JPS5832476A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS5832476A JPS5832476A JP56130960A JP13096081A JPS5832476A JP S5832476 A JPS5832476 A JP S5832476A JP 56130960 A JP56130960 A JP 56130960A JP 13096081 A JP13096081 A JP 13096081A JP S5832476 A JPS5832476 A JP S5832476A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/055—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は元エネルギーを電気墨ネ#4!―に変換rrる
光起電力装置に関する。
光起電力装置に関する。
石油などのエネルギー資源の枯渇が間−となる中で、非
枯渇、クリーンエネルギー源である太陽光から直接電気
を得る光起電力装置、所謂太陽電池の開発が盛ん(行な
われている。太陽光は旭光に於いて晴天時に約1xw/
m’エネルギーを与えてはいるものの、上記光エネルギ
ーを電気エネルギーに変換する変換効率が現在報告され
ている最高水準の単結晶シリコンから成るものであって
も1.0数パーセントしかなく、従って電力用として用
いる際には大面積にならざるを得ない。
枯渇、クリーンエネルギー源である太陽光から直接電気
を得る光起電力装置、所謂太陽電池の開発が盛ん(行な
われている。太陽光は旭光に於いて晴天時に約1xw/
m’エネルギーを与えてはいるものの、上記光エネルギ
ーを電気エネルギーに変換する変換効率が現在報告され
ている最高水準の単結晶シリコンから成るものであって
も1.0数パーセントしかなく、従って電力用として用
いる際には大面積にならざるを得ない。
そこで従来から反射鏡や7レネルレンズを用いて光エネ
ルギーWI度を上昇せしめる研究も行なわれているが、
最近で#′i、Applied ′hyBi(!a V
Ol 14 F+23−139(1977年発行) 「
5our KnergConversion with
Fluorescsnt 0olls+ctors−
Jで発表され几螢光集光型の光起電力装置についても検
討が加il+は内部に螢光体を分散させた絶縁基板で、
アクリル樹脂、ガラス等から成っている。121Fi単
結晶シリコンから成る光電変換素子で、上記基板(1)
の1@面にシリコン系の接着剤(3)を介して固着之れ
ている。
ルギーWI度を上昇せしめる研究も行なわれているが、
最近で#′i、Applied ′hyBi(!a V
Ol 14 F+23−139(1977年発行) 「
5our KnergConversion with
Fluorescsnt 0olls+ctors−
Jで発表され几螢光集光型の光起電力装置についても検
討が加il+は内部に螢光体を分散させた絶縁基板で、
アクリル樹脂、ガラス等から成っている。121Fi単
結晶シリコンから成る光電変換素子で、上記基板(1)
の1@面にシリコン系の接着剤(3)を介して固着之れ
ている。
斯る構造の絶縁基板(1)の−表面に第2図に於いて矢
印で示す如く太陽光(4)が入射すると、咳太陽光(4
)は絶縁基板(1)中を透過する過程に於いてその一部
が分散されている螢光体に吸収される。この螢光体は一
般的に光を吸収すると111g6図に示す如く吸光波長
より長波長の光を放射する性質を有している。セしてこ
や光は螢光体を中心に放射状に輻射され絶縁基板(1)
の111面に接着され九九電変換素子に)に到達して電
気エネルギーに変換される。
印で示す如く太陽光(4)が入射すると、咳太陽光(4
)は絶縁基板(1)中を透過する過程に於いてその一部
が分散されている螢光体に吸収される。この螢光体は一
般的に光を吸収すると111g6図に示す如く吸光波長
より長波長の光を放射する性質を有している。セしてこ
や光は螢光体を中心に放射状に輻射され絶縁基板(1)
の111面に接着され九九電変換素子に)に到達して電
気エネルギーに変換される。
この様に絶縁基板(1)の111mに接着された光電変
換素子(2)には螢光体から輻射された光が入射し電気
エネルギーに変換される訳であるが、絶縁基ルギーは光
電変換素子(2)に照射される際集光される。従って、
変換効率が低率であっても光電変換素子(2)を照射す
る光スネルl−l−密度が基板(1)の集光作用によっ
て上昇するので、光電変換素子(2)を大溢化すること
なく大きな電気エネルギーを得ることができる。
換素子(2)には螢光体から輻射された光が入射し電気
エネルギーに変換される訳であるが、絶縁基ルギーは光
