JPH0470748B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 この発明は、避雷器、架空地線等を接地するた
めに用いる低サージインピーダンス導体の端末部
に関するものである。 〔従来の技術〕 従来、避雷器等の接地用導体としては、600V
ビニル絶縁電線が汎用されてきたが、近年架空送
配電線路に対する雷害対策の一貫として接地用導
体の低サージインピーダンス化が検討され、種々
の低サージインピーダンス導体が提案されてい
る。 本願発明者等による実願昭62−77701の考案も
このような提案の一つであり、雷害対策に寄与し
ている。 上記実用新案登録願の考案の要旨は、金属板か
らなる内部導体の周りにほぼ矩形状に絶縁体を被
覆し、上記絶縁体の少なくとも片面上に金属板か
らなる外部導体を前記内部導体と平行に相対向し
て添設し、さらにその周りに外被を施したことを
特徴とする低サージインピーダンス導体である。 なお、この発明における主導体及び副導体は上
記実用新案登録願の考案における低サージインピ
ーダンス導体の内部導体、外部導体と同意義のも
のである。 ところで、上記考案の低サージインピーダンス
導体は種々の架空送配電線路や避雷針など雷害の
危険性のあるすべての施設に適用し得るものであ
り、架空地線や避雷器の接地側などに接続して用
いられる。従つて、沿面閃絡破壊等を引き起こさ
ずまた特性を損うことがないよう簡便に端末処理
された低サージインピーダンス導体の端末部が求
められていた。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、低サージインピーダンス導体自
体が新規な技術的概念であり、そのための端末処
理方法や端末部の構造は未だ開発されていない。 一般に複数の導体または導体と遮蔽体を有する
電線、ケーブル等の端末部は、複数の導体の端末
部間または導体の端末部と遮蔽体端末部との間を
絶縁するために絶縁テープを巻くか熱融着テープ
を巻いた後加熱モールドして端末部における絶縁
体を形成しているが、中間部と違つて電界が不均
一になることや絶縁体の形成が手作業になること
を考慮して絶縁体層を中間部よりも厚くし、かつ
電界分布をなるべく均一にするため導体端末部間
または遮蔽体−導体間に補強絶縁を施し、導体端
末部から中間部への絶縁体外径の減少傾向を滑ら
かにしており、そのため端末部全体の長さが長く
なる。 従つて、端末部の形成に手間が掛かるだけでな
く、端末部の可撓性が悪くなるため、配線工事に
おける作業性も低下するという問題がある。この
ような手作業を簡略化するため、熱収縮チユーブ
を用いて端末処理を行う方法も考えられるが、こ
の方法で形成された端末部はインパルス破壊電圧
特性が不十分であるという問題があつた。 この発明は、上記の現状に鑑み、低サージイン
ピーダンス導体の機能を低下させることなく、確
実かつ容易に形成し得る低サージインピーダンス
導体の端末部を提供することを目的とする。 〔課題を解決するための手段〕 上記の課題を解決するため、この発明は、平板
状の主導体の外周にほぼ矩形状に絶縁体を被覆
し、上記絶縁体の少なくとも片面上に主導体と平
行に平板状の副導体を添設し、その外周に外被を
被覆してなる低サージインピーダンス導体の端末
部において、外被、副導体及び絶縁体を順次段状
に剥ぎ取り、副導体露出部、絶縁体露出部及び主
導体露出部に当接するように設けた半導電性層
と、上記の半導電性層を覆うようにその外周に設
けた絶縁体層と、を具備した構成としたものであ
る。 〔作用〕 上記の構成を有するこの発明の低サージインピ
ーダンス導体の端末部は、接続すべき低サージイ
ンピーダンス導体の副導体露出部と主導体接続部
とに当接するように半導電性層を設けてあるの
で、雷サージの侵入によつて主導体と副導体との
間に瞬間的に大きな電位差が発生した場合でもそ
の電位差が半導電性層の抵抗によつて長さ方向に
ほぼ均等に分圧され、従つて、主導体部直上に大
きな電位傾度を生ずることがなく、この半導電性
層がない場合に比べてインパルス電圧による絶縁
破壊値が高くなる。換言すれば、端末部を短くす
ることができる。 しかも、薄い半導電性層を設けるだけであるか
ら、これによる外径増はごく僅かであり、可撓性
を損ねることもない。 〔実施例〕 第１図はこの発明による低サージインピーダン
ス導体の端末部の一実施例を示し、第１図ａは、
一部縦断面図とした平面図、第１図ｂは第１図ａ
のＸ−Ｘ断面矢視図、第１図ｃは同Ｙ−Ｙ断面矢
視図である。 図示実施例において、端末処理すべき低サージ
