JPH0465460B2

JPH0465460B2 -

Info

Publication number: JPH0465460B2
Application number: JP23043985A
Authority: JP
Inventors: Takashi Nishio; Hisashi Suemitsu
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 1985-10-16
Filing date: 1985-10-16
Publication date: 1992-10-20
Also published as: JPS6289249A

Description

【発明の詳細な説明】「産業上の利用分野」本発明は光学的に情報が記録された媒体から、
該情報を検出する光学式ピツクアツプ装置等にお
いて、偏光プリズム等の平面部に取付けるフオト
デイテクタ（光検出器）の構造に関する。

まず、光学式ピツクアツプ装置について第５図
に示す縦断面図で説明する。

上記の図面において、１は光学的に情報が記録
された光デイスク、２は該光デイスク１の記録情
報を読取るためのレーザ光を発生する光源本体
で、該光源本体２には半導体レーザチツプ３が取
付けられている。

光源本体２の先端には、後述する光学系４を構
成する偏光プリズム５の後面が固定されている。
この偏光プリズム５は光デイスク１からの反射光
を分離するもので、偏光プリズム５の前面には、
１／４波長板６が接着されている。更に、1/4波長板
６の前にはスペーサ７を介して光デイスク１上に
集束するマイクロフレネルレンズ（対物レンズ）
８が配置されている。９は上記の偏光プリズム５
の右側面に直接、接着された1/4波長板で、この
１／４波長板９の下半分には薄膜のナイフエツジ兼
反射膜（以後ナイフエツジと略記する）１０が形
成されている。また、1/4波長板９の右側には、
トラツキング用フオトデイテクタ１１が配置され
ている。

一方、偏光プリズム５の左側には、フオーカシ
ング用フオトデイテクタ１２が配置されている。

次に、上記の光学式ピツクアツプ装置の作用に
ついて説明する。

まず、光源本体２の半導体レーザチツプ３から
発射されたＰ偏光の光は、偏光プリズム５の偏光
膜を通過し、1/4波長板６によつて直線偏光から
円偏光に変えられる。この円偏光は対物レンズ８
によつて光デイスク１の情報記録面に集束され
る。

次いで、光デイスク１の情報記録面で反射され
た反射光は、入射時とは逆回転方向の円偏光に変
換される。そして、この円偏光は再び、1/4波長
板６を通過することによつて、今後は90゜偏光方
向の回転した直線偏光（Ｓ偏光）の光となり、偏
光プリズム５の偏光膜で右方向に光路を変更され
る。

そして、1/4波長板９を通過することにより、
再び円偏光に変換され、該1/4波長板９の上半部
を通過した光は、トラツキング用フオトデイテク
タ１１に到達し、トラツキングエラが検出され
る。一方、ナイフエツジ１０により反射されて光
路を折り曲げられた光は、入射時とは逆回転の円
偏光となり、再び1/4波長板９を通過することに
より、入射時と90゜だけ偏光方向が回転した（直
線偏光）Ｐ偏光の光となり、偏光プリズム５の偏
光膜を透過することにより、フオーカシング用フ
オトデイテクタ１２に到達し、フオーカシングエ
ラが検出される。

「発明が解決しようとする問題点」上記の光学式ピツクアツプ装置において、偏光
プリズム５の右側面には、1/4波長板９を介して
２個の受光素子から成るトラツキング用フオトデ
イテクタ１１が配置されている。また偏光プリズ
ム５の左側には、２個の受光素子から成るフオー
カシング用フオトデイテクタ１２が配置されてい
る。

そして、上記のトラツキング用フオトデイテク
タ１１及びフオーカシング用フオトデイテクタ１
２の受光面は、偏光プリズム５及び1/4波長板９
の平面部に対して、平行に取付ける必要がある。

しかし、上記の両フオトデイテクタ１１及び１
２を構成する２個の受光素子からは、半田付けに
よりリード線を引出す必要があるが、この半田付
けのためフオトデイテクタ１１及び１２の受光面
は凹凸となり、偏光プリズム５及び1/4波長板９
への取付けが困難となる。また、取付けたとして
も、２個の受光素子を偏光プリズム５及び1/4波
長板９の面と平行に取付けることはできないとい
う欠点があつた。

「問題点を解決するための手段」本発明は上記のような欠点を解決するために成
されたもので、受光本体とアダプタ部とから構成
され、受光本体には半導体基板と、この半導体基
板に形成された受光素子と、この受光素子に接続
された第１の接続用薄膜部とを設け、アダプタ部
には表面と所定の平面部に取付ける裏面とが平行
なガラス基板と、該ガラス基板の表面に形成さ
れ、上記の第１の接続用薄膜部と接続可能な第２
の接続用薄膜部及び第２の接続用薄膜部に接続さ
れたリード線を接続するための端子用薄膜部とを
設けた平面部に取付けるフオトデイテクタの構造
及びその組立方法を提供するのが目的である。