電変換素子(2)に照射される際集光される。従って、
変換効率が低率であっても光電変換素子(2)を照射す
る光スネルl−l−密度が基板(1)の集光作用によっ
て上昇するので、光電変換素子(2)を大溢化すること
なく大きな電気エネルギーを得ることができる。
ところが、上記光電変換素子(2)は絶縁基板(1)に
対しシリコン系の接着剤+31 を介して接着せしめら
れてシシ、製造工程に於いて光電変換素子(2)の接着
工程を必要とするばかりか、上記接着剤a)は昼間は光
照射により高温となり夜間は低温となる熱サイクルを絶
えず受け、遂にけ光電変換素子(2)の剥離事故を招く
危惧を有してい皮。また接着剤(3)が雨水や大気中の
有機ガスによる影響を受ける等厳しい環境下では一層上
記剥離事故を招く可能性は高い。
対しシリコン系の接着剤+31 を介して接着せしめら
れてシシ、製造工程に於いて光電変換素子(2)の接着
工程を必要とするばかりか、上記接着剤a)は昼間は光
照射により高温となり夜間は低温となる熱サイクルを絶
えず受け、遂にけ光電変換素子(2)の剥離事故を招く
危惧を有してい皮。また接着剤(3)が雨水や大気中の
有機ガスによる影響を受ける等厳しい環境下では一層上
記剥離事故を招く可能性は高い。
本発明は斯る点に鑑み為されたものであって、以下に本
発明の一害施例につき詳述する。
発明の一害施例につき詳述する。
@4図及び第5図は本発明の一実施例を示す斜視図及び
断面図であって、(至)は螢光体例えばホスタゾルオレ
ンジR−Kを分散せしめた絶縁基板で、ガラス、アクリ
ル樹脂から成っている。anFi上記・、′ 螢光体を含む絶縁基板−の光入射面(2)に対し小面積
S、の側面に直接被着せしめられた薄膜状充電変換領域
で、訳光電変換領域Iは例えば非晶質シリコン、非晶質
シリコンカーバイド1.非晶質シリコンオキサイド、非
晶質シリコンナイトライド眸の非晶質半導体、多結晶シ
リコン等の多結晶半導体、及び多結晶ガリウム砒素、ガ
リウムアルミニウム砒素、硫化カドミウム等の多結晶化
合物半導体から成る光電変換層(至)と、該光電変換層
α湯を挾持する第1・第2の電極層(14)(ハ)、か
ら構成されている。
断面図であって、(至)は螢光体例えばホスタゾルオレ
ンジR−Kを分散せしめた絶縁基板で、ガラス、アクリ
ル樹脂から成っている。anFi上記・、′ 螢光体を含む絶縁基板−の光入射面(2)に対し小面積
S、の側面に直接被着せしめられた薄膜状充電変換領域
で、訳光電変換領域Iは例えば非晶質シリコン、非晶質
シリコンカーバイド1.非晶質シリコンオキサイド、非
晶質シリコンナイトライド眸の非晶質半導体、多結晶シ
リコン等の多結晶半導体、及び多結晶ガリウム砒素、ガ
リウムアルミニウム砒素、硫化カドミウム等の多結晶化
合物半導体から成る光電変換層(至)と、該光電変換層
α湯を挾持する第1・第2の電極層(14)(ハ)、か
ら構成されている。
尚、上記光電変換層(至)はプラズマ放電法、高周波ス
パッタリング法、蒸着法、プリント法、スプレー法、気
相成長法等の方法から形成材料の違いにより適宜選択形
成され、例えば非晶質半導体の場合はプラズマ放電法が
選択される。また上記第1の電極層α41は酸化スズ、
酸化インジウム及び酸化インジウム・スズ等の透光性I
L電子ビーム蒸着法により絶縁基板(至)に対し直接被
着せしめられる。第2の電極層(2)はアルミニウムの
蒸着膜であるO この様に薄膜状の充電変換領域αυは螢光体を含む絶縁
基板Q@の光入射面00面積S1に対し小面緬S、の一
面に接着剤(3)t−介さず直接被着せしめられ・発光
特性に着目した。即ち、光電変換効率圓にら 到達し発電に寄与する光は螢光体力z輻射される光であ
り、この光のスペクトルが螢光体の組成によ警って異な
る点に鑑み、該発光スペクトルを光電変換領域ル)の分
光感度に合致せしめれば光電変換効率を改善せしめるこ
とができる。例えは上述の如きホスタゾルオレンジR−
に螢九体鉱第6図に示すように約470 [nm)にピ
ークをMする吸光特性と約570 (nm)にピークを
有する発光特性を具えている。
パッタリング法、蒸着法、プリント法、スプレー法、気
相成長法等の方法から形成材料の違いにより適宜選択形
成され、例えば非晶質半導体の場合はプラズマ放電法が
選択される。また上記第1の電極層α41は酸化スズ、
酸化インジウム及び酸化インジウム・スズ等の透光性I
L電子ビーム蒸着法により絶縁基板(至)に対し直接被
着せしめられる。第2の電極層(2)はアルミニウムの
蒸着膜であるO この様に薄膜状の充電変換領域αυは螢光体を含む絶縁
基板Q@の光入射面00面積S1に対し小面緬S、の一
面に接着剤(3)t−介さず直接被着せしめられ・発光
特性に着目した。即ち、光電変換効率圓にら 到達し発電に寄与する光は螢光体力z輻射される光であ
