JPH01241773A - 低サージインピーダンス導体の接地側端末部 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、避雷器、架空地線等を接地するために用い
る低サージインピーダンス導体の接地側端末部に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来、避雷器等の接地用導体としては、６００■ビニル
絶縁電線が汎用されてきたが、近年、架空送配電線路に
対する雷害対策の一貫として接地用導体の低サージイン
ピーダンス化が検討され、種々の低サージインピーダン
ス導体が提案されている。

本願発明者等による実願昭６２−７７７０１の考案もこ
のような提案の−っであり、雷害対策に寄与している。

上記実用新案登録願の考案の要旨は、金属板からなる内
部導体の周りにほぼ矩形状に絶縁体を被覆し、上記絶縁
体の少なくとも片面上に金属板からなる外部導体を前記
内部導体と平行に相対向して添設し、さらにその周りに
外被を施したことを特徴とする低サージインピーダンス
導体である。

なお、この発明における主導体及び副導体は上記実用新
案登録願の考案における低サージインピーダンス導体の
内部導体、外部導体と同意義のものである。

ところで、上記考案の低サージインピーダンス導体は種
々の架空送配電線路や避雷針など雷害の危険性のあるす
べての施設に適用し得るものであり、架空地線や避雷器
の接地側などに接続して用いられる。従って、これらの
架空地線や避雷器側の接続に適した低サージインピーダ
ンス導体の端末部の他、接地線接続側についても、沿面
閃絡破壊等を引き起こさずまた特性を損うことがないよ
う簡便に端末処理された端末部が求められていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、低サージインピーダンス導体自体が新規
な技術的概念であり、そのための接地側の端末処理方法
や接地側端末部の構造は未だ開発されていない。

一般に複数の導体または導体と遮蔽体を有する電線、ケ
ーブル等の接地側端末部は、複数の導体の端末部間また
は導体の接地側端末部と遮蔽体の接地側端末部との間を
絶縁するために絶縁テープを巻くか熱融着テープを巻い
た後加熱モールドして接地側端末部における絶縁体を形
成しているが、中間部と違って電界が不均一になること
や絶縁体の形成が手作業になることを考慮して絶縁体層
を中間部よりも厚くし、かつ電界分布をなるべく均一に
するため導体の接地側端末部間または遮蔽体−導体間に
補強絶縁を施し、導体の接地側端末部から中間部への絶
縁体外径の減少傾向を滑らかにしており、そのため接地
側端末部全体の長さが長くなる。

従って、接地側端末部の形成に手間が掛かるだけでなく
、接地側端末部の可撓性が悪くなるため、配線工事にお
ける作業性も低下するという問題がある。このような手
作業を簡略化するため、熱収縮チューブを用いて端末処
理を行う方法も考えられるが、この方法で形成された接
地側端末部はインパルス破壊電圧特性が不十分であると
いう問題があった。

この発明は、上記の現状に鑑み、低サージインピーダン
ス導体の機能を低下させることな（、確実かつ容易に形
成し得る低サージインピーダンス導体の接地側端末部を
提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記の課題を解決するため、この発明は、平板状の主導
体の外周にほぼ矩形状に絶縁体を被覆し、上記絶縁体の
少なくとも片面上に主導体と平行に平板状の副導体を添
設し、その外周に外被を被覆してなる低サージインピー
ダンス導体の接地側端末部において、外被、副導体及び
絶縁体を順次段状に剥ぎ取り、副胴体露出部、絶縁体露
出部及び主導体露出部に当接するように設けた半導電性
層と、上記の半導電性層を覆うようにその外周に設けた
絶縁体層と、上記外被部分に固定されると共に、一端部
が上記副胴体露出部に電気的に接続された副導体接地用
金具と、を具備した構成としたものである。