「発明の構成」以下、本発明を図面の実施例に基づいて説明す
る。第１図は本発明に係る平面部に取付けるフオ
トデイテクタ構造の分解状態の斜視図、第２図は
同組立て状態の斜視図、第３図のイ，ロ，ハ，ニ
はフオトデイテクタ構造の構成部品の製造工程
図、第４図のイ，ロ，ハはフオトデイテクタ構造
の組立工程図である。

上記の図面において、２１は受光本体で、２２
は該受光本体２１を構成する直方体形状の半導体
基板、２３ａ，２３ｂは該半導体基板２２の表面
（受光面）の中央部に形成された２個の受光素子
で、隣接状態で配置されている。また、半導体基
板２２の表面において、受光素子２３ａ，２３ｂ
の上部と下部には、それぞれ、導電性を有する直
方体形状の第１の接続用薄膜部２４ａ，２４ｂ及
び２５ａ，２５ｂが形成されており、一方の第１
の接続用薄膜部２４ａと２４ｂは受光素子２３
ａ，２３ｂのカソードに接続され、他方の第１の
接続用薄膜部２５ａと２５ｂは受光素子２３ａ，
２３ｂのアノードに接続されている。ここで、上
記の接続用薄膜部２４ａ，２４ｂ及び２５ａ，２
５ｂは、Alの薄膜を蒸着またはスパツタリング
法で形成する。

２６はアダプタ部で、２７は上記の半導体基板
２２より大形な直方体形状のガラス基板で、その
表面と裏面は平行に形成されている。そして、ガ
ラス基板２７の表面の上部には、上記の第１の接
続用薄膜部２４ａ，２４ｂを短絡する第２の接続
用薄膜部２８が形成され、その両側には該第２の
接続用薄膜部２８に接続された第３の端子用薄膜
部２９ａ，２９ｂが形成されている。また、ガラ
ス基板２７の表面の下部には、上記の第１の接続
用薄膜部２５ａと２５ｂと各列に接続される第２
の接続用薄膜部３０ａ，３０ｂが形成され、該薄
膜部３０ａと３０ｂの外側には、それぞれ第２の
接続用薄膜部３０ａ，３０ｂに接続された第３の
端子用薄膜部３１ａ，３１ｂが形成されている。

３２はガラス基板２７の表面に形成されたポリ
イミド樹脂等の保護膜で、この保護膜３２の中央
は、上記の受光素子２３ａ，２３ｂと同大の大き
さで剥離され、該受光素子２３ａ，２３ｂが侵入
する受光用窓３３が形成されている。また、保護
膜３２は接続用薄膜部２８、端子用薄膜部２９
ａ，１９ｂ、接続用薄膜部３０ａ，３０ｂ、端子
用薄膜部３１ａ，３１ｂとは接触せず、その外周
に間隙が形成されている。

ここで、上記のアダプタ部２６の製造法につい
て第３図のイ，ロ，ハ，ニにより説明する。

まず、第３図のイで示すように、ガラス基板２
７の表面において、接続用薄膜部２８、端子用薄
膜部２９ａ，２９ｂ、接続用薄膜部３ａ，３０
ｂ、端子用薄膜部３１ａ，３１ｂのパターン以外
の部分にレジスト３４を塗布する。

次いで、同図のロで示すように、ガラス基板２
７の表面の全体に、下層にCr、上層にAuまたは
下層にCr、上層にAgの薄膜３５を蒸着またはス
パツタリング法で形成した後、リフトオフ法等に
より上記のレジスト３４を除去すれば、第３図ハ
で示すように、接続用薄膜部２８、端子用薄膜部
２９ａ，２９ｂ、接続用薄膜部３０ａ，３０ｂ、
端子用薄膜部３１ａ，３１ｂ等が形成される。

次いで、第３図のニで示すように、接続用薄膜
部２８、端子用薄膜部２９ａ，２９ｂ等及び受光
用窓２３を除くガラス基板２７の表面に保護膜３
２を形成して完成である。

「発明の作用」次に、上記の実施例の組立て及び作用について
第４図のイ，ロ，ハを参照し説明する。

まず、第４図のイで示すように、アダプタ部２
６の端子用薄膜部２９ａ，２９ｂ、及び３１ａ，
３１ｂに、夫々、リード線３６をワイヤーボンデ
イング、半田付け等により接続する。また、接続
用薄膜部２８及び３０ａ，３０ｂの上に、エポキ
シ系、ポリイミド系等の熱硬化性樹脂の導電性接
着剤（クリームハンダ）３７を塗布する。

