JPH0462878A - 磁電変換装置及び変位検出装置 - Google Patents
磁電変換装置及び変位検出装置Info
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- JPH0462878A JPH0462878A JP2166241A JP16624190A JPH0462878A JP H0462878 A JPH0462878 A JP H0462878A JP 2166241 A JP2166241 A JP 2166241A JP 16624190 A JP16624190 A JP 16624190A JP H0462878 A JPH0462878 A JP H0462878A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気抵抗索子等の磁電変換素子からなる磁電変
換装置に係り、特に無接点スイッチ、非接触ポリコーム
(ポテンショメータ)、磁気スケール、モータ等の回転
制御に最適な磁電変換装置に関する。
換装置に係り、特に無接点スイッチ、非接触ポリコーム
(ポテンショメータ)、磁気スケール、モータ等の回転
制御に最適な磁電変換装置に関する。
(従来技術)
従来、磁電変換素子として、半導体林料のポル効果を利
用したホール索子、半導体の磁気抵抗効果を利用した半
導体磁気抵抗素子、あるいは強磁性金属材の強磁性磁気
抵抗効果を利用しに強磁性磁気抵抗素子(以下抵抗素子
と称t)等が良く知られている。
用したホール索子、半導体の磁気抵抗効果を利用した半
導体磁気抵抗素子、あるいは強磁性金属材の強磁性磁気
抵抗効果を利用しに強磁性磁気抵抗素子(以下抵抗素子
と称t)等が良く知られている。
第12図は従来の抵抗素子1oの一例を示す平面図、第
13図は第12図に示す抵抗素子の使用回路例を説明す
るだめの説明図である。
13図は第12図に示す抵抗素子の使用回路例を説明す
るだめの説明図である。
第12図において、11は例えばSiO+等からなる基
板、12.13は感磁部であり、長さ11幅w2の強磁
性磁気抵抗薄膜をジグナグ状に形成したものである。
板、12.13は感磁部であり、長さ11幅w2の強磁
性磁気抵抗薄膜をジグナグ状に形成したものである。
感磁部12.13は略同形の形状を右し、中心間距離L
1だけ離てて平行に基板11上に配設されでぃる。王1
、T2は感磁部12.13の一端に設(Jられたターミ
ナル、T3は感磁部12.13の他端部を接続しIこ中
点ターミナルである。
1だけ離てて平行に基板11上に配設されでぃる。王1
、T2は感磁部12.13の一端に設(Jられたターミ
ナル、T3は感磁部12.13の他端部を接続しIこ中
点ターミナルである。
使用に際しては、例えば第13図に示す様に、タミナル
王1、T2に温度特性を向上させるための直列抵抗R1
、R2、R3の端部を接続Jると共に、ターミナル丁1
、T2間に直流電圧Vsを加え、中間ターミナルT3と
ボリューム抵抗R3の出力端T4どを差動増幅器Aに接
続しする。被検出物体として磁石14等を用いると、そ
の磁石の変位にJ、つC生じる磁界の変化は感磁部12
.13の抵抗値の変化をもたらすl〔め、その抵抗値の
変化を差動増幅回路等を用いて電圧の変化として読み出
す事が出来る。
王1、T2に温度特性を向上させるための直列抵抗R1
、R2、R3の端部を接続Jると共に、ターミナル丁1
、T2間に直流電圧Vsを加え、中間ターミナルT3と
ボリューム抵抗R3の出力端T4どを差動増幅器Aに接
続しする。被検出物体として磁石14等を用いると、そ
の磁石の変位にJ、つC生じる磁界の変化は感磁部12
.13の抵抗値の変化をもたらすl〔め、その抵抗値の
変化を差動増幅回路等を用いて電圧の変化として読み出
す事が出来る。
次に、直線的に変化する物体の変位量を検出する揚台を
説明Jる。
説明Jる。
例えば、第12図において図示しない被測定物の変位方
向をXとするとき、X方向に対して垂直方向にN、S極
を右りる様に、磁石14を被測定物に配設する。この時
、抵抗素子10は感磁部の長さ(Ll)方向がX方向に
対して平行となる様に配設される。
向をXとするとき、X方向に対して垂直方向にN、S極
を右りる様に、磁石14を被測定物に配設する。この時
、抵抗素子10は感磁部の長さ(Ll)方向がX方向に
対して平行となる様に配設される。
被測定物の移動につれて、磁石14が感磁部13に近づ
いて来ると、磁石14による磁界が感磁部13の長さ方
向(X方向)に対して略垂直に加えられるため、強磁性
磁気抵抗効果により感磁部13の電気抵抗値が減少し、
中点ターミナル13とターミナル下2間の電圧、及び中
点ターミナル13とターミナル11間の電圧は変化する
から、これを差動増幅回路等を用いて取り出す。
いて来ると、磁石14による磁界が感磁部13の長さ方
向(X方向)に対して略垂直に加えられるため、強磁性
磁気抵抗効果により感磁部13の電気抵抗値が減少し、
中点ターミナル13とターミナル下2間の電圧、及び中
点ターミナル13とターミナル11間の電圧は変化する
から、これを差動増幅回路等を用いて取り出す。
第14図は第12図に示す磁石の変位と出力電圧どの関
係を示すグラフであり、横軸に磁石の変位、縦軸に出力
電圧を示′?1.@磁部12.13の対称中心15を0
点とづる時、この0点を境として点対称的に出力最大点
と最小点が生じる。そして、その中間領域であるA 1
3間は、磁石の変位と出力電圧との関係において直線性
の良好な領域どなる。
係を示すグラフであり、横軸に磁石の変位、縦軸に出力
電圧を示′?1.@磁部12.13の対称中心15を0
点とづる時、この0点を境として点対称的に出力最大点
