JPH046263Y2 - - Google Patents
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- JPH046263Y2 JPH046263Y2 JP1982147160U JP14716082U JPH046263Y2 JP H046263 Y2 JPH046263 Y2 JP H046263Y2 JP 1982147160 U JP1982147160 U JP 1982147160U JP 14716082 U JP14716082 U JP 14716082U JP H046263 Y2 JPH046263 Y2 JP H046263Y2
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- Japan
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- relay
- resistance attenuator
- variable resistance
- attenuation
- relay coil
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Attenuators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、単位抵抗減衰器を直列に複数個接
続すると共に、各単位抵抗減衰器を短絡すること
ができる接点構造の継電器によつて構成された可
変抵抗減衰器に係わり、特に、高周波数領域の減
衰特性が良好な可変抵抗減衰器に関するものであ
る。
続すると共に、各単位抵抗減衰器を短絡すること
ができる接点構造の継電器によつて構成された可
変抵抗減衰器に係わり、特に、高周波数領域の減
衰特性が良好な可変抵抗減衰器に関するものであ
る。
従来、可変形の抵抗減衰器は第１図に示すよう
に、π形（Ｔ形でもよい）の単位抵抗減衰器１
ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ等をスイツチ２ａ，２ｂ，
２ｃ，２ｄを介して縦続接続することによつて構
成し、前記スイツチ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの各
接点を切り換えることによつて入力端子、Tiから
出力端子Tpに到る信号に所定の減衰量を与えて
いた。
に、π形（Ｔ形でもよい）の単位抵抗減衰器１
ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ等をスイツチ２ａ，２ｂ，
２ｃ，２ｄを介して縦続接続することによつて構
成し、前記スイツチ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの各
接点を切り換えることによつて入力端子、Tiから
出力端子Tpに到る信号に所定の減衰量を与えて
いた。
すなわち、スイツチ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの
全てをスルー導体３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄの接点
側に入れると、減衰量が０，dBとなり、スイツ
チ２ａのみを点線のように接続すると、単位抵抗
減衰器１ａの減衰量ａ，dBが得られる。
全てをスルー導体３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄの接点
側に入れると、減衰量が０，dBとなり、スイツ
チ２ａのみを点線のように接続すると、単位抵抗
減衰器１ａの減衰量ａ，dBが得られる。
したがつて、各単位抵抗減衰器１ａ，１ｂ，１
ｃ，１ｄの減衰量をａ，ｂ，ｃ，ｄ，dBに設定
し、スイツチ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの各接点を
リレーコイル４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに流す電流
によつて開閉するように構成しておけば、リレー
コイル４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄをドライブするト
ランジスタ５ａ〜５ｄにコントロール信号を供給
することによつて、入・出力端子Ti−Tp間にａ，
ｂ，ｃ，ｄを組み合わせた数段階の減衰量を設定
