JPH0465147A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH0465147A JPH0465147A JP2176428A JP17642890A JPH0465147A JP H0465147 A JPH0465147 A JP H0465147A JP 2176428 A JP2176428 A JP 2176428A JP 17642890 A JP17642890 A JP 17642890A JP H0465147 A JPH0465147 A JP H0465147A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｓ ＴＭ （Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌ Ｍｉｃ
ｒｏｓｃｏｐｙ）の原理を応用して、サブオングストロ
ームオーダーの位置決め・加工をなすことを可能にする
半導体装置の製造装置に関し、 ＳＴＭ式位置決め・加工方式にもとづいて、位置決めと
加工とを、三次元的に、しかも、再現性よく、サブオン
グストロームオーダーの精度で実行することができる半
導体装置の製造装置を捷供することを目的とし、 支持体と、この支持体から突出し、圧電体の棒状体とこ
の棒状体の両面に貼着される電極とよりなる棒状圧電素
子とこの棒状圧電素子に貼着される導電材よりなる給電
路とよりなる、位置決め用のカンチレバー型探針と、こ
の位置決め用カンチレバー型探針から離隔して、前記の
支持体から突出し、先端が前記の位置決め用のカンチレ
バー型探針の先端に近接して配設されており、圧電体の
棒状体とこの棒状体の両面に貼着される電極とよりなる
棒状圧電素子とこの棒状圧電素子に貼着されている給電
路とよりなる、加工用のカンチレバー型探針と、前記の
位置決め用のカンチレバー型探針の給電路を介して前記
の位置決め用のカンチレバー型探針の前記の先端と被位
置決め・加工体との間にトンネル電流を供給し、このト
ンネル電流に応答して前記の位置決め用のカンチレバー
型探針の前記の電極に位置決め用電圧を印加する位置決
め用カンチレバー型探針制御手段と、前記の加工用のカ
ンチレバー型探針の前記の給電路を介して前記の加工用
のカンチレバー型探針の前記の先端と前記の被位置決め
・加工体との間にトンネル電流を供給し、このトンネル
電流に応答して前記の加工用のカンチレバー型探針の前
記の電極に位置決め用電圧を印加し、予め設定された圧
力を前記の先端と前記の被位置決め・加工体との間に印
加すること−なる変位を前記の加工用のカンチレバー型
探針に与えること＼なる加工用電圧を印加する加工用の
カンチレバー型探針制御手段とを有し、ＳＴＭ方式にも
とづいて、位置決め・加工をなすことが可能である半導
体装１の製造装置をもって構成される。
ｒｏｓｃｏｐｙ）の原理を応用して、サブオングストロ
ームオーダーの位置決め・加工をなすことを可能にする
半導体装置の製造装置に関し、 ＳＴＭ式位置決め・加工方式にもとづいて、位置決めと
加工とを、三次元的に、しかも、再現性よく、サブオン
グストロームオーダーの精度で実行することができる半
導体装置の製造装置を捷供することを目的とし、 支持体と、この支持体から突出し、圧電体の棒状体とこ
の棒状体の両面に貼着される電極とよりなる棒状圧電素
子とこの棒状圧電素子に貼着される導電材よりなる給電
路とよりなる、位置決め用のカンチレバー型探針と、こ
の位置決め用カンチレバー型探針から離隔して、前記の
支持体から突出し、先端が前記の位置決め用のカンチレ
バー型探針の先端に近接して配設されており、圧電体の
棒状体とこの棒状体の両面に貼着される電極とよりなる
棒状圧電素子とこの棒状圧電素子に貼着されている給電
路とよりなる、加工用のカンチレバー型探針と、前記の
位置決め用のカンチレバー型探針の給電路を介して前記
の位置決め用のカンチレバー型探針の前記の先端と被位
置決め・加工体との間にトンネル電流を供給し、このト
