JPH0466786A - マイクロポンプおよびその製造方法 - Google Patents
マイクロポンプおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0466786A JPH0466786A JP17870990A JP17870990A JPH0466786A JP H0466786 A JPH0466786 A JP H0466786A JP 17870990 A JP17870990 A JP 17870990A JP 17870990 A JP17870990 A JP 17870990A JP H0466786 A JPH0466786 A JP H0466786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- wafer
- micropump
- oxide film
- anisotropic etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Reciprocating Pumps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はマイクロポンプの製造方法に関し、特にマイ
クロマシーニング技術を応用した精密流体制御用デバイ
スの一環として医療・分析の分野でその実用化が強く期
待されているマイクロポンプの製造方法に関するもので
ある。
クロマシーニング技術を応用した精密流体制御用デバイ
スの一環として医療・分析の分野でその実用化が強く期
待されているマイクロポンプの製造方法に関するもので
ある。
[従来の技術]
上記のようなマイクロマシーニング技術は高度の新技術
分野を開拓するものとして現在その研究が進展中のもの
である。その動向については、日経エレクトロニクスN
a480(1989年8月21日発行)p、 125−
155の”Siマイクロマシーニング技術”と題する特
集によって一般に広く開示されたものがある。
分野を開拓するものとして現在その研究が進展中のもの
である。その動向については、日経エレクトロニクスN
a480(1989年8月21日発行)p、 125−
155の”Siマイクロマシーニング技術”と題する特
集によって一般に広く開示されたものがある。
この中で、マイクロポンプに関してはその記事の第13
5頁〜第139頁にその構成を含めた解説が記載されて
いる。マイクロポンプは微量かつ精密な流量制御が可能
なので、医療用や分析化学用への応用が可能であること
からその開発が期待されているものである。
5頁〜第139頁にその構成を含めた解説が記載されて
いる。マイクロポンプは微量かつ精密な流量制御が可能
なので、医療用や分析化学用への応用が可能であること
からその開発が期待されているものである。
そして、上記マイクロポンプなどがその範晴に入るマイ
クロメカニカルデバイスの製造方法等については、上記
文献の後半に記載されている。すなわち、その記事の第
146頁〜第149頁には、半導体のエツチング技術を
駆使してSi (シリコン)を複雑な3次元構造に加工
する(異方性エツチングなど)方法が、第150頁〜第
152頁には基板を張り合わせて様々な形状のものを作
る基板の接合技術(ガラスとSiの基板同志を接合する
陽極接合法など)が詳説されている。
クロメカニカルデバイスの製造方法等については、上記
文献の後半に記載されている。すなわち、その記事の第
146頁〜第149頁には、半導体のエツチング技術を
駆使してSi (シリコン)を複雑な3次元構造に加工
する(異方性エツチングなど)方法が、第150頁〜第
152頁には基板を張り合わせて様々な形状のものを作
る基板の接合技術(ガラスとSiの基板同志を接合する
陽極接合法など)が詳説されている。
マイクロメカニカルデバイスとして早くから開発されて
実用化段階にあるものとしてはSi圧力センサがあるが
、その後の研究で最も進んでいるといわれるマイクロポ
ンプは現在試作段階であって実用に供せられるものは見
当たらない現状である。
実用化段階にあるものとしてはSi圧力センサがあるが
、その後の研究で最も進んでいるといわれるマイクロポ
ンプは現在試作段階であって実用に供せられるものは見
当たらない現状である。
したがって、マイクロポンプの製造方法も模索段階であ
って特に確立されたものはないということができよう。
って特に確立されたものはないということができよう。
