JPH0469438B2 - - Google Patents
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- JPH0469438B2 JPH0469438B2 JP58170488A JP17048883A JPH0469438B2 JP H0469438 B2 JPH0469438 B2 JP H0469438B2 JP 58170488 A JP58170488 A JP 58170488A JP 17048883 A JP17048883 A JP 17048883A JP H0469438 B2 JPH0469438 B2 JP H0469438B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体薄膜太陽電池および該電池
に接合された集熱体からなるハイブリツド型の太
陽エネルギー変換装置に関し、エネルギー変換効
率の向上を図ることを目的とする。
に接合された集熱体からなるハイブリツド型の太
陽エネルギー変換装置に関し、エネルギー変換効
率の向上を図ることを目的とする。
一般に、半導体薄膜太陽電池および該電池に接
合された集熱体からなるハイブリツド型太陽エネ
ルギー変換装置は、たとえば第１図に示すように
構成されている。同図において、１は透光性基板
であるガラス基板、２はガラス基板１の下面に酸
化錫（SnO2）、酸化インジウム（In2O3）などが
蒸着されて形成された透明電極、３は透明電極２
の下面にグロー放電による薄膜作成工程により形
成された半導体薄膜であるアモルフアスシリコン
膜（以下ａ−Si膜という）、４はａ−Si膜３の下
面に蒸着により形成されたアルミニウム電極（以
下Al電極という）であり、透明電極２、ａ−Si
膜３およびAl電極４により半導体薄膜太陽電池
５が構成されている。
合された集熱体からなるハイブリツド型太陽エネ
ルギー変換装置は、たとえば第１図に示すように
構成されている。同図において、１は透光性基板
であるガラス基板、２はガラス基板１の下面に酸
化錫（SnO2）、酸化インジウム（In2O3）などが
蒸着されて形成された透明電極、３は透明電極２
の下面にグロー放電による薄膜作成工程により形
成された半導体薄膜であるアモルフアスシリコン
膜（以下ａ−Si膜という）、４はａ−Si膜３の下
面に蒸着により形成されたアルミニウム電極（以
下Al電極という）であり、透明電極２、ａ−Si
膜３およびAl電極４により半導体薄膜太陽電池
５が構成されている。
６は絶縁接着層７によりAl電極４の下面に接
着された銅、鉄等の良熱伝導性の金属からなる集
熱板、８は集熱板７に接着された熱媒管またはヒ
ートパイプからなる集熱管であり、集熱板６およ
び集熱管８により集熱体９が構成されるととも
に、集熱体９が電池５に接合されてエネルギー変
換部１０が構成され、変換部１０が透光板１１か
らなる容器内に収納されて太陽エネルギー変換装
置１２が構成されている。
着された銅、鉄等の良熱伝導性の金属からなる集
熱板、８は集熱板７に接着された熱媒管またはヒ
ートパイプからなる集熱管であり、集熱板６およ
び集熱管８により集熱体９が構成されるととも
に、集熱体９が電池５に接合されてエネルギー変
換部１０が構成され、変換部１０が透光板１１か
らなる容器内に収納されて太陽エネルギー変換装
置１２が構成されている。
そして、装置１２全体の集熱効率ηは、透光板
１１の透過率をτg、変換部１０の吸収率をα、
装置１２の熱放射係数をＫ、集熱温度をＴ、外気
温度をTa、日射量をＩとすると、一般的に、 η＝τg・α−Ｋ・（Ｔ−Ta）／Ｉ の式で表わされる。
１１の透過率をτg、変換部１０の吸収率をα、
装置１２の熱放射係数をＫ、集熱温度をＴ、外気
温度をTa、日射量をＩとすると、一般的に、 η＝τg・α−Ｋ・（Ｔ−Ta）／Ｉ の式で表わされる。
このとき、高橋 清ほか著作の「太陽光発電」
等の文献によると、アモルフアスシリコンにおけ
る光の波長と単位長さ当りの光吸収率、すなわち
吸収係数との関係が、第２図に示すように、アモ
