JPH0469918A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
Ｘ線露光方法、特にシンクロトロン放射光等を用いたＸ
線露光におけるレジストパターンの形成方法に関し、 欠陥を生ずるような複雑な作業工程を増やすことな（、
レジストの非露光部の現像に対する難溶性を高め、これ
によってレジスト非露光部の残膜率及びレジストパター
ンのマスク精度を高めることを目的とし、 大気中において、レジスト膜を底部まで感光させないよ
うな低エネルギー強度の第１のＸ線により該レジスト膜
上に全面照射を行う工程と、酸素を含まない雰囲気中に
おいて、前記レジスト膜を底部まで感光させるような高
エネルギー強度の第２のＸ線により、マスクを介し、前
記レジスト膜上にマスクパターンの転写露光を行う工程
とを含むか、若しくは、大気中において、レジスト膜を
底部まで感光させないような低エネルギー強度の第１の
Ｘ線により、マスクを介し、前記レジスト膜上にマスク
パターンの転写露光を行う工程と、酸素を含まない雰囲
気中において、前記レジスト膜を底部まで感光させるよ
うな高エネルギー強度の第２のＸ線により、前記マスク
を介し、前記レジスト膜上にマスクパターンの転写露光
を行う工程とを含む構成を有する。
線露光におけるレジストパターンの形成方法に関し、 欠陥を生ずるような複雑な作業工程を増やすことな（、
レジストの非露光部の現像に対する難溶性を高め、これ
によってレジスト非露光部の残膜率及びレジストパター
ンのマスク精度を高めることを目的とし、 大気中において、レジスト膜を底部まで感光させないよ
うな低エネルギー強度の第１のＸ線により該レジスト膜
上に全面照射を行う工程と、酸素を含まない雰囲気中に
おいて、前記レジスト膜を底部まで感光させるような高
エネルギー強度の第２のＸ線により、マスクを介し、前
記レジスト膜上にマスクパターンの転写露光を行う工程
とを含むか、若しくは、大気中において、レジスト膜を
底部まで感光させないような低エネルギー強度の第１の
Ｘ線により、マスクを介し、前記レジスト膜上にマスク
パターンの転写露光を行う工程と、酸素を含まない雰囲
気中において、前記レジスト膜を底部まで感光させるよ
うな高エネルギー強度の第２のＸ線により、前記マスク
を介し、前記レジスト膜上にマスクパターンの転写露光
を行う工程とを含む構成を有する。
本発明はＸ線露光方法、特にシンクロトロン放射（ＳＲ
）光等を用いたＸ線露光におけるレジストパターンの形
成方法に関する。
）光等を用いたＸ線露光におけるレジストパターンの形
成方法に関する。
近時、半導体メモリ等の高密度、高集積化に伴い、それ
の製造工程で用いられるレジストパターンにも、サブミ
クロン乃至クォータミクロン幅のパターンが要求される
ようになってきている。
の製造工程で用いられるレジストパターンにも、サブミ
クロン乃至クォータミクロン幅のパターンが要求される
ようになってきている。
そのため、波長が短いことにより回折や干渉が起こらず
高解像度が得られるＸ線を用いた露光技術が注目されて
おり、量産性の高いＸ″ＭＡＭＡリソグラフイ技術、特
にＳＲ光をＸ線源に用いたＸ線リソグラフィ技術の開発
が進められている。
高解像度が得られるＸ線を用いた露光技術が注目されて
おり、量産性の高いＸ″ＭＡＭＡリソグラフイ技術、特
にＳＲ光をＸ線源に用いたＸ線リソグラフィ技術の開発
が進められている。
第３図はＳＲ光を光源として用いたＸ線露光装置の基本
的構成を示す断面図で、図中、５１はステージ、５２は
レジストの塗布された半導体基板、５３はビームダクト
（ビームライン）、５４はマスク、５５はベリリウム（
Ｂｅ）窓（Ｘ線選択取り出し用）、５６は反射ミラー、
５７はＸ線ビーム、５８はヘリウム（Ｈｅ）ガス容器、
５９はＳｉＣ等よりなるＸ線取り出し窓、６０は光学ア