ンネル電流に応答して前記の位置決め用のカンチレバー
型探針の前記の電極に位置決め用電圧を印加する位置決
め用カンチレバー型探針制御手段と、前記の加工用のカ
ンチレバー型探針の前記の給電路を介して前記の加工用
のカンチレバー型探針の前記の先端と前記の被位置決め
・加工体との間にトンネル電流を供給し、このトンネル
電流に応答して前記の加工用のカンチレバー型探針の前
記の電極に位置決め用電圧を印加し、予め設定された圧
力を前記の先端と前記の被位置決め・加工体との間に印
加すること−なる変位を前記の加工用のカンチレバー型
探針に与えること＼なる加工用電圧を印加する加工用の
カンチレバー型探針制御手段とを有し、ＳＴＭ方式にも
とづいて、位置決め・加工をなすことが可能である半導
体装１の製造装置をもって構成される。
本発明は、Ｓ ＴＭ （Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅ
ｌ Ｍｉｃｒｏｓ−ｃｏｐｙ）の原理を利用して、サブ
オングストロームオーダーの位置決め・加工をなすこと
を可能にする半導体装置の製造装置に関する。
ｌ Ｍｉｃｒｏｓ−ｃｏｐｙ）の原理を利用して、サブ
オングストロームオーダーの位置決め・加工をなすこと
を可能にする半導体装置の製造装置に関する。
次世代の半導体デバイスに要求される超高密度化、超高
速化、多機能化を実現するための超高精度加工法として
、Ｓ７Ｍ原理の応用が注目されている。
速化、多機能化を実現するための超高精度加工法として
、Ｓ７Ｍ原理の応用が注目されている。
Ｓ７Ｍ原理を応用した従来のＳＴＭ式位置決め・加工装
置について、第９図を参照して説明する。
置について、第９図を参照して説明する。
なお、第９図は、ＳＴＭ式位置決め・加工装置のうち、
本発明の要旨に係るカンチレバー型探針の構成を示して
いる。支持体１から二酸化シリコンよりなる１個のカン
チレバー１９が突出し、このカンチレバー１９上に圧電
体の棒状体１１とこの棒状体１】の両面に貼着された電
極１３とよりなる棒状圧電素子１０が貼着されており、
さらに、電極１３の先端２０とカンチレバー１９の先端
２０とは、複数の端子１４のそれぞれと、それぞれの給
電路１５をもって接続されている。
本発明の要旨に係るカンチレバー型探針の構成を示して
いる。支持体１から二酸化シリコンよりなる１個のカン
チレバー１９が突出し、このカンチレバー１９上に圧電
体の棒状体１１とこの棒状体１】の両面に貼着された電
極１３とよりなる棒状圧電素子１０が貼着されており、
さらに、電極１３の先端２０とカンチレバー１９の先端
２０とは、複数の端子１４のそれぞれと、それぞれの給
電路１５をもって接続されている。
カンチレバー型探針２］の先端２０に給電路１５を介し
て電圧を印加して、この先端２０を被位置決め・加工体
に極めて接近させると、先端２０と被位置決め・加工体
との間にトンネル電流が流れるので、このトンネル電流
の大きさに応答して棒状圧電素子１０の電極１３間に電
圧を印加して、カンチレバー型探針２］の先端２０を変
位させて位置決めを行う。
て電圧を印加して、この先端２０を被位置決め・加工体
に極めて接近させると、先端２０と被位置決め・加工体
との間にトンネル電流が流れるので、このトンネル電流
の大きさに応答して棒状圧電素子１０の電極１３間に電
圧を印加して、カンチレバー型探針２］の先端２０を変
位させて位置決めを行う。
加工する場合には、予め設定された圧力をカンチレバー
型探針２］の先端２０と被位置決め・加工体との間に印
加するのに必要な変位をカンチレバー型探針２］に発生
させるように、棒状圧電素子１０の電極１３間に電圧を
印加する。
型探針２］の先端２０と被位置決め・加工体との間に印
加するのに必要な変位をカンチレバー型探針２］に発生
させるように、棒状圧電素子１０の電極１３間に電圧を
印加する。
〔発明が解決しようとする課題］
従来のＳＴＭ式位置決め・加工装置においては、１本の
カンチレバー型探針２］をもって位置決めと加工との両
方を実行しているので、カンチレバー型探針２］の探針