ルフアスシリコンが0.85μｍ以下の波長の光を吸
収し、0.85μｍより長波長の光を透過するため、
装置１２においてａ−Si膜３が約0.8μｍよりも長
波長の光を吸収せずに透過してしまうことにな
る。
等の文献によると、アモルフアスシリコンにおけ
る光の波長と単位長さ当りの光吸収率、すなわち
吸収係数との関係が、第２図に示すように、アモ
ルフアスシリコンが0.85μｍ以下の波長の光を吸
収し、0.85μｍより長波長の光を透過するため、
装置１２においてａ−Si膜３が約0.8μｍよりも長
波長の光を吸収せずに透過してしまうことにな
る。
いま、これを詳細に説明すると、透光板１１に
日射量Ｉの光が投射されると、透光板１１を介し
て変換部１０にτg・Ｉの光が入射し、変換部１
０によりτg・α・Ｉの光が吸収され、ガラス基
板１の光吸収率をαgとしたときに、変換部１０
により吸収された光のうちτg・αg・Ｉの光がガ
ラス基板１により吸収され、ガラス基板１の透過
率が透光板１１の透過率τgに等しいとすれば、
τg2・Ｉの光がガラス基板１を透過して透明電極
２に達することになる。
日射量Ｉの光が投射されると、透光板１１を介し
て変換部１０にτg・Ｉの光が入射し、変換部１
０によりτg・α・Ｉの光が吸収され、ガラス基
板１の光吸収率をαgとしたときに、変換部１０
により吸収された光のうちτg・αg・Ｉの光がガ
ラス基板１により吸収され、ガラス基板１の透過
率が透光板１１の透過率τgに等しいとすれば、
τg2・Ｉの光がガラス基板１を透過して透明電極
２に達することになる。
そして、簡単のため、透明電極２の透過率100
％とすると、τg2・Ｉの光がａ−Si膜３に到達し、
ａ−Si膜３の吸収率をαaとすれば、τg2・αa・Ｉ
の光がａ−Si膜３に吸収され、τg2・（１−αa）・
Ｉの光がａ−Si膜３を透過してAl電極４に達す
る。しかし、Al電極４の反射率が約90％と高く、
τg2・（１−αa）・Ｉの光はほとんど反射する。い
ま、簡単のため、τg2・（１−αa）・Ｉの光がすべ
てAl電極４により反射されるとしても、Al電極
４により反射される光の量が少ないため、Al電
極４により反射される光を零と仮定することがで
き、変換部１０により吸収される光τg・α・Ｉ
は τg・α・Ｉ＝（τg・αg＋τg2・αa）・Ｉ と表わされ、右辺第１項のτg・αg・Ｉの光のエ
ネルギーがガラス基板１により吸収されて熱エネ
ルギーに変換され、右辺第２項のτg2・αa・Ｉの
光のエネルギーの一部がａ−Si膜３により電気エ
ネルギーに変換されると同時に残りが熱エネルギ
ーに変換される。
％とすると、τg2・Ｉの光がａ−Si膜３に到達し、
ａ−Si膜３の吸収率をαaとすれば、τg2・αa・Ｉ
の光がａ−Si膜３に吸収され、τg2・（１−αa）・
Ｉの光がａ−Si膜３を透過してAl電極４に達す
る。しかし、Al電極４の反射率が約90％と高く、
τg2・（１−αa）・Ｉの光はほとんど反射する。い
ま、簡単のため、τg2・（１−αa）・Ｉの光がすべ
てAl電極４により反射されるとしても、Al電極
４により反射される光の量が少ないため、Al電
極４により反射される光を零と仮定することがで
き、変換部１０により吸収される光τg・α・Ｉ
は τg・α・Ｉ＝（τg・αg＋τg2・αa）・Ｉ と表わされ、右辺第１項のτg・αg・Ｉの光のエ
ネルギーがガラス基板１により吸収されて熱エネ
ルギーに変換され、右辺第２項のτg2・αa・Ｉの
光のエネルギーの一部がａ−Si膜３により電気エ
ネルギーに変換されると同時に残りが熱エネルギ
ーに変換される。
ところで、通常太陽光の放射強度は波長約0.3μ
ｍから急増して波長約0.5μｍ付近でピークを有
し、波長の増加に伴つて前記放射強度が次第に減
少するため、このような太陽光が透光板１１を介
してガラス基板１に投射すると、第３図中の実線
に示すように、太陽光の全波長領域にわたつて、
投射された光の平均約85％がガラス基板１を透過
するとともに、同図中の１点鎖線に示すように、
太陽光の全波長領域にわたつて、投射された光の
平均約７％がガラス基板１により反射され、太陽