ライメント系を示している。
的構成を示す断面図で、図中、５１はステージ、５２は
レジストの塗布された半導体基板、５３はビームダクト
（ビームライン）、５４はマスク、５５はベリリウム（
Ｂｅ）窓（Ｘ線選択取り出し用）、５６は反射ミラー、
５７はＸ線ビーム、５８はヘリウム（Ｈｅ）ガス容器、
５９はＳｉＣ等よりなるＸ線取り出し窓、６０は光学ア
ライメント系を示している。
このＸ線露光装置においては、図示されない蓄積リング
から放射されたＳＲ光（ｔ、ｓｍ）は、２枚のミラー５
６により交互に反射されて短波長骨がカットされ、直進
してＢｅ窓５５を透過することにより長波製分がカット
される。このＢｅ窓５５を透過したＳＲ光即ちＸ線５７
は、Ｂｅ窓５５の保護とマスク５４に至るまでの減衰を
少なくするために設けられているＨｅの満たされたＨｅ
ガス容器５８中を通過し、Ｘ線取り出し窓５９からマス
ク５４上に照射され、マスク５４のＸ線吸収体６１のな
い部分を透過したＸ線５７のみがステージ５工上に吸着
されている半導体基板５２上に塗布されているレジスト
を感光させる。
から放射されたＳＲ光（ｔ、ｓｍ）は、２枚のミラー５
６により交互に反射されて短波長骨がカットされ、直進
してＢｅ窓５５を透過することにより長波製分がカット
される。このＢｅ窓５５を透過したＳＲ光即ちＸ線５７
は、Ｂｅ窓５５の保護とマスク５４に至るまでの減衰を
少なくするために設けられているＨｅの満たされたＨｅ
ガス容器５８中を通過し、Ｘ線取り出し窓５９からマス
ク５４上に照射され、マスク５４のＸ線吸収体６１のな
い部分を透過したＸ線５７のみがステージ５工上に吸着
されている半導体基板５２上に塗布されているレジスト
を感光させる。
従来のＸ線露光方法においては、上記のような露光装置
を用い、マスク５４及び半導体基板５２を大気中に保持
し、半導体基板５２上に塗布されたレジストを底部まで
完全に感光させるのに十分なエネルギーを有するＸｉ！
５７のみを照射して露光がなされていた。
を用い、マスク５４及び半導体基板５２を大気中に保持
し、半導体基板５２上に塗布されたレジストを底部まで
完全に感光させるのに十分なエネルギーを有するＸｉ！
５７のみを照射して露光がなされていた。
しかし上記のよう従来の露光方法においては、例えばポ
ジ型のレジストにおいて、現像に際して、非露光部の溶
解速度が速いために露光部との溶解速度の差が大きくと
れず、そのため第４図にその問題点を模式的に示すよう
に、現像後非露光部によって形成されるレジストパター
ン６２の厚さｔよが当初の厚さｔｌより大幅に薄くなる
と共に、その縁部が極端に薄くなり角６３の取れた「な
まこ」型の形状になり、このレジストパターン６２をマ
スクにしてエツチングする際に被エツチング物に対して
高いエツチングの選択比がとり難くなって被エツチング
物に形成されるパターンの精度が低下するという問題が
あった。（第４図の６４は半導体基板） そのため、高分子物質からなり露光によって膜減りする
自己現像型難溶層をレジスト上に塗布した後に露光を行
い、この難溶層をレジストの非露光部上に残留せしめる
ことにより、レジスト非露光部の残膜率を高める方法も
試みられているが、この方法には、作業工程の複雑さか
ら欠陥の発生する確率が高まるという問題がある。
ジ型のレジストにおいて、現像に際して、非露光部の溶
解速度が速いために露光部との溶解速度の差が大きくと
れず、そのため第４図にその問題点を模式的に示すよう
に、現像後非露光部によって形成されるレジストパター
ン６２の厚さｔよが当初の厚さｔｌより大幅に薄くなる
と共に、その縁部が極端に薄くなり角６３の取れた「な
まこ」型の形状になり、このレジストパターン６２をマ
スクにしてエツチングする際に被エツチング物に対して
高いエツチングの選択比がとり難くなって被エツチング
物に形成されるパターンの精度が低下するという問題が
