JPH0461863B2 - - Google Patents
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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- C07C51/285—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by oxidation with peroxy-compounds
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Description
本発明は、水溶性ビシナルジオールを出発物質
とするカルボン酸の製造方法にかかわる。更に特
定するに、本発明は、H2O2による水溶性ビシナ
ルジオールの酸化分断によつてモノ−若しくはジ
カルボン酸を製造する方法にかかわる。 水溶性ビシナルジオールの酸化分断により取得
されうるモノジカルボン酸又はジカルボン酸は経
済上かなり重要な化学物質である。それは有機合
成に有用な中間体であり、加えて種々の工業用途
を見出している。かくして、例えばアジピン酸は
ポリアミドの合成に用いられ、安息香酸も各種合
成に有用な中間体である。また、安息香酸のエス
テルは可塑剤として広く用いられる。 カルボン酸へのビシナルジオールの選択的直接
酸化は、石油化学製品から、例えばオレフインの
ヒドロキシル化により、製せられうる出発物質の
入手性故にかなり有利である。 ビシナルジオールは、KMnO4、セリウム
()塩およびK2Cr2O7の如き各種酸化剤を用い
ることにより化学量論的にカルボン酸に酸化せし
められうる。 より簡便なものとして、カロ酸(とバナジウム
基剤触媒)、過酢酸(とRuCl3又はCo、Mn、Ni、
Fe若くはPd酢酸塩)或いは過よう素酸ナトリウ
ム(と触媒としてのKMnO4)の使用を基礎とし
た接触方法が用いられうる。 しかしながら、上記方法はいずれも、経済上お
よび(又は)汚染上苛酷な問題を有している。例
えば、酸化剤としての過よう素酸ナトリウムの使
用は、このものを完全に回収できるときにのみ経
済上好都合でありうるけれども、回収操作はかな
り困難である。他方、過酢酸の使用は比較的コス
ト高であり、また反応ないし使用時副生物として
形成せる酢酸の回収問題がある。 ビシナルジオールは、Co()の塩例えば酢酸
塩の存在下分子酸素によりカルボン酸に酸化せし
められることが知られている。しかしながら、こ
の反応も亦、高価な溶媒(例えばN,N−ジメチ
ルアセトミド)中無水条件下で実施するときにの
み良好な収率が得られるという欠点を有してい
る。 それとは対照的に、水性H2O2によるビシナル
ジオールの接触酸化は酸化剤コストの低さと処分
すべき還元生成物の不在により工業上疑いなく有
利である。しかしながら、H2O2によるビシナル
ジオールの酸化分断は選択性において劣る。 本発明の一つの目的は、水性H2O2すなわち、
低コストでありしかも、処分せねばならない還元
生成物を生じない酸化剤を用いることによつて、
水溶性ビシナルジオールからのモノ−若しくはジ
カルボン酸の製造方法を提供することである。 本発明の別の目的は、コスト上妥当な触媒系を
用いる方法を提供することである。 本発明の更に別の目的は、所期の酸に対し高い
選択性を保証する方法を提供することである。 叙上の目的および他の目的は、水に可溶の末端
ないし内部ビシナルジオール(随意、反応条件下
で不活性な官能基を有する)の酸化分断によるモ
ノ−若しくはジカルボン酸の製造方法によつて達
成される。 このビシナルジオールは、水溶液中、タングス
テン酸若しくはタングステン酸アルカリ金属およ
び随意成分としてのりん酸、ひ酸若しくはこれら
のアルカリ金属塩からなる触媒系の存在下0〜
120℃範囲の温度、0.5〜4範囲のPH値でH2O2と