光の全波長領域にわたつて、投射された光の約８
％がガラス基板１により吸収されることになる。
ｍから急増して波長約0.5μｍ付近でピークを有
し、波長の増加に伴つて前記放射強度が次第に減
少するため、このような太陽光が透光板１１を介
してガラス基板１に投射すると、第３図中の実線
に示すように、太陽光の全波長領域にわたつて、
投射された光の平均約85％がガラス基板１を透過
するとともに、同図中の１点鎖線に示すように、
太陽光の全波長領域にわたつて、投射された光の
平均約７％がガラス基板１により反射され、太陽
光の全波長領域にわたつて、投射された光の約８
％がガラス基板１により吸収されることになる。
しかし、ガラス基板１を透過した光は透明電極
２を介してａ−Si膜３に達して熱エネルギーおよ
び電気エネルギーに変換されるが、前記したよう
に、ａ−Si膜３が約0.8μｍ以下の波長の光しか吸
収しないため、約0.8μｍよりも長波長の光は吸収
されずにａ−si膜３を透過し、約0.8μｍよりも長
波長の光はAl電極４で反射されて外部に放出さ
れ、0.8μｍよりも長波長の光を有効に利用するこ
とができず、エネルギー変換効率の低下を招くと
いう欠点がある。
２を介してａ−Si膜３に達して熱エネルギーおよ
び電気エネルギーに変換されるが、前記したよう
に、ａ−Si膜３が約0.8μｍ以下の波長の光しか吸
収しないため、約0.8μｍよりも長波長の光は吸収
されずにａ−si膜３を透過し、約0.8μｍよりも長
波長の光はAl電極４で反射されて外部に放出さ
れ、0.8μｍよりも長波長の光を有効に利用するこ
とができず、エネルギー変換効率の低下を招くと
いう欠点がある。
この発明は、前記の点に留意してなされたもの
であり、透光性基板下面に形成された半導体薄膜
太陽電池と、該太陽電池に接合された集熱体とに
より構成される太陽エネルギー変換装置におい
て、前記太陽電池の半導体薄膜が吸収する波長領
域の光を透過し、かつ前記半導体薄膜が透過する
波長領域の光を吸収して熱に変換する熱吸収層を
前記基板上面に形成したことを特徴とする太陽エ
ネルギー変換装置を提供するものである。
であり、透光性基板下面に形成された半導体薄膜
太陽電池と、該太陽電池に接合された集熱体とに
より構成される太陽エネルギー変換装置におい
て、前記太陽電池の半導体薄膜が吸収する波長領
域の光を透過し、かつ前記半導体薄膜が透過する
波長領域の光を吸収して熱に変換する熱吸収層を
前記基板上面に形成したことを特徴とする太陽エ
ネルギー変換装置を提供するものである。
したがつて、この発明の太陽エネルギー変換装
置によると、太陽電池の半導体薄膜が吸収する波
長領域の光を透過し、かつ前記半導体薄膜が透過
する波長領域の光を吸収して熱に変換する熱吸収
層を前記基板上面に形成したことにより、前記半
導体薄膜が吸収し得ない波長領域の光を前記熱吸
収層により吸収して熱に変換することができ、太
陽光の全波長領域にわたる光のエネルギーを熱お
よび電気エネルギーに有効に変換することがで
き、エネルギー変換効率の向上を図ることができ
る。
置によると、太陽電池の半導体薄膜が吸収する波
長領域の光を透過し、かつ前記半導体薄膜が透過
する波長領域の光を吸収して熱に変換する熱吸収
層を前記基板上面に形成したことにより、前記半
導体薄膜が吸収し得ない波長領域の光を前記熱吸
収層により吸収して熱に変換することができ、太
陽光の全波長領域にわたる光のエネルギーを熱お
よび電気エネルギーに有効に変換することがで
き、エネルギー変換効率の向上を図ることができ
る。
つぎに、この発明を、その実施例を示した第４
図以下の図面とともに詳細に説明する。
図以下の図面とともに詳細に説明する。
まず、１実施例を示した第４図について説明す
る。
る。
同図において、第１図と同一記号は同一のもの
を示し、第１図と異なる点は、ａ−Si膜３が吸収
する約0.8μｍ以下の波長領域の光を透過し、かつ
ａ−Si膜３が透過する約0.8μｍよりも長波長領域
の光を吸収して熱に変換する熱吸収層１３をガラ
ス基板１の上面に形成し、ガラス基板１、電池