あった。（第４図の６４は半導体基板） そのため、高分子物質からなり露光によって膜減りする
自己現像型難溶層をレジスト上に塗布した後に露光を行
い、この難溶層をレジストの非露光部上に残留せしめる
ことにより、レジスト非露光部の残膜率を高める方法も
試みられているが、この方法には、作業工程の複雑さか
ら欠陥の発生する確率が高まるという問題がある。
そこで本発明は、欠陥を生ずるような複雑な作業工程を
増やすことなく、レジストの非露光部の現像に対する難
溶性を高め、これによってレジスト非露光部の残膜率及
びレジストパターンのマスク精度を高めることを目的と
する。
増やすことなく、レジストの非露光部の現像に対する難
溶性を高め、これによってレジスト非露光部の残膜率及
びレジストパターンのマスク精度を高めることを目的と
する。
（課題を解決づ−るための手段〕
上記課題は、人気中においで、レジスＩ・膜を底部まで
感光させないような低エネルギー強度の第１のＸ線によ
り該１．パンスト膜１に全面照射４育Ｉう工程と、酸素
を含にない雰囲気中にＪ９い゛て、前記レジスト膜を底
、部Ａ、で感光さセるよ・）な高ユ”、ネルギー強度の
第２のＸ線１１こより、マスクを介し７、前記Ｌ／シス
ト膜−１−にマスクパターンの転）′露光を９ｊう工程
とを含む本発明によるＸ線露光方法、若しくは、人気中
ＱこＪやいで、レジスト膜を底部まで感光さセないよ・
うな低エネルギー強度の第１のＸ線により、Ｊスフを介
し、前記レジスト膜Ｊにマスクパターンの転’１ノ露光
を行う工程と、酸素を含まない雰囲気中＋、：おいで、
前記レジスト膜を底部１：で感光させるような高エネル
ギー強度の第２のＸ線により、前記マスクを介し、前記
レジスト膜１１番こマスクパターンの転写露光！ｉ’ｉ
う］、程とを含む本発明によるＸ線露光方法によっ′ζ
解決される。
感光させないような低エネルギー強度の第１のＸ線によ
り該１．パンスト膜１に全面照射４育Ｉう工程と、酸素
を含にない雰囲気中にＪ９い゛て、前記レジスト膜を底
、部Ａ、で感光さセるよ・）な高ユ”、ネルギー強度の
第２のＸ線１１こより、マスクを介し７、前記Ｌ／シス
ト膜−１−にマスクパターンの転）′露光を９ｊう工程
とを含む本発明によるＸ線露光方法、若しくは、人気中
ＱこＪやいで、レジスト膜を底部まで感光さセないよ・
うな低エネルギー強度の第１のＸ線により、Ｊスフを介
し、前記レジスト膜Ｊにマスクパターンの転’１ノ露光
を行う工程と、酸素を含まない雰囲気中＋、：おいで、
前記レジスト膜を底部１：で感光させるような高エネル
ギー強度の第２のＸ線により、前記マスクを介し、前記
レジスト膜１１番こマスクパターンの転写露光！ｉ’ｉ
う］、程とを含む本発明によるＸ線露光方法によっ′ζ
解決される。
通常行われる大気中における露光！Ｊ′おい゛（は、第
５図にＬ１立化成のＲＥ−５００叶とい・うノボうψツ
ク糸ポジレジストの例で；］く１ように、レジス１のγ
値（露光エネルギーの変化Ｇご対する残膜のＪ９′７さ
の変化の割合）は変わりないが、Ａのカーブに４く才人
気中露光の場合、Ｂのカー・・プに示１酸累４゛自・ま
ない雰囲気中の露光に比べ゛（、同一・エネルギーのＸ
線照射におりる一定時間現像後の残膜厚さが４へ・５倍
程度に増すという現象がある。Ｓ”れは人気中の露光番
ごおいてＬ／レジスト現像液に対し難溶化していること
を示し°でおり、Ｘ線照射により大気中の酸素が分解し
て発生したオゾンによりレジスト・表面に難溶解層が形
成されるためと考えられている。
５図にＬ１立化成のＲＥ−５００叶とい・うノボうψツ
ク糸ポジレジストの例で；］く１ように、レジス１のγ
値（露光エネルギーの変化Ｇご対する残膜のＪ９′７さ
の変化の割合）は変わりないが、Ａのカーブに４く才人
気中露光の場合、Ｂのカー・・プに示１酸累４゛自・ま
ない雰囲気中の露光に比べ゛（、同一・エネルギーのＸ