することができる。
ｃ，１ｄの減衰量をａ，ｂ，ｃ，ｄ，dBに設定
し、スイツチ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの各接点を
リレーコイル４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄに流す電流
によつて開閉するように構成しておけば、リレー
コイル４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄをドライブするト
ランジスタ５ａ〜５ｄにコントロール信号を供給
することによつて、入・出力端子Ti−Tp間にａ，
ｂ，ｃ，ｄを組み合わせた数段階の減衰量を設定
することができる。
このような構造の可変形の抵抗減衰器を高い周
波数領域において使用するためには、各々の単位
抵抗減衰器１ａ〜１ｄを分布定数形に構成し、か
つ小形にすると共に、各スイツチ２ａ〜２ｄを形
成する継電器も小型にすることが要請される。そ
こで、例えば第２図に示すようにシールドを施し
たキヤンタイプのトランスフア継電器９ａ，９ｂ
等を使用すると、可変抵抗減衰器１ａ，１ｂの使
用周波数を高くすることができるが、使用周波数
がさらに高くなるとトランスフア継電器９ａ，９
ｂ内のリレーコイル４ａ，４ｂがアースとして作
用し図示した点線矢印のように減衰を与えるべき
信号が接点６ａ，６ｂから７ａ，７ｂに誘導さ
れ、又、制御電圧Vccのライン、及びトランジス
タ５ａ〜５ｄ側に流出するので、リレーコイル４
ａ，４ｂの制御端子には貫通形のフイルタを形成
するコンデンサC1，C2を設けていた。
波数領域において使用するためには、各々の単位
抵抗減衰器１ａ〜１ｄを分布定数形に構成し、か
つ小形にすると共に、各スイツチ２ａ〜２ｄを形
成する継電器も小型にすることが要請される。そ
こで、例えば第２図に示すようにシールドを施し
たキヤンタイプのトランスフア継電器９ａ，９ｂ
等を使用すると、可変抵抗減衰器１ａ，１ｂの使
用周波数を高くすることができるが、使用周波数
がさらに高くなるとトランスフア継電器９ａ，９
ｂ内のリレーコイル４ａ，４ｂがアースとして作
用し図示した点線矢印のように減衰を与えるべき
信号が接点６ａ，６ｂから７ａ，７ｂに誘導さ
れ、又、制御電圧Vccのライン、及びトランジス
タ５ａ〜５ｄ側に流出するので、リレーコイル４
ａ，４ｂの制御端子には貫通形のフイルタを形成
するコンデンサC1，C2を設けていた。
しかし、かかる貫通形のコンデンサC1，C2を
制御端子に設けておいても、第６図に示すように
信号の周波数が100MHzから1000MHz近くなると、
コンデンサC1，C2の残留インダクタンス等が無
視できなくなるため、コンデンサC1，C2による
接地効果がうすれてくる。その結果、点線に示す
ように減衰特性に“あばれ”が発生し、この現象
は特に減衰量が大きく周波数が高い程顕著になつ
てくる。
制御端子に設けておいても、第６図に示すように
信号の周波数が100MHzから1000MHz近くなると、
コンデンサC1，C2の残留インダクタンス等が無
視できなくなるため、コンデンサC1，C2による
接地効果がうすれてくる。その結果、点線に示す
ように減衰特性に“あばれ”が発生し、この現象
は特に減衰量が大きく周波数が高い程顕著になつ
てくる。
この考案は、かかる実状にかんがみてなされた
もので、リレーコイルの一端が可変抵抗減衰器を
形成するアース導体に直接アースとなるようにす
ると共に、他端が可変抵抗減衰器のアース筐体に
形成されている貫通形のフイルタを介してスイツ
チングトランジスタのエミツタに接続され、この
スイツチングトランジスタを断続するような制御
回路を構成することによつて、前記した高周波数
領域における減衰特性の”あばれ”現象を軽減す
るようにしたものである。
もので、リレーコイルの一端が可変抵抗減衰器を
形成するアース導体に直接アースとなるようにす
ると共に、他端が可変抵抗減衰器のアース筐体に
形成されている貫通形のフイルタを介してスイツ
チングトランジスタのエミツタに接続され、この
スイツチングトランジスタを断続するような制御
回路を構成することによつて、前記した高周波数
領域における減衰特性の”あばれ”現象を軽減す
るようにしたものである。
以下、この考案の可変抵抗減衰器について説明
する。
する。
第３図はこの考案の動作原理を説明するための
制御回路を示したもので、１ａは単位減衰器、９