[発明が解決しようとする課題]
上記課題を解決するために本発明者らにより、以前に提
示された特許では、マイクロポンプの基本的な製造方法
を確立したものがあった。即ち、正確な吐出量を示すマ
イクロポンプの製造方法を提示したからである。
示された特許では、マイクロポンプの基本的な製造方法
を確立したものがあった。即ち、正確な吐出量を示すマ
イクロポンプの製造方法を提示したからである。
しかしながら、マイクロポンプのダイヤフラムは、Si
ウェーハの厚さ方向において、中央部に作成するため、
弁部の異方性エツチングによるエツチング量が多く、弁
部の形状が変形しやすく、密閉性が低下する恐れがある
。また、このために弁部の変形を考慮して、マイクロポ
ンプのマスクを設計しなければならないので、マイクロ
ポンプの設計に制約が生じてしまう。
ウェーハの厚さ方向において、中央部に作成するため、
弁部の異方性エツチングによるエツチング量が多く、弁
部の形状が変形しやすく、密閉性が低下する恐れがある
。また、このために弁部の変形を考慮して、マイクロポ
ンプのマスクを設計しなければならないので、マイクロ
ポンプの設計に制約が生じてしまう。
一方、Siウェーハの両面から異方性エツチングを行っ
て貫通孔を形成すると、貫通孔が変形しやすく貫通孔の
形状がいびつになり、液体または気泡の抜けが悪くなり
やすい。
て貫通孔を形成すると、貫通孔が変形しやすく貫通孔の
形状がいびつになり、液体または気泡の抜けが悪くなり
やすい。
本発明は上述のような課題を解決するためになされたも
ので、前記ダイヤフラム及び弁膜をSiウェーハの厚さ
方向において、弁の形成される側に偏在させて形成する
ことにより、弁部の異方性エツチングによる変形をなく
し、さらに設計の自由度を向上させ、なおかつ貫通孔の
変形のない構造を有するマイクロポンプとその製造方法
を提供することを目的とするものである。
ので、前記ダイヤフラム及び弁膜をSiウェーハの厚さ
方向において、弁の形成される側に偏在させて形成する
ことにより、弁部の異方性エツチングによる変形をなく
し、さらに設計の自由度を向上させ、なおかつ貫通孔の
変形のない構造を有するマイクロポンプとその製造方法
を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
本発明のマイクロポンプはダイヤフラム、流路、弁およ
び弁膜を湿式異方性エツチングにより形成したSi基板
をガラス基板でサンドイッチした構造を有し、前記ダイ
ヤプラム及び弁膜をSiウェーハの厚さ方向において、
弁が形成される側に偏在させて形成したことを特徴とし
ている。
び弁膜を湿式異方性エツチングにより形成したSi基板
をガラス基板でサンドイッチした構造を有し、前記ダイ
ヤプラム及び弁膜をSiウェーハの厚さ方向において、
弁が形成される側に偏在させて形成したことを特徴とし
ている。
また、その製造方法は(100)面方位のSiウェーハ
に、片側の面にダイヤフラム及び弁膜に相当するエツチ
ング用マスクを形成し、前記Siウェーハの前記片側の
面を湿式異方性エツチングにより所定深さの凹部を形成
した後、前記Siウェーハの前記片側の面を酸化シリコ
ン膜でマスキングし、そして前記Siウェーハの前記片
側の面と反対側の面に貫通孔に相当するエツチング用マ
スクを形成し、前記Siウェーハの前記片側の面と反対
側の面を湿式異方性エツチングにより所定量エツチング
して、前記貫通孔になるべき凹部を形成し、さらに前記
Siウェ〜ハの前記片側の面と反対側の面に相当するエ
ツチング用マスクを形成し、前記Siウェーハの前記片
側の面と反対側の面を所定量湿・武具方性エツチングす
ることにより、所望形状のダイヤフラム、弁、弁膜及び
貫通孔を形成することを特徴とする。
に、片側の面にダイヤフラム及び弁膜に相当するエツチ
ング用マスクを形成し、前記Siウェーハの前記片側の
面を湿式異方性エツチングにより所定深さの凹部を形成
した後、前記Siウェーハの前記片側の面を酸化シリコ
ン膜でマスキングし、そして前記Siウェーハの前記片
側の面と反対側の面に貫通孔に相当するエツチング用マ
スクを形成し、前記Siウェーハの前記片側の面と反対
側の面を湿式異方性エツチングにより所定量エツチング
して、前記貫通孔になるべき凹部を形成し、さらに前記
Siウェ〜ハの前記片側の面と反対側の面に相当するエ
ツチング用マスクを形成し、前記Siウェーハの前記片
側の面と反対側の面を所定量湿・武具方性エツチングす
ることにより、所望形状のダイヤフラム、弁、弁膜及び