と最小点が生じる。そして、その中間領域であるA 1
3間は、磁石の変位と出力電圧との関係において直線性
の良好な領域どなる。
この直線性の良好な領域の変位幅ioを広くとりたい場
合には、感磁部12.13の長さ1−1、両感磁部12
.13の中心間距離「2及び磁石幅13等を大きくり−
ればJ:い。
合には、感磁部12.13の長さ1−1、両感磁部12
.13の中心間距離「2及び磁石幅13等を大きくり−
ればJ:い。
また、シャフト等の回転角の検出を行うには、例えば特
開昭59−100816号公報に見られるように、シャ
フトのまわりに単数、あるいは複数の磁石を設り、シ1
1フ1〜の回転による磁石の磁界の変化を検出する方法
が良く知られている。
開昭59−100816号公報に見られるように、シャ
フトのまわりに単数、あるいは複数の磁石を設り、シ1
1フ1〜の回転による磁石の磁界の変化を検出する方法
が良く知られている。
(発明が解決しにうとする課題)
崖尋体月Y1を利用1」る磁電変換装置はGaAs、或
いはI 113 b等の材質から形成されているため、
温度の変化に対してキャリア数や移動度の変化が大きく
、また製造プロセス上、素子毎の抵抗値のバラツキが大
きいため、外部補償回路を用いる必要があった。また、
良好な直線性を得るためには、強磁界(数百0以上)が
必要となり、そのため強力な磁石を必要としたり、ある
いはバイアス磁界用の磁石を素子基板の裏側に設ける方
法がとられるため、複雑な形状となり、]ス1〜的にも
不利になる等の欠点があった。
いはI 113 b等の材質から形成されているため、
温度の変化に対してキャリア数や移動度の変化が大きく
、また製造プロセス上、素子毎の抵抗値のバラツキが大
きいため、外部補償回路を用いる必要があった。また、
良好な直線性を得るためには、強磁界(数百0以上)が
必要となり、そのため強力な磁石を必要としたり、ある
いはバイアス磁界用の磁石を素子基板の裏側に設ける方
法がとられるため、複雑な形状となり、]ス1〜的にも
不利になる等の欠点があった。
また、従来の強磁性薄膜抵抗素子においては、直線領域
ioを広くとりたい揚台、強磁性薄膜抵抗素子の形状そ
のものを大きくしたり、磁石の形状を大ぎくする必要が
あるため、半導体的プロセスにより形成される抵抗素子
の大型化は直ちに生産性の低下をもたらし、コスl〜高
を招くという欠点があった。
ioを広くとりたい揚台、強磁性薄膜抵抗素子の形状そ
のものを大きくしたり、磁石の形状を大ぎくする必要が
あるため、半導体的プロセスにより形成される抵抗素子
の大型化は直ちに生産性の低下をもたらし、コスl〜高
を招くという欠点があった。
更に、最適変位領域で出力変化を最大にするには、それ
ぞれの目的とする使用方法により、特別な形状の素子や
磁石の段目を行う必要があるため、使用者にとっては不
便であり、しかも生産者にとっては量産効果が生まれず
、コスト高を招きやすいという不都合があった。
ぞれの目的とする使用方法により、特別な形状の素子や
磁石の段目を行う必要があるため、使用者にとっては不
便であり、しかも生産者にとっては量産効果が生まれず
、コスト高を招きやすいという不都合があった。
そのため、汎用性に富んだ、しかも抵抗素子の小型化が
可能な新しいタイプの磁電変換装置が望まれていた。
可能な新しいタイプの磁電変換装置が望まれていた。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、磁界の変化を電圧の変化として取り出すための磁電変
換装置であって、磁気ギャップを右する磁気回路と、前
記磁気ギトツブ近傍に磁界を発生させるための磁界発生
手段と、感磁部を右Jる磁電変換素子どからなり、少な
くとも、前記感磁部の一部が前記磁気ギャップからの漏
れ磁界を検知可能な位置に、前記磁電変換素子を配設し
でなることを特徴とする磁電変換装置とそれを用いた新
しいタイプの変位検出装置を提供しJ、うとリ−るもの
である。
、磁界の変化を電圧の変化として取り出すための磁電変
換装置であって、磁気ギャップを右する磁気回路と、前
記磁気ギトツブ近傍に磁界を発生させるための磁界発生
手段と、感磁部を右Jる磁電変換素子どからなり、少な
くとも、前記感磁部の一部が前記磁気ギャップからの漏
れ磁界を検知可能な位置に、前記磁電変換素子を配設し
でなることを特徴とする磁電変換装置とそれを用いた新
しいタイプの変位検出装置を提供しJ、うとリ−るもの
である。
(実施例) 第1図は本発明になる電磁変換装置30の
1実施例の斜視図、第2図は第1図のAA’切断線に沿
った断面図、第3図(a)〜(d)は本発明に用いられ
る抵抗素子パターンの各実施例の平面図である。
1実施例の斜視図、第2図は第1図のAA’切断線に沿
った断面図、第3図(a)〜(d)は本発明に用いられ
る抵抗素子パターンの各実施例の平面図である。
以下、各図を用いて説明する。
第1図において、31は磁気回路部であり、略]の字状
の一対の磁気」ア゛1′:体32.33と磁石34とか
らなる。
の一対の磁気」ア゛1′:体32.33と磁石34とか
らなる。
磁気コア半体32.33は、例えばフ1ライ1へ材等か
らなる軟磁性拐からなり、コの字状の一端部に磁石34
を介して突合され、他端部において、ギャップ長Wgな
る磁気ギ11ツ/Mgを形成している。
らなる軟磁性拐からなり、コの字状の一端部に磁石34
を介して突合され、他端部において、ギャップ長Wgな
る磁気ギ11ツ/Mgを形成している。
35は後述する強磁性磁気抵抗素子(以下抵抗素子)で
あり、一方の感磁部38が磁気ギャップM(1からの洩
れ磁界[gを検知できる様に磁気ギャップMgの下方に