５、集熱体９および熱吸収層１３によりエネルギ
ー変換部１４を構成した点である。
を示し、第１図と異なる点は、ａ−Si膜３が吸収
する約0.8μｍ以下の波長領域の光を透過し、かつ
ａ−Si膜３が透過する約0.8μｍよりも長波長領域
の光を吸収して熱に変換する熱吸収層１３をガラ
ス基板１の上面に形成し、ガラス基板１、電池
５、集熱体９および熱吸収層１３によりエネルギ
ー変換部１４を構成した点である。
その熱吸収層１３としては、例えば、１，1′−
Diethyl−４，4′−quinotricarbocyanine
iodide；NK124、（Nippon Kankoh Shikiso
Kenkyusho，Okayama，Japan）が該当する。
Diethyl−４，4′−quinotricarbocyanine
iodide；NK124、（Nippon Kankoh Shikiso
Kenkyusho，Okayama，Japan）が該当する。
このとき、熱吸収層１３は、熱吸収樹脂フイル
ムを透明接着剤によりガラス基板１の上面に貼着
して形成しても、熱吸収樹脂をガラス基板１の上
面にコーテイングして形成しても、熱吸収ガラス
を透明接着剤によりガラス基板１の上面に形成し
ても、あるいは熱吸収物質を蒸着等によりガラス
基板１の上面に付着させて形成しても、いずれで
あつてもよい。
ムを透明接着剤によりガラス基板１の上面に貼着
して形成しても、熱吸収樹脂をガラス基板１の上
面にコーテイングして形成しても、熱吸収ガラス
を透明接着剤によりガラス基板１の上面に形成し
ても、あるいは熱吸収物質を蒸着等によりガラス
基板１の上面に付着させて形成しても、いずれで
あつてもよい。
斯る構成において、太陽光の熱及び電気エネル
ギーへの変換について説明する。光がガラス基板
１側から入射すると、波長が約0.8μｍ以下の波長
の光は太陽電池５に吸収されて電気エネルギーに
変換され、また約0.8μｍより長波長の光は熱吸収
層１３によつて吸収され、これによつて熱吸収層
１３の有する熱エネルギーは増加し、その熱エネ
ルギーは太陽電池５を介して集熱体９に熱伝導さ
れる。
ギーへの変換について説明する。光がガラス基板
１側から入射すると、波長が約0.8μｍ以下の波長
の光は太陽電池５に吸収されて電気エネルギーに
変換され、また約0.8μｍより長波長の光は熱吸収
層１３によつて吸収され、これによつて熱吸収層
１３の有する熱エネルギーは増加し、その熱エネ
ルギーは太陽電池５を介して集熱体９に熱伝導さ
れる。
このとき、通常、太陽電池５単独での温度は約
70℃ぐらいまで上昇し、その太陽電池５の基板上
面に熱吸収層１３を配することによつて、その熱
吸収層１３の温度は、蓄熱によつて太陽電池５の
温度より僅かに上昇する。
70℃ぐらいまで上昇し、その太陽電池５の基板上
面に熱吸収層１３を配することによつて、その熱
吸収層１３の温度は、蓄熱によつて太陽電池５の
温度より僅かに上昇する。
然し乍ら、太陽電池５及び熱吸収層１３の温度
より低い温度の集熱体９を、その太陽電池５の下
面に配することによつて、熱吸収層１３、太陽電
池５と集熱体９との間には急激な温度勾配が生
じ、熱吸収層１３及び太陽電池５が有する熱エネ
ルギーの一部は集熱体９側に移動し始め、ある時
間経過すると、熱吸収層１３、太陽電池５及び集
熱体９の温度は約70℃以下のある一定温度で平衡
状態となる。
より低い温度の集熱体９を、その太陽電池５の下
面に配することによつて、熱吸収層１３、太陽電
池５と集熱体９との間には急激な温度勾配が生
じ、熱吸収層１３及び太陽電池５が有する熱エネ
ルギーの一部は集熱体９側に移動し始め、ある時
間経過すると、熱吸収層１３、太陽電池５及び集
熱体９の温度は約70℃以下のある一定温度で平衡
状態となる。
このように、太陽電池５の基板上面に熱吸収層
１３を配しても、その太陽電池５の下面にその太
陽電池５の温度より低い温度の集熱体９を配する
ことによつて、太陽電池５及び熱吸収層１３が有
する熱エネルギーの一部は集熱体９側に移動する
ので、太陽電池５単独の場合と太陽電池５の基板
上面に熱吸収層１３を、またその下面に集熱体９