反応せしめられる。 この反応は次の如くである: R1およびR2は、ビシナルジオールの水溶性と
両立しうるような炭化水素基(随意、反応条件下
で不活性な官能基を有する)である。 上記(1)より明らかな如く、内部ビシナルジオー
ルに関する反応は2種のカルボン酸
とするカルボン酸の製造方法にかかわる。更に特
定するに、本発明は、H2O2による水溶性ビシナ
ルジオールの酸化分断によつてモノ−若しくはジ
カルボン酸を製造する方法にかかわる。 水溶性ビシナルジオールの酸化分断により取得
されうるモノジカルボン酸又はジカルボン酸は経
済上かなり重要な化学物質である。それは有機合
成に有用な中間体であり、加えて種々の工業用途
を見出している。かくして、例えばアジピン酸は
ポリアミドの合成に用いられ、安息香酸も各種合
成に有用な中間体である。また、安息香酸のエス
テルは可塑剤として広く用いられる。 カルボン酸へのビシナルジオールの選択的直接
酸化は、石油化学製品から、例えばオレフインの
ヒドロキシル化により、製せられうる出発物質の
入手性故にかなり有利である。 ビシナルジオールは、KMnO4、セリウム
()塩およびK2Cr2O7の如き各種酸化剤を用い
ることにより化学量論的にカルボン酸に酸化せし
められうる。 より簡便なものとして、カロ酸(とバナジウム
基剤触媒)、過酢酸(とRuCl3又はCo、Mn、Ni、
Fe若くはPd酢酸塩)或いは過よう素酸ナトリウ
ム(と触媒としてのKMnO4)の使用を基礎とし
た接触方法が用いられうる。 しかしながら、上記方法はいずれも、経済上お
よび(又は)汚染上苛酷な問題を有している。例
えば、酸化剤としての過よう素酸ナトリウムの使
用は、このものを完全に回収できるときにのみ経
済上好都合でありうるけれども、回収操作はかな
り困難である。他方、過酢酸の使用は比較的コス
ト高であり、また反応ないし使用時副生物として
形成せる酢酸の回収問題がある。 ビシナルジオールは、Co()の塩例えば酢酸
塩の存在下分子酸素によりカルボン酸に酸化せし
められることが知られている。しかしながら、こ
の反応も亦、高価な溶媒(例えばN,N−ジメチ
ルアセトミド)中無水条件下で実施するときにの
み良好な収率が得られるという欠点を有してい
る。 それとは対照的に、水性H2O2によるビシナル
ジオールの接触酸化は酸化剤コストの低さと処分
すべき還元生成物の不在により工業上疑いなく有
利である。しかしながら、H2O2によるビシナル
ジオールの酸化分断は選択性において劣る。 本発明の一つの目的は、水性H2O2すなわち、
低コストでありしかも、処分せねばならない還元
生成物を生じない酸化剤を用いることによつて、
水溶性ビシナルジオールからのモノ−若しくはジ
カルボン酸の製造方法を提供することである。 本発明の別の目的は、コスト上妥当な触媒系を
用いる方法を提供することである。 本発明の更に別の目的は、所期の酸に対し高い
選択性を保証する方法を提供することである。 叙上の目的および他の目的は、水に可溶の末端
ないし内部ビシナルジオール(随意、反応条件下
で不活性な官能基を有する)の酸化分断によるモ
ノ−若しくはジカルボン酸の製造方法によつて達
成される。 このビシナルジオールは、水溶液中、タングス
テン酸若しくはタングステン酸アルカリ金属およ
び随意成分としてのりん酸、ひ酸若しくはこれら
のアルカリ金属塩からなる触媒系の存在下0〜
120℃範囲の温度、0.5〜4範囲のPH値でH2O2と
反応せしめられる。 この反応は次の如くである: R1およびR2は、ビシナルジオールの水溶性と
両立しうるような炭化水素基(随意、反応条件下
で不活性な官能基を有する)である。 上記(1)より明らかな如く、内部ビシナルジオー
ルに関する反応は2種のカルボン酸
【式】および
【式】を生ずる。
但し、ここでR1=R2の場合、得られる酸は1種