線照射におりる一定時間現像後の残膜厚さが４へ・５倍
程度に増すという現象がある。Ｓ”れは人気中の露光番
ごおいてＬ／レジスト現像液に対し難溶化していること
を示し°でおり、Ｘ線照射により大気中の酸素が分解し
て発生したオゾンによりレジスト・表面に難溶解層が形
成されるためと考えられている。
このことから本発明においては、レジスト膜を底部まで
感光させレジストに溶解性を＋ｔ”ｊ″づる１規のエネ
ルギーを有するＸ線によるバター・ン露光を、レジスト
表面に難溶解層が形成されない酸素を含まない雰囲気（
不活性ガス或いは真空）中Ｕおいて行い、更に、大気中
における低エネルギー。
感光させレジストに溶解性を＋ｔ”ｊ″づる１規のエネ
ルギーを有するＸ線によるバター・ン露光を、レジスト
表面に難溶解層が形成されない酸素を含まない雰囲気（
不活性ガス或いは真空）中Ｕおいて行い、更に、大気中
における低エネルギー。
のＸ線照射を」、記パターン露光の曲名し、くは後ζ、
′行・うことにより特にＪ［感光のレジスト表面に効果
的にａｌｌ溶解層を形成せし２める。
′行・うことにより特にＪ［感光のレジスト表面に効果
的にａｌｌ溶解層を形成せし２める。
これによって、非感光部の現像に対する厚さ方向の百１
性は高まって現像後の残膜率が高まり、且つ−Ｉ−７面
部に難溶解層が形成され′ζいるのでパターンの形状、
−＝一方法の変化は防Ｊ、Ｉされる。
性は高まって現像後の残膜率が高まり、且つ−Ｉ−７面
部に難溶解層が形成され′ζいるのでパターンの形状、
−＝一方法の変化は防Ｊ、Ｉされる。
以下本発明を、実施例により回を参照し２其体的に説明
する。
する。
と
第１図（２１）〜（ハ）は本発明の第１の方法に係る一
実施例の工程断面図、 第２図（ａ）−・（ＩＣ）は本発明の第２の方法に係る
他の実施例の工程断面図である。
実施例の工程断面図、 第２図（ａ）−・（ＩＣ）は本発明の第２の方法に係る
他の実施例の工程断面図である。
全図を通じ同一対象物は同一・符合で示す。
第１図（・１）参照
本発明の第１の方法によりエツチングマスクに用いるレ
ジストパターンを形成するに際しては、図示されない半
導体素子や絶縁膜等が形成されてなる半導体基板１十に
、通常のスピンコード法Ｃコより例えば厚さ１〜２μｍ
程度のボジレジス［（例えば、［１立化成製１？Ｅ−５
０００Ｐ）膜２を塗布形成する。
ジストパターンを形成するに際しては、図示されない半
導体素子や絶縁膜等が形成されてなる半導体基板１十に
、通常のスピンコード法Ｃコより例えば厚さ１〜２μｍ
程度のボジレジス［（例えば、［１立化成製１？Ｅ−５
０００Ｐ）膜２を塗布形成する。
第１図０））参照
次いで、この半導体基板１を前記露光装置（第３図参照
）のステー・ジ上７に載置し、大気中３において、マス
クを介さずに、レジスト膜２の表面を、レジスト膜２が
底部まで感光する所定のエネルギー・強度の２０〜・３
０％程度の低エネルギー強度を有する第１のＸ線（Ｘ−
ｒａｙ＋）Ｌごよって全面照射する。
）のステー・ジ上７に載置し、大気中３において、マス
クを介さずに、レジスト膜２の表面を、レジスト膜２が
底部まで感光する所定のエネルギー・強度の２０〜・３
０％程度の低エネルギー強度を有する第１のＸ線（Ｘ−
ｒａｙ＋）Ｌごよって全面照射する。
この第１Ｑ）Ｘ線による全面照射によりレジスト膜２の
表向部Ｖは数１００〜１０００人程度の厚さの難溶解層
４が形成される。
表向部Ｖは数１００〜１０００人程度の厚さの難溶解層
４が形成される。
第１図（Ｃ）参照
次いで、上記基板１の、Ｊ、４部の所定の位置に所定の
間隔を隔て７”、メンブレン５部にｘ、１吸収体による
吸収体パターン６八、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄ等を有するＸ線
マスク７（第３図５４に対応）を配置し、半導体基板１
