JPH0468880A

JPH0468880A - 固体撮像装置

Info

Publication number: JPH0468880A
Application number: JP2178656A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Tanigawa; 浩谷川; Hideki Muto; 秀樹武藤; Tetsuo Toma; 哲夫笘; Kazuhiro Kawajiri; 和廣川尻
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1990-07-06
Filing date: 1990-07-06
Publication date: 1992-03-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、インターレース走査読出しによる動画撮影の
機能と、ノンインターレースのフレーム走査読出しによ
る静止画操影を行う機能とを存する新規な電荷結合型固
体撮像装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、電荷結合型固体撮像装置（ＣＣＤ）としてインタ
ーライン転送方式の撮像装置が知られている。

これは、受光領域に、画素に相当する複数のフォトダイ
オードを行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に配列
形成すると共に、列方向に並ぶフォトダイオード群に隣
接して垂直電荷転送路を形成しである。

そして、フレーム蓄積モード時は、奇数行に配列するフ
ォトダイオードを奇数フィールド、偶数行に配列するフ
ォトダイオードを偶数フィールドの画素群と定義し、常
時露光状態にして、まず、奇数フィールドのフィールド
走査読出しと偶数フィールドのフィールド走査読出しを
所定周期て繰り返すことてインターレースを実現する。

一方、フィールド蓄積モードのときは、奇数と偶数フィ
ールドの画素信号を混合させて１回のフィールド走査読
出しを行い、それを２回行って１フレームの画像を得て
いる。このとき、静止画撮像を行うと、動いている被写
体を撮像する場合に各フィールドの読出し時間差によっ
て、各フィールドの画像か異なり、再生画像かぶれて画
質か悪化する。更に、フィールド蓄積モード時には、２
行で１行分の信号を作るので、画素数の約１／２の垂直
解像度となる。

〔発明か解決しようとする課題〕

上述したように、従来のインターライン転送方式の電荷
結合型固体撮像装置では、静止画で動いている被写体を
撮像した場合に画像がぶれたり、垂直解像度か画素数の
約１／２に低下する問題かあった。

本発明はこのような課題を解決するために成されたもの
であり、インターレース走査読出しによる動画撮影の機
能と、ノンインターレースのフレーム走査読出しによる
静止画操影を行う機能とを有する新規な電荷結合型固体
撮像装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

このような目的を達成するために本発明は、画素に相当
する複数の光電変換素子を行方向及び列方向にマトリク
ス状に配列形成し、列方向に配列する各光電変換素子群
に隣接して垂直電荷転送路を形成し、光電変換素子に発
生した画素信号を垂直電荷転送路へ転送した後、該垂直
電荷転送路のゲート電極に所定タイミングのゲート信号
を供給することにより、画素信号を各行毎に垂直転送す
ると共に、水平電荷転送路によって各行毎の画素信号を
走査読出しする電荷結合型固体撮像装置において、前記
各充電変換素子に隣接して１対ずつのゲート電極を前記
垂直電荷転送路に設け、これらのゲート電極に所定タイ
ミングのゲート信号を印加して、２行分を１組として画
素信号を前記水平電荷転送路で混合しなから２回のフィ
ールド走査読出しを行うことにより、インターレース２
フィールド走査読出しの動画撮像を行うこととした。

又、画素に相当する複数の光電変換素子を行方向及び列
方向にマトリクス状に配列形成し、列方向に配列する各
光電変換素子群に隣接して垂直電荷転送路を形成し、光
電変換素子に発生した画素信号を垂直電荷転送路へ転送
した後、該垂直電荷転送路のゲート電極に所定タイミン
グのゲート信号を供給することにより、画素信号を各行
毎に垂直転送すると共に、水平電荷転送路によって各行
毎の画素信号を走査読出しする電荷結合型固体撮像装置
において、前記各光電変換素子に隣接して１対ずつのゲ
ート電極を前記垂直電荷転送路に設け、前記充電変換素
子に発生した画素信号を垂直電荷転送路へ転送するため
のフィールドシフト信号を奇数フィールドと偶数フィー
ルド夫々に独自のタイミングで供給する手段を設け、水
平電荷転送に最も近い側の画素信号から順次に垂直電荷
転送路に電荷転送させるゲート信号をゲート電極に供給
して、２回のフィールド走査読出しを行うことにより、
インターレース２フィールド走査読出しの動画撮像を行
うこととした。

又、画素に相当する複数の光電変換素子を行方向及び列
方向にマトリクス状に配列形成し、列方向に配列する各
充電変換素子群に隣接して垂直電荷転送路を形成し、光
電変換素子に発生した画素信号を垂直電荷転送路へ転送
した後、該垂直電荷転送路のゲート電極に所定タイミン
グのゲート信号を供給することにより、画素信号を各行
毎に垂直転送すると共に、水平電荷転送路によって各行
毎の画素信号を走査読出しする電荷結合型固体撮像装置
において、前記各光電変換素子に隣接して１対ずつのゲ
ート電極を前記垂直電荷転送路に設け、水平電荷転送に
最も近い側の画素信号から順次に垂直電荷転送路に電荷
転送させるゲート信号をゲート電極に供給して、２回の
フィールド走査読出しを行うことにより、インターレー
ス２フィールド走査読出しの動画撮像を行うこととした
。

〔作用〕

このような構成を存する本発明によれば、静止画撮像の
ためにノンインターレース走査読出しと、動画撮像のた
めのインターレース走査読出しの両方の機能を有する電
荷結合型固体撮像装置を提供することかできる。

〔実施例〕

以下、本発明による電荷結合型固体撮像装置の一実施例
を図面と共に説明する。尚、電子スチルカメラやカメラ
一体型のビデオテープレコーダ等に適用した場合を説明
する。

まず、これらのカメラの全体構造を第１図と共に説明す
ると、ＩＩＩ図において、１は撮像レンズ等から成る撮
像光学系、２は機械式の絞り機構、３は本発明を適用し
た電荷結合型固体撮像装置であり、夫々か撮像光学系１
の光軸に合わせて順番に配列されると共に、被写体光学
像を電荷結合型固体撮像装置３の受光領域に入射する構
成となっている。

更に、４は信号処理回路、５は記録機構てあり、電荷結
合型固体撮像装置３から出力される画素信号を信号処理
回路４て色分離やγ補正や白バランス調整等を行うと共
に輝度信号と色差信号を形成し、記録機構５においてこ
れらの輝度信号と色差信号に対して記録可能な変調処理
を行ってから磁気記録媒体等に記録する。