方向のみの加工は可能であるが、三次元的な加工は不可
能である。また、加工時にカンチレバー型探針２］の先
端２０が加圧されて変形するので、加工の前後において
位置決めの機能に変化が生じて再現性がなくなり、実用
上の障害となっている。
カンチレバー型探針２］をもって位置決めと加工との両
方を実行しているので、カンチレバー型探針２］の探針
方向のみの加工は可能であるが、三次元的な加工は不可
能である。また、加工時にカンチレバー型探針２］の先
端２０が加圧されて変形するので、加工の前後において
位置決めの機能に変化が生じて再現性がなくなり、実用
上の障害となっている。
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
ＳＴＭ式位置決め・加工方式を使用して、位置決めと加
工とを、３次元的に、しかも、再現性よく、サブオング
ストロームオーダーの精度で実行することができる半導
体装置の製造装置を提供することにある。
ＳＴＭ式位置決め・加工方式を使用して、位置決めと加
工とを、３次元的に、しかも、再現性よく、サブオング
ストロームオーダーの精度で実行することができる半導
体装置の製造装置を提供することにある。
上記の目的は、下記いづれの手段によっても達成される
。
。
第１の手段は、支持体（１）と、この支持体（１）から
突出し、圧電体の棒状体（１１）とこの棒状体（１１）
の両面に貼着される電極（１３）とよりなる棒状圧電素
子（１０）とこの棒状圧電素子（１０）に貼着される導
電材よりなる給電路（１５）とよりなる、位置決め用の
カンチレバー型探針（２３）と、この位置決め用カンチ
レバー型探針（２３）から離隔して、前記の支持体（１
）から突出し、先端（７・９）が前記の位置決め用のカ
ンチレバー型探針（２３）の先端（８）に近接して配設
されており、圧電体の棒状体（１１）とこの棒状体（１
１）の両面に貼着される電極（１３）とよりなる棒状圧
電素子（１０）とこの棒状圧電素子（１０）に貼着され
ている給電路（１５）とよりなる、加工用のカンチレバ
ー型探針（２２・２４）と、前記の位置決め用のカンチ
レバー型探針（２３）の給電路（１５）を介して前記の
位置決め用のカンチレバー型探針（２３）の前記の先端
（８）と被位置決め・加工体（１８）との間にトンネル
電流を供給し、このトンネル電流に応答して前記の位置
決め用のカンチレバー型探針（２３）の前記の電極（１
３）に位置決め用電圧を印加する位置決め用カンチレバ
ー型探針制御手段（１６）と、前記の加工用のカンチレ
バー型探針（２２・２４）の前記の給電路（１５）を介
して前記の加工用のカンチレバー型探針（２２・２４）
の前記の先端（７・９）と前記の被位置決め・加工体（
１８）との間にトンネル電流を供給し、このトンネル電
流に応答して前記の加工用のカンチレバー型探針（２２
・２４）の前記の電極（１３）に位置決め用電圧を印加
し、予め設定された圧力を前記の先端（７・９）と前記
の被位置決め・加工体（１８）との間に印加すること＼
なる変位を前記の加工用のカンチレバー型探針（２２・
２４）に与えること＼なる加工用電圧を印加する加工用
のカンチレバー型探針制御手段（１７）とを有し、ＳＴ
Ｍ方式にもとづいて、位置決め・加工をすることができ
る半導体装置の製造装置である。
突出し、圧電体の棒状体（１１）とこの棒状体（１１）
の両面に貼着される電極（１３）とよりなる棒状圧電素
子（１０）とこの棒状圧電素子（１０）に貼着される導
電材よりなる給電路（１５）とよりなる、位置決め用の
カンチレバー型探針（２３）と、この位置決め用カンチ
レバー型探針（２３）から離隔して、前記の支持体（１
）から突出し、先端（７・９）が前記の位置決め用のカ
ンチレバー型探針（２３）の先端（８）に近接して配設
されており、圧電体の棒状体（１１）とこの棒状体（１
１）の両面に貼着される電極（１３）とよりなる棒状圧
電素子（１０）とこの棒状圧電素子（１０）に貼着され
ている給電路（１５）とよりなる、加工用のカンチレバ
ー型探針（２２・２４）と、前記の位置決め用のカンチ