の周囲を酸素を含まない雰囲気例えば１００％のヘリウ
ム（Ｈｅ）雰囲気８にした後、レジスト膜２を底部まで
完全に感光させる所定のエネルギー強度を有する第２の
Ｘ線（Ｘ−ｒａｙｚ）を上記Ｘ線マスク７を介してレジ
スト膜２上に照射し、Ｘ線マスク７の吸収体パターン６
Ａ、 ６Ｂ、 ６Ｃ，６０等のない透光領域９の像をレ
ジスト２膜上に転写する。ここで、上記透光領域９の下
部は感光領域１０となり、吸収体パターン６Ａ、 ６Ｂ
、 ６Ｃ１６［１等の下部は非感光領域１１となる。
間隔を隔て７”、メンブレン５部にｘ、１吸収体による
吸収体パターン６八、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄ等を有するＸ線
マスク７（第３図５４に対応）を配置し、半導体基板１
の周囲を酸素を含まない雰囲気例えば１００％のヘリウ
ム（Ｈｅ）雰囲気８にした後、レジスト膜２を底部まで
完全に感光させる所定のエネルギー強度を有する第２の
Ｘ線（Ｘ−ｒａｙｚ）を上記Ｘ線マスク７を介してレジ
スト膜２上に照射し、Ｘ線マスク７の吸収体パターン６
Ａ、 ６Ｂ、 ６Ｃ，６０等のない透光領域９の像をレ
ジスト２膜上に転写する。ここで、上記透光領域９の下
部は感光領域１０となり、吸収体パターン６Ａ、 ６Ｂ
、 ６Ｃ１６［１等の下部は非感光領域１１となる。
第１図（ｄ）参照
次いで上記レジスト膜２をアルカリ系或いは有機系から
なる所定の現像液で所定の条件を用いて現像を行い、感
光領域１０のレジスト膜を除去して半導体基板上に、レ
ジスト膜２の非感光領域１１からなり上面部に難溶解層
３を有し、マスク７の吸収体パターンに対応する寸法形
状のレジストパターン １２Ａ 、 １２Ｂ 、 １２
Ｃ，１２Ｄ等を形成する。
なる所定の現像液で所定の条件を用いて現像を行い、感
光領域１０のレジスト膜を除去して半導体基板上に、レ
ジスト膜２の非感光領域１１からなり上面部に難溶解層
３を有し、マスク７の吸収体パターンに対応する寸法形
状のレジストパターン １２Ａ 、 １２Ｂ 、 １２
Ｃ，１２Ｄ等を形成する。
上記のように本発明の方法では、この現像においてパタ
ーニングされて行く段階で現像液に対して難溶度の余り
大きくないレジスト膜２の非感光領域１１の上面部が難
溶性の強い難溶解層３で覆われた状態になるので、非感
光領域１１の膜厚の減少が殆どなくなると同時に、この
非感光領域１１により構成されるレジストパターン１２
Ａ 、 １２Ｂ 、１２Ｃ２１２Ｄ等の寸法形状の変動
も殆ど皆無になる。
ーニングされて行く段階で現像液に対して難溶度の余り
大きくないレジスト膜２の非感光領域１１の上面部が難
溶性の強い難溶解層３で覆われた状態になるので、非感
光領域１１の膜厚の減少が殆どなくなると同時に、この
非感光領域１１により構成されるレジストパターン１２
Ａ 、 １２Ｂ 、１２Ｃ２１２Ｄ等の寸法形状の変動
も殆ど皆無になる。
なお、上記実施例に示した本発明の第１の方法において
、第１のＸ線による全面照射と、第２のＸ線によるパタ
ーン露光とは、何れが先に行われてもよい。
、第１のＸ線による全面照射と、第２のＸ線によるパタ
ーン露光とは、何れが先に行われてもよい。
次ぎに本発明に係る第２の方法を実施例により説明する
。
。
第２図（ａ）参照
前記実施例同様にレジスト膜２を塗布した半導体基板ｌ
を前記露光装置のステージ（第３図５１参照）上に固定
し、先ずＸ＆９？マスク７を介し、大気中３においてレ
ジスト膜２上に、レジスト膜２を底部まで感光させる所
定エネルギー強度の２０〜３０％程度の低エネルギー強
度を有する第１のＸ線（Ｘ−ｒａｙ、）を照射する。こ
のＸ線照射においてはＸ線のエネルギー強度が弱いため
にレジスト膜２底部までの吸収体パターン６Ａ、６Ｂ、
６Ｃ１６Ｄ等の転写は行われず、レジストの全面上に散