次いで、第４図のロで示すように、アダプタ部
２６の表面に対して、受光本体２１の受光部（表
面）を対向させると共に、接続用薄膜部２８に接
続用薄膜部２４ａ，２４ｂを対面させ、また、接
続用薄膜部３０ａ，３０ｂに接続用薄膜部２５
ａ，２５ｂを対面させて、受光本体２１にアダプ
タ部２６を接合する。そして、ホツトプレートあ
るいはオーブンで加熱して上記の導電性接着剤３
７は硬化させ、接続用薄膜部２８と接続用薄膜部
２４ａ，２４ｂ及び接続用薄膜部３０ａ，３０ｂ
と接続用薄膜部２５ａ，２５ｂを電気的に接続
し、受光用窓３３に受光素子２３ａ，２３ｂを配
置する。これによつて、受光素子２３ａ，２３ｂ
のカソードは、接続用薄膜部２８で接続されると
共に、リード線３６と接続され、受光素子２３
ａ，２３ｂの各アノードは、夫々、リード線３６
と接続される。

ここで、受光本体２１とアダプタ部２６との間
には空間部３８が形成され、ガラス基板２７と空
間部３８で屈曲率変化が生じるので、これを防止
するため等の理由により、空間部３８及びリード
線３６の接続部上に、ガラス基板２７と同一の屈
折率を有する例えば、ポリエステル樹脂等の樹脂
３９を注入あるいは塗布して硬化させることが望
ましい。

以上のようにして組立てが完了したならば、ア
ダプタ部２６の裏面を図示しない偏光プリズムあ
るいは波長板の所定の位置に取付けるのである。

「発明の効果」本発明は叙上のように、受光本体２１とアダプ
タ部２６とから構成され、受光本体２１には、半
導体基板２２と、この半導体基板２２に形成され
た受光素子２３ａ，２３ｂと、この受光素子２３
ａ，２３ｂに接続された第１の接続用薄膜部２４
ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂとを設け、アダプタ
部２６には表面と所望の平面部に取付ける裏面と
が平行なガラス基板２７と、該ガラス基板２７の
表面に形成され、上記の第１の接続用薄膜部２４
ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂと接続可能な第２の
接続用薄膜部２８，３０ａ，３０ｂ及びこの接続
用薄膜部２８，３０ａ，３０ｂに接続されたリー
ド線３６を接続するための端子用薄膜部２９ａ，
２９ｂ，３１ａ，３１ｂとを設けたで、受光本体
２１の受光面の状態に関係なく、アダプタ部２６
のガラス基板２７の裏面により、所定の平面部に
平行に、かつ確実に取付けることができる。

また、アダプタ部２６の端子用薄膜部２９ａ，
２９ｂ，３１ａ，３１ｂにリード線３６を接続す
ると共に、第２の接続用薄膜部２８，３０ａ，３
０ｂに熱硬化性樹脂の導電性接着剤３７を塗布す
る第１の工程と、アダプタ部２６の第２の接続用
薄膜部２８，３０ａ，３０ｂに対して受光本体２
１の第１の接続用薄膜部２４ａ，２４ｂ，２５
ａ，２５ｂを対向して接合した後、加熱により上
記の導電性接着剤３７を硬化させて、受光本体２
１とアダプタ部２６とを接続する第２の工程とか
ら構成したので、組立工程が簡単となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る平面部に取付けるフオト
デイテクタ構造の分解状態の斜視図、第２図は同
組立て状態の斜視図、第３図のイ，ロ，ハ，ニは
フオトデイテクタ構造の構成部品の製造工程図、
第４図のイ，ロ，ハはフオトデイテクタ構造の組
立工程図、第５図は光学式ピツクアツプ装置の縦
断面図である。２１……受光本体、２２……半導体基板、２３
ａ，２３ｂ……受光素子、２４ａ，２４ｂ，２５
ａ，２５ｂ……第１の接続用薄膜部、２７……ガ
ラス基板、２８，３０ａ，３０ｂ……第２の接続
用薄膜部、２９ａ，２９ｂ，３１ａ，３１ｂ……
端子用薄膜部、３２……保護膜部、３６……リー
ド線、３７……導電性接着剤、３８……空間部、
３９……樹脂。

Claims

【特許請求の範囲】１受光本体とアダプタ部とから構成され、受光
本体には半導体基板と、この半導体基板に形成さ
れた受光素子と、この受光素子に接続された第１
の接続用薄膜部とを設け、アダプタ部には表面と
所定の平面部に取付ける裏面とが平行なガラス基
板と、該ガラス基板の表面に形成され、上記の第
１の接続用薄膜部と接続可能な第２の接続用薄膜
部及び第２の接続用薄膜部に接続されたリード線
を接続するための端子用薄膜部とを設けたことを
特徴とする平面部に取付けるフオトデイテクタの
構造。２受光本体とアダプタ部との空間部に樹脂を充
填したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の平面部に取付けるフオトデイテクタの構造。３アダプタ部の端子用薄膜部にリード線を接続
すると共に、第２の接続用薄膜部に熱硬化性樹脂
の導電性接着剤を塗布する第１の工程と、アダプ
タ部の第２の接続用薄膜部に対して受光本体の第
１の接続用薄膜部を対向して接合した後、加熱に
より上記の導電性接着剤を硬化させて、受光本体
とアダプタ部とを接続する第２の工程とから構成
したことを特徴とする平面部に取付けるフオトデ
イテクタの組立方法。