を配した場合とを比べても、太陽電池５自体の温
度上昇は全くなく、且つ集熱体９によつて熱エネ
ルギーを集熱することができるので、総合的なエ
ネルギー変換効率は上昇する。
１３を配しても、その太陽電池５の下面にその太
陽電池５の温度より低い温度の集熱体９を配する
ことによつて、太陽電池５及び熱吸収層１３が有
する熱エネルギーの一部は集熱体９側に移動する
ので、太陽電池５単独の場合と太陽電池５の基板
上面に熱吸収層１３を、またその下面に集熱体９
を配した場合とを比べても、太陽電池５自体の温
度上昇は全くなく、且つ集熱体９によつて熱エネ
ルギーを集熱することができるので、総合的なエ
ネルギー変換効率は上昇する。
つぎに、他の実施例を示した第５図について説
明する。
明する。
同図において、第４図と同一記号は同一のもの
を示し、第４図と異なる点は、熱吸収層１３の上
面に二酸化珪素などが蒸着等により熱吸収層１３
の上面による光の反射を防止する防止層１５を形
成し、ガラス基板１、電池５、集熱体９、熱吸収
層１３および防止層１５によりエネルギー変換部
１６を構成した点である。
を示し、第４図と異なる点は、熱吸収層１３の上
面に二酸化珪素などが蒸着等により熱吸収層１３
の上面による光の反射を防止する防止層１５を形
成し、ガラス基板１、電池５、集熱体９、熱吸収
層１３および防止層１５によりエネルギー変換部
１６を構成した点である。
したがつて、前記実施例によると、防止層１５
により熱吸収層１３の上面による光の反射を防止
することができ、熱吸収層１３の反射による光エ
ネルギーの損失を低減してエネルギー変換効率を
いつそう向上することができる。
により熱吸収層１３の上面による光の反射を防止
することができ、熱吸収層１３の反射による光エ
ネルギーの損失を低減してエネルギー変換効率を
いつそう向上することができる。
なお、ガラス基板１および電池５に代え、ガラ
ス以外の透光性基板上にａ−Si膜３以外の半導体
薄膜からなる半導体薄膜太陽電池を形成してもよ
いことは勿論である。
ス以外の透光性基板上にａ−Si膜３以外の半導体
薄膜からなる半導体薄膜太陽電池を形成してもよ
いことは勿論である。
以上説明したように、本発明の太陽エネルギー
変換装置は、太陽電池の半導体薄膜が吸収する波
長領域の光を透過し、かつ前記半導体薄膜が透過
する波長領域の光を吸収して熱に変換する熱吸収
層を基板上面に形成しているため、前記半導体薄
膜が吸収し得ない波長領域の光を前記熱吸収層に
より吸収して熱に変換することができ、太陽光の
全波長領域にわたる光のエネルギーを熱および電
気エネルギーに有効に変換することができ、エネ
ルギー変換効率の向上を図ることができるという
作用効果を奏するものである。
変換装置は、太陽電池の半導体薄膜が吸収する波
長領域の光を透過し、かつ前記半導体薄膜が透過
する波長領域の光を吸収して熱に変換する熱吸収
層を基板上面に形成しているため、前記半導体薄
膜が吸収し得ない波長領域の光を前記熱吸収層に
より吸収して熱に変換することができ、太陽光の
全波長領域にわたる光のエネルギーを熱および電
気エネルギーに有効に変換することができ、エネ
ルギー変換効率の向上を図ることができるという
作用効果を奏するものである。
第１図は従来の太陽エネルギー変換装置の断面
図、第２図はアモルフアスシリコンにおける波長
と吸収係数との関係図、第３図はガラス基板の波
長と透過率、反射率との関係図、第４図および第
５図はそれぞれこの発明の太陽エネルギー変換装
置の実施例の断面図である。 １……ガラス基板、５……半導体薄膜太陽電
池、９……集熱体、１２……太陽エネルギー変換
装置、１３……熱吸収層。
図、第２図はアモルフアスシリコンにおける波長
と吸収係数との関係図、第３図はガラス基板の波
長と透過率、反射率との関係図、第４図および第
５図はそれぞれこの発明の太陽エネルギー変換装
置の実施例の断面図である。 １……ガラス基板、５……半導体薄膜太陽電
池、９……集熱体、１２……太陽エネルギー変換
装置、１３……熱吸収層。
Claims (1)
- １ 透光性基板下面に形成された半導体薄膜太陽