貫通孔を形成することを特徴とする。
[実施例]
第1図はこの発明によるマイクロポンプの本体部材を構
成するSi基板の製造方法の一実施例を示す模式断面図
である。第一図(a)〜第1図(1)の工程図類に、各
工程段階の形成方法と形成状態を説明する。
成するSi基板の製造方法の一実施例を示す模式断面図
である。第一図(a)〜第1図(1)の工程図類に、各
工程段階の形成方法と形成状態を説明する。
まず、第1図(a)において、面方位(100)のSi
ウェーハを両面研磨した後洗浄して厚さ280μmの基
板1を形成する。この基板1を熱酸化により第1図(b
)に示すように、全面に1.0μmの酸化膜(Sin、
膜)2を形成する。
ウェーハを両面研磨した後洗浄して厚さ280μmの基
板1を形成する。この基板1を熱酸化により第1図(b
)に示すように、全面に1.0μmの酸化膜(Sin、
膜)2を形成する。
次に、第1図(c)に示すように、Siウェーハの片側
の面の酸化膜2にレジストパターニングを行い、フッ酸
系エツチングにてパターン部分の酸化膜2を除去し、ダ
イヤフラムおよび弁膜に相当するマスクパターン3d及
び3Cを形成する。
の面の酸化膜2にレジストパターニングを行い、フッ酸
系エツチングにてパターン部分の酸化膜2を除去し、ダ
イヤフラムおよび弁膜に相当するマスクパターン3d及
び3Cを形成する。
ついで、Siウェーハの一回目の異方性エツチングを行
い、第1図(d)に示す深さ190μmのダイヤフラム
6b、弁膜6aを形成する。エツチングは、水酸化カリ
ウム30重量%水溶液で、80°Cでエツチングを行っ
た。この場合、Siウェーハに正確に190μmの深さ
のエツチングを行うため、エツチング液は、水浴による
保温と撹拌を行った。
い、第1図(d)に示す深さ190μmのダイヤフラム
6b、弁膜6aを形成する。エツチングは、水酸化カリ
ウム30重量%水溶液で、80°Cでエツチングを行っ
た。この場合、Siウェーハに正確に190μmの深さ
のエツチングを行うため、エツチング液は、水浴による
保温と撹拌を行った。
次に、第1図(e)に示すように、熱酸化によりSiウ
ェーハを酸化膜2で覆った。この場合、ダイヤフラム6
b、弁膜6aのエツチング面を酸化膜で覆えば良いため
、5in2膜をスパッタリングで形成してもよい それから、Siウェーハの前記片側の面の反対側の面の
酸化膜2にレジストパターニングを行い、フッ酸系エツ
チングにてパターン部分の酸化膜2を除去し、第1図(
f)に示すように貫通孔に相当するマスクパターン3を
形成する。
ェーハを酸化膜2で覆った。この場合、ダイヤフラム6
b、弁膜6aのエツチング面を酸化膜で覆えば良いため
、5in2膜をスパッタリングで形成してもよい それから、Siウェーハの前記片側の面の反対側の面の
酸化膜2にレジストパターニングを行い、フッ酸系エツ
チングにてパターン部分の酸化膜2を除去し、第1図(
f)に示すように貫通孔に相当するマスクパターン3を
形成する。
そして、−回目の異方性エツチングと同様にSiの二回
目の異方性エツチングを行い、第1図(g)に示すよう
にSiウェーハの裏面に深さ60μ■の未貫通孔4を形
成する。さらにもう−度、Siウェーハの前記片側の面
の反対側の面の酸化膜2にレジストパターニングを行い
、フッ酸系エツチングにてパターン部分の酸化膜2を除
去し、第1図(h)に示すようにダイヤフラム及び弁形
酸のためのマスクパターン3b及び3aを形成する。
目の異方性エツチングを行い、第1図(g)に示すよう
にSiウェーハの裏面に深さ60μ■の未貫通孔4を形
成する。さらにもう−度、Siウェーハの前記片側の面
の反対側の面の酸化膜2にレジストパターニングを行い
、フッ酸系エツチングにてパターン部分の酸化膜2を除
去し、第1図(h)に示すようにダイヤフラム及び弁形
酸のためのマスクパターン3b及び3aを形成する。
そして、もう−変異方性エッチングを行い、第1図(i
)に示すようにSiウェーハの裏面に深さ30μmのダ
イヤフラム及び弁を形成する。この様にダイヤフラム6
を厚み方向において、弁の形成される側へ偏在させると
弁の形成のための異方性エツチングは30μm程度です
み、このため弁の変形及び欠けは全くなく、弁の密閉性
を向上させることができる。また、未貫通孔4も弁の裏
側が酸化膜で覆われているので、貫通孔の変形がなく液
体及び気泡の抜けがよくなるとおもわれる。この後、フ
ッ酸系溶液で酸化膜2.2aを除去して貫通孔4aを形