ａはトランスフア継電器、８ａは貫通形のフイル
タ、Ｓはリレーコイルを制御するために設けてあ
るスイツチング素子（トランジスタ）、Ｖは制御
電源である。
制御回路を示したもので、１ａは単位減衰器、９
ａはトランスフア継電器、８ａは貫通形のフイル
タ、Ｓはリレーコイルを制御するために設けてあ
るスイツチング素子（トランジスタ）、Ｖは制御
電源である。
トランスフア継電器９ａのリレーコイル制御端
子の一端T1はシールドカバーの出口側で後述す
る可変抵抗減衰器の筒状のアース導体に接続さ
れ、他端T2は後述するアース筐体に形成されて
いる貫通形のフイルタ８ａを介してスイツチング
素子Ｓに接続される。
子の一端T1はシールドカバーの出口側で後述す
る可変抵抗減衰器の筒状のアース導体に接続さ
れ、他端T2は後述するアース筐体に形成されて
いる貫通形のフイルタ８ａを介してスイツチング
素子Ｓに接続される。
そして、スイツチング素子Ｓとしてエミツタホ
ロワ接続とされているトランジスタが使用され低
電位の制御信号が供給されている。
ロワ接続とされているトランジスタが使用され低
電位の制御信号が供給されている。
このような構造とすると、スイツチング素子Ｓ
がオン、又はオフのいずれの状態においても前記
リレーコイル４ａの一端T1は可変抵抗減衰器の
帯状のアース導体に接地されているため、高い周
波数領域の信号においてもリレーコイル４ａのア
ンテナ作用を最小限にとどめることができる。
又、他端T2はアース筐体に形成されている貫通
形のフイルタ、および、エミツタホロワのトラン
ジスタによつて信号成分の漏洩が阻止される。
がオン、又はオフのいずれの状態においても前記
リレーコイル４ａの一端T1は可変抵抗減衰器の
帯状のアース導体に接地されているため、高い周
波数領域の信号においてもリレーコイル４ａのア
ンテナ作用を最小限にとどめることができる。
又、他端T2はアース筐体に形成されている貫通
形のフイルタ、および、エミツタホロワのトラン
ジスタによつて信号成分の漏洩が阻止される。
詳細すれば、リレーコイルの駆動電流は駆動側
から見てエミツタホロワーを構成しているスイツ
チングトランジスタによつて電源ラインVccから
供給されることになりますが、よく知られている
ようにエミツタホロワー形のトランジスタは出力
（エミツタ側）インピーダンスがきわめて低い値
にできます。これはエミツタ側からみるとトラン
ジスタはベース接地となり、入力インピーダンス
がきわめて低いということです。つまり、リレー
コイル及び貫通形のフイルタを介してトランジス
タのエミツタヘリークしてくるリーク信号はフイ
ルタのインピーダンスとトランジスタのエミツタ
の低インピーダンスとで分圧されてアースに接地
されることになります。一方、コレクタ側（電源
側）からエミツタ側へのリーク信号の伝達量は減
衰されます。
から見てエミツタホロワーを構成しているスイツ
チングトランジスタによつて電源ラインVccから
供給されることになりますが、よく知られている
ようにエミツタホロワー形のトランジスタは出力
（エミツタ側）インピーダンスがきわめて低い値
にできます。これはエミツタ側からみるとトラン
ジスタはベース接地となり、入力インピーダンス
がきわめて低いということです。つまり、リレー
コイル及び貫通形のフイルタを介してトランジス
タのエミツタヘリークしてくるリーク信号はフイ
ルタのインピーダンスとトランジスタのエミツタ
の低インピーダンスとで分圧されてアースに接地
されることになります。一方、コレクタ側（電源
側）からエミツタ側へのリーク信号の伝達量は減
衰されます。
そのため、前述した高い周波数領域において発
生する減衰特性の“あばれ”を第６図の実線で示
すように軽減することができた。
生する減衰特性の“あばれ”を第６図の実線で示
すように軽減することができた。
第４図はこの考案の制御回路を適用した可変形
の抵抗減衰器の一実施例を示したもので、２０は
良導体からなるアース筐体、２０ａ，２０ｂはそ
れぞれ入力端子、及び出力端子、２０ｃは貫通形
のフイルタによつて構成されている制御端子であ
る。
の抵抗減衰器の一実施例を示したもので、２０は
良導体からなるアース筐体、２０ａ，２０ｂはそ
れぞれ入力端子、及び出力端子、２０ｃは貫通形
のフイルタによつて構成されている制御端子であ
る。
前記アース筐体２０の内部には裏面をアース導
体面とした誘電材基板Ｐが収納され、一点鎖線で
分割したＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの領域は４個の単位抵抗