近接して設けられている。磁石34は磁気ギャップM(
+に洩れ磁界fjlを与えるための磁界発生源であり、
例えばマグネッ1〜シート(住友3H,NGO−131
6)を磁気コア半体32.33との突合せ面に対して垂
直方向に着磁したものが使用される。
あり、一方の感磁部38が磁気ギャップM(1からの洩
れ磁界[gを検知できる様に磁気ギャップMgの下方に
近接して設けられている。磁石34は磁気ギャップM(
+に洩れ磁界fjlを与えるための磁界発生源であり、
例えばマグネッ1〜シート(住友3H,NGO−131
6)を磁気コア半体32.33との突合せ面に対して垂
直方向に着磁したものが使用される。
本実施例においては、抵抗素子として、第3図(a )
に示すものが用いられている。
に示すものが用いられている。
同図において、3Gは基板であり、37.38は基板3
6上に形成された感磁部である。 感磁部37.38は
例えば、Ni−Fe 、 Ni−Co等からなる強磁性
磁気抵抗a!膜からなり、幅W2、長さSlの薄膜がジ
グザグに折り曲がった幅Wの同形の矩形形状を有し、S
2だ【ノ岨れて平行に基板3G十にパターン化されてい
る。感磁部37.38の幅Wは磁気ギャッ艮Wgと等し
いか、或いはぞれより小さく形成されている。そして、
抵抗素子35は、一方の感磁部38の幅Wの中心と磁気
ギャップMqの幅の中心が略一致し、感磁部38の長ざ
S1方向と磁気ギャップ長W(+方向とが垂直となる様
に、そして他方の感磁部37が磁気ギ17ツプWqから
の洩れ磁界f(Iの影響を受けない様に、磁気ギャップ
Woから離れて磁気ギャップW(+の下方に配設されて
いる。
6上に形成された感磁部である。 感磁部37.38は
例えば、Ni−Fe 、 Ni−Co等からなる強磁性
磁気抵抗a!膜からなり、幅W2、長さSlの薄膜がジ
グザグに折り曲がった幅Wの同形の矩形形状を有し、S
2だ【ノ岨れて平行に基板3G十にパターン化されてい
る。感磁部37.38の幅Wは磁気ギャッ艮Wgと等し
いか、或いはぞれより小さく形成されている。そして、
抵抗素子35は、一方の感磁部38の幅Wの中心と磁気
ギャップMqの幅の中心が略一致し、感磁部38の長ざ
S1方向と磁気ギャップ長W(+方向とが垂直となる様
に、そして他方の感磁部37が磁気ギ17ツプWqから
の洩れ磁界f(Iの影響を受けない様に、磁気ギャップ
Woから離れて磁気ギャップW(+の下方に配設されて
いる。
上記の構成にJ3いて、感磁部37.38の厚さtは数
百入・〜24人、 幅W2は数μm〜数+μm、長さS
lは幅W2の数1−倍以上に設定されている。
百入・〜24人、 幅W2は数μm〜数+μm、長さS
lは幅W2の数1−倍以上に設定されている。
一方の感磁部38に与える磁界の太さざは感磁部の磁気
飽和点に達する程度の磁界が望ましく、感磁部38の磁
気飽和点を1−1 kとすると、Hk =に−t/W2
・・・・・・・・・ (1)(但し、K;係数、
t:厚さ、 W2;幅)なる式に従う5゜ 感磁部に旧−「e系合金を使用した場合、磁気飽和点1
−1には略200G以下である。
飽和点に達する程度の磁界が望ましく、感磁部38の磁
気飽和点を1−1 kとすると、Hk =に−t/W2
・・・・・・・・・ (1)(但し、K;係数、
t:厚さ、 W2;幅)なる式に従う5゜ 感磁部に旧−「e系合金を使用した場合、磁気飽和点1
−1には略200G以下である。
次に、作用について説明する。
上記の構成においで、磁石34からの磁束は磁気]ア半
導体32.33が作る磁気回路を流れるため、磁気ギA
lツブWgにおいて洩れ磁束「qが発生し、磁気ギ11
ツブ近傍には磁界が形成されている。
導体32.33が作る磁気回路を流れるため、磁気ギA
lツブWgにおいて洩れ磁束「qが発生し、磁気ギ11
ツブ近傍には磁界が形成されている。
この磁界は磁気ギャップWg中においては、最も強く平
行で一様磁界を形成してd3す、磁気ギャップWQから
離れるに従って弱くなり、円弧状の等磁界曲線を形成し
ている。感磁部38は磁気ギャップW9に極めて接近し
ているため、感磁部38の長手方向に対して垂直方向に
磁気ギャップMgの磁界の作用を受けるから、感磁部3
8の電気抵抗R1は強磁性磁気抵抗効果により感磁部3
7の電気抵抗R2と比較するとKx倍だり小となってい
るK X−R+ / R2・・・・・・・・・(2)こ
の時、第2図に示す様に、例えばX方向から強磁性体か
らなる被検知物体39が磁気ギャップMqに近づいて来
ると、洩れ磁束fgは被検知物体39に吸い寄せられる
結果、磁気ギ11ツブW(+中を流れる磁束fgは減少
し、磁気ギャップW(+中の一様磁界の強さも減少する
ため、感磁部38に作用する磁界の強さは弱くなり、そ
の結果、感磁部38の電気抵抗R1は増加する。 被検
知物体39が磁気ギャップW(+を完全に覆った時、電
気抵抗Rは最大(こなる。
行で一様磁界を形成してd3す、磁気ギャップWQから
離れるに従って弱くなり、円弧状の等磁界曲線を形成し
ている。感磁部38は磁気ギャップW9に極めて接近し
ているため、感磁部38の長手方向に対して垂直方向に
磁気ギャップMgの磁界の作用を受けるから、感磁部3
8の電気抵抗R1は強磁性磁気抵抗効果により感磁部3
7の電気抵抗R2と比較するとKx倍だり小となってい
るK X−R+ / R2・・・・・・・・・(2)こ
の時、第2図に示す様に、例えばX方向から強磁性体か
らなる被検知物体39が磁気ギャップMqに近づいて来
ると、洩れ磁束fgは被検知物体39に吸い寄せられる
結果、磁気ギ11ツブW(+中を流れる磁束fgは減少
し、磁気ギャップW(+中の一様磁界の強さも減少する
ため、感磁部38に作用する磁界の強さは弱くなり、そ