そして、同期制御回路６か、絞り機４１１２、電荷結合
型固体撮像装置３の読出しタイミング、信号処理回路４
及び記録機構５の動作を同期制御することにより、撮像
から記録までの一連の動作を処理し、又、動画撮像と静
止画撮像の切換えを操作者か指示すると、夫々の撮像モ
ートへの切換え処理等を行う。

電荷結合型固体撮像装置３は第２図に示す構成となって
いる。

即ち、被写体光学像を受光するための受光領域７は、行
方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に配列形成さ
れる画素に相当する複数のフォトダイオード（図中、Ｐ
て示す部分）と、列方向Ｙに配列される各フォトダイオ
−１・群に隣接して形成される垂直電荷転送路Ｕ、〜Ｌ
、か設けられている。

これらの垂直電荷転送路Ｌ１〜Ｌ。の夫々の終端部に水
平電荷転送路８か形成され、水平電荷転送路８の終端部
に出力アンプ９が形成されている。

更に、垂直電荷転送路り、〜Ｌ、には、後述するように
所定配置のケート電極か設けられ、更にそれらの上面に
は光の入射を阻止するための遮光層か積層されている。

これらのゲート電極には、垂直電荷転送路り。

〜Ｌ、に所定汐イミングに同期して電荷転送動作を行わ
せるだめの信号が第１．第２．第３の駆動回路１０，１
１．１２から供給される。尚、夫々の駆動回路１０，１
１．１２に供給されるタイミング信号φＨ，ＶＬ　　φ
Ｇ　φｐｓ、ｖｓ、　　φ１φ２　φ３．φ４とスター
トパルス信号は同期制御回路６か発生する。

又、水平電荷転送路８は、垂直電荷転送路り。

〜Ｌゆから転送されてくる信号電荷を受信し、更に出力
アンプ８側へ水平転送するためのゲート電極か設けられ
ており、これらの動作を行うためにケート電極に印加す
るゲート信号α１　α２　α。

α４か同期制御回路６から供給される。

次に、受光領域７の構造及びそれに接続する駆動回路１
０，１１．１２の回路構成を第３図〜第６図と共に詳述
する。尚、第３図は第３の駆動回路１２の回路図であり
、第４図は受光領域７の要部の構造を受光面側から見た
場合、第５図は第４図中のＸ−Ｘ線矢視縦断面図、第６
図は第４図のｙ−ｙ線矢視縦断面図である。

まず、第３図に基ついて、第３の駆動回路１２の回路構
成を説明する。駆動回路１２は、スタートパルス信号φ
３を位相のずれた２相のクロック信号φ３とφ、に同期
して転送することにより、下位ヒツト出力から上位ビッ
ト出力へ順次に論理値“Ｈ”の駆動信号を発生させるシ
フトレジスタである。即ち、最初に駆動信号Ｓまたけか
“Ｈルベル、他の上位ビット出力は全て“Ｌ”レベルと
なり、次の周期では下位２ビツトの駆動信号Ｓ１と８２
か“Ｈ”レベルで他の上位ビット出力は全て“Ｌ“レベ
ルとなり、更に次の周期では下位３ビツトの駆動信号Ｓ
１とＳ２及びＳ３か“Ｈ“レベルで他の上位ヒツト出力
は全て“Ｌ”レベルとなるというように、駆動信号の“
Ｈ”出力レベルか下位ビットから順次に上位ビットへ拡
がるように変化する。

第３図に示すように、各ヒツトはセル構造を存している
ので、第１ビツト目の回路を代表して回路を説明すると
、３個のＭＯＳトランジスタｕ１ｕ＋ｔ、Ｕ＋３がソー
ス・ドレイン路を直列として電圧ｖＬの信号線とクロッ
ク信号φ、の信号線間に接続し、トランジスタｕ１３の
ゲート接点にはリセット信号Ｒ３の信号線か接続する。

トランジスタｕｌ＋のゲート接点とドレイン接点間には
ブートストラップ用コンデンサε１１か接続し、トラン
ジスタＵ＋２のゲート接点とソース接点が共通接続する
と共に、他のＭＯＳトランジスタｕｒ４のソース接点に
接続し、トランジスタｕ１４のドレイン接点か電圧ｖＬ
の信号線、ゲート接点かクロック信号φ４の信号線に夫
々接続している。

更に、ＭＯ３ｈラントランジスタ、ｕ＋□、ｕＵ＋４て
構成される回路と同一構成の回路かＭＯＳトランジスタ
ｕ２＋　、　ｕ２２．　ＩＪ２３．　ＬＩ２１及びブー
トストラップ用コンデンサε２１て形成され、トランジ
スタｕ１２のトレイン接点（出力点）とトランジスタｕ
２２のケート接点（入力点）か接続している。

そして、このヒント入力かトランジスタｕｎのゲート接
点に相当し、ビット出力かトランジスタＵ２２のトレイ
ン接点に相当する。そして、これらのビットセルの入力
と出力を従属接続することによりｎピント出力のシフト
レジスタを構成し、最下位ヒツトセルへのスタートパル
ス信号φ５の入力は、クロック信号φいに同期して導通
状態となるアナログスイッチＵ。０を介して行うように
なっている。

次に、第４図〜第６図において構造を説明すると、ｎ形
半導体基板１３の表面側に、受光領域７を形成するため
のｐウェル層１４と、第１の駆動回路ＩＯを形成するた
めのｐウェル層１５、及び第２．第３の駆動回路１１．
１２を形成するためのｐウェル層１６か埋設され、これ
らのｐウェル層＋４．１５．１６内に夫々所定の回路を
形成している。

まず、受光領域７は、ｐウェル層１４内にｎ４形不純物
からなる複数の不純物層１７を行方向Ｘ及び列方向Ｙに
沿ってマトリクス状に配列形成することにより、第２図
中のＰて示すフォトダイオードか形成され、更に、列方
向Ｙに配列される各不純物層１７に隣接してｎ形の不純
物層（第６図中の点線で示す部分）１８を形成すること
により、第２図の垂直電荷転送路Ｌ１〜Ｌ、、か形成さ
れている。そして、第４図のＴｇで示す（１カ所だけ代
表して示す）トランスファゲートとなる部分とフォトダ
イオードの部分及び垂直電荷転送路の部分を除く周囲に
ｐ°形の不純物層■９を形成することて、チャンネルス
トッパ領域（第４図の点線で囲む斜線部分）を形成して
いる。