成し、第1図(j)に示した状態とする。
)に示すようにSiウェーハの裏面に深さ30μmのダ
イヤフラム及び弁を形成する。この様にダイヤフラム6
を厚み方向において、弁の形成される側へ偏在させると
弁の形成のための異方性エツチングは30μm程度です
み、このため弁の変形及び欠けは全くなく、弁の密閉性
を向上させることができる。また、未貫通孔4も弁の裏
側が酸化膜で覆われているので、貫通孔の変形がなく液
体及び気泡の抜けがよくなるとおもわれる。この後、フ
ッ酸系溶液で酸化膜2.2aを除去して貫通孔4aを形
成し、第1図(j)に示した状態とする。
次に、第1図(k)に示すように、この状態の基板の弁
5部に厚さ1μmの付勢膜7を形成するために5in2
のマスクスパッタリングを行う。これは、この後の組立
における陽極接合工程において、弁5の付勢膜7のみが
ガラスと接合しないようにするためである。
5部に厚さ1μmの付勢膜7を形成するために5in2
のマスクスパッタリングを行う。これは、この後の組立
における陽極接合工程において、弁5の付勢膜7のみが
ガラスと接合しないようにするためである。
この後、Siウェーハ全面に前述の熱酸化を行い、第1
図(1)に示したように全面に酸化膜2bを厚さ0.1
3μm形成する。この全面熱酸化の工程は液体を流れや
すくするためと液体に薬液を用いたときなどの耐食性を
向上するために行われる。このようにして、第1図く1
)に示したように、弁5の部分に酸化膜からなる付勢膜
7が1μ口程度残されたまま形成されたポンプ本体用の
Si基板の形成が終了する。
図(1)に示したように全面に酸化膜2bを厚さ0.1
3μm形成する。この全面熱酸化の工程は液体を流れや
すくするためと液体に薬液を用いたときなどの耐食性を
向上するために行われる。このようにして、第1図く1
)に示したように、弁5の部分に酸化膜からなる付勢膜
7が1μ口程度残されたまま形成されたポンプ本体用の
Si基板の形成が終了する。
第2図、第3図はマイクロポンプの組立て方法を説明す
る模式断面図であり、第2図は断面図、第3図は第2図
の断面個所を説明する平面構成図である。すなわち、第
2図は第3図に示したA−A、I!に沿う断面図である
。なお、第2図においてSi基板は薄い酸化膜2bの記
載を省略して示している。
る模式断面図であり、第2図は断面図、第3図は第2図
の断面個所を説明する平面構成図である。すなわち、第
2図は第3図に示したA−A、I!に沿う断面図である
。なお、第2図においてSi基板は薄い酸化膜2bの記
載を省略して示している。
図に見られるように、ダイヤフラム6と弁5と流路11
とが形成されたSi基板を下面に図示しない電極面を有
する下ガラス板lOにより所定の位置に陽極接合する(
前記文献参照)、ついで、上面に図示しない電極面を有
する上ガラス板9を同様に接合して流路11及びこれに
連結する圧力室12を形成する。この時、上ガラス板9
を、下ガラス板10にはともに厚さ1■のホウケイ酸ガ
ラスを用い、あらかじめ下ガラス板10には液体の供給
口13、吐出口14となる孔を、上ガラス板9にはダイ
ヤフラム6の上部位置に圧電素子板17を設置する孔1
8を設けておく。なお、この場合、酸化膜2bは0.1
3μ重と薄いので陽極接合が可能であるが、付勢膜7は
1μmの厚さを有する酸化膜であるので、陽極接合され
ない。
とが形成されたSi基板を下面に図示しない電極面を有
する下ガラス板lOにより所定の位置に陽極接合する(
前記文献参照)、ついで、上面に図示しない電極面を有
する上ガラス板9を同様に接合して流路11及びこれに
連結する圧力室12を形成する。この時、上ガラス板9
を、下ガラス板10にはともに厚さ1■のホウケイ酸ガ
ラスを用い、あらかじめ下ガラス板10には液体の供給
口13、吐出口14となる孔を、上ガラス板9にはダイ
ヤフラム6の上部位置に圧電素子板17を設置する孔1
8を設けておく。なお、この場合、酸化膜2bは0.1
3μ重と薄いので陽極接合が可能であるが、付勢膜7は
1μmの厚さを有する酸化膜であるので、陽極接合され
ない。
その後、供給口13の下には供給チューブ15を、吐出
口14の下には吐出チューブ16を接合する。
口14の下には吐出チューブ16を接合する。
最後に圧電素子板(ピエゾ)17をダイヤフラム6の上
部に接着し、図示しない圧電素子駆動用電気配線、さら
に供給口15、吐出口16に図示しない配管を施してマ
イクロポンプが完成する。
部に接着し、図示しない圧電素子駆動用電気配線、さら