の結果、感磁部38の電気抵抗R1は増加する。 被検
知物体39が磁気ギャップW(+を完全に覆った時、電
気抵抗Rは最大(こなる。
今、ターミナルT’ + 、T 2間の直流電圧をVO
、ターミナルT3、T1間の出力電圧をv×とすれば、 VX−[R2/ (R+ 4−R2)] ・V O・
・・・・・(3)〈2)式を用いて(3)を占さなおづ
−と、Vx −[1/ (Kx + 1 )] ・Vo
・−・−=・・・・−・(4)が11ノられる、。
、ターミナルT3、T1間の出力電圧をv×とすれば、 VX−[R2/ (R+ 4−R2)] ・V O・
・・・・・(3)〈2)式を用いて(3)を占さなおづ
−と、Vx −[1/ (Kx + 1 )] ・Vo
・−・−=・・・・−・(4)が11ノられる、。
磁気回路の形状(主として磁気ギャップの深さ寸法t1
)、磁気飽和忌日1<及び磁石の強さを適当に定めるこ
とIJJ、す、磁気ギIlツブMす」−の被検出物体3
9の位置に応じてに×の値を約097・〜1程度変化さ
けることは極めて容易であるから、(4)代により11
vられる出力電圧v×の低化を第12図に示した差動ア
ンプ回路等を用いて増幅し取り出りことがC−さる3゜ 狛に、磁石のかわりに巻線コイルを磁気回路部分の一部
に設り、これに流す直流電流を制御することにより、磁
気ギA/ツブM<]にちえる電磁を容易に調節−4るこ
とが出来ることは説明づるまでもない。
)、磁気飽和忌日1<及び磁石の強さを適当に定めるこ
とIJJ、す、磁気ギIlツブMす」−の被検出物体3
9の位置に応じてに×の値を約097・〜1程度変化さ
けることは極めて容易であるから、(4)代により11
vられる出力電圧v×の低化を第12図に示した差動ア
ンプ回路等を用いて増幅し取り出りことがC−さる3゜ 狛に、磁石のかわりに巻線コイルを磁気回路部分の一部
に設り、これに流す直流電流を制御することにより、磁
気ギA/ツブM<]にちえる電磁を容易に調節−4るこ
とが出来ることは説明づるまでもない。
また、第3図(b)に示す様に、抵抗素子40の第1の
感磁部41と第2の感磁部42の長さ方向が互いに垂直
方向となる様に配設し、例えば第1の感磁部41を磁気
ギャップMqの下方に洩れ磁束fcIに対して感応する
様に配設した場合、第20感磁部42は洩れ磁束fgに
対して平行となるため感応することがなく、より精度の
高い電磁変換装置が得られる。
感磁部41と第2の感磁部42の長さ方向が互いに垂直
方向となる様に配設し、例えば第1の感磁部41を磁気
ギャップMqの下方に洩れ磁束fcIに対して感応する
様に配設した場合、第20感磁部42は洩れ磁束fgに
対して平行となるため感応することがなく、より精度の
高い電磁変換装置が得られる。
この時、湿度特性上、感磁部41と42の抵抗値が温度
特性上略同一になる様に抵抗索子40を設81すること
が重要どなる、。
特性上略同一になる様に抵抗索子40を設81すること
が重要どなる、。
第3図(C)に示す抵抗素子43は、上記素子40の変
形例であり、同様、第1の感磁部44と第2の感磁部4
5とはHいに垂直に配設されている。
形例であり、同様、第1の感磁部44と第2の感磁部4
5とはHいに垂直に配設されている。
第3図に示J−抵抗素子46は、同図(C)に示す同様
の抵抗素子47.48を2個平行に基板に配設し、中点
ターミナルT3’ 、T3からの出力を差動増幅するこ
とにより出力の倍増を計ったものである。
の抵抗素子47.48を2個平行に基板に配設し、中点
ターミナルT3’ 、T3からの出力を差動増幅するこ
とにより出力の倍増を計ったものである。
この場合、感磁部47+) 、48b b<磁気ギャ
ップMoからの洩れ磁束を検出する。1 次に、本発明になるv11電変換装買30を用いた位置
検出装置の実施例について説明する。
ップMoからの洩れ磁束を検出する。1 次に、本発明になるv11電変換装買30を用いた位置
検出装置の実施例について説明する。
〔実施例1〕
第4図は本発明になる磁電変換装置を用いた直線り向の
位置の検出装置の1実施例を示す平面図である、。
位置の検出装置の1実施例を示す平面図である、。
磁電変換装置には第1図のものを用いるため、同=−の
構成要素には同一符号を14し、説明を省略づる。
構成要素には同一符号を14し、説明を省略づる。
第4図において、51はフエライ1〜、軟鉄等の軟磁性
体からなる板状の被検出板ひあり、X方向の直線運動が
可能な磁電変換素子30の上方に微小間隔隔てて配設さ
れている。51aは磁気ギャップ長さWo力方向対して
0なる傾斜角を有する傾斜部であり、被検出板51のX
方向の移動に伴い、磁気ギIIツブM(]と交差し4f
がら、被検出板51が磁気ギA7ツプMqを完全に覆う
ことが出来るように形成されている。
体からなる板状の被検出板ひあり、X方向の直線運動が
可能な磁電変換素子30の上方に微小間隔隔てて配設さ
れている。51aは磁気ギャップ長さWo力方向対して
0なる傾斜角を有する傾斜部であり、被検出板51のX
方向の移動に伴い、磁気ギIIツブM(]と交差し4f
がら、被検出板51が磁気ギA7ツプMqを完全に覆う
ことが出来るように形成されている。
今、被検出板51が、磁気ギ17ツプの長さWg力方向
対して平行なX方向から近づいて来て、傾斜部51aが
磁気ギャップMgの第1のエツジ部Q1近傍に到ると、
磁気ギャップMgからの洩れ磁束foが被検出板51に
吸い寄せられ、磁気ギャップM(+中の磁界は減少し始
める。(実線の第1の状態) 更に、被検出板51が移動して、傾斜部51a′b(1
気ギA・ツブM(lの第2の1ジ部Q2に達する第2の
状態から、第3の状態を経て第3のエツジ部Q2に達づ
−る第4の状態までは、被検出板51が磁気ギャップM
