ
イツプICは通常Al2O392〜96%程度のアルミナ基
板上にシリコンのICチツプをボンデイングペー
ストを使用して固着しているが、一層耐久力のあ
る固着力が要求されている。 通常サーデイツプ用のボンテイング方法として
は金(Au)系ペーストまたは半田、ガラスなど
が使用されている。Au系ペーストは導電性に優
れ、化学的にもまつたく安定で、Auワイヤーと
のボンダビリテイがもつとも良く、Siとも容易に
合金化し、基板との接着もきわめて良好で、特に
信頼性に優れているが高価であるという難点があ
る。この難点を解消するためAuを銀(Ag)に代
えAgの欠点であるマイグレーシヨンを防止する
ためにPdを添加したAg−Pd系のペーストが開発
されてきた。 発明が解決しようとする問題点 しかし、従来のAg系サーデイツプペーストは
一般的に920〜930℃と焼成温度が高い。Au系サ
ーデイツプペーストは870〜890℃であり、Au系
メタライズ製品と同時に焼成すると、Ag系は強
度が不充分になる。 従つて、Ag系ペーストを焼成する場合、専用
炉を設置する必要がある。以上の状況からAu系
ペーストと同じ870〜890℃程度の焼成温度で充分
な強度をもつAg系サーデイツプ用ペーストを提
供せんとするものである。 また従来のペーストは金属粉末にガラス質金属
酸化物を混合し、ビヒクルを用いて混練したもの
であり、アルミナ基板との接着はもつぱらガラス
フリツトの焼結結合にたよるものであつた。 しかしながらガラスフリツトは熱衝撃に弱く、
基板を焼成してパツケージ化する工程や、あるい
は使用中の環境温度の変化によつて接着強度が熱
劣化する欠点を有する。アルミナ基板との接着力
を向上させるため、Cuなどを微量添加しアルミ
ナ基板と化学的に結合させる試みもなされている
が、ガラスフリツトを使用する限り熱劣化特性を
飛躍的に向上させることは困難であつた。 すなわち、たゞ単にCu微粉末を添加したので
は、ビヒクル中では比重差により他の金属微粉末
と分離する現象が起こり、ドツテイングに際して
は分散が悪く、均一なメタライズ皮膜とならない
ばかりでなく、アルミナ基板に充分拡散しないた
め皮膜の接着強度が不充分なものとなる。また焼
成過程でCuの偏析した箇所は局部的に酸化され
て着色し均一な平滑面を有する皮膜が得られない
などの欠点がある。 本発明は上記のような欠点を解消すべくなされ
たものであり、サーデイツプIC用のドツテイン
グペーストにおいて、比較的に低い焼成温度でも
アルミナ基板とシリコンチツプとの接着力にすぐ
れ、耐熱性、耐熱衝撃性にもすぐれており、使い
易く、安価なフリツトレスタイプのドツテイング
ペーストを提供せんとするものである。 問題を解決するための手段および作用 本発明者らは先に銀(Ag)と銅(Cu)の複合
微粉末を使用することを特徴とする導電ペースト
を提案した(特願昭59−207042)。本発明は先の
提案にさらに五酸化バナジウムを添加することに
より、低温焼成による接着強度をさらに強めるこ
とを目的としたものである。すなわち安定的にか
つ低温域側(870℃付近)で、強度を発揮できる
様な各種添加物について検討を加えてきた結果、
五酸化バナジウム(V2O5)が焼成温度850℃でも
強度を意地できることがわかつた。第一の発明は
銀微粉末と、銀と銅との複合微粉末および五酸化
バナジウムを含有し、残部がビヒクルよりなるこ
とを要旨とする。第二の発明は銀微粉末と、銀と
銅との複合微粉末、および銀と白金との複合微粉
末または白金微粉末および五酸化バナジウムを含
有し、残部がビヒクルよりなることを要旨とし、
Agのマイグレーシヨンを防止し、ワイヤー接着
性、ハンダ特性を向上させる効果を有するものと
なる。 第三の発明は銀微粉末と、銀と銅との複合微粉
末、および銀とバラジウムとの複合微粉末又は、
バラジウム微粉末および五酸化バナジウムを含有
し、残部がビヒクルよりなることを要旨とするも
ので、Agのマイグレーシヨン防止に特にすぐれ、
ワイヤー接着性、ハンダ特性を向上させる効果を
有する。 次に本発明につき詳説する。本発明において銀
微粉末は粒径10μm以下のもの、好ましくは平均
粒径(D50)が0.5〜5μmのものを使用する。10μ
mより大きくなるとビヒクル中での分散性が悪く
なり、ドツテイングの時にニードルが閉塞する恐
れがある。又、焼成仕上がり面の平滑性が得難く
なる。銀粉末は特殊なものである必要はなく、通