に供給口15、吐出口16に図示しない配管を施してマ
イクロポンプが完成する。
以上の工程を通して完成したマイクロポンプの形状は変
形が少なく設計どおりになり、さらに異方性エツチング
による弁の変形も少ないものが得られた。
形が少なく設計どおりになり、さらに異方性エツチング
による弁の変形も少ないものが得られた。
また、実際に圧電素子板に通電させて駆動を行い水等の
液体をマイクロポンプより吐出させるとほぼ設計値どお
りの吐出量が得られた。これは、Si基板の流路、弁お
よび圧力室のある側の異方性エツチング量が少ないため
、エツチングによる流路、弁および圧力室等の変形が少
なく設計値に近くなったためである。
液体をマイクロポンプより吐出させるとほぼ設計値どお
りの吐出量が得られた。これは、Si基板の流路、弁お
よび圧力室のある側の異方性エツチング量が少ないため
、エツチングによる流路、弁および圧力室等の変形が少
なく設計値に近くなったためである。
今度は、上記の状態で圧電素子板の駆動を止め、ポンプ
の供給口より所定の水圧をかけて、水の漏れ(ポンプの
密閉性)を調べた。その結果、全く水の漏れはなかった
。さらに、ポンプの吐出口に所定の水圧をかけて、水の
逆流の有無を調べたが、全く逆流はなかった。これらマ
イクロポンプの密閉性および逆流抑止性は、第1図(1
)においてSi基板のダイヤフラム6を弁5のある側に
偏在させたため、弁5のある側の異方性エツチング量が
減り、それに伴う弁5部の変形や欠けがほとんどなくな
ったためである。
の供給口より所定の水圧をかけて、水の漏れ(ポンプの
密閉性)を調べた。その結果、全く水の漏れはなかった
。さらに、ポンプの吐出口に所定の水圧をかけて、水の
逆流の有無を調べたが、全く逆流はなかった。これらマ
イクロポンプの密閉性および逆流抑止性は、第1図(1
)においてSi基板のダイヤフラム6を弁5のある側に
偏在させたため、弁5のある側の異方性エツチング量が
減り、それに伴う弁5部の変形や欠けがほとんどなくな
ったためである。
次に、マイクロポンプの気泡の抜は具合(気泡波は性)
を調べた。その方法は、供給口より所定の圧力以上の水
圧をかけて、マイクロポンプ中の気泡の出方を観察した
。その結果非常に気泡波は性が良く、弁及び貫通孔に気
泡が引っ掛かって抜けなくなることはなかった。
を調べた。その方法は、供給口より所定の圧力以上の水
圧をかけて、マイクロポンプ中の気泡の出方を観察した
。その結果非常に気泡波は性が良く、弁及び貫通孔に気
泡が引っ掛かって抜けなくなることはなかった。
なお、以上のように本発明をダイヤフラム駆動手段とし
て圧電素子を用いた一実施例について説明したが、本発
明による製造方法はこの実施例構造のマイクロポンプに
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
他の構成によるマイクロポンプやこれに類似する流体制
御用デバイスに適応し得るものであることは言うまでも
ない。
て圧電素子を用いた一実施例について説明したが、本発
明による製造方法はこの実施例構造のマイクロポンプに
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
他の構成によるマイクロポンプやこれに類似する流体制
御用デバイスに適応し得るものであることは言うまでも
ない。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明によれば、特にマイクロポン
プ本体を構成するSi基板の形成方法で、Siウェーハ
にリソグラフィおよび湿式異方性エツチングを片側ずつ
合計3回繰り返し行い、ダイヤフラムを弁の形成される
側に偏在させて形成するため、異方性エツチングによる
ダイヤプラム、流路、貫通孔および弁の変形および欠け
がない。したがって、マイクロポンプの吐出量を正確に
規制する構造となり、さらに密閉性および逆流抑止性の
優れたマイクロポンプを製造できる効果を有する。
プ本体を構成するSi基板の形成方法で、Siウェーハ
にリソグラフィおよび湿式異方性エツチングを片側ずつ
合計3回繰り返し行い、ダイヤフラムを弁の形成される
側に偏在させて形成するため、異方性エツチングによる
ダイヤプラム、流路、貫通孔および弁の変形および欠け
がない。したがって、マイクロポンプの吐出量を正確に
規制する構造となり、さらに密閉性および逆流抑止性の
優れたマイクロポンプを製造できる効果を有する。