レバー型探針（２３）の給電路（１５）を介して前記の
位置決め用のカンチレバー型探針（２３）の前記の先端
（８）と被位置決め・加工体（１８）との間にトンネル
電流を供給し、このトンネル電流に応答して前記の位置
決め用のカンチレバー型探針（２３）の前記の電極（１
３）に位置決め用電圧を印加する位置決め用カンチレバ
ー型探針制御手段（１６）と、前記の加工用のカンチレ
バー型探針（２２・２４）の前記の給電路（１５）を介
して前記の加工用のカンチレバー型探針（２２・２４）
の前記の先端（７・９）と前記の被位置決め・加工体（
１８）との間にトンネル電流を供給し、このトンネル電
流に応答して前記の加工用のカンチレバー型探針（２２
・２４）の前記の電極（１３）に位置決め用電圧を印加
し、予め設定された圧力を前記の先端（７・９）と前記
の被位置決め・加工体（１８）との間に印加すること＼
なる変位を前記の加工用のカンチレバー型探針（２２・
２４）に与えること＼なる加工用電圧を印加する加工用
のカンチレバー型探針制御手段（１７）とを有し、ＳＴ
Ｍ方式にもとづいて、位置決め・加工をすることができ
る半導体装置の製造装置である。
第２の手段は、上記の構成において、先端が互いに近接
するように配接されている、複数の位置決め用カンチレ
バー型探針を有する半導体装置の製造装置である。
するように配接されている、複数の位置決め用カンチレ
バー型探針を有する半導体装置の製造装置である。
第３の手段は、上記のいずれの構成においても、先端が
互いに近接するように配接されている、複数の加工用カ
ンチレバー型探針を有する半導体装置の製造装置えある
。
互いに近接するように配接されている、複数の加工用カ
ンチレバー型探針を有する半導体装置の製造装置えある
。
本発明に係る半導体装置の製造装置の要部を構成するＳ
ＴＭ式位置決め・加工装置においては、位置決め用のカ
ンチレバー型探針と加工用のカンチレバー型探針とはそ
れぞれ独立して形成されているので、位置決め用のカン
チレバー型探針の先端は変形することがなく、加工の前
後において位置決めの機能に変化が生ずることがない、
また、位置決め用のカンチレバー型探針と加工用のカン
チレバー型探針とをそれぞれ複数個設けることによって
、３次元的な位置決め及び加工が可能になる。
ＴＭ式位置決め・加工装置においては、位置決め用のカ
ンチレバー型探針と加工用のカンチレバー型探針とはそ
れぞれ独立して形成されているので、位置決め用のカン
チレバー型探針の先端は変形することがなく、加工の前
後において位置決めの機能に変化が生ずることがない、
また、位置決め用のカンチレバー型探針と加工用のカン
チレバー型探針とをそれぞれ複数個設けることによって
、３次元的な位置決め及び加工が可能になる。
以下、図面を参照しつ−、本発明の一実施例に係るＳＴ
Ｍ式位置決め・加工方式にもとづいて、位置決めと加工
とを三次元になすことができる半導体装置の製造装置に
ついて説明する。
Ｍ式位置決め・加工方式にもとづいて、位置決めと加工
とを三次元になすことができる半導体装置の製造装置に
ついて説明する。
第３図・第４図参照
シリコン（１００）基板１の両面にそれぞれ二酸化シリ
コン１！２・３を２ｎ程度の厚さに形成し、上面の二酸
化シリコン膜２をパターニングして、第３図に示す形状
に残留し、また、下面の二酸化シリコン１１３を上面の
パターンに対応してバターニングして、第４図に示す形
状に残留する。
コン１！２・３を２ｎ程度の厚さに形成し、上面の二酸
化シリコン膜２をパターニングして、第３図に示す形状
に残留し、また、下面の二酸化シリコン１１３を上面の
パターンに対応してバターニングして、第４図に示す形
状に残留する。
第５図参照
異方性エツチングをなして、二酸化シリコン膜２・３に
覆われていない開城のシリコン基板１を除去し、二酸化
シリコンＩＩ２よりなり、長さ１０μ程度の３個のカン
チレバー４・５・６を形成し、カンチレバー４・５・６
のそれぞれの先端７・８・９にスパッタ法を使用してタ
ングステンを被膜する。