常の還元法や電解法で得られた銀粉末を使用する
ことができる。 銀と銅の複合微粉末はビヒクル中で銀粒子と銅
粒子が結合を保つていれば良く、メツキ粉、共沈
粉、メカニカルアロイ粉末等が利用できる。特に
メカニカルアロイ粉末は、銀と銅の粉末をボール
ミル中で高速回転させて混合粉砕した結果得られ
るものであり、銀粒子と銅粒子が機械的に噛合つ
て結合しており、バインダーを何ら使用すること
なく銀粒子と銅粒子の強固な結合を保つことが可
能である。メカニカルアロイ粉末による場合は広
範囲のCu含有量の複合粉末を任意に選択使用で
きる利点を有する。銀と銅との複合粉末の粒子径
は10μm以下、好ましくは平均粒子径(D50)が
0.5〜5μmのものが良い。銀と銅との複合粉末中
の銅の含有量は20〜95%が適当である。銅含有量
が20%以下では皮膜強度が充分でなく、95%を越
えると複合粉末化の効果がなくなる。さらに比重
値がなるべく銀と銅との中間値に近いものがビヒ
クル中での分散性を良くする上で望ましい。 導電ペースト中の金属粉末中に占める銅含有率
は0.1〜10%、好ましくは2〜5%である。銅含
有率が0.1%以下ではアルミナ中への拡散が不充
分で接着強度が上がらない。また、銅含有量が10
%を越えると銅の酸化が著しくなり、かえつて悪
影響をおよぼす結果となる。 導電ペースト中の金属粉末含有量は60〜90%と
する必要があり、これ以外では取扱い易いペース
ト粘度が得られない。 本発明で添加するV2O5は、化学的に製造され
たもので、純度が99.9%以上のものが好ましい。
粒度は平均粒径で5μ以下好ましくは2μ以下で細
かい方が分散性が良く強度の与える影響も好まし
い。逆に平均粒径が5μ以上であると強度、表面
平滑性、均一分散性の面で好ましくない。V2O5
の添加率は20〜500ppmが最適である。20ppm以
下では、強度に対して顕著な効果は認められな
い。500ppm以上添加すると色調に変色をきたす
他、気孔が多くなつたり、表面粗さが粗くなつた
りして、特にダイ・アタツチ性(Si付けが難し
い)が劣化する。 ビヒクルは金属微粉末を均一に分散させ、使用
に際しては適度の粘性と表面張力を有し、塗布面
に滑らかに拡散させる機能を有する。本発明で使
用するビヒクルは通常使用されているエチルセル
ロースをバインダーとして、溶剤としてテレピネ
オール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトー
ルアセテート、テキサノール等の有機質溶媒が使
用できる。また、金属粉末との濡れ性を良くする
ため界面活性剤を0.5〜10%添加すると分散性が
良くなる。又、分散剤としてロジン系樹脂を0.1
〜2%添加する場合もある。ペースト状態では金
属微粉末粒子の分離偏析を避けるため、粘度は高
く調整しておくが、使用に際しては溶剤を用いて
希釈し、40〜450cpsの粘度に調整する。 第一の発明では銀微粉末および銀と銅との複合
微粉末を含み、これらの金属微粉末粒子の合計が
60〜90%で、かつ金属微粉末中の銅の含有量が
0.1〜10%であり、さらに五酸化バナジウムを固
形成分中に20〜500ppm含み、残部がビヒクルか
らなる導電ペーストである。ペーストを上記のよ
うに構成することにより熱衝撃に耐え、熱劣化性
が著しく改善された強固な結合力を有するものと
なる。さらに本発明によるペーストはドツテイン
グの際の分散性も良くなり、平滑で均一な焼上が
り特性を有するすぐれた表面皮膜となる。 第二の発明は第一の発明に白金を添加したもの
であり、銀微粉末と、銀と銅との複合微粉末と、
銀と白金との複合微粉末または白金微粉末とを含
み、これらの金属微粉末粒子の合計が60〜90%
で、かつ金属微粉末中の銅の含有量が0.1〜10%
であり、銀との複合粉末である場合白金の含有量
が0.2〜30%であり、さらに五酸化バナジウムを
固形成分中に20〜500ppm含み、残部がビヒクル
からなる導電ペーストである。上記のごとくペー
ストを構成することにより、熱衝撃に耐え、熱劣
化性が著しく改善された強固な結合力を有するほ
かに、銀のマイグレーシヨンを防止し、ワイヤー
ボンデイング性、フアインライン性、ハンダ特
性、導電性を改善する効果を有する。又、キヤビ
テイー部にワイヤーを接続する場合、Al線が使
用できる大きな利点をもつ。 白金は化学的に安定であるから単独で混合して
も上記特性を改善するのに有効であるが、銀との