である。 ビシナルジオールR1−CHOH−CH2OHが末端
ジオールであるとき、
である。 ビシナルジオールR1−CHOH−CH2OHが末端
ジオールであるとき、
【式】およびぎ酸
が形成し、後者は反応媒体中でCO2に酸化せしめ
られる。この反応は上記(2)に該当する。 内部ビシナルジオールが環状物であるとき、ジ
カルボン酸が得られる。 既述の如く、触媒系は常に第1成分すなわちタ
ングステン酸又はタングステン酸アルカリ金属を
含有し、また随意、りん酸、りん酸アルカリ金
属、ひ酸又はひ酸アルカリ金属から選ばれる第2
成分を含有する。好ましくは、触媒系は両成分を
有する。事実、この2成分系は、より良好な収率
を保証する。 触媒系は、タングステン化合物および随意成分
としてのりん若しくはひ素化合物にして夫々反応
媒体中でタングステン酸イオンおよびりん酸イオ
ン若しくはひ酸イオンに転化しうる化合物を該媒
体導入することにより、反応媒体中現場調製され
うる。かくして、触媒系第1成分の先駆物質とし
て、例えばWO2、W2O5、WO3、WS3、WCl6、
WOCl4およびW(CO)6が用いられる。同様に、り
ん酸イオン又はひ酸イオンの先駆物質として、例
えば、P2O5、As2O5、PCl5、AsCl5、POCl3、
AsOCl3およびポリりん酸が用いられうる。 出発ビシナルジオールは、反応条件下で不活性
な官能基を含有し得、またかかる官能基で互いに
同じか又は別異のもの2個ないし3個を有しう
る。ビシナルジオールの水溶性を可能にすべく選
定されるこれら官能基は例えばCl、Fおよび
COOHである。出発物資として好都合に用いら
れうる水溶性ビシナルジオールは例えば1,2−
シクロブタンジオール、1,2−シクロペンタン
ジオール、1,2−シクロヘプタンジオール、
1,2−シクロヘキサンジオール、フエニルエタ
ンジオール、1,2−プロパンジオール、1,2
−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、
1,2−ペンタンジオール、1,2−ヘキサンジ
オール、3,4−ヘキサンジオールおよび3−ク
ロル−1,2−プロパンジオールである。 反応は、触媒系、過酸化水素およびビシナルジ
オールを水に溶かしたのち、また生成せる溶液を
稀無機酸又は塩基(HCl、H2SO4又はNaOH)で
随意PH調節したのち、激しい撹拌下で実施され
る。 溶液のPH値は一般に0.5〜4好ましくは約2〜
3範囲である。 温度は一般に0〜120℃範囲である。実際には
ジオールの反応性およびH2O2の安定性を基準に
して温度の決定がなされるが、約60〜90℃範囲が
好ましい。 通常、反応はほヾ大気圧で遂行される。反応時
間は、用いられるビシナルジオールの反応性に依
拠する。一般に、反応を完了させるのに5〜15時
間を要する。 触媒系は、基剤1モル当りW0.01〜1モル、好
ましくは0.02〜0.15モル範囲の量で用いらいれ
る。 二成分触媒系の場合、該系の2成分は12〜0.1
のW/P若しくはAsモル比好ましくは約4〜
0.25のW/P若しくはAsモル比で用いられる。 ビシナルジオールとH2O2とは本質上、反応(1)
および(2)の化学量論に相当するモル比で用いられ
る。しかしながら、この化学量論に対し中過剤
(例えば10%過剰)のH2O2を用いることが好まし
い。 反応混合物中のビシナルジオール濃度は一般に
1〜40重量%範囲であるが、好ましくは約15〜30
%範囲である。 反応混合物のH2O2濃度は一般に5〜60重量%
であるが、好ましくは約15〜30重量%である。 本発明を更に説示するために下記例を示す。 反応終了後、酸は慣用技法に従つて反応媒体か
ら回収される。 本発明を更に説示するために下記例を示す。 例 1 還流冷却器と電磁撹拌機を備えた100mlフラス
コに、Na2WO4・2H2O0.8g(約2.4mM)、400