尚、第４図では、第２図中のフォトダイオードＰを各行
毎にＰ、、Ｐ２．Ｐ、、Ｐ、　　−・−て示している。

更に、第４図において、垂直電荷転送路り、〜Ｌ０の上
面には、各行毎に配列されたフォトダイオードＰ、、Ｐ
２．Ｐ、、Ｐ４−−一に隣接する領域に、夫々図示する
ように、２本ずつの別個のポリシリコン層から成るゲー
ト電極Ｇ、１〜Ｇ４、Ｇｌ□〜Ｇ　４１　、　Ｇ　ｌ　
ｆｆ−Ｇ４２．・−−−・−〇　ｌ　ｔ〜Ｇ　４　ｎか
積層され、更に、ゲート電極Ｇ　１１を第１番目のケー
ト電極とすると、第４図及び第５図に示すように、奇数
番目のゲート電極Ｇ　ｌ　ｌ　＋　　Ｇ　３　＋　＋　
　Ｇ　ｌ　２Ｇ　２２．　　Ｇ　１１＋　　Ｇ　３１．
−・−の幅Ｗ１を狭くし、偶数番目のゲート電極Ｇ　２
　、、　Ｇ　＝　１．　Ｇ　＝□、Ｇ４□Ｇ　２ｆｆ＋
　　Ｇ４５−　”−・　の幅Ｗ２を広く形成しである。

そして、夫々のゲート電極に、後述する所定タイミング
のゲート信号φ１１　　φ２Ｉ　　φ３１　　φ４φ１
□　φ２□　φ３２　　φ４２を印加することにより、
各ゲート電極下の垂直電荷転送路に電荷転送のためのポ
テンシャル井戸（以下、転送ピクセルという）とボテン
ンヤル障壁を発生させる。又、偶数番目のゲート電極０
２１１　Ｇ　＋　＋　＋　Ｇ　２□＋　Ｇ４２．　Ｇ２
＊。

Ｇ４３．　　−に所定の高電圧の信号を印加すると、ト
ランスファゲートＴｇか導通状態となって、各フォトダ
イオードＰ、、Ｐ２．Ｐ、、Ｐ４−−−−と夫々に隣接
する偶数番目のゲート電極Ｇ２．、　Ｇ４Ｇ２□、Ｇ４
□、　Ｇ２ｓ＋　　Ｇ＋ｓ−・−の下に発生する転送ピ
クセルか導通状態となり、フォトダイオードから転送ピ
クセルへ信号電荷をフィールドソフトさせることかでき
る構造となっている。

更に、第４図に示すように、垂直電荷転送路Ｌ１〜Ｌ、
の終端部分に水平電荷転送路８か形成され、４相駆動力
式に準じたタイミングで信号電荷を水平方向へ転送する
ためのゲート電極か設けられている。

次に、第１の駆動回路ＩＯの回路構成を第４図及び第６
図と共に説明する。水平電荷転送路８に最も近いゲート
電極Ｇ１１を第１番目のゲート電極とすると、奇数番目
のゲート電極Ｇ　Ｉｌｌ　Ｇ１１ｌＧ、、、ｃ、□、　
Ｇ１２１　　ＧＩ２．　　・・・−の各先端部かＮＭ○
ＳトランジスタＭ　＋　＋　＋　Ｍ　２１１　Ｍ　＋　
２１　Ｍ　３２　、　Ｍ　＋□。

Ｍ２３．〜・−・を介して、信号ｖＬの信号線に接続し
、偶数番目のゲート電極０２１１　Ｇ４１１　Ｇ２ｚ、
　Ｇ４２Ｇ　２３＋　Ｇ４１　　・・−・の各先端部か
ＮＭＯ３）ランジスタＭ　２１１　Ｍ４１１　Ｍ２２１
　　Ｍ４２．　ｋ＋　　Ｍ４３を介して、駆動信号φ８
の信号線に接続している。

又、これらのトランジスタのケート接点には、駆動信号
φ。か供給される。

更に、偶数番目のケート電極Ｇ　２１１　Ｇ４１．　　
Ｇ２２１Ｇ　４２．　　Ｇ　２）＋　　Ｇ　４Ｌ　−の
各先端部には、ｎｐｎトランジスタＱ２．、　　Ｑ、、
、　Ｇ２２．　　Ｑ４□、Ｇ２゜Ｇ４８．　−の各エミ
ッタ接点か接続し、各ｎｐｎトランノスタのヘース接点
には駆動信号φ１８、コレクタ接点には電圧Ｖｓか印加
される。

そして、これらのＮＭＯＳトランジスタは、第６図のｐ
ウェル層１５内の構造に示すように、対のｎ゛形不純物
層２０．２１と、表面部分にゲート電極を積層した構造
から成り、トルイン接点となるｎ゛形不純物層２０に駆
動信号φ８が印加され、ソース接点となるｎ°形不純物
層２１か垂直電荷転送路上のゲート電極に接続している
。又、信号ｖＬはｐウェル層１５に埋設されたｐ４４形
不純物２２に印加される。又、ｎｐｎ）ランジスタは、
ｐウェル層１５に埋設されたｐ＋形不純物層２３とｎ＋
形不純物層２４及びｎ形の半導体基板１３からから成り
、エミッタ接点となるｎ゛形不純物層２４か各ゲート電
極に接続し、ベース接点となるｐウェル層１５及びｐ゛
形不純物層２３にタイミング信号φ８か印加され、コレ
クタ接点となるｎ形の半導体基板１３には基板１３のバ
イアス電圧Ｖ、か印加される。

次に、第２の駆動回路１１は、第４図に示すように、同
期制御回路６から供給されるタイミング信号φ１〜φ４
を第３の駆動回路Ｉ２からの駆動信号ｓ、、ｓ２．ｓ、
、ｓ、　　−・−８゜に同期して切換え動作するＮＭＯ
Ｓトランジス７ｍ　＋　＋　、　ｍ　２１　、　ｍ　２
１ｍ　、　、−−−−−から成り、４個ずつのＮＭＯＳ
トランジスタを１組として、それらのゲート接点に順番
に第３の駆動回路１２の駆動信号Ｓ１．８２Ｓ、、Ｓ、
　　−ｍ−−・−か印加され、各組の第１番目のＮＩＶ
ｉ○Ｓトランジスタｍ　＋＋　、　ｍ　＋２　、　ｍ　
Ｂｍ　＋　＋−〜−一のドレイン接点にタイミング信号
φ３、第２番目のＮＭＯＳ）ランジスタｍ　２１　、　
ｍ　２□ｍ２ｘ、ｍｚ＜・・−・−のドレイン接点にタ
イミング信号φ２、第３番目のＮＭＯＳ）ランジスタｍ
３ｍ３□　ｍ　３３　、　ｍ　３４’−””’−・−の
トレイン接点にタイミング信号φ３、第４番目のＮＭＯ
Ｓトランジスタｍ４１．ｍ４ｚ　、ｍｔ３．ｍ４４−−
−−−−のトルイン接点にタイミング信号φ、か供給さ
れている。