gを覆う面積はX方向の移動距離fxに比例して増加す
るため、磁気ギャップM(Iの磁界はこれに略反比例し
て減少すると考えられるから、この区間aC間におりる
感磁部37の電気抵抗R1ど被検出板51の移動距離X
どの関係は比較的良い直線性を保っている。
対して平行なX方向から近づいて来て、傾斜部51aが
磁気ギャップMgの第1のエツジ部Q1近傍に到ると、
磁気ギャップMgからの洩れ磁束foが被検出板51に
吸い寄せられ、磁気ギャップM(+中の磁界は減少し始
める。(実線の第1の状態) 更に、被検出板51が移動して、傾斜部51a′b(1
気ギA・ツブM(lの第2の1ジ部Q2に達する第2の
状態から、第3の状態を経て第3のエツジ部Q2に達づ
−る第4の状態までは、被検出板51が磁気ギャップM
gを覆う面積はX方向の移動距離fxに比例して増加す
るため、磁気ギャップM(Iの磁界はこれに略反比例し
て減少すると考えられるから、この区間aC間におりる
感磁部37の電気抵抗R1ど被検出板51の移動距離X
どの関係は比較的良い直線性を保っている。
第5図は被検出板の移動距離と出力電圧との関係を示す
グラフであり、横軸に被検出板51の移動距11i11
×、縦軸には差動アンプを用いて取り出した出力電圧を
示す。(但し、横軸の原点は、傾斜部51aと1(杢1
気ギャップWgの第1のエツジ部Q1との交点としであ
る3、) 同図から明らかな様に、移動区間aCは比較的直線性に
優れている領域であり、しかも、その長さは従来の様に
、二つの感磁部間の中心間距離で定まるものでは4「<
、被検出板の傾斜部51 aの角l良や磁気ギャップ長
W(+で定まるため、抵抗素子そのものを小型化覆るこ
とが出来、しかも、汎用性に富むため量産が可能となり
、半導体的ブ]」レスによって製造される抵抗素子の生
産性を高めることが出来るものである。
グラフであり、横軸に被検出板51の移動距11i11
×、縦軸には差動アンプを用いて取り出した出力電圧を
示す。(但し、横軸の原点は、傾斜部51aと1(杢1
気ギャップWgの第1のエツジ部Q1との交点としであ
る3、) 同図から明らかな様に、移動区間aCは比較的直線性に
優れている領域であり、しかも、その長さは従来の様に
、二つの感磁部間の中心間距離で定まるものでは4「<
、被検出板の傾斜部51 aの角l良や磁気ギャップ長
W(+で定まるため、抵抗素子そのものを小型化覆るこ
とが出来、しかも、汎用性に富むため量産が可能となり
、半導体的ブ]」レスによって製造される抵抗素子の生
産性を高めることが出来るものである。
〔実施例2〕
第6図(a>は、本発明になる磁電変換素子を用いた回
転角の変位検出装置60の平面図、同図(b)は同図(
a)の正面図である。
転角の変位検出装置60の平面図、同図(b)は同図(
a)の正面図である。
同図において、61は鉄等の軟磁性からなる円盤状の回
転板であり、回転軸62に固定されている。
転板であり、回転軸62に固定されている。
回転板61の中心から外周までの距fJJ、 rは次の
式【こ従つ(順次変化し−(いる。
式【こ従つ(順次変化し−(いる。
但し、x、y座標の原点は軸62の中心にとり、0は初
期半径(最大半径)roと任意の半径rどのなす角とし
、rlは最小半径を示している。
期半径(最大半径)roと任意の半径rどのなす角とし
、rlは最小半径を示している。
そして、本発明の磁電変換装置30は、回転円板61の
最大半径r1に相当する円周面61aに対して所定の微
小間隔αだけ隔て、磁気ギャップM(lが対向する様に
配設されている。
最大半径r1に相当する円周面61aに対して所定の微
小間隔αだけ隔て、磁気ギャップM(lが対向する様に
配設されている。
上記の構成において、回転軸62により回転板61が回
転すると、円周面61aと磁気ギャップMgとの間隔α
が次第に広くなるため、磁気ギA/ツブの洩れ磁束は回
転円板61からの影響を受けにくくなり、感磁部38の
抵抗値はある最大価まで増加していく。この抵抗値の変
化を利用することにより、角度を出力電圧の変化として
求めることが出来る。
転すると、円周面61aと磁気ギャップMgとの間隔α
が次第に広くなるため、磁気ギA/ツブの洩れ磁束は回
転円板61からの影響を受けにくくなり、感磁部38の
抵抗値はある最大価まで増加していく。この抵抗値の変
化を利用することにより、角度を出力電圧の変化として
求めることが出来る。
第7図は第6図の角度検出装置におUる回転角と出力電
圧との関係を示すグラフであり、横軸に回転角、縦軸に
差動増幅器を用いた出力電圧を示す。
圧との関係を示すグラフであり、横軸に回転角、縦軸に
差動増幅器を用いた出力電圧を示す。
同図において、曲線63は磁気ギャップ長W(+が1m
mの場合を示し、曲線64は同条件において磁気ギ1ノ
ツプ長Woを0.5mmと小さくした場合を示す。
mの場合を示し、曲線64は同条件において磁気ギ1ノ
ツプ長Woを0.5mmと小さくした場合を示す。
磁気ギャップ長W(+が小さくなると、W(+の大さな
ものと比較して、磁気ギトツブM(Iからの洩れ磁束(
,1遠くまで届かないため、回転板61の影響を受けに
くくなり、電圧が直線的に変化する角度の範囲(スl〜
ローク)が狭くなる。
ものと比較して、磁気ギトツブM(Iからの洩れ磁束(
,1遠くまで届かないため、回転板61の影響を受けに
くくなり、電圧が直線的に変化する角度の範囲(スl〜
ローク)が狭くなる。
この場合、磁気ギャップM(+が小さい場合、直線特性
を向上させるには、最大半径r oと最小半径r1と差
へrを小さくすることにJこつて解決されるが、この様
に本発明の磁電変換装置30を用いると、段目の範囲が