覆われていない開城のシリコン基板１を除去し、二酸化
シリコンＩＩ２よりなり、長さ１０μ程度の３個のカン
チレバー４・５・６を形成し、カンチレバー４・５・６
のそれぞれの先端７・８・９にスパッタ法を使用してタ
ングステンを被膜する。
第６図・第７図参照
３本のカンチレバー４・５・６のそれぞれの上に、第６
図に示すように、棒状圧電素子１０をスパッタ法を使用
して形成する。棒状圧電素子１０は、第７図にその断面
図を示すように、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜よりなる圧電体
の棒状体１１の両面に二酸化シリコンＷＩ１１２を介し
てタングステン膜よりなる電極１３が形成された積層体
を複数組重ねたものであり、第７図には、２組重ねた状
態を示す。
図に示すように、棒状圧電素子１０をスパッタ法を使用
して形成する。棒状圧電素子１０は、第７図にその断面
図を示すように、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜よりなる圧電体
の棒状体１１の両面に二酸化シリコンＷＩ１１２を介し
てタングステン膜よりなる電極１３が形成された積層体
を複数組重ねたものであり、第７図には、２組重ねた状
態を示す。
次に、第６図に示すように、カンチレバー４・５・６の
それぞれの先端７・８・９及びカンチレバー４・５・６
のそれぞれの上に形成された圧電素子１０のそれぞれの
電極１３（第６図に図示されておらず、第７図参照のこ
と）を給電路１５のそれぞれをもってそれぞれ複数個の
端子１４のそれぞれと接続し、それぞれ、カンチレバー
型探針２２・２３・２４を完成する。
それぞれの先端７・８・９及びカンチレバー４・５・６
のそれぞれの上に形成された圧電素子１０のそれぞれの
電極１３（第６図に図示されておらず、第７図参照のこ
と）を給電路１５のそれぞれをもってそれぞれ複数個の
端子１４のそれぞれと接続し、それぞれ、カンチレバー
型探針２２・２３・２４を完成する。
第８図参照
第８図に示すように、１個のカンチレバー上に棒状圧電
素子１０を４組組み合わせて形成し、端面に斜線を施し
た圧電素子に電圧を印加すると、同図（ａ） ・ （
ｂ） ・ （ｃ） ・ （ｄ）に示すように、カン
チレバーを３次元的に変位させることが可能である。
素子１０を４組組み合わせて形成し、端面に斜線を施し
た圧電素子に電圧を印加すると、同図（ａ） ・ （
ｂ） ・ （ｃ） ・ （ｄ）に示すように、カン
チレバーを３次元的に変位させることが可能である。
第１図参照
第５図のＡ−Ａ ′線及びＢ−Ｂ ’線にそって切断し
て第１図に示すＳＴＭ式位置決め・加工装置の主要部を
形成する０図において、１はシリコンよりなる支持体で
あり、２及び３は二酸化シリコン膜であり、２２．２３
．２４はカンチレバー型探針であり、それぞれカンチレ
バー４・５・６と棒状圧電素子１０とからなっている。
て第１図に示すＳＴＭ式位置決め・加工装置の主要部を
形成する０図において、１はシリコンよりなる支持体で
あり、２及び３は二酸化シリコン膜であり、２２．２３
．２４はカンチレバー型探針であり、それぞれカンチレ
バー４・５・６と棒状圧電素子１０とからなっている。
７・８・９はそれぞれカンチレバー型探針２２・２３・
２４の先端であってタングステンが被膜されており、１
４は複数の端子であって、カンチレバー型探針の先端７
・８・９及び棒状圧電素子１０の電極１３とそれぞれ給
を路１５をもって接続されている。
２４の先端であってタングステンが被膜されており、１
４は複数の端子であって、カンチレバー型探針の先端７
・８・９及び棒状圧電素子１０の電極１３とそれぞれ給
を路１５をもって接続されている。
第２図参照
本発明に係る半導体装置の製造装置の要部をなすＳＴＭ
式位置決め・加工装置を使用して、第２図に示すように
、段差を有する試料１８の段差部の側壁に１〜５ｎ−程
度のくぼみを形成する場合について説明する。
式位置決め・加工装置を使用して、第２図に示すように
、段差を有する試料１８の段差部の側壁に１〜５ｎ−程