り、この光のスペクトルが螢光体の組成によ警って異な
る点に鑑み、該発光スペクトルを光電変換領域ル)の分
光感度に合致せしめれば光電変換効率を改善せしめるこ
とができる。例えは上述の如きホスタゾルオレンジR−
に螢九体鉱第6図に示すように約470 [nm)にピ
ークをMする吸光特性と約570 (nm)にピークを
有する発光特性を具えている。
一部、非晶質半導体から成る光電変換層C1lの分光W
&度時特性ホスタゾルオレンジR−に螢光体の発光特性
を略カバーする。−例t−@7図に示すと、@7図は非
晶質シリコンのF工N接合構造を有する光電変換層03
の分光感度特性であるっ即ち、非晶質シリコンのP工N
接合構造は約590 (nm)に分光感度のピークが存
在し、上記ホスタゾルオレンジR−に螢光体の発光ピー
ク約570 (nm)と略一致する。しかも非晶質シ1
) pンの分光感fF!。
&度時特性ホスタゾルオレンジR−に螢光体の発光特性
を略カバーする。−例t−@7図に示すと、@7図は非
晶質シリコンのF工N接合構造を有する光電変換層03
の分光感度特性であるっ即ち、非晶質シリコンのP工N
接合構造は約590 (nm)に分光感度のピークが存
在し、上記ホスタゾルオレンジR−に螢光体の発光ピー
ク約570 (nm)と略一致する。しかも非晶質シ1
) pンの分光感fF!。
広帯域に及び螢光体の発光帯域を完全にカバーすること
ができる。
ができる。
ここで、従来に於ける単結晶シリコンの分光感度につい
て考えて見ると、単結晶シリコンの分光感J[Fi上記
第7図に於いて破線で示す如(非晶質シリコンに比べ更
に広帯域に及ぶ。この様に広帯域に分光Stが存在して
いることが単結晶シリコンが非晶質シリコンに比べ高変
換効率を実現している一因を為していることは周知の通
りである。
て考えて見ると、単結晶シリコンの分光感J[Fi上記
第7図に於いて破線で示す如(非晶質シリコンに比べ更
に広帯域に及ぶ。この様に広帯域に分光Stが存在して
いることが単結晶シリコンが非晶質シリコンに比べ高変
換効率を実現している一因を為していることは周知の通
りである。
この高変換効率を*現するのには単結晶シリコンに照射
される照射光のスペクトルが太陽光の如き非晶質シリコ
ンの分光感度よりも広帯域に及ぶことが前提となってい
る。
される照射光のスペクトルが太陽光の如き非晶質シリコ
ンの分光感度よりも広帯域に及ぶことが前提となってい
る。
ところが上記ホスタゾルオレンジR−に螢光体の発光帯
域は極めて狭帯域であり非晶質シリコンの分光感度帯域
にカバーされるために上記単結晶・・−。
域は極めて狭帯域であり非晶質シリコンの分光感度帯域
にカバーされるために上記単結晶・・−。
シリコンの広帯域に及ぶ分光感度特性を有効に利用する
ことができない。即ち、単結晶シリコンの特長である高
変換効率は照射光のスペクトルである螢光体の発光スベ
ク、トルが狭帯域となるために基質的に低下する。
ことができない。即ち、単結晶シリコンの特長である高
変換効率は照射光のスペクトルである螢光体の発光スベ
ク、トルが狭帯域となるために基質的に低下する。
次に絶縁基板叫による集光について具体的に説明する。
一辺aが1m高さhが1m厚みtが5+o+の偏平な二
等辺三角形状の絶縁基板叫の1111面に第8図に示す
如き光電変換餉域圓會直接被漸せしめた装置に於ける上
記光電変換領域Iに照射される光エネルギー密度を考え
て見る。三角形状の絶縁基板α匈の光入射面@に太陽光
を入射した場合、螢光体を介して一側面に伝播する光エ
ネルギーの伝播率として理論的に17.6−の値が得ら
れている。従って光入射面(2)に晴天時に於ける光エ
ネルギー密度1KWh・の太陽光が照射せしめられると
すると、上記−側面には、 IKW/mff1×17,5q6×61−86.51の
光エネルギーが伝播することになる。
等辺三角形状の絶縁基板叫の1111面に第8図に示す
如き光電変換餉域圓會直接被漸せしめた装置に於ける上
記光電変換領域Iに照射される光エネルギー密度を考え
て見る。三角形状の絶縁基板α匈の光入射面@に太陽光
を入射した場合、螢光体を介して一側面に伝播する光エ
ネルギーの伝播率として理論的に17.6−の値が得ら
れている。従って光入射面(2)に晴天時に於ける光エ
ネルギー密度1KWh・の太陽光が照射せしめられると
すると、上記−側面には、 IKW/mff1×17,5q6×61−86.51の
光エネルギーが伝播することになる。
この86.5 W光エネルギーが伝播する一側面の面積
s、#is X 10”gs+2であり、この−側面に
於ける光エネルギー密度は、 86−5W/8.=86.5W15X10”j=17−
5”/us” となる。即ち、照射され穴太陽光の光エネルギー密II
Lは1にシーH=l mV7−であるから、−側面に伝
播する光エネルギ−9!度は17.5倍も上昇する0従