複合粉末を使用するとビヒクル中で均一に分散す
るので、一層効果的である。銀と白金との複合粉
末はメツキ粉、共沈粉、メカニカルアロイ粉等が
使用できる。複合粉末中の白金の含有率は5〜60
%が適する。メカニカルアロイ粉では白金含有率
の高いものを容易に得ることができる。複合粉末
の粉末粒子径は10μm以下、平均粒子径(D50
は5μm以下程度のものが良い。白金の含有量は
ペースト中の金属粒子に対し0.2〜10%、好まし
くは0.5〜3.0%である。白金含有量が0.2%以下で
は添加効果が認められず、10%以上ではコスト削
減の効果が現われない。 第三の発明は第一の発明にパラジウムを添加し
たものであり、銀微粉末と、銀と銅との複合粉末
と、銀とパラジウムとの複合微粉末又はパラジウ
ム微粉末とを含み、これらの金属微粉末粒子の合
計が60〜90%で、かつ金属微粉末中の銅の含有量
が0.1〜10%であり、パラジウムの含有量が0.2〜
30%であり、さらに五酸化バナジウムを固形成分
中に20〜500ppm含み、残部がビヒクルからなる
導電ペーストである。上記のごとくペーストを構
成することにより、熱衝撃に耐え、熱劣化性が著
しく改善された強固な結合力を有するほかに、特
に銀のマイグレーシヨン防止に著しい効果を発揮
し、ワイヤーボンデイング性、ハンダ特性を改善
し、表面の滑らかな均質皮膜が得られる効果を有
する。 パラジウムを添加したペーストは銀のマイグレ
ーシヨンを防止する効果を有することは広く知ら
れた事実であるが、パラジウムを単独で添加した
ペーストは、焼成過程でパラジウムが容易に酸化
され、表面粗さが極端に粗くなる欠点がある。そ
のためパラジウムを単独で添加する場合、粒径
(D50)を2μm以下の微粉末を使用しなければな
らない。本発明ではパラジウムを銀と複合化した
粉末を使用することにより、パラジウムの酸化を
防止しつつ平面状態のきわめて良好な皮膜が得ら
れることを見出した。 銀とパラジウムとの複合化粉末としては共沈粉
末、メカニカルアロイ粉末、メツキ粉末が利用で
きる。複合粉末中のパラジウムの含有率は10〜40
%、好ましくは20〜30%のものが使い易い。複合
粉末の粒子径は10μm以下、平均粒子径(D50
は5μm以下程度のものが良い。 パラジウムの含有量はペースト中の金属粒子に
対して0.2〜30%、好ましくは0.5〜10%である。
パラジウム含有量が0.2%以下では添加の効果が
認められず、30%以上添加しても著しい特性向上
は期待できなくなるからである。 実施例 次に実施例をあげて本発明を説明する。 表1に示す金属粉末と五酸化バナジウムを使用
しビヒクルとしてテルピネオール、エチルセルロ
ース及び界面活性剤を使用して三本ロールミルで
混練してペーストを作つた。 銀粉末は市販の還元粉を使用し、純度は99.9
%、粒度は1〜4μmであつた。 銀と銅との複合粉末として銀粉10%と銅粉90%
をボールミル中で高速混合粉砕したメカニカルア
ロイ粉を使用した。複合粉末の粒度は10μm以下
に分級したものを使用した。 白金は市販の0.5〜0.8μmの微粉末、および銀
と白金の割合が85:15の共沈粉末を5μm以下に
分散して使用した。 パラジウムは市販の粒度0.8〜1.8μmの微粉末、
および銀とパラジウムの重量比が7:3である共
沈粉末を5μm以下に分散したものを使用した。 V2O5は純度99.9%で粒径3μ以下のものを使用
した。 ビヒクル成分はテルピネオールに対して12%の
エチルセルロース及びノニオン系界面活性剤2.5
%を添加したものを用いた。 これらの金属粉末とビヒクルを表1に示す配合
条件で三本ロールミルを使用して充分混練し、ペ
ーストを得た。その時の粘度はBrookfield粘度
計HBTで、14番スピンドルを使用して測定した
ところ、200±50Kcpsであつた。 次に該ペーストを、ブチルカルビトールとテル
ピネオールを1:1に混合した溶液をシンナーと
して使用し、最終粘度が約100cpsになるように調
整してドツテイングに使用した。 基板はブラツクアルミナ(92%Al2O3、寸法
31.7×13×2mm)を使用し、キヤビテイーの寸法
は6.25×6.25×0.18mmであつた。 アルミナ基板はトリクレンで洗浄後使用した。
このキヤビテイー上に粘度調整された希釈ペース
トをドツテイングにより滴下塗布した。 ドツテイング装置は岩下エンジニアリング製の
ものを使用した。該導電ペーストをドツテイング