減衰器として動作する部分を示す。この単位抵抗
減衰器の領域Ａ（他の部分Ｂ，Ｃ，Ｄも同様に形
成される）には、ストリツプラインを形成する中
心導体１１，１２、帯状のアース導体１３，１４
と、抵抗体１５，１６、及び１７が図示したよう
に配置され、後述するようにパターン１０（スル
ー導体）、１８と共にトランスフア継電器（Ｔ−
継電器）１９の接続端子に結合されている。
体面とした誘電材基板Ｐが収納され、一点鎖線で
分割したＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄの領域は４個の単位抵抗
減衰器として動作する部分を示す。この単位抵抗
減衰器の領域Ａ（他の部分Ｂ，Ｃ，Ｄも同様に形
成される）には、ストリツプラインを形成する中
心導体１１，１２、帯状のアース導体１３，１４
と、抵抗体１５，１６、及び１７が図示したよう
に配置され、後述するようにパターン１０（スル
ー導体）、１８と共にトランスフア継電器（Ｔ−
継電器）１９の接続端子に結合されている。
第５図はトランスフア継電器１９と、ストリツ
プライン及び抵抗体１５，１６，１７の接続関係
を示したもので、１９ａはリレーコイル、１９ｂ
は可動接点、１９ｃ，１９ｄはトランスフア接点
を示す。
プライン及び抵抗体１５，１６，１７の接続関係
を示したもので、１９ａはリレーコイル、１９ｂ
は可動接点、１９ｃ，１９ｄはトランスフア接点
を示す。
リレーコイル１９ａの一端は図示したように帯
状のアース導体１４に直接アースされると共に、
他端は貫通形のフイルタからなる制御端子２０ｃ
を貫通してトランジスタ５ａのエミツタに接続さ
れリレーの駆動電流が供給される。
状のアース導体１４に直接アースされると共に、
他端は貫通形のフイルタからなる制御端子２０ｃ
を貫通してトランジスタ５ａのエミツタに接続さ
れリレーの駆動電流が供給される。
上述した実施例からなるこの考案の可変抵抗減
衰器は、リレーコイル１９ａを制御するトランジ
スタ５ａのオン・オフに関係なく、リレーコイル
１９ａの一端は常にアース導体１４に直接接地さ
れているので、リレーコイル１９ａがアース点に
対して浮いた状態になることがない。したがつ
て、信号ライン上の漏洩及び誘導作用が軽減され
その減衰特性は第６図の実線にみられるように高
周波数領域において発生する“あばれ”を軽減で
きた。又、リレーコイル１９ａの他端は貫通形の
フイルタを介して低電位とされているスイツチン
グトランジスタのエミツタに接続されているの
で、信号が共通の電源ラインに漏洩することを大
幅に減衰させることができる。
衰器は、リレーコイル１９ａを制御するトランジ
スタ５ａのオン・オフに関係なく、リレーコイル
１９ａの一端は常にアース導体１４に直接接地さ
れているので、リレーコイル１９ａがアース点に
対して浮いた状態になることがない。したがつ
て、信号ライン上の漏洩及び誘導作用が軽減され
その減衰特性は第６図の実線にみられるように高
周波数領域において発生する“あばれ”を軽減で
きた。又、リレーコイル１９ａの他端は貫通形の
フイルタを介して低電位とされているスイツチン
グトランジスタのエミツタに接続されているの
で、信号が共通の電源ラインに漏洩することを大
幅に減衰させることができる。
以上説明したように、この考案の可変抵抗減衰
器は、減衰量を設定するトランスフア継電器のリ
レーコイルの一端を、直接、可変抵抗減衰器を構
成する帯状のアース導体に接続すると共に、リレ
ーコイルの他端をエミツタホロワ接続されている
スイツチングトランジスタ及びアース筐体に形成
されている貫通形のフイルタを介して駆動電流を
供給する構成としたので、特に、リレーコイルに
誘導された各抵抗減衰器のリーク信号が駆動電流
を供給する共通電源ラインVccを介して結合され
ることがきわめて少なくなる。又、スイツチング
トランジスタがオン又はオフのいずれの状態でも
リレーコイルが減衰すべき信号に与える影響を軽
減することができる。そのため、特に高い周波数
領域で発生しやすい減衰特性の“あばれ”を軽減
することができるという効果を奏するものであ
る。
器は、減衰量を設定するトランスフア継電器のリ
レーコイルの一端を、直接、可変抵抗減衰器を構
成する帯状のアース導体に接続すると共に、リレ
ーコイルの他端をエミツタホロワ接続されている
スイツチングトランジスタ及びアース筐体に形成
されている貫通形のフイルタを介して駆動電流を