尚、第４図中、ＮＭＯＳトランジス７ｍ　＋　＋、　ｍ
　２ｍ　３１　、　ｍ　４　＋　””−の各ソース接点
側の信号φφ２．　φ、１　ｍ４１　　−かタイミング
信号φ１φ２φ３φ４に対応した信号である。

そして、図示するように、最も水平電荷転送路８に近い
ゲート電極Ｇ　Ｉ　＋から順番に各Ｎ０Ｍ５　トランジ
スタのソース接点か接続している。

第３の駆動回路１２は、上述したように所定タイミング
の駆動信号ｓ、、ｓ２．ｓ、、ｓ。

Ｓ６を出力するシフトレジスタて形成されている。

尚、これらの第２．第３の駆動回路１１．１２は、第６
図に示すｐウェル層１６中に形成したＮＭＯＳ構造のト
ランジスタ及び電子素子で形成される。第６図のｐウェ
ル層１６中には、−例として、ＮＭＯＳトランジスタを
構成するｎ゛形不純物層２５．２６及びゲート接点を示
している。

次に、かかる構造を有する電荷結合型固体撮像装置の作
動を説明する。

まず、静止画像を撮像する場合の動作を説明する。

静止画を撮影するための概略動作は第７図に示すような
時間的タイミングで行われる。

第７図において、同図中の成る時ガｔ、から画素信号の
走査読出しを開始するものとすると、その時点ｔ１以前
に、全フォトダイオードと垂直電荷転送路り、〜Ｌ、及
び水平電荷転送路８に残存していた不要電荷か廃棄され
、そして、適宜の期間で露光か行われることによって、
フォトダイオードには被写体光学像に対応する画素信号
か発生する。

まず、ＮＴＳＣ等の標準テレビジョン方式の垂直ブラン
キング期間に相当する期１′！ｌ！Ｔｖｇにおいて、全
フォトダイオードの画素信号を同時に垂直電荷転送路Ｌ
１〜Ｌ、の転送ビクセルへ転送し、次の水平ブランキン
グ期間に相当する期間Ｔ　Ｈ１１において、最も水平電
荷転送路８に近い側の転送ピクセルの画素信号を水平電
荷転送路８へ転送し、次に、水平走査期間（所謂、ＩＨ
明期間に相当する期間Ｔ　Ｉ　Ｈにおいて、水平電荷転
送路８か１行分の画素信号を水平転送することによって
第１行目の画素信号を読み出す。

そして、次の水平ブランキング期間に相当する期間Ｔ１
．Ｉｌｌにおいて、垂直電荷転送路Ｌ１〜Ｌ４か次の行
の画素信号を水平電荷転送路８へ転送し、更に、次の水
平走査期間に相当する期間Ｔ　ＩＨにおいて水平電荷転
送路８か水平転送することによって、第２行目の画素信
号を読み出す。

更に、次の水平ブランキング期間と水平走査期間に相当
する各期ｒＩ！ｉＴ、ＢとＴＩＨにおいて第３行目の画
素信号を読出す。そして、残りの行の画素信号も同様の
処理を繰り返すことによって順番に読出し、最終的に１
フレ一ム画に対応する全画素信号を読み出す。

次に、第８図に示す各駆動信号及びタイミング信号につ
いてのタイミングチャートに基づいて静止画撮像時の走
査読出し動作を詳述する。尚、第８図中の期間Ｔ　ｖａ
か垂直ブランキング期間、期間Ｔ　Ｈａか水平ブランキ
ング期間、期間Ｔ１Ｈか水平走査期間に対応している。

又、図中の符号“Ｈ”は１２ポルト、“Ｍ”は０ボルト
、“Ｌ″は一８ボルト、“ＨＨ”は基板の電圧と等しい
約１５〜２５ポルトの電圧レベルを示す。

まず、垂直ブランキング期間に対応する期間ＴＶ１１で
は、タイミング信号φ□は所定の時点ｔ２て“Ｈ”レベ
ルとなる外は“Ｍ”レベルとなり、タイミング信号φ。

は常に“Ｍ″レベルなり、タイミング信号φ、３はタイ
ミング信号φ□か″Ｈ″レベルとなるのに同期して“Ｈ
″レベルなる外は“Ｌ”レベルとなり、第３の駆動回路
１２から出力される全ての駆動信号Ｓ、〜Ｓａは常に“
Ｌ“レベルとなる。

したかって、この期間Ｔ　ＶＢては、“Ｍ”レベルのタ
イミング信号φ。によって、第１の駆動回路１０の全て
のＮＭＯＳトランジスタが導通状態となり、一方、第３
の駆動回路１２の全ての駆動信号ｓ、、ｓ、、ｓ、−ｓ
、か“Ｌ”レベルとなるので、第２の駆動回路１１中の
全てのＮＭＯＳトランジスタは非導通状態となり、全て
のゲート電極Ｇ　ｚ　、　Ｇ２１　、　Ｇ２１　、　Ｇ
４１〜Ｇ　Ｉｓ　、　Ｇ　２＊　、　Ｇ　３ｅＧ４゜は
第１の駆動回路１０によって制御される。

即ち、タイミング信号φ□とφ、Ｓか“Ｈ′しベルとな
らないときは、奇数番目のゲート電極ＧＧ　３１　、　
ＣＩ　２　、　Ｇ　２２〜Ｇ　ｉｏ　、　０２ｍに印加
されるゲート信号φ、１　φ、　φ、２　φ３□〜φ１
ゎ　φ２．は、“Ｌルベルの信号ＶＬ（この信号は常に
一８ボルトに設定されている）と等しくなり、これらの
ゲート電極下の垂直電荷転送路Ｌ１〜Ｌ、にはポテンシ
ャル障壁か発生する。