電池と、該太陽電池に接合された集熱体とにより
構成される太陽エネルギー変換装置において、前
記太陽電池の半導体薄膜が吸収する波長領域の光
を透過し、かつ前記半導体薄膜が透過する波長領
域の光を吸収して熱に変換する熱吸収層を前記基
板上面に形成したことを特徴とする太陽エネルギ
ー変換装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58170488A JPS6060777A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 太陽エネルギ−変換装置 |
| US06/647,989 US4587376A (en) | 1983-09-13 | 1984-09-06 | Sunlight-into-energy conversion apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58170488A JPS6060777A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 太陽エネルギ−変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060777A JPS6060777A (ja) | 1985-04-08 |
| JPH0469438B2 true JPH0469438B2 (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=15905882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58170488A Granted JPS6060777A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 太陽エネルギ−変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060777A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61219724A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Kogyo Kaihatsu Kenkyusho | 改質シリカガラス成形物の製造方法 |
| JPH07280359A (ja) * | 1994-04-14 | 1995-10-27 | O M Kenkyusho:Kk | ソーラーシステムハウスの太陽熱集熱部 |
| US20040045596A1 (en) * | 2001-05-29 | 2004-03-11 | Paul Lawheed | Flat plate panel solar electrical generators and methods |
| GB2471844A (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-19 | Nissim Leon Jacob | Composite solar collector |
| CN103398480A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-11-20 | 盛源科技(苏州)有限公司 | 一种太阳能吸热板 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148659U (ja) * | 1981-03-12 | 1982-09-18 |
-
1983
- 1983-09-13 JP JP58170488A patent/JPS6060777A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6060777A (ja) | 1985-04-08 |
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