〔作用〕

上記の構成を有するこの発明の低サージインピーダンス
導体の接地側端末部は、接続すべき低サージインピーダ
ンス導体の副胴体露出部と主導体接続部とに当接するよ
うに半導電性層を設けであるので、雷サージの侵入によ
って主導体と副導体との間に瞬間的に大きな電位差が発
生した場合でもその電位差が半導電性層の抵抗によって
長さ方向にほぼ均等に分圧され、従って、主導体部直上
に大きな電位傾度を生ずることがなく、この半導電性層
がない場合に比べてインパルス電圧による絶縁破壊値が
高（なる。換言すれば、端末部を短くすることができる
。

しかも、薄い半導電性層を設けるだけであるから、これ
による外径増はごく僅かであり、可撓性を損ねることも
ない。また、副胴体露出部に電気的に接続された副導体
接地用金具が設けられているため、これに接地線を接続
するだけで副導体の接地作業も簡単に行うことができる
。

〔実施例〕

添付図面は、この発明の低サージインピーダンス導体の
端末部の一実施例を示し、第１図は一部縦断面図とした
平面図、第２図は第１図のＸ−Ｘ断面矢視図、第３図は
同Ｙ−Ｙ断面矢視図である。

図示実施例において、接地側端部を端末処理すべき低サ
ージインピーダンス導体は、第２図に示すように、銅条
からなる主導体ｌの外周にビニル絶縁体２を被覆し、そ
のビニル絶縁体２の片面上に銅テープからなる副導体３
を主導体ｌと平行に添設し、その外周にビニル外被４を
被覆したものである。

この実施例の接地側端末部は以下に述べるようにして形
成される。即ち、低サージインピーダンス導体の接地側
端部のビニル絶縁体２、副導体３及びビニル外被４を剥
ぎ取った主導体端末部１１にボルト穴１２を形成して主
導体露出部１３とし、主導体露出部１３の内端より所定
長ｌに渡って副導体３及びビニル外被４を剥ぎ取り、絶
縁体露出部２１とする。この場合、副導体３はビニル外
被４の剥ぎ取り端４１よりやや長めに残して副胴体露出
部３１とし、上記剥ぎ取り端４１で折り返す。

このように折り返された副胴体露出部３１を副導体接地
用金具６の一端部の端子金具６１で上下から挟み、かし
めることにより副胴体露出部３１と副導体接地用金具６
の導体６２とを電気的に接続し、ビニル被覆６３を有す
る副導体接地用金具６の中間部をナイロン製の緊締バン
ド７により低サージインピーダンス導体に対し締付け、
固定する。

次に、絶縁体露出部２１の外端部（主導体露出部１３と
の境界部）及び上記ビニル外被４の剥ぎ取り端４１のや
や内側（上記副導体接地用金具６の端子金具６１の内側
）にシーリングテープ５を巻いた後、上記の折り返され
た副胴体露出部３１及び端子金具６１上、絶縁体露出部
２１上、主導体露出部１３の内端部上に半導電性自己融
着テープを巻き付けて半導電性層２２を形成する。その
後、半導電性層２２を覆うようにその外周に粘着性ポリ
エチレンテープ８１を巻き、さらにその上にエチレンプ
ロピレンゴム製の熱収縮チューブ８２を被せ、絶縁体層
８を形成する。次に、絶縁体層８の両端部外方に、粘着
性ポリエチレンテープ９を巻き、その上にさらに粘着性
ビニルテープ１Ｏを巻く。その後、副導体接地用金具６
のもう一方の端部の圧着端子６３に接地線１４を接続し
、この端部側の露出部上にシーリングテープ１６を巻き
付け、さらにその上に粘着ビニルテープ１７・を巻く。

以上のように形成された低サージインピーダンス導体の
接地側端末部について、インパルス破壊電圧試験を行っ
た。この試験において、試料は、上表に示すように、第
１図における界面長ｌを変えた実施例３種類について各
３試料ずつを用意し、比較のため、これらの実施例と半
導電性層を有しない点だけが異なる試料をそろぞれ同様
に作製した。試験結果を併せて上表に示す。