g/濃度のH3PO41.18ml(4.8mM)、400g/
濃度のH2O214.9ml(175.3mM)および1,2
−シクロヘキサンジオール(cis+trans)6g
(51.7mM)を装入した。 形成せる溶液を10%NaOH二、三滴の添加に
よつてPH2に調節し、次いで該溶液を激しい撹拌
下で70℃に昇温し、この温度で14.5時間保持し
た。 こののち、混合物を冷却器(0〜5℃)内で一
夜放置せしめた。 形成した結晶を過したのち、残留せるH2O2
が完全に分解するまで溶液にSO2をバブルさせ、
次いで過剰のSO2を除去するためにN2をバブル
させた。次いで、この溶液の10%濃度のNaOH
でPH8に塩基性化し、そのあと減圧下60℃で乾燥
せしめた。残留物を沸とう温度のアセトンで40分
間抽出させ、過して得られたアセトン溶液を蒸
発せしめて1,2−シクロヘキサンジオール60mg
を回収した。 他方、アセトンに不溶の固形分が最少容量の水
に溶解した。 而して、この溶液の濃HCl二、三滴で酸性化
し、次いで冷却器内で晶出せしめた。かくして得
た結晶を先に収集した結晶に加え、1,2−ジク
ロルエタンで洗浄し、次いで氷水(2ml)で洗つ
たのち、水ポンプで乾燥し、次いで2時間80℃の
炉内乾燥に付した。それにより、純度98.9%(ガ
スクロマトグラフイーによる測定)のアジピン酸
7.05gを得た。これは、アジピン酸における選択
性(ジオールに対する計算値)93.3%に相当し、
またシクロヘキサンジオールの転化率99.0%に相
当した。 例 2 還流冷却器と電磁撹拌機を備えた100mlフラス
コに、Na2WO4・2H2O0.8g(約2.4mM)、400
g/濃度のH3PO41.18ml(4.8mM)、400g/
濃度のH2O2/7ml(200mM)および1−フエ
ニル−1,2−エタンジオール6g(43.5mM)
を装入した。 形成せる溶液を10%NaOH二、三滴の添加に
よつてPH2に調節し、次いで該溶液を激しい撹拌
下で10時間70℃に昇温した。こののち、形成せる
固体が完全に溶けるまで30%NaOHを加え(約
6ml)、そして残留H2O2をSO2で分解させた。 必要に応じて、溶液をNaOHにより弱アルカ
リPHに上げ、次いで60℃で減圧乾燥せしめた。残
留物を還流条件下エーテルで40分間抽出し、過
して得たエーテル溶液を蒸発せしめたところ、
320mlの1−フエニル−1,2−エタンジオール
が回収された。他方、エーテルに不溶の固形分が
最少容量の水に溶解した。これを10%HClで酸性
化した。 沈降させる安息香酸を過し、水ポンプで乾燥
し、エーテルに溶かした。過後、エーテル溶液
を蒸発させることにより、純度98.8%の安息香酸
4.07gを得た。これは安息香酸における選択性
80.1%に相当し、また1−フエニル−1,2−エ
タンジオールの転化率94.7%に相当する。 例 3 還流冷却器と電磁撹拌機を備えた50mlフラスコ
に、Na2WO4・2H2O0.8 g(約2.4mM)、
Na2HAs4・7H2O1.5g(4.8mM)、H2O1.5ml、
400g/濃度のH2O27.5ml(88.2mM)および1
−フエニル−1、2−エタンジオール2.76g(20
mM)を装入した。 得られた溶液を30%濃度のH2SO4でPH2に調
節し、次いで激しい撹拌下で70℃に5時間昇温さ
せた。 次いで、これを例2の如く処理したところ、1
−フエニル−1,2−エタンジオール120mgが回
収され、99.3%の安息香酸1.62gが取得された。
これは、安息香酸における選択性68.9%に相当
し、また1−フエニル−1,2−エタンジオール
の転化率95.7%に相当する。 例 4 還流冷却器と電磁撹拌機を備えた50mlフラスコ
に、微粉砕せるNa2WO4・2H2O0.8g(約2.4m
M)、水1.2ml、400g/濃度の過酸化水素7.2
ml(84.7mM)、および1,2−シクロヘキサン