度のくぼみを形成する場合について説明する。
先ず、第１図に示す主要部が組み込まれたＳＴＭ式位置
決め・加工装置を操作して、試料１８の段差部とカンチ
レバー型探針２２・２３・２４との相対位置関係がお−
むね第２図に示す状態になるように位置合わせをする。
決め・加工装置を操作して、試料１８の段差部とカンチ
レバー型探針２２・２３・２４との相対位置関係がお−
むね第２図に示す状態になるように位置合わせをする。
（ＳＴＭ式位置決め・加工装置の全体構成図を示すと複
雑になり、かえって本発明の要旨の理解を妨げるので、
第２図には本発明の要旨に係る主要部のみを示す、） 位置決め用のカンチレバー型探針制御手段１６を使用し
て、位置決め用のカンチレバー型探針２３の先端と試料
１８との間に端子１４と給電路１５を介してトンネル電
流を流し、このトンネル電流の大きさに応答して、位置
決め用のカンチレバー型探針２３の圧電素子の電極間に
電圧を印加して位置決め用のカンチレバー型探針２３を
Ｚ方向に変位させて位置決めを行う０次に、加工用のカ
ンチレバー型探針制御手段１７を使用して、加工用のカ
ンチレバー型探針２２・２４の先端と試料１８との間に
トンネル電流を流し、このトンネル電流の大きさに応答
して加工用のカンチレバー型探針２２・２４の圧電素子
の電極間に電圧を印加して加工用のカンチレバー型探針
２２・２４をｘ−ｙ平面内において位置決めした後、予
め設定された加工用の圧力を加工用のカンチレバー型探
針２２・２４の先端７・９と試料１８との間に印加する
のに必要な変位を発注させることができる電圧を加工用
のカンチレバー型探針２２・２４の圧電素子の電極間に
印加して、予め設定された大きさのくぼみを試料１８の
段差部の側壁に形成すなお、本実施例においては、位置
決め用のカンチレバー型探針１個と加工用のカンチレバ
ー型探針２個とををするＳＴＭ式の位置決め・加工装置
を有する半導体装置の製造装置について記載したが、位
置決め用のカンチレバー型探針と加工用のカンチレバー
型探針とは少なくとも１個づ−あればよく、カンチレバ
ー型探針の数及び配置は、それぞれ被加工体の形状及び
被位置決め・加工個所に応じて選定されるものである。
雑になり、かえって本発明の要旨の理解を妨げるので、
第２図には本発明の要旨に係る主要部のみを示す、） 位置決め用のカンチレバー型探針制御手段１６を使用し
て、位置決め用のカンチレバー型探針２３の先端と試料
１８との間に端子１４と給電路１５を介してトンネル電
流を流し、このトンネル電流の大きさに応答して、位置
決め用のカンチレバー型探針２３の圧電素子の電極間に
電圧を印加して位置決め用のカンチレバー型探針２３を
Ｚ方向に変位させて位置決めを行う０次に、加工用のカ
ンチレバー型探針制御手段１７を使用して、加工用のカ
ンチレバー型探針２２・２４の先端と試料１８との間に
トンネル電流を流し、このトンネル電流の大きさに応答
して加工用のカンチレバー型探針２２・２４の圧電素子
の電極間に電圧を印加して加工用のカンチレバー型探針
２２・２４をｘ−ｙ平面内において位置決めした後、予
め設定された加工用の圧力を加工用のカンチレバー型探
針２２・２４の先端７・９と試料１８との間に印加する
のに必要な変位を発注させることができる電圧を加工用
のカンチレバー型探針２２・２４の圧電素子の電極間に
印加して、予め設定された大きさのくぼみを試料１８の
段差部の側壁に形成すなお、本実施例においては、位置
決め用のカンチレバー型探針１個と加工用のカンチレバ
ー型探針２個とををするＳＴＭ式の位置決め・加工装置
を有する半導体装置の製造装置について記載したが、位
置決め用のカンチレバー型探針と加工用のカンチレバー
型探針とは少なくとも１個づ−あればよく、カンチレバ
ー型探針の数及び配置は、それぞれ被加工体の形状及び
被位置決め・加工個所に応じて選定されるものである。
以上説明せるとおり、本発明に係る、ＳＴＭ式位置決め
・加工方式にもとづいて、位置決めと加工とを三次元的
になすことができる半導体装置の製造装置においては、