一方、偶数番目のゲート電極Ｇ　２１　、　Ｇ　４１　
、　Ｇ’！２Ｇ４２〜０２ａ　、　Ｇ　４ｍに印加され
るゲート信号φ２φ４１．φ２２　　φ４２〜φ２、　
φ４．は、“Ｍ”レベルの信号φ８と等しくなり、これ
らのゲート電極下の垂直電荷転送路Ｌ１〜Ｌ、には転送
ピクセルか発生する。

したかって、トランスファゲートＴｇに隣接する部分（
第４図参照）か全て転送ピクセルとなり、これらの転送
ピクセルはポテンシャル障壁で分離された状態となる。

このような状態で、所定時点ｔ２において、タイミング
信号φ８とφ、Ｓか“Ｈ”レベルとなると、全てのｎｐ
ｎ　ｈランジスタＱ　２１　、　Ｑ　４１　、　Ｑ　＠
ｌ　−”’か導通状態となり、偶数番目のゲート電極Ｇ
２Ｇ　ｇ＋　、０２２．０ａ２〜Ｇ２゜Ｇ４゜だけに約
１２ボルトの“Ｈ”レベルの電圧かかかるので、全ての
トランスファゲートＴｇか導通状態となり、全てのフォ
トダイオードの画素信号は夫々隣りの転送ピクセルへ転
送される。

このように、期間Ｔｖｌｌでは、所謂フィールドシフト
動作が行われ、第１２図中の時点ｔ１に示すように、各
画素信号（黒印の部分が各画素信号を示す）か垂直転送
路へ移される。尚、第１２図は、成る１つの垂直電荷転
送路の電荷転送動作を示している。

次に、最初の水平ブランキング期間に相当する期間Ｔ　
Ｈｅでは、タイミング信号φ６か常時“Ｌ”レベルと成
るので、第１の駆動回路１０中の全てのＮＭＯＳトラン
ジスタか非導通状態となり、全てのゲート電極から分離
される。

一方、第３の駆動回路１２の最初の出力端子の駆動信号
Ｓまたけか“Ｈ”レベル、他の駆動信号８２〜Ｓｏは“
Ｌ”レベルとなることにより、第２の駆動回路１１中の
駆動信号Ｓｌに関わる第１粗目のＮＭＯＳトランジスタ
ｍ＋＋　、ｍｘ＋　、ｍｚ＋ｍ４．たけか導通状態とな
る。

そして、駆動信号Ｓまたけか“Ｍ”レベルとなる期間中
に、垂直電荷転送を行うための４相のタイミング信号φ
１　φ２　φ、　φ４か第２の駆動回路１１に入力する
ので、第１〜第４番目の最初の組のゲート信号φ１．　
φ、Ｉ　φ２．　φ４．だけかタイミング信号φ、　　
φ２．φ３　　φ４と等しくなり、最初の組の第１〜第
４番目のゲート電極Ｇ　Ｉ　Ｉ　、　Ｇ　２１　、　Ｇ
　２１　、　　Ｇ　４１で電荷転送動作を行うこととな
る。尚、この期間Ｔ、、（時点ｔ、〜ｔ４まての期間）
の各信号波形を第９図に拡大して示す。

この結果、信号電荷は、第９図のゲート信号φ１．　φ
２１　　φ、１　φ４１のタイミング（符号の１２．３
，４，５，６．７で示す）に合わせて第１２図に示す第
１回目の転送のように水平電荷転送路８側へ移され、最
も水平電荷転送路８に近い第１行目の画素信号ｑ＋＋が
水平電荷転送路８へ転送されると共に、２行目の画素信
号ｑ２＋か第１行目の位置まで移動する。

次に、第１回目の水平走査期間Ｔ、、（時点ｔ４〜ｔ、
の期間）では、ゲート電極への信号の変化が停止し、一
方、水平電荷転送路８か４相駆動方式に準じた所定タイ
ミングのゲート信号α１〜α４に同期して水平転送を行
うことにより、最初の１行分の画素信号を読み出す。

次に、時点ｔ５〜ｔ７の期間において、時点ｔ、〜ｔ５
と同様の動作を繰り返すことにより、次の行の画素信号
の読出しを行う。但し、時点ｔ、〜ｔ４の水平ブランキ
ング期間Ｔ　Ｈａでは、第３の駆動回路１２の駆動信号
Ｓ１と３２が同時に“Ｍ”レベル、残りの駆動信号Ｓ、
〜Ｓ。が“Ｌ”レベルとなる。尚、この期間Ｔ、８ての
各ゲート信号の波形を第１０図に拡大して示す。

この結果、第１〜第４番目の第１組のゲートを極Ｇｌｌ
〜Ｇ　１１と、第５〜第８番目の第２組のケート電極０
１２〜Ｇ４□か、タイミング信号φ、〜φ４に等しいケ
ート信号φ１１〜φ４１とφ１□〜φ４２によって駆動
されることとなり、これらのゲート電極下の画素信号か
垂直転送される。

即ち、第１０図に示すタイミングによると、第１２図の
第２番目の垂直走査で示すように、第２行目の画素信号
ｑ２１か水平電荷転送路８へ移り、第３．第４行目の画
素信号Ｑ２１か２行分、画素信号Ｑ４１が１行分ずつ水
平電荷転送路８側へ転送される。

そして、時点ｔ６〜ｔ７の水平走査期間ＴＩＨにおいて
、水平電荷転送路８か第２行目の画素信号Ｑ２１を読み
出す。

次に、時点ｔ７から第３回目の走査読出しを開始すると
、第３の駆動回路１２の駆動信号Ｓ１、Ｓ２とＳ、か“
Ｍ”レベルとなり、残りの駆動信号８４〜Ｓ、が“Ｌ”
レベルとなるので、第１〜第３組の第１番目〜第１２番
目のゲート電極Ｇ〜Ｇ　４１．０１□〜Ｇ　４２、Ｇ　
１２〜Ｇ４ｊによって垂直電荷転送か行われる。したか
って、第１２図の第３番目の転送のように第３行目の画
素信号Ｑ３１か水平電荷転送路８へ転送されると共に、
第４〜第７行目の画素信号ｑ４１．　　ＱＳ＋は２行分
、ｑａｒは１行分ずつ水平電荷転送路８側へ転送される
。