また、マイクロポンプの設計の自由度が増し、より効率
の良いマイクロポンプの設計を可能にするという効果も
有する。
の良いマイクロポンプの設計を可能にするという効果も
有する。
さらに、貫通孔の変形もないので、気泡波は性も非常に
良いマイクロポンプを製造できる効果を有する。
良いマイクロポンプを製造できる効果を有する。
第1図は本発明の一実施例を示すマイクロポンプのSi
基板の製造方法を説明する模式断面工程図。 第2図は本発明の製造方法で形成されるマイクロポンプ
の組立て方法を説明する断面図。 第3図は第2図の断面個所を説明する平面構成図。 図において、1はSiウェーハ、2 、2a、2bは酸
化膜、3.3a、3b、3c、3dはエツチングマスク
パターン、4は未貫通孔、4aは貫通孔、5は弁、6,
6aはダイヤフラム、6bは弁膜、7は付勢膜、8はS
i基板、 9は上ガラス板、 10は下ガラス板、 11は流 路、 12は圧力室、 13は供給口、 14は吐出口、 15は 供給チューブ、 16は吐出チューブ、 17は圧電素子 板である。 以 上
基板の製造方法を説明する模式断面工程図。 第2図は本発明の製造方法で形成されるマイクロポンプ
の組立て方法を説明する断面図。 第3図は第2図の断面個所を説明する平面構成図。 図において、1はSiウェーハ、2 、2a、2bは酸
化膜、3.3a、3b、3c、3dはエツチングマスク
パターン、4は未貫通孔、4aは貫通孔、5は弁、6,
6aはダイヤフラム、6bは弁膜、7は付勢膜、8はS
i基板、 9は上ガラス板、 10は下ガラス板、 11は流 路、 12は圧力室、 13は供給口、 14は吐出口、 15は 供給チューブ、 16は吐出チューブ、 17は圧電素子 板である。 以 上
Claims (2)
- (1)ダイヤフラム、流路、弁及び弁膜を湿式異方性エ
ッチングにより形成したSi基板をガラス基板でサンド
イッチした構造を有するマイクロポンプにおいて、前記
ダイヤフラム及び弁膜をSiウェーハの厚さ方向におい
て、弁が形成される側に偏在させて形成したことを特徴
とするマイクロポンプ。 - (2)(a)(100)面方位のSiウェーハに、片側
の面にダイヤフラム及び弁膜に相当するエッチング用マ
スクを形成し、 (b)前記Siウェーハの前記片側の面を湿式異方性エ
ッチングにより所定深さの凹部を形成し、 (c)前記Siウェーハの前記片側の面を酸化シリコン
膜でマスキングし、 (d)前記Siウェーハの前記片側の面と反対側の面に
貫通孔に相当するエッチング用マスクを形成し、 (e)前記Siウェーハの前記片側の面と反対側の面を
湿式異方性エッチングにより所定量エッチングして、前
記貫通孔になるべき凹部を形成し、 (f)前記Siウェーハの前記片側の面と反対側の面に
相当するエッチング用マスクを形成し、 (g)前記Siウェーハの前記片側の面と反対側の面を
所定量湿式異方性エッチングすることにより、所望形状
のダイヤフラム、弁、弁膜及び貫通孔を形成することを
特徴とする請求項1記載のマイクロポンプの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17870990A JPH0466786A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | マイクロポンプおよびその製造方法 |
DE69106240T DE69106240T2 (de) | 1990-07-02 | 1991-07-02 | Mikropumpe und Verfahren zur Herstellung einer Mikropumpe. |
US07/724,697 US5259737A (en) | 1990-07-02 | 1991-07-02 | Micropump with valve structure |
EP91306015A EP0465229B1 (en) | 1990-07-02 | 1991-07-02 | Micropump and process for manufacturing a micropump |