位置決め用のカンチレバー型探針と加工用のカンチレバ
ー型探針とがそれぞれ独立して設けられているので、位
置決め用のカンチレバー型探針の先端が加工時に変形す
ることがなく、再現性よく位置決めをすることができる
。
・加工方式にもとづいて、位置決めと加工とを三次元的
になすことができる半導体装置の製造装置においては、
位置決め用のカンチレバー型探針と加工用のカンチレバ
ー型探針とがそれぞれ独立して設けられているので、位
置決め用のカンチレバー型探針の先端が加工時に変形す
ることがなく、再現性よく位置決めをすることができる
。
また、カンチレバー型探針を複数個設けることによって
、３次元的な位置決め及び加工をなすことが可能である
。
、３次元的な位置決め及び加工をなすことが可能である
。
第１図は、本発明に係る、ＳＴＭ式位置決め・加工方式
にもとづいて、位置決めと加工とを三次元的になすこと
ができる半導体装置の製造装置の主要部の構成図である
。 第２図は、本発明に係る、ＳＴＭ式位置決め・加工方式
にもとづいて、位置決めと加工とを三次元的になすこと
ができる半導体装置の製造装置を使用してなす位置決め
・加工をなす工程の説明図である。 第３図〜第６図は、本発明に係る、ＳＴＭ式位置決め・
加工方式にもとづいて、位置決めと加工とを三次元的に
なすことができる半導体装置の製造装置の要旨に係る位
置決め・加工装置の製造工程図である。 第７図は、圧電素子の構成図である。 第８図は、カンチレバーの３次元駆動の説明図である。 第９図は、従来技術に係るＳＴＭ式位置決め・加工装置
の主要部の構成図である。 １・・・支持体（シリコン基板）、 ２．３・・・二酸化シリコン膜、 ４．５．６．１９・・・カンチレバー ７．８．９．２０・・先端、 ｌＯ・・・圧電素子、 １１・・・酸化亜鉛膜、 １２・・・二酸化シリコン膜、 １３・・・タングステン膜よりなる電極、１４・・・端
子、 １５・・・給電路、 １６・・・位置決め用カンチレバー型探針制御手段、１
７・・・加工用カンチレバー型探針制御手段、１８・・
・被位置決め・加工体、 ２］・・・カンチレバー型探針、 ２２・２４・・・加工用のカンチレバー型探針、２３・ ・位置決め用のカンチレバー型探針。
にもとづいて、位置決めと加工とを三次元的になすこと
ができる半導体装置の製造装置の主要部の構成図である
。 第２図は、本発明に係る、ＳＴＭ式位置決め・加工方式
にもとづいて、位置決めと加工とを三次元的になすこと
ができる半導体装置の製造装置を使用してなす位置決め
・加工をなす工程の説明図である。 第３図〜第６図は、本発明に係る、ＳＴＭ式位置決め・
加工方式にもとづいて、位置決めと加工とを三次元的に
なすことができる半導体装置の製造装置の要旨に係る位
置決め・加工装置の製造工程図である。 第７図は、圧電素子の構成図である。 第８図は、カンチレバーの３次元駆動の説明図である。 第９図は、従来技術に係るＳＴＭ式位置決め・加工装置
の主要部の構成図である。 １・・・支持体（シリコン基板）、 ２．３・・・二酸化シリコン膜、 ４．５．６．１９・・・カンチレバー ７．８．９．２０・・先端、 ｌＯ・・・圧電素子、 １１・・・酸化亜鉛膜、 １２・・・二酸化シリコン膜、 １３・・・タングステン膜よりなる電極、１４・・・端
子、 １５・・・給電路、 １６・・・位置決め用カンチレバー型探針制御手段、１
７・・・加工用カンチレバー型探針制御手段、１８・・
・被位置決め・加工体、 ２］・・・カンチレバー型探針、 ２２・２４・・・加工用のカンチレバー型探針、２３・ ・位置決め用のカンチレバー型探針。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］支持体（１）と、 該支持体（１）から突出し、圧電体の棒状体（１１）と
該棒状体（１１）の両面に貼着される電極（１３）とよ
りなる棒状圧電素子（１０）と該棒状圧電素子（１０）
に貼着される導電材よりなる給電路（１５）とよりなる
、位置決め用のカンチレバー型探針（２３）と、 該位置決め用カンチレバー型探針（２３）から離隔して