そして、水平電荷転送路８によって第３行目の画素信号
ｑ２１か読み出される。

以後は、各行の画素信号を読み出す毎に、第３の駆動回
路１２の駆動信号８４〜Ｓ、が順番に“Ｍ”レベルに反
転して行くことにより、駆動されるゲート電極が４個ず
つを組として順次に拡大していき、最後の水平ブランキ
ング期間Ｔ、１１（時点ｔ、〜ｔ、。）では、第１１図
に示すように、全てのゲート信号φ、〜φ４．かタイミ
ング信号φ〜φ４に等しい波形となり、最後の走査読出
しで最終行の画素信号を読み出すことができる。

第１３図は、任意の順番、即ち第に番目と第に＋１番目
の垂直電荷転送動作をボテンノヤルプロフィールで示し
ているか、図示するように、水平電荷転送路８側の転送
ピクセルから順番に拡大あるいは空状態の転送ピクセル
の間隔か増えていくことにより、水平電荷転送路８に近
い側の画素信号から順に読出していくこととなる。

このように、静止画撮像ては、全ての画素信号を１回の
フレーム走査読出して出力することかできると共に、従
来のように画素信号を混合しないて走査読出しすること
かできるので、フリッカや損色等の発生か無く高解像度
で鮮明な静止画を再生することかできる。

次に、動画撮像の動作を説明する。

まず、これは１行分ずれた関係にある奇数フィールドと
偶数フィールドをフィールド走査読出しすることにより
、インターレースを実現する。

各フィールド走査読出しの基本的な走査読出しタイミン
グは、第７図及び第８図に示すものと同様である。但し
、これらの図における水平ブランキング期間に相当する
期間ＴＨｅての各信号のタイミンクたけか相違する。

即ち、奇数フィールドの走査読出しを行うときは、第８
図の期間ｔ、〜ｔ４を第１４図のタイミングに置き換え
、第８図の期間ｔ５〜ｔ６を第１５図のタイミングに置
き換え、第８図の期間ｔ。

〜ｔ１゜を第１６図のタイミングに置き換え、水平走査
期間Ｔ　ＩＨのタイミングは変更しない。

又、偶数フィールドの走査読出しを行うときは、第８図
の期間ｔ、〜ｔ４を第１７図のタイミングに置き換え、
第８図の期間ｔ５〜ｔ、を第１８図のタイミングに置き
換え、第８図の期ｗｉｔ、〜ｔｌｏを第１９図のタイミ
ングに置き換え、水平走査期間ＴＩＮのタイミングは変
更しない。

まず、奇数フィールドの走査読出しは、常時露光状態に
して、第８図の垂直ブランキング期間Ｔ□で全てのフォ
トダイオードの画素信号を隣接する垂直電荷転送路Ｌ１
〜Ｌ、の偶数番目のゲート電極６２□　Ｇ、、、Ｇ２．
、Ｇ、□　〜　Ｇ　２ａ　、　Ｇ　４ｓ下の転送ピクセ
ルへ移す。

次に、最初の水平ブランキング期間（第１４図参照）で
は、第３の駆動回路１２の第１．第２の駆動信号Ｓ１と
８２か、図示するように、２周期にわたって変化し、第
２の駆動回路ｌｌのタイミング信号φ１〜φ、を同期制
御回路６から各周期で２回供給する。したかって、この
期間ｔ、〜ｔ４ては、最初の周期で第１組目のゲート電
極Ｇ　ｌ　ｌ〜Ｇ　４１のみにゲート信号φｊ１〜φ４
１か印加し、次の周期で、第１組目のゲート電極Ｇ　ｌ
　ｌ〜Ｇ　４１と第２組目のゲート電極Ｇ１□〜Ｇ４□
にゲート信号φ１□〜φ４１、φ１．〜φ、２か印加す
る。

第１４図に示すタイミングによれば、第１組目のゲート
電極Ｇ　２１下の転送ピクセルと第２組目のゲート電極
Ｇ２２下の転送ピクセルの画素信号か水平電荷転送路８
の転送ピクセルに移ってで混合する。

そして、最初の水平走査期間Ｔ　１８で水平電荷転送路
８か水平走査することにより、混合された画素信号を時
系列的に出力する。

次に、第２回目の水平ブランキング期間（第１５図参照
）では、第３の駆動回路１２から第１〜第４の駆動信号
ｓ、、Ｓ２．Ｓｓ、Ｓ、か２周期にわたって図示するよ
うに変化する。この結果、第３．第４組目のゲート電極
Ｇ　１２〜Ｇ　４３、Ｇ　Ｉｔ〜Ｇ　４１下の画素信号
か水平電荷転送路８に転送されて混合する。

そして、次の水平走査期間Ｔ　＋　ｓで水平電荷転送路
８か水平走査することにより、混合された２行目の画素
信号を時系列的に出力する。

そして、同様の動作を各水平ブランキング期間及び水平
走査期間て繰り返すことによって、第３の駆動回路１２
からの駆動信号Ｓ、〜Ｓｏか順次に拡かるように発生し
ていき、上記同様に、画素信号を水平電荷転送路８て混
合しなから全ての画素信号を出力する。

尚、第１６図は、最終行の画素信号を読み出すときのタ
イミングを示す。

更に、第２０図は、最初の水平ブランキング期間Ｔ、、
（時点ｔ２〜１．）での第１〜第６組目のゲート電極に
おける電荷転送動作の様子を示すポテンシャルプロフィ
ールであり、０〜８，０〜６の各符号で示す各時点ての
ポテンシャルプロフィールの経時的変化を示す。

次に、偶数フィールドの走査読出しを説明すると、常時
露光状態にして、第８図の垂直ブランキング期間Ｔ　ｖ
Ｂで全てのフォトダイオードの画素信号を隣接する垂直
電荷転送路Ｌ１〜Ｌ、の偶数番目のケート電極Ｇ　２１
　、　Ｇａ＋　、　Ｇ２２　、　Ｇ４２〜Ｇ２゜Ｇ　ｄ
　ｎ下の転送ピクセルへ移す。

次に、最初の水平ブランキング期間（第１７図参照）で
は、第３の駆動回路１２の第１の駆動信号Ｓ１か、図示
するように、２周期中で変化し、第２の駆動回路１１の
タイミング信号φ１〜φ４を同期制御回路６から後の周
期で供給する。したかって、この期間ｔ、〜ｔ４ては、
ゲート電極Ｇ　Ｉ　ｌ〜Ｇ　４１のみにゲート信号φ１
１〜φ４．が印加する。