広<”cKるため、思い通りの変位検出装置を設計可能
とする。
を向上させるには、最大半径r oと最小半径r1と差
へrを小さくすることにJこつて解決されるが、この様
に本発明の磁電変換装置30を用いると、段目の範囲が
広<”cKるため、思い通りの変位検出装置を設計可能
とする。
〔実施例3〕
第8図(a )は本発明の磁電変換装置を用いた回転角
の変位検出装置の仙の実施例70の平面図、同図(b)
は同図(a)の正面図である。本実施例においては、磁
性体からなる回転板71の下に本発明の磁電変換装置3
0を配設した例であり、回転板71の半径rは、回転軸
72の中心線からR,たけ離れて配設された磁気ギャッ
プM(]からの距饋が回転板71の回転により順次変化
する様に形成されでいる。
の変位検出装置の仙の実施例70の平面図、同図(b)
は同図(a)の正面図である。本実施例においては、磁
性体からなる回転板71の下に本発明の磁電変換装置3
0を配設した例であり、回転板71の半径rは、回転軸
72の中心線からR,たけ離れて配設された磁気ギャッ
プM(]からの距饋が回転板71の回転により順次変化
する様に形成されでいる。
〔実施例4〕
第9図は本発明の磁電変換装置を用いた回転角の変位検
出装置の他の実施例80の平面図であり、磁性体からな
る 回転板には、長径2ro、yyj径2r1からなる
楕円形のbを用い、 磁電変換装置30を回転板81の
外周面81aに近接して配設した例である。
出装置の他の実施例80の平面図であり、磁性体からな
る 回転板には、長径2ro、yyj径2r1からなる
楕円形のbを用い、 磁電変換装置30を回転板81の
外周面81aに近接して配設した例である。
〔実施例5〕
第10図は本発明の磁電変換装置を用いた回転角の変位
検出装置の他の実施例90の斜視図であり、回転軸91
を半円状に加工し、その先端部の下方に接近して磁電変
換装置30を配設した例と、回転輔91の側面に接近し
て磁電変換装置30を配設した例を示すものである。
検出装置の他の実施例90の斜視図であり、回転軸91
を半円状に加工し、その先端部の下方に接近して磁電変
換装置30を配設した例と、回転輔91の側面に接近し
て磁電変換装置30を配設した例を示すものである。
この実施例の特徴は回転板を回転軸91に取り付りる必
要がないため、極めて小型の回転角検出装置が可能とな
る。
要がないため、極めて小型の回転角検出装置が可能とな
る。
[実施例6]
第11図は本発明の磁電変換装置を用いたテンションア
ームの回転角の変位検出装置の1実施例95の斜視図で
ある。本実施例はビデAデープレ]ダー等磁気j−ブを
使用する機器において、磁気デーゾのアンジョンを1ノ
一ボ機構により直線制御するためのテンションアームの
変位角を検出するための変位検出装置である。
ームの回転角の変位検出装置の1実施例95の斜視図で
ある。本実施例はビデAデープレ]ダー等磁気j−ブを
使用する機器において、磁気デーゾのアンジョンを1ノ
一ボ機構により直線制御するためのテンションアームの
変位角を検出するための変位検出装置である。
同図において、96はテンションアームであり、その一
端部は軸97に固定され、細端部にはテンションボール
98が植立されている。
端部は軸97に固定され、細端部にはテンションボール
98が植立されている。
ラーンジョンアーム96の下には、本発明の磁電変換装
置30が軸97からαだけ離れた位置に、テンションア
ームの側面端部96aど磁気ギ17ツプW(+とが略9
0°の角1徒で交差する様に配設されている。
置30が軸97からαだけ離れた位置に、テンションア
ームの側面端部96aど磁気ギ17ツプW(+とが略9
0°の角1徒で交差する様に配設されている。
使用に際して、テンションアーム98に磁気テプ99が
巻ぎ付けられ、磁気テープ99がX方向に走行すると、
アンジョンポール98にX方向のカが加わり、テンショ
ンアーム96は反時計方向に変位するため、感磁部57
の抵抗値は変化づるが、この変化を電圧の変化とし取り
出し、図示しないサーボ機構にフィードバックすること
により、テンションアーム96を元の定位置にもどし、
常に一定のテンションを磁気テープ9つに)えることが
出来る。
巻ぎ付けられ、磁気テープ99がX方向に走行すると、
アンジョンポール98にX方向のカが加わり、テンショ
ンアーム96は反時計方向に変位するため、感磁部57
の抵抗値は変化づるが、この変化を電圧の変化とし取り
出し、図示しないサーボ機構にフィードバックすること
により、テンションアーム96を元の定位置にもどし、
常に一定のテンションを磁気テープ9つに)えることが
出来る。
上述の様に、電圧の変化はテンションアーム96の変位
角として表されるが、制御可能な変位角の範囲を大ぎく
したい場合には、回転軸97と抵抗素子30との距離d
を小さくすることにより容易に可能となることは説明す
るまでもない。
角として表されるが、制御可能な変位角の範囲を大ぎく
したい場合には、回転軸97と抵抗素子30との距離d
を小さくすることにより容易に可能となることは説明す
るまでもない。
また、磁電変換装置30の伯の配設方法として、ザーク
ルで囲/υだ様に、磁気ギャップMoとテンションアー
ムの側面端部96aとが90°゛より小さな角度θで交
差する様に配設してもよい。この場合は角度0を変える
だりで制御可能な変位角の範囲を変更出来る。
ルで囲/υだ様に、磁気ギャップMoとテンションアー
ムの側面端部96aとが90°゛より小さな角度θで交
差する様に配設してもよい。この場合は角度0を変える
だりで制御可能な変位角の範囲を変更出来る。
1 つ
上述の様に磁気回路を使用し、その回路の磁気ギャップ
からの洩れ磁界の変化を抵抗素子が検知する様に構成し