乱する弱いＸ線によりレジスト膜２の全域の表層部に第
１の実施例同様の難溶解層４が形成される。
を前記露光装置のステージ（第３図５１参照）上に固定
し、先ずＸ＆９？マスク７を介し、大気中３においてレ
ジスト膜２上に、レジスト膜２を底部まで感光させる所
定エネルギー強度の２０〜３０％程度の低エネルギー強
度を有する第１のＸ線（Ｘ−ｒａｙ、）を照射する。こ
のＸ線照射においてはＸ線のエネルギー強度が弱いため
にレジスト膜２底部までの吸収体パターン６Ａ、６Ｂ、
６Ｃ１６Ｄ等の転写は行われず、レジストの全面上に散
乱する弱いＸ線によりレジスト膜２の全域の表層部に第
１の実施例同様の難溶解層４が形成される。
第２図（ｂ）参照
次いで半導体基板１の周囲を酸素を含まない雰囲気例え
ば１００％Ｈｅ雰囲気８となし、レジスト２を底部まで
感光せしめるのに十分な所定の高エネルギー強度を有す
る前記実施例と同様の第２のＸ線（Ｘ−ｒａｙｚ）を、
前記Ｘ線マスク７を介しレジスト膜２面に照射してマス
ク７の吸収体パターン６Ａ、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄの像をレ
ジスト２に転写し、感光領域１０と非感光領域１１を形
成する。
ば１００％Ｈｅ雰囲気８となし、レジスト２を底部まで
感光せしめるのに十分な所定の高エネルギー強度を有す
る前記実施例と同様の第２のＸ線（Ｘ−ｒａｙｚ）を、
前記Ｘ線マスク７を介しレジスト膜２面に照射してマス
ク７の吸収体パターン６Ａ、６Ｂ、６Ｃ，６Ｄの像をレ
ジスト２に転写し、感光領域１０と非感光領域１１を形
成する。
第１ｃｄ）参照
次いで前記実施例同様の現像を行い、非感光領域１１か
らなるレジストパターン１２Ａ 、１２Ｂ 、 １２Ｃ
１１２Ｄ等を形成する。この際非感光領域１１の難溶解
層４が前記実施例で説明した効果を示すのでレジストパ
ターン１２Ａ 、１２Ｂ 、 １２Ｃ，１２０等の厚さ
の目減りや寸法形状の変動は殆ど発生しない。
らなるレジストパターン１２Ａ 、１２Ｂ 、 １２Ｃ
１１２Ｄ等を形成する。この際非感光領域１１の難溶解
層４が前記実施例で説明した効果を示すのでレジストパ
ターン１２Ａ 、１２Ｂ 、 １２Ｃ，１２０等の厚さ
の目減りや寸法形状の変動は殆ど発生しない。
なお、この実施例に示す本発明の第２の方法においても
、大気中における第１のＸ線による露光と、酸素を含ま
ない雰囲気中における第２のＸ線による露光とは、何れ
が先に行われても差し支えない。
、大気中における第１のＸ線による露光と、酸素を含ま
ない雰囲気中における第２のＸ線による露光とは、何れ
が先に行われても差し支えない。
以上説明のように本発明によれば、Ｘ線露光を用いてレ
ジストパターンを形成する際に、レジストパターンの厚
さの目減り及び寸法形状の変動を殆ど皆無に抑えること
ができる。
ジストパターンを形成する際に、レジストパターンの厚
さの目減り及び寸法形状の変動を殆ど皆無に抑えること
ができる。
従って、上記レジストパターンを用いたレジストマスク
のエツチングの選択性が高まり、各種パターンのエツチ
ング精度が向上するので、本発明は微細パターンを形成
して高密度・高集積化される半導体装置の製造に及ぼす
効果が大きい。
のエツチングの選択性が高まり、各種パターンのエツチ
ング精度が向上するので、本発明は微細パターンを形成
して高密度・高集積化される半導体装置の製造に及ぼす
効果が大きい。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の方法に係る−実
施例の工程断面図、 第２図（ａ）〜ＣＯ＞は本発明の第２の方法に係る他の
実施例の工程断面図、 第３図はＸ線露光装置の基本構成図、 第４図は従来の問題点を示す模式図 第５図はポジレジストの露光エネルギーと残膜厚さの関
係図 である。 １１は非感光領域、 １２Ａ 、 １．２Ｂ 、 １２ｃ 、１２０はレジス