つ、て、絶縁基板叫の一11iiffiKF!理論的に
17.6倍に集光された光が伝播することになる0尚、
上記絶鍬基1[GOはガラス及びアクリル御、11が考
えられるがアクリル*mが価格面で優れてお)該アクリ
ル樹脂の使用に19一層のコストダウ例として光電変換
領域aIJtt11面にのみ被着せしめ残りの側面に反
射鏡を設けることも考えられる0本発明光起電力装置は
以上の説明から明らかな如く、螢光体を含む絶縁基板の
光入射面に対し小面積の側面に薄膜状光電変換領域會直
接被着せしめ友ので、従来装置に於ける接着工程がなく
なると共に、接着剤を用いたことによる光電変換素子の
剥離事故は完全に防止される。また、薄膜状光電変換領
域の光電変換効率は従来の単結晶シリコンよりも低いに
も拘らず、入射する太陽光のスペクトルを螢光体が狭帯
域のスペクトルに変更せしめるので、太陽光が直接光電
変換領域を照射する場合に比べ両者の差は改善される0
%に非晶質半導体から成る光’ME変換領域は単結晶に
比べ物めて安価に展進することができる反面、上記変換
効率の低さが問題となっていたが、上述の如く両者の差
が改善されるので、変換効率が大きいことを理 、由に
高価な単結晶を用いる必費もなくなる。更に、螢光体と
してホスタゾルオレンジR−K t−g用すれば、該*
光体の発光帯域は非晶質半導体の分光感度帯域によって
カバーされしかも、両者のピークが略一致し、効率よく
光エネルギーを電気エネルギーに変換せしめることがで
きる。
s、#is X 10”gs+2であり、この−側面に
於ける光エネルギー密度は、 86−5W/8.=86.5W15X10”j=17−
5”/us” となる。即ち、照射され穴太陽光の光エネルギー密II
Lは1にシーH=l mV7−であるから、−側面に伝
播する光エネルギ−9!度は17.5倍も上昇する0従
つ、て、絶縁基板叫の一11iiffiKF!理論的に
17.6倍に集光された光が伝播することになる0尚、
上記絶鍬基1[GOはガラス及びアクリル御、11が考
えられるがアクリル*mが価格面で優れてお)該アクリ
ル樹脂の使用に19一層のコストダウ例として光電変換
領域aIJtt11面にのみ被着せしめ残りの側面に反
射鏡を設けることも考えられる0本発明光起電力装置は
以上の説明から明らかな如く、螢光体を含む絶縁基板の
光入射面に対し小面積の側面に薄膜状光電変換領域會直
接被着せしめ友ので、従来装置に於ける接着工程がなく
なると共に、接着剤を用いたことによる光電変換素子の
剥離事故は完全に防止される。また、薄膜状光電変換領
域の光電変換効率は従来の単結晶シリコンよりも低いに
も拘らず、入射する太陽光のスペクトルを螢光体が狭帯
域のスペクトルに変更せしめるので、太陽光が直接光電
変換領域を照射する場合に比べ両者の差は改善される0
%に非晶質半導体から成る光’ME変換領域は単結晶に
比べ物めて安価に展進することができる反面、上記変換
効率の低さが問題となっていたが、上述の如く両者の差
が改善されるので、変換効率が大きいことを理 、由に
高価な単結晶を用いる必費もなくなる。更に、螢光体と
してホスタゾルオレンジR−K t−g用すれば、該*
光体の発光帯域は非晶質半導体の分光感度帯域によって
カバーされしかも、両者のピークが略一致し、効率よく
光エネルギーを電気エネルギーに変換せしめることがで
きる。
第1図は従来装置の斜視図、第2図は第1図の要部断面
図、第6図は螢光体の吸光・発光特性−、第4図は本発
明装置の斜視図、第5図Fil14図の要部断面図、第
6図はホスタゾルオレンジR−に螢光体の吸光・発光特
性図、@7図は非晶質シリコンPIN接合構造と単結晶
シリコンの分光感度特性図、@8図は本発明装置に於け
る集光を説明するための斜視図、を夫々示・している。 叫・・・絶縁基板、■・・・薄膜状光電変換領域。 0 第5図 2 −352− 第6図 貞長(ル1lLL−一一 第7図 声表〔ル町−
図、第6図は螢光体の吸光・発光特性−、第4図は本発
明装置の斜視図、第5図Fil14図の要部断面図、第
6図はホスタゾルオレンジR−に螢光体の吸光・発光特
性図、@7図は非晶質シリコンPIN接合構造と単結晶
シリコンの分光感度特性図、@8図は本発明装置に於け
る集光を説明するための斜視図、を夫々示・している。 叫・・・絶縁基板、■・・・薄膜状光電変換領域。 0 第5図 2 −352− 第6図 貞長(ル1lLL−一一 第7図 声表〔ル町−
Claims (4)
- (1)薄膜状光電変換領域を、螢光体を含む絶縁基板の
光入射面に対し小面積の側面に直接被着せしめたことt
−特徴とする光起電力装置。 - (2)上記薄膜状光電変換領域は非晶質半導体から成っ
ていること1に特徴としfP:、特許請求の範囲第1項
記載の光起電力装置。 - (3)上記螢光体はホスタゾルオレンジR−にであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光起電力装
置。 - (4)上記絶縁基板としてアクリル系の樹脂金用い友こ
とt−特徴とする特許請求の範囲第1項、第2項若しく
は第5項記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56130960A JPS5832476A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56130960A JPS5832476A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 光起電力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5832476A true JPS5832476A (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=15046649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56130960A Pending JPS5832476A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5832476A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63200576A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Hitachi Ltd | 太陽電池 |
JPH03274355A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 太陽エネルギー回収装置 |
WO2011065084A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽光発電装置 |
WO2011086747A1 (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-21 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽光発電装置 |
WO2012050059A1 (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽光発電装置 |
US9082904B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-07-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell module and solar photovoltaic system |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP56130960A patent/JPS5832476A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63200576A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Hitachi Ltd | 太陽電池 |
JPH03274355A (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 太陽エネルギー回収装置 |
US9082904B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-07-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell module and solar photovoltaic system |
WO2011065084A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽光発電装置 |
WO2011086747A1 (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-21 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽光発電装置 |
WO2012050059A1 (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュールおよび太陽光発電装置 |
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