HK102097A HK102097A (en) | 1990-07-02 | 1997-06-26 | Micropump and process for manufacturing a micropump |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17870990A JPH0466786A (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | マイクロポンプおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0466786A true JPH0466786A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16053195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17870990A Pending JPH0466786A (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-06 | マイクロポンプおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0466786A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001156349A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Ricoh Co Ltd | 圧電アクチュエータ及び流体搬送ポンプ |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP17870990A patent/JPH0466786A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001156349A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Ricoh Co Ltd | 圧電アクチュエータ及び流体搬送ポンプ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5336062A (en) | Microminiaturized pump | |
US6334761B1 (en) | Check-valved silicon diaphragm pump and method of fabricating the same | |
Li et al. | Fabrication of a high frequency piezoelectric microvalve | |
WO2008069266A1 (ja) | 圧電マイクロブロア | |
JPH0842457A (ja) | マイクロポンプ | |
EP1296067B1 (en) | Passive microvalve | |
JP3202643B2 (ja) | マイクロポンプおよびマイクロポンプの製造方法 | |
JP3531027B2 (ja) | マイクロポンプおよびポンプシステム | |
JPH051669A (ja) | マイクロポンプ及びマイクロバルブの製造方法 | |
CN101303085B (zh) | 一种具有圆环面边界的微流体主动控制阀 | |
JP3130483B2 (ja) | マイクロポンプ | |
JPH0466784A (ja) | マイクロポンプおよびその製造方法 | |
JPH0466786A (ja) | マイクロポンプおよびその製造方法 | |
JPH02308988A (ja) | 圧電マイクロポンプ | |
JPH0466785A (ja) | マイクロポンプおよびその製造方法 | |
JP2007002924A (ja) | マイクロバルブ | |
JP2000087862A (ja) | マイクロポンプ及びその製造方法 | |
JP4206849B2 (ja) | マイクロポンプ及びその製造方法 | |
JP2001317647A (ja) | マイクロバルブおよびマイクロポンプ | |
JPH06264870A (ja) | マイクロポンプ | |
Yunas et al. | Investigation of simple process technology for the fabrication of valveless micropumps | |
JPH03233177A (ja) | マイクロポンプの製造方法 | |
JP2007162760A (ja) | マイクロバルブ | |
JP2004176802A (ja) | マイクロバルブ | |
JP2003275999A (ja) | マイクロバルブおよびその製造方法 |