第１７図に示すタイミングによれば、第１組目のゲート
電極Ｇｅｌ下の転送ピクセルの画素信号が水平電荷転送
路８の転送ピクセルに移る。

そして、最初の水平走査期間Ｔ　ＩＮで水平電荷転送路
８か水平走査することにより画素信号を時系列的に出力
する。尚、この第１回目の走査読出しで出力した信号は
廃棄する。

次に、第２回目の水平ブランキング期間（第１８図参照
）では、第３の駆動回路１２から第１〜第３の駆動信号
Ｓ、、Ｓ２．Ｓ、か２周期にわたって図示するように変
化する。この結果、第１粗目のゲート電極Ｇ　２１　＋
　０４１と第２翅目のゲート電極ＧＩ２〜０４２下の画
素信号か水平電荷転送路８に転送されて混合する。又、
第３綴目のゲート電極ＧＩ２〜Ｇ　２２下の画素信号が
第１粗目のゲート電極下まで転送される。

そして、次の水平走査期間Ｔ　＋　ｓで水平電荷転送路
８が水平走査することにより、混合された２行目の画素
信号を時系列的に出力する。

そして、このような同様の動作を各水平ブランキング期
間及び水平走査期間で繰り返すことによって、第３の駆
動回路１２からの駆動信号８１〜Ｓ、が順次に拡がるよ
うに発生していき、上記同様に、画素信号を水平電荷転
送路８て混合しながら全ての画素信号を出力する。

尚、第１９図は、最終行の画素信号を読み出すときのタ
イミングを示す。

更に、第２１図は、第１８図の水平ブランキング期間Ｔ
、、（時点ｔ、〜ｔｇ）ての第１〜第６組目のゲート電
極における電荷転送動作の様子を示すポテンシャルプロ
フィールてあり、０〜８，０〜６の各符号で示す各時点
でのポテンシャルプロフィールの経時的変化を示す。

この動画撮像によれば、第２０図及び第２Ｉ図から明ら
かなように、奇数フィールドと偶数フィールドの走査て
は、画素信号の混合組み合わせか１行分ずれるので、イ
ンターレースを実現している。

次に第２の実施例を説明する。まず、電荷結合型固体撮
像装置の構造を第４図に対応する第２２図に示す。第４
図との構造上の相違点は、第１の駆動回路１０のｎｐｎ
　）ランジスタＱ４１．Ｑ４２Ｑ　４２　−　を第１の
フィールドソフト信号φＦ８Ａて制御し、ｎｐｎ　トラ
ンジスタＱ　２１　、　Ｑ２２　、　Ｑｔｚ・・−を第
２のフィールドソフト信号φ１８．て別個に制御する。

尚、これらの信号φＦＳＡ　ｌ　　φＦＩＢは同期制御
回路６か形成する。尚、他の構造は第２図、第３図、第
４図、第５図及び第６図と同様であり、又、カメラ等に
適用した場合は第１図と同様の構造である。

まず、静止画撮像は、第７図、第８図、第９図、１１０
図、第１１図のタイミングと等しいタイミングで行う。

但し、第２２図のフィールドシフト信号φＦＳＡとφＰ
ａｍは共に、第８図に示す信号φ、Ｓを使用する。即ち
、第２２図中の全てのｎｐｎ　トランジスタＱ　ｔ＋　
、　Ｑ４１　、　Ｑ２２　、　Ｑ４２　、　（ｈｓ　、
　Ｃｈｓ・・は信号φ、３で制御され、静止画撮像時の
動作は、第１の実施例に等しい。又、画素信号の転送動
作の様子も第１２図及び第１３図のようになり、ノンイ
ンターレース・フルフレーム走査続出しか実現される。

次に、動画撮像を行う場合には、第３の駆動回路１２の
全ての出力信号Ｓ、〜Ｓ、を“Ｍ″レベルして、全ての
トランジスタｍ　１１．　ｍ　２１　、　ｍ　）ｍ　ａ
　＋〜ｍ、。ｍ２、ｍ　１　ｎ　、　ｍ　４゜を導通状
態にする。そして、奇数フィールドの走査読出し時には
、第１のフィールドシフト信号φＦＳＡを”Ｈ”レベル
第２のフィールドソフト信号φＦＳＢを“Ｌ”レベルに
することて、奇数フィールドをフィールドソフトして、
タイミング信号φ１〜φ４の４相駆動力式に準した走査
読出しを行う。一方、偶数フィールドの走査読出し時に
は、第１のフィールドソフト信号φＦ□を“Ｌ“レベル
第２のフィールドソフト信号φＦｓＢを“Ｈ”レベルに
することて、偶数フィールドをフィールドシフトして、
タイミング信号φ、〜φ４の４相駆動力式に準した走査
読出しを行う。これにより、インターレースの動画撮像
を実現する。

次に、更に第３の実施例を説明する。尚、この実施例の
電荷結合型固体搬像装置は、第２図〜第６図に示す構造
のものを適用する。

まず、静止画撮像は、第１の実施例と同様に行う。

次に、動画撮像の動作を説明する。尚、各信号のタイミ
ングは第８図と同様であるか、但し、第８図の垂直ブラ
ンキング期間ＴｖＢ（時点ｔ３〜１４）でのタイミング
か、奇数フィールドの走査読出し時には第２３図に示す
タイミング、偶数フィールドの走査読出し時には第２４
図に示すタイミングに置き換える。

まず、奇数フィールド走査読出しては、垂直ブランキン
グ期間ＴＶＢに第２３図に示すように、まず、フィール
ドシフトの信号φ、８を“Ｈ”レベルとすることによっ
て、全ての画素に対応する画素信号を各組の偶数番目の
ゲート電極下の転送ビクセルに転送する。次に、信号φ
Ｇ　′Ｌ”レベルにし、且つ第３の駆動回路１２の全出
力Ｓ、〜Ｓ。

を“Ｍ”レベルにすることて全てのトランジスタｍ　＋
＋　、　ｍ　２＋　、　ｍ２＋　、　ｍａｔＡ＋ｍ　ｌ
＋　　勇２ｓ　、　ｍ＝。

ｍ４ｎを導通状態にして、同図中の０．　１．　２．　
３０の符号で示す時点に、タイミング信号φ、〜φ４に
対応するゲート信号φ１１〜φ４ｏを各ゲート電極Ｇ　
ｌ　ｌ〜Ｇ　４　ｕに印加すると、第２５図に示すよう
なポテンシャルプロフィールの変化によって、結果的に
各組の２番目のゲート電極下の転送ピクセルに、２個の
画素信号ずつが混合して保持され、各組の４番目のゲー
ト電極下の転送ピクセルは空状態となる。