たため、 (1) 定対象物の変位量を決めるファクターとして
、抵抗素子の大きさだけではなく、磁気回路の大きさで
決めることが可能どなるため、抵抗素子そのものの形状
を小型化することが出来、抵抗素子の生産効率が高くな
る。
からの洩れ磁界の変化を抵抗素子が検知する様に構成し
たため、 (1) 定対象物の変位量を決めるファクターとして
、抵抗素子の大きさだけではなく、磁気回路の大きさで
決めることが可能どなるため、抵抗素子そのものの形状
を小型化することが出来、抵抗素子の生産効率が高くな
る。
(2) 閉ループからなる磁気回路を構成し、この磁
気回路の内側に抵抗素子を配設するため、高感度であり
ながら外部磁界ノイズの影響を受けにくい構造どするこ
とが出来、しかも外部の測定対象物に触れて破損するこ
とが無くなり、信頼性が飛躍的に向上する。
気回路の内側に抵抗素子を配設するため、高感度であり
ながら外部磁界ノイズの影響を受けにくい構造どするこ
とが出来、しかも外部の測定対象物に触れて破損するこ
とが無くなり、信頼性が飛躍的に向上する。
(3) 磁気ギレップの磁界の方向は、主として磁気
ギャップ長方向に平行に発生するため、安定した磁界が
得られ、バランス抵抗を得るための抵抗素子部の設計が
自由となり、目的毎の最適形状の抵抗素子部の設計が可
能となる。
ギャップ長方向に平行に発生するため、安定した磁界が
得られ、バランス抵抗を得るための抵抗素子部の設計が
自由となり、目的毎の最適形状の抵抗素子部の設計が可
能となる。
0) 磁気回路内にプラスチックマグネッ1−等の安価
な信号源を有するため、測定対象物が磁性材料であれば
よく、磁石等を用いる必要がないため、コスト的に安価
な検出装置が可能となる。
な信号源を有するため、測定対象物が磁性材料であれば
よく、磁石等を用いる必要がないため、コスト的に安価
な検出装置が可能となる。
(5) 測定対象物の変位が回転、あるいは直線的で
あっても、同じ磁電変換装置が利用出来るため、汎用性
の高い磁電変換装置となり、コスト低減に極めて右利と
なる。等の従来の磁電変換素子には見られない様々の特
徴を有するものである。
あっても、同じ磁電変換装置が利用出来るため、汎用性
の高い磁電変換装置となり、コスト低減に極めて右利と
なる。等の従来の磁電変換素子には見られない様々の特
徴を有するものである。
(発明の効果)
上述の様に、本発明の磁電変換装置によれば、磁界の変
化を電圧の変化として取り出すための磁電変換装置であ
って、磁気ギャップを有する磁気回路と、前記磁気ギャ
ップ近傍に磁界を発生させるための磁界発生手段と、感
磁部を有する磁電変換素子とからなり、少なくとも、前
記感磁部の一部が前記磁気ギャップからの洩れ磁界を検
知可能な位置に、前記磁電変換素子を配設する様に構成
したため、測定対象物の変位量を決めるファクタとして
抵抗素子の大きさだけではなく、磁気回路の各常数を用
いて定めることが可能となり、小型で汎用性に富み、ロ
ス1〜的に右利で、しかも、外部磁界による影響の少な
い信頼性の高い磁電変換装置の提供を可能とする。
化を電圧の変化として取り出すための磁電変換装置であ
って、磁気ギャップを有する磁気回路と、前記磁気ギャ
ップ近傍に磁界を発生させるための磁界発生手段と、感
磁部を有する磁電変換素子とからなり、少なくとも、前
記感磁部の一部が前記磁気ギャップからの洩れ磁界を検
知可能な位置に、前記磁電変換素子を配設する様に構成
したため、測定対象物の変位量を決めるファクタとして
抵抗素子の大きさだけではなく、磁気回路の各常数を用
いて定めることが可能となり、小型で汎用性に富み、ロ
ス1〜的に右利で、しかも、外部磁界による影響の少な
い信頼性の高い磁電変換装置の提供を可能とする。
また、上記の磁電変換装置において、磁気ギャップに磁
+!1体からなる被測定物を18近させることにより、
感電部の電気抵抗を変化させ、被測定物の変位量を前記
感磁部の出力電圧として取り出す様に変位検出装置を構
成し1こため、測定対象物は磁竹材利であればよく、磁
石等を用いる必要は1.Nく、また、測定対象物の変位
が回転、或い(よ直線的であっても、同じ磁電変換装置
を用いることが出来るため、汎用性の高い、しかも」ス
1〜的にイ1利な新しいタイプの変位検出装置の提供を
可能とする。
+!1体からなる被測定物を18近させることにより、
感電部の電気抵抗を変化させ、被測定物の変位量を前記
感磁部の出力電圧として取り出す様に変位検出装置を構
成し1こため、測定対象物は磁竹材利であればよく、磁
石等を用いる必要は1.Nく、また、測定対象物の変位
が回転、或い(よ直線的であっても、同じ磁電変換装置
を用いることが出来るため、汎用性の高い、しかも」ス
1〜的にイ1利な新しいタイプの変位検出装置の提供を
可能とする。
第1図は本発明になる磁電変換装置の1実施例の斜視図
、第2図は第1図のAΔ′切断線に沿った断面図、第3
図(a)・〜(d)は本発明に用いられる抵抗素子パタ
ーンの各実施例の平面図、第4図は本発明になるv11
雷変換装置を用いた直線力向の変位検出装置の1実施例
を示す平面図、第5図は第4図に示す被検出板の移動距
離と出力電圧との関係を示すグラフ、第6図(a)は本
発明になる磁電変換素子を用いた回転角の変位検出装置
の平面図、同図(b)は同図<a)の正面図、第7図は
第6図の回転角の変位検出装置における回転角と出力電
圧との関係を示づグラフ、第8図(a)は本発明の磁電
変換装置を用いた回転角の変位検出装置の他の実施例の
平面図、同図(b)は同図(a)の正面図、第9図及び
第10図はそれぞれ本発明の磁電変換装置を用いた回転
角の変位検出装置の他の実施例の平面図及び斜視図、第