、前記支持体（１）から突出し、先端（７・９）が前記
位置決め用のカンチレバー型探針（２３）の先端（８）
に近接して配設されてなり、圧電体の棒状体（１１）と
該棒状体（１１）の両面に貼着される電極（１３）とよ
りなる棒状圧電素子（１０）と該棒状圧電素子（１０）
に貼着されてなる給電路（１５）とよりなる、加工用の
カンチレバー型探針（２２・２４）と、 前記位置決め用のカンチレバー型探針（２３）の給電路
（１５）を介して前記位置決め用のカンチレバー型探針
（２３）の前記先端（８）と被位置決め・加工体（１８
）との間にトンネル電流を供給し、該トンネル電流に応
答して前記位置決め用のカンチレバー型探針（２３）の
前記電極（１３）に位置決め用電圧を印加する位置決め
用カンチレバー型探針制御手段（１６）と、 前記加工用のカンチレバー型探針（２２・２４）の前記
給電路（１５）を介して前記加工用のカンチレバー型探
針（２２・２４）の前記先端（７・９）と前記被位置決
め・加工体（１８）との間にトンネル電流を供給し、該
トンネル電流に応答して前記加工用のカンチレバー型探
針（２２・２４）の前記電極（１３）に位置決め用電圧
を印加し、予め設定された圧力を前記先端（７・９）と
前記被位置決め・加工体（１８）との間に印加すること
ゝなる変位を前記加工用のカンチレバー型探針（２２・
２４）に与えることゝなる加工用電圧を印加する加工用
のカンチレバー型探針制御手段（１７）と を有し、 ＳＴＭ方式にもとづいて、位置決め・加工をなすことが
可能である ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 ［２］先端が互いに近接するように配接されてなる、複
数の位置決め用カンチレバー型探針を有することを特徴
とする請求項［１」記載の半導体装置の製造装置。 ［３］先端が互いに近接するように配接されてなる、複
数の加工用カンチレバー型探針を有することを特徴とす
る請求項［１］または［２］記載の半導体装置の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176428A JPH0465147A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2176428A JPH0465147A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465147A true JPH0465147A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16013532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2176428A Pending JPH0465147A (ja) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465147A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339354A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Tdk Corp | 半導体ｉｃ及びその製造方法、並びに、半導体ｉｃ内蔵モジュール及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-05 JP JP2176428A patent/JPH0465147A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339354A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Tdk Corp | 半導体ｉｃ及びその製造方法、並びに、半導体ｉｃ内蔵モジュール及びその製造方法 |
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