後、レベリングを1時間おこなつた後120℃で20
分間乾燥し、さらにワトキンス・ジヨンソン社製
4MC型厚膜焼成炉により、大気雰囲気中で焼成
した。焼成条件は60分間プロフアイルでピーク温
度870℃、890℃及び920℃で10分間とした。この
ようにして得られたペースト皮膜表面を観察し、
表面粗さを東京精密製表面粗さ計により測定し
た。サンプルは各水準毎に50個を使用した。 さらに2.5×2.5mm口×25μmtのAuプレフオー
ムを使用し、ウエストボンド社製ダイアタツチ装
置により450℃でシリコンチツプを接着した。こ
のようにして得られたサーデイツプICにつき特
性試験を実施した。これらの結果を表2に示す。 接着強度はダイアタツチ性とダイプツシユ試験
で判定した。ダイアタツチ性とは接着時のスクラ
イビングの時間により判断し、表2中○印は短時
間に接着できたものである。ダイプツシユ試験は
耐熱試験終了後のテストピースについてエンジニ
アド・テクニカル・プロダクト社製のバーチカル
ボンドテスターを使用して測定した。表2中○印
は20個全部のテストピースがダイ破壊を示した場
合。△印は20個のサンプルのうち1個でも膜剥離
があつた場合を示す。×印は20個のテストピース
全部が膜剥離をしたことを示している。 上記の耐熱試験は熱サイクルテストと熱衝撃テ
ストを実施した。試験条件は熱サイクルテストは
MILL−STD 883B 1010・2に基づき
CONDITION Cでおこなつた。熱衝撃テストは
同じくMILL−STD 883B 1011・2、
CONDITION Cでおこなつた。 メタライズ焼成膜の垂直引張強度は、次の方法
で行つた。まず、先端2.85mm中の銅スタツドに
10μmの厚さで銀メツキしたものを金−けい素合
金箔(2.2mm×2.2mm×50μmt)をプレフオームと
して使用し、450℃でスクラブさせながら銀メツ
キスタツドを接着させた。次いで銀メツキスタツ
ドを引張速度16mm/分の一定速度で、今田製作所
製プツシユ・プル・テスターにより垂直方向の引
きながし強度を測定した。 表−1、表−2よりV2O5は、比較的低温域の
870〜890℃での強度に著しい効果が認められる。 白金粉末または白金複合粉末を使用した導電ペ
ーストは皮膜の焼き上がり状態が良く、接着強度
が一段と向上し熱履歴によつても接着強度が劣化
しないことが判明した。 本発明のボンデイング抵抗値は非常に低く、か
つ経時的に安定しており、かつボンデイング特性
も良いので、アルミニウムワイヤーの使用が可能
となることも、本発明の大きな利点である。 本発明による銀とパラジウムの混合粉末を使用
した場合は、これらの欠点が解消され、接着強度
が一段とすぐれたものとなる。
【表】
【表】
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 銀微粉末と、銀と銅との複合微粉末を含みこ
    れら金属微粉末の合計が60〜90%(重量%、以下
    同じ)であり、かつ金属微粉末中の銅の含有量が
    0.1〜10%であり、さらに五酸化バナジウムを固
    形成分中に20〜500ppm含み残部がビヒクル成分
    よりなることを特徴とする導電ペースト。 2 銀微粉末と、銀と銅との複合微粉末と、銀と
    白金との複合微粉末または白金微粉末とを含み、
    これら金属微粉末の合計が60〜90%であり、かつ
    金属微粉末中の銅の含有量が0.1〜10%で白金の
    含有量が0.2〜10%であり、さらに五酸化バナジ
    ウムを固形成分中に20〜500ppm含み、残部がビ
    ヒクル成分よりなることを特徴とする導電ペース
    ト。 3 銀微粉末と、銀と銅との複合微粉末と、銀と
    パラジウムとの複合微粉末またはパラジウム微粉
    末を含み、これら金属微粉末の合計が60〜90%で
    あり、かつ金属微粉末中の銅の含有量が0.1〜10
    %で、パラジウムの含有量が0.2〜30%であり、
    さらに五酸化バナジウムを固形成分中に20〜
    500ppm含み、残部がビヒクル成分よりなること
    を特徴とする導電ペースト。
JP8624085A 1985-04-24 1985-04-24 導電ペ−スト Granted JPS61245405A (ja)

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