トパターン図において、 ３は大気、 ４は難溶解層、 ５はメンブレン部、 ６Ａ、６Ｂ、６Ｃ１６Ｄは吸収体パターン、７はＸ線マ
スク、 ８はＨｅ雰囲気、 ９は透光領域、 １０は感光領域、 ＋ １１１ ＋ １１ ｉ’−’“７ （、Ｉ） 木イご０肪３町２のしΣ湧ｊニイ升ろセめ宣絶脅゛稙工
扛シＭｉｎ否り第 ２ 図 本発明の：Ａ１の方法（二＠ろ一実施伜一二程断面図第
ＩＩ！ｌ Ｘ線盲、丸板’ｆｊ、、＋７）基本」１八国第 刀 イ友釆め問題光、Σ示４項式図 第 ４ 図 ／ｌ、′ジじλト（ＲＥ−５０００Ｐ戸１１尤工オルぞ
−と残原厚さのマ赤第 図
施例の工程断面図、 第２図（ａ）〜ＣＯ＞は本発明の第２の方法に係る他の
実施例の工程断面図、 第３図はＸ線露光装置の基本構成図、 第４図は従来の問題点を示す模式図 第５図はポジレジストの露光エネルギーと残膜厚さの関
係図 である。 １１は非感光領域、 １２Ａ 、 １．２Ｂ 、 １２ｃ 、１２０はレジス
トパターン図において、 ３は大気、 ４は難溶解層、 ５はメンブレン部、 ６Ａ、６Ｂ、６Ｃ１６Ｄは吸収体パターン、７はＸ線マ
スク、 ８はＨｅ雰囲気、 ９は透光領域、 １０は感光領域、 ＋ １１１ ＋ １１ ｉ’−’“７ （、Ｉ） 木イご０肪３町２のしΣ湧ｊニイ升ろセめ宣絶脅゛稙工
扛シＭｉｎ否り第 ２ 図 本発明の：Ａ１の方法（二＠ろ一実施伜一二程断面図第
ＩＩ！ｌ Ｘ線盲、丸板’ｆｊ、、＋７）基本」１八国第 刀 イ友釆め問題光、Σ示４項式図 第 ４ 図 ／ｌ、′ジじλト（ＲＥ−５０００Ｐ戸１１尤工オルぞ
−と残原厚さのマ赤第 図
Claims (2)
- （１）大気中において、レジスト膜を底部まで感光させ
ないような低エネルギー強度の第１のＸ線により該レジ
スト膜上に照射を行う工程と、 酸素を含まない雰囲気中において、前記レジスト膜を底
部まで感光させるような高エネルギー強度の第２のＸ線
により、マスクを介し、前記レジスト膜上にマスクパタ
ーンの転写露光を行う工程とを含むことを特徴とするＸ
線露光方法。 - （２）大気中において、レジスト膜を底部まで感光させ
ないような低エネルギー強度の第１のＸ線により、マス
クを介し、前記レジスト膜上にマスクパターンの転写露
光を行う工程と、 酸素を含まない雰囲気中において、前記レジスト膜を底
部まで感光させるような高エネルギー強度の第２のＸ線
により、前記マスクを介し、前記レジスト膜上にマスク
パターンの転写露光を行う工程とを含むことを特徴とす
るＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182207A JPH0469918A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182207A JPH0469918A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469918A true JPH0469918A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16114229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2182207A Pending JPH0469918A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0469918A (ja) |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP2182207A patent/JPH0469918A/ja active Pending
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