試験方法は、主導体１と副導体３との間に２０ＫＶのイ
ンパルス電圧（インパルス波形ｉ；！　Ｊ　Ｉ　ＳＣ３
００５による）を印加後、ｌ０ＫＶずつ昇圧し、各３回
印加した。この表に示す試験結果において、界面閃絡と
は、実施例の場合は絶縁体２と半導電性層２２との界面
、比較例の場合は絶縁体２と絶縁体層８との界面を経路
として、主導体露出部１３と副胴体露出部３１との間に
閃絡が生じたものであり、絶縁破壊とはこのような界面
を通らずに絶縁体２自体に絶縁破壊が生じたものである
。

上表の試験結果からも明らかなように、半導電外層２２
を設けない場合は、界面長ｌを３００ｍｒａにしてもな
お８０に■以下で界面閃絡を生じるが、半導電性層２２
を設けたものは界面長りを２５０ｍｍ以上にすることに
より絶縁破壊値より低い電圧で界面閃絡を生じることは
なくなる。

なお、上記実施例では、半導電性層２２は半導電性テー
プを用いて形成したが、半導電性熱収縮チューブを用い
たちの導電性塗料を塗布することによって形成したもの
等も当然この発明に含まれる。また、接地用金具６、絶
縁体層８、主導体露出部１３、副胴体露出部３１等の構
造、形状も上記実施例に限定されるものではない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明による低サージインピー
ダンス導体の接地側端末部は、端末処理すべき低サージ
インピーダンス導体の副胴体露出部、絶縁体露出部及び
主導体接続部に当接させて薄い半導電性層を設けたため
、主導体と副導体との間にインパルス電圧が加わっても
、その電位差が半導電性層の抵抗によって長さ方向にほ
ぼ均等に分圧される結果、インパルス電圧に対して高い
絶縁破壊強度を確保することができ、従って、端末部を
短くすることができる。しかも外径増はご（僅かであり
、可撓性が損われることもない。即ちこの発明による低
サージインピーダンス導体の接地側端末部は、低サージ
インピーダンス導体の機能を低下させることなく確実か
つ容易に形成することができる。また、副導体接地用金
具を設けたため、副導体の接地作業も簡単かつ確実に行
うことができる。

【図面の簡単な説明】

添付図面はこの発明による低サージインピーダンス導体
の接地側端末部のｉ実施例を示し、第１図は一部縦断面
図とした平面図、第２図は第１図のＸ−Ｘ断面矢視図、
第３図は第１図のＹ−Ｙ断面矢視図である。 １・・・主導体、　　　２・・・絶縁体、３・・・副導
体、　　　４・・・ビニル外被、６・・・副導体接地用
金具、 ８・・・絶縁体層、　　　１１・・主導体端末部、１３
・・主導体露出部、２１・・絶縁体露出部、２２・・半
導電性層、　３１・・副胴体露出部、６１・・端子金具
。 特許出願人　　　　　　　株式会社　関西チック日勤電
工株式会社 タック電線株式会社 同代理人　　　　鎌田文二 築２図 ）・〒　（≧　で に７Ｑ二

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）平板状の主導体の外周にほぼ矩形状に絶縁体を被
   覆し、上記絶縁体の少なくとも片面上に主導体と平行に
   平板状の副導体を添設し、その外周に外被を被覆してな
   る低サージインピーダンス導体の接地側端末部において
   ： 外被、副導体及び絶縁体を順次段状に剥ぎ取り、副導体
   露出部、絶縁体露出部及び主導体露出部に当接するよう
   に設けた半導電性層と； 上記の半導電性層を覆うようにその外周に設けた絶縁体
   層と； 上記外被部分に固定されると共に、一端部が上記副胴体
   露出部に電気的に接続された副導体接地用金具と； を具備したことを特徴とする低サージインピーダンス導
   体の接地側端末部。