そして、次に第１実施例で示した静止画撮像時と同様の
タイミング（第８図参照）で走査読出しを行うことによ
り、奇数フィールド走査読出しか実現する。

一方、偶数フィールド走査読出しては、垂直ブランキン
グ期間Ｔ　ｖｓに第２４図に示すように、まず、フィー
ルドシフトの信号φ１．を“Ｈ”レベルとすることによ
って、全ての画素に対応する画素信号を各組の偶数番目
のゲート電極下の転送ピクセルに転送する。次に、信号
φ。“Ｌ”レベルにし、且つ第３の駆動回路１２の全出
力Ｓ、−Ｓ。

を“Ｍ”レベルにすることで全てのトランジスタｍ＋＋
、ｍ２１．ｍｓ＋、ｍ４＋′ｍｌｌ１．ｍ２＋１．ｍ２
ｎｍａｅを導通状態にして、同図中の０．　１．　２．
　３０の符号で示す時点に、タイミング信号φ１〜φ４
に対応するゲート信号φ３．〜φ４ｏを各ゲート電極Ｇ
　ｌ　ｌ〜Ｇ　４　＋＋に印加すると、第２６図に示す
ようなポテンシャルプロフィールの変化によって、結果
的に各組の２番目のゲート電極下の転送ピクセルに、２
個の画素信号ずつか混合して保持され、各組の４番目の
ゲート電極下の転送ピクセルは空状態となる。ここで、
この偶数フィールドにおいては、奇数フィールド時の画
素信号の混合の組み合わせか１行分ずれる。

そして、次に第１実施例で示した静止画撮像時と同様の
タイミング（第８図参照）で走査読出しを行うことによ
り、偶数フィールド走査読出しか実現する。

このように、第３の実施例では動画撮像時には、垂直電
荷転送路Ｌ１〜Ｌ１の転送ビクセル内で画素信号の混合
を行って、２フィールド走査読出しによりインターレー
スを実現する。

以上、これらの複数の実施例では、静止画撮像時には、
ノンインターレースの走査読出しによって鮮明な画像を
提供することができ、又、インク−レースの動画撮像も
可能にする。そして、これらの電荷結合型固体撮像装置
は、構造的にも駆動方式的にも新規である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、静止画撮像のため
のノンインターレース走査読出しと、動画撮像のための
インターレース走査読出しの両機能を有する電荷結合型
固体撮像装置を提供することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を電子カメラに適用した場合
の構成図、第２図は本発明による一実施例の電荷結合型固体撮像装
置の概略構成図、第３図は駆動回路の回路図、第４図は受光領域及び周辺回路の構成説明図、第５図と
第６図は第４図の要部縦断面図、第７図は撮像動作の概
略説明図、第８図ないし第２１図は一実施例の動作を説明するため
のタイミング図、第２２図は他の実施例の電荷結合型固体撮像装置の概略
構成図、第２３図ないし第２６図は更に他の実施例の動作を説明
するためのタイミング図である。図中の符号：１・撮像光学系２；機械式の絞り機構３：電荷結合型固体撮像装置４；信号処理回路５、：記録機構６・同期制御回路７；受光領域１０．１１．１２；駆動回路第２０図第２１図第２３図第２５図第２６図第２４図手続補正音平成２年８月９日

Claims

【特許請求の範囲】

（１）画素に相当する複数の光電変換素子を行方向及び
列方向にマトリクス状に配列形成し、列方向に配列する
各光電変換素子群に隣接して垂直電荷転送路を形成し、
光電変換素子に発生した画素信号を垂直電荷転送路へ転
送した後、該垂直電荷転送路のゲート電極に所定タイミ
ングのゲート信号を供給することにより、画素信号を各
行毎に垂直転送すると共に、水平電荷転送路によって各
行毎の画素信号を走査読出しする電荷結合型固体撮像装
置において、前記各光電変換素子に隣接して１対ずつのゲート電極を
前記垂直電荷転送路に設け、これらのゲート電極に所定タイミングのゲート信号を印
加して、２行分を１組として画素信号を前記水平電荷転
送路で混合しながら２回のフィールド走査読出しを行う
ことにより、インターレース２フィールド走査読出しの
動画撮像を行うことを特徴とする電荷結合型固体撮像装
置。
（２）画素に相当する複数の光電変換素子を行方向及び
列方向にマトリクス状に配列形成し、列方向に配列する
各光電変換素子群に隣接して垂直電荷転送路を形成し、
光電変換素子に発生した画素信号を垂直電荷転送路へ転
送した後、該垂直電荷転送路のゲート電極に所定タイミ
ングのゲート信号を供給することにより、画素信号を各
行毎に垂直転送すると共に、水平電荷転送路によって各
行毎の画素信号を走査読出しする電荷結合型固体撮像装
置において、前記各光電変換素子に隣接して１対ずつのゲート電極を
前記垂直電荷転送路に設け、前記光電変換素子に発生した画素信号を垂直電荷転送路
へ転送するためのフィールドシフト信号を奇数フィール
ドと偶数フィールド夫々に独自のタイミングで供給する
手段を設け、水平電荷転送に最も近い側の画素信号から順次に垂直電
荷転送路に電荷転送させるゲート信号をゲート電極に供
給して、２回のフィールド走査読出しを行うことにより
、インターレース２フィールド走査読出しの動画撮像を
行うことを特徴とする電荷結合型固体撮像装置。
（３）画素に相当する複数の光電変換素子を行方向及び
列方向にマトリクス状に配列形成し、列方向に配列する
各光電変換素子群に隣接して垂直電荷転送路を形成し、
光電変換素子に発生した画素信号を垂直電荷転送路へ転
送した後、該垂直電荷転送路のゲート電極に所定タイミ
ングのゲート信号を供給することにより、画素信号を各
行毎に垂直転送すると共に、水平電荷転送路によって各
行毎の画素信号を走査読出しする電荷結合型固体撮像装
置において、前記各光電変換素子に隣接して１対ずつのゲート電極を
前記垂直電荷転送路に設け、水平電荷転送に最も近い側の画素信号から順次に垂直電
荷転送路に電荷転送させるゲート信号をゲート電極に供
給して、２回のフィールド走査読出しを行うことにより
、インターレース２フィールド走査読出しの動画撮像を
行うことを特徴とする電荷結合型固体撮像装置。