インピーダンス導体は、銅条からなる主導体１の
外周にビニル絶縁体２を被覆し、そのビニル絶縁
体２の片面上に銅テープからなる副導体３を主導
体１と平行に添設し、その外周にビニル外被４を
被覆したものである。 この実施例の端末部は以下に述べるようにして
形成される。即ち、低サージインピーダンス導体
の端部のビニル絶縁体２、副導体３及びビニル外
被４を剥ぎ取つた主導体端末部１１にボルト穴１
２を形成して主導体露出部１３とし、主導体露出
部１３の内端より所定長ｌに渡つて副導体３及び
ビニル外被４を剥ぎ取り、絶縁体露出部２１とす
る。この場合、副導体３はビニル外被４の剥ぎ取
り端４１よりやや長めに残して副導体露出部３１
とし、上記剥ぎ取り端４１で折り返す。 次に、絶縁体露出部２１の外端部（主導体露出
部１３との境界部）及び上記外被４の折り返し端
４１のやや内側にシーリングテープ５を巻いた
後、上記の折り返された副導体露出部３１上、絶
縁体露出部２１上、主導体露出部１３の内端部上
に半導電性自己融着テープを巻き付けて半導電性
層２２を形成する。その後、半導電性層２２を覆
うようにその外周にエチレンプロピレンゴム製の
熱収縮チユーブを用いて絶縁体層５１を形成す
る。さらにその後、絶縁体層５１の両端部外方
に、粘着性ポリエチレンテープ６を巻き、その上
にさらに粘着性ビニルテープ７を巻く。 以上のように形成された低サージインピーダン
ス導体の端末部について、インパルス破壊電圧試
験を行つた。この試験において、試料は第１図ａ
における界面長ｌを変えた実施例３種類について
各３試料ずつを用意し、比較のため、これらの実
施例と半導電性層を有しない点だけが異なる試料
をそれぞれ同様に作製した。試験結果を次頁の表
に示す。 試験方法は、主導体と副導体との間に20KVの
インパルス電圧（インパルス波形はJIS C3005に
よる）を印加後、10KVずつ昇圧し、各３回印加
した。この表に示す試験結果において、界面閃絡
とは、実施例の場合は絶縁体２と半導電性層２２
との界面、比較例の場合は絶縁体２と絶縁体層５
１との界面を経路として、主導体露出部１３と副
導体露出部３１との間に閃絡が生じたものであ
り、絶縁破壊とはこのような界面を通らずに絶縁
体２自体に絶縁破壊が生じたものである。 この表の試験結果からも明らかなように、半導
電性層２２を設けない場合は、界面長ｌを300mm
にしてもなお80KV以下で界面閃絡を生じるが、
半導電性層２２を設けたものは界面長ｌを250mm
以上にすることにより絶縁破壊値より低い電圧で
界面閃絡を生じることはなくなる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明による低サージ
インピーダンス導体の端末部は、端末処理すべき
低サージインピーダンス導体の副導体露出部、絶
縁体露出部及び主導体接続部に当接させて薄い半
導電性層を設けたため、主導体と副導体との間に
インパルス電圧が加わつても、その電位差が半導
電性層の抵抗によつて長さ方向にほぼ均等に分圧
される結果、インパルス電圧に対して高い絶縁破
壊強度を確保することができ、従つて、端末部を
短くすることができる。しかも外径増はごく僅か
であり、可撓性が損われることもない。即ちこの
発明による低サージインピーダンス導体の端末部
は、低サージインピーダンス導体の機能を低下さ
せることなく確実かつ容易に形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による低サージインピーダン
ス導体の端末部の一実施例を示し、第１図ａは一
部縦断面図とした平面図、第１図ｂは第１図ａの
Ｘ−Ｘ断面矢視図、第１図ｃは第１図ａのＹ−Ｙ
断面矢視図である。 １……主導体、２……絶縁体、３……副導体、
４……ビニル外被、１１……主導体端末部、１３
……主導体露出部、２１……絶縁体露出部、２２
……半導電性層、３１……副導体露出部、５１…
…絶縁体層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 平板状の主導体の外周にほぼ矩形状に絶縁体
   を被覆し、上記絶縁体の少なくとも片面上に主導
   体と平行に平板状の副導体を添設し、その外周に
   外被を被覆してなる低サージインピーダンス導体
   の端末部において： 外被、副導体及び絶縁体を順次段状に剥ぎ取
   り、副導体露出部、絶縁体露出部及び主導体露出
   部に当接するように設けた半導電性層と； 上記の半導電性層を覆うようにその外周に設け
   た絶縁体層と； を具備したことを特徴とする低サージインピーダ
   ンス導体の端末部。