11図は本発明の磁電変換装置を用いたテンションアム
の回転角の変位検出装置の1実施例の斜視図、第12図
は従来の抵抗素子の1例を示す平面図、第13図は第1
2図に示す抵抗素子の使用回路例を説明するための説明
図、第14図tま第12図に示す磁石の変位と出力電圧
との関係を示すグラフである。 30・・・・・・磁電変換装置、 31・・・・・・磁
気回路部、32.33・・・・・・磁気コア半休、 3
4・・・・・・磁石、35.40.43.46.47.
48、・・・・・・抵抗素子、36・・・・・・基板、 37.38.41.42.44.45.47a 、 4
7b 、 48a 。 48b、・・・・・・感磁部、 39・・・・・・被検
知物体、50.60.70.80.90.95・・・・
・・変位検出装置、51・・・・・・被検出板、 51
a・・・・・・傾斜部、61.71.81・・・・・・
回転板、 62.72.91.97・・・・・・回転軸
、 96・・・・・・7ンシ]ンアーム、98・・・・
・・テンシ丁lンボール、 99・・・・・・磁気テー
プ。 特泊出願人 1]本ビクター株式会社代表者
垣木邦夫 囚 帛 す胸 (臂智模 傾〉揃鷲 N ■ 凶
、第2図は第1図のAΔ′切断線に沿った断面図、第3
図(a)・〜(d)は本発明に用いられる抵抗素子パタ
ーンの各実施例の平面図、第4図は本発明になるv11
雷変換装置を用いた直線力向の変位検出装置の1実施例
を示す平面図、第5図は第4図に示す被検出板の移動距
離と出力電圧との関係を示すグラフ、第6図(a)は本
発明になる磁電変換素子を用いた回転角の変位検出装置
の平面図、同図(b)は同図<a)の正面図、第7図は
第6図の回転角の変位検出装置における回転角と出力電
圧との関係を示づグラフ、第8図(a)は本発明の磁電
変換装置を用いた回転角の変位検出装置の他の実施例の
平面図、同図(b)は同図(a)の正面図、第9図及び
第10図はそれぞれ本発明の磁電変換装置を用いた回転
角の変位検出装置の他の実施例の平面図及び斜視図、第
11図は本発明の磁電変換装置を用いたテンションアム
の回転角の変位検出装置の1実施例の斜視図、第12図
は従来の抵抗素子の1例を示す平面図、第13図は第1
2図に示す抵抗素子の使用回路例を説明するための説明
図、第14図tま第12図に示す磁石の変位と出力電圧
との関係を示すグラフである。 30・・・・・・磁電変換装置、 31・・・・・・磁
気回路部、32.33・・・・・・磁気コア半休、 3
4・・・・・・磁石、35.40.43.46.47.
48、・・・・・・抵抗素子、36・・・・・・基板、 37.38.41.42.44.45.47a 、 4
7b 、 48a 。 48b、・・・・・・感磁部、 39・・・・・・被検
知物体、50.60.70.80.90.95・・・・
・・変位検出装置、51・・・・・・被検出板、 51
a・・・・・・傾斜部、61.71.81・・・・・・
回転板、 62.72.91.97・・・・・・回転軸
、 96・・・・・・7ンシ]ンアーム、98・・・・
・・テンシ丁lンボール、 99・・・・・・磁気テー
プ。 特泊出願人 1]本ビクター株式会社代表者
垣木邦夫 囚 帛 す胸 (臂智模 傾〉揃鷲 N ■ 凶
Claims (2)
- (1)磁界の変化を電圧の変化として取り出すための磁
電変換装置であって、磁気ギャップを有する磁気回路と
、前記磁気ギャップ近傍に磁界を発生させるための磁界
発生手段と、感磁部を有する磁電変換素子とからなり、
少なくとも、前記感磁部の一部が前記磁気ギャップから
の洩れ磁界を検知可能な位置に、前記磁電変換素子を配
設してなることを特徴とする磁電変換装置。 - (2)請求項第1項記載の磁電変換装置において、磁気
ギャップに磁性体からなる被測定物を接近させることに
より、感磁部の電気抵抗を変化させ、被測定物の変位量
を前記感磁部の出力電圧として取り出す事を特徴とした
変位検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2166241A JPH0462878A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 磁電変換装置及び変位検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2166241A JPH0462878A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 磁電変換装置及び変位検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0462878A true JPH0462878A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15827729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2166241A Pending JPH0462878A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 磁電変換装置及び変位検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0462878A (ja) |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2166241A patent/JPH0462878A/ja active Pending
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