供給する構成としたので、特に、リレーコイルに
誘導された各抵抗減衰器のリーク信号が駆動電流
を供給する共通電源ラインVccを介して結合され
ることがきわめて少なくなる。又、スイツチング
トランジスタがオン又はオフのいずれの状態でも
リレーコイルが減衰すべき信号に与える影響を軽
減することができる。そのため、特に高い周波数
領域で発生しやすい減衰特性の“あばれ”を軽減
することができるという効果を奏するものであ
る。
第１図は可変抵抗減衰器の構成を示す回路図、
第１図はトランスフア継電器による切替回路図、
第３図はこの考案によるリレーコイル駆動回路、
第４図はこの考案の実施例を示す可変抵抗減衰器
の平面図、第５図は第４図のトランスフア継電器
の詳細な回路図、第６図は可変抵抗減衰器の周波
数特性図である。 図中、１ａ〜１ｄは単位抵抗減衰器、８ａは貫
通形のフイルタ、９ａ〜９ｄはトランスフア継電
器、Ｓはスイツチング素子、１９ａはリレーコイ
ルを示す。
第１図はトランスフア継電器による切替回路図、
第３図はこの考案によるリレーコイル駆動回路、
第４図はこの考案の実施例を示す可変抵抗減衰器
の平面図、第５図は第４図のトランスフア継電器
の詳細な回路図、第６図は可変抵抗減衰器の周波
数特性図である。 図中、１ａ〜１ｄは単位抵抗減衰器、８ａは貫
通形のフイルタ、９ａ〜９ｄはトランスフア継電
器、Ｓはスイツチング素子、１９ａはリレーコイ
ルを示す。
Claims (1)
- 単位抵抗減衰器とトランスフア継電器のリレー
接点とをアース筐体内の誘電材基板上で交互に縦
続接続して減衰量を可変とする可変抵抗減衰器に
おいて、前記トランスフア継電器のリレーコイル
の一端を前記誘電材基板の帯状のアース導体に直
接接地し、他端を前記アース筐体に設けられてい
る貫通形のローパスフイルタを介してコレクタが
電源ラインを接続されているスイツチングトラン
ジスタのエミツタに接続し、このスイツチングト
ランジスタを断続制御して減衰量を可変すること
を特徴とする可変抵抗減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14716082U JPS5952717U (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 可変抵抗減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14716082U JPS5952717U (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 可変抵抗減衰器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952717U JPS5952717U (ja) | 1984-04-06 |
| JPH046263Y2 true JPH046263Y2 (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=30327335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14716082U Granted JPS5952717U (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 可変抵抗減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952717U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0514574Y2 (ja) * | 1987-05-22 | 1993-04-19 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042510Y2 (ja) * | 1981-03-19 | 1985-12-27 | 松下電器産業株式会社 | 高周波減衰器 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP14716082U patent/JPS5952717U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5952717U (ja) | 1984-04-06 |
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