ジオール(cis+trans)3g(約25.9mM)を装
入した。 得られた溶液をHClの添加によりPH2に調節
し、そののち激しい撹拌下で70℃に7時間昇温し
た。 次いで、例1の如く処理したところ、1,2−
シクロヘキサンジオール40mgが回収され、純度
98.4%のアジピン酸2.96gが取得された。これは
アジピン酸における選択性78.2%に相当し、また
シクロヘキサンジオールの転化率98.7%に相当す
る。
られる。この反応は上記(2)に該当する。 内部ビシナルジオールが環状物であるとき、ジ
カルボン酸が得られる。 既述の如く、触媒系は常に第1成分すなわちタ
ングステン酸又はタングステン酸アルカリ金属を
含有し、また随意、りん酸、りん酸アルカリ金
属、ひ酸又はひ酸アルカリ金属から選ばれる第2
成分を含有する。好ましくは、触媒系は両成分を
有する。事実、この2成分系は、より良好な収率
を保証する。 触媒系は、タングステン化合物および随意成分
としてのりん若しくはひ素化合物にして夫々反応
媒体中でタングステン酸イオンおよびりん酸イオ
ン若しくはひ酸イオンに転化しうる化合物を該媒
体導入することにより、反応媒体中現場調製され
うる。かくして、触媒系第1成分の先駆物質とし
て、例えばWO2、W2O5、WO3、WS3、WCl6、
WOCl4およびW(CO)6が用いられる。同様に、り
ん酸イオン又はひ酸イオンの先駆物質として、例
えば、P2O5、As2O5、PCl5、AsCl5、POCl3、
AsOCl3およびポリりん酸が用いられうる。 出発ビシナルジオールは、反応条件下で不活性
な官能基を含有し得、またかかる官能基で互いに
同じか又は別異のもの2個ないし3個を有しう
る。ビシナルジオールの水溶性を可能にすべく選
定されるこれら官能基は例えばCl、Fおよび
COOHである。出発物資として好都合に用いら
れうる水溶性ビシナルジオールは例えば1,2−
シクロブタンジオール、1,2−シクロペンタン
ジオール、1,2−シクロヘプタンジオール、
1,2−シクロヘキサンジオール、フエニルエタ
ンジオール、1,2−プロパンジオール、1,2
−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、
1,2−ペンタンジオール、1,2−ヘキサンジ
オール、3,4−ヘキサンジオールおよび3−ク
ロル−1,2−プロパンジオールである。 反応は、触媒系、過酸化水素およびビシナルジ
オールを水に溶かしたのち、また生成せる溶液を
稀無機酸又は塩基(HCl、H2SO4又はNaOH)で
随意PH調節したのち、激しい撹拌下で実施され
る。 溶液のPH値は一般に0.5〜4好ましくは約2〜
3範囲である。 温度は一般に0〜120℃範囲である。実際には
ジオールの反応性およびH2O2の安定性を基準に
して温度の決定がなされるが、約60〜90℃範囲が
好ましい。 通常、反応はほヾ大気圧で遂行される。反応時
間は、用いられるビシナルジオールの反応性に依
拠する。一般に、反応を完了させるのに5〜15時
間を要する。 触媒系は、基剤1モル当りW0.01〜1モル、好
ましくは0.02〜0.15モル範囲の量で用いらいれ
る。 二成分触媒系の場合、該系の2成分は12〜0.1
のW/P若しくはAsモル比好ましくは約4〜
0.25のW/P若しくはAsモル比で用いられる。 ビシナルジオールとH2O2とは本質上、反応(1)
および(2)の化学量論に相当するモル比で用いられ
る。しかしながら、この化学量論に対し中過剤
(例えば10%過剰)のH2O2を用いることが好まし
い。 反応混合物中のビシナルジオール濃度は一般に
1〜40重量%範囲であるが、好ましくは約15〜30
%範囲である。 反応混合物のH2O2濃度は一般に5〜60重量%
であるが、好ましくは約15〜30重量%である。 本発明を更に説示するために下記例を示す。 反応終了後、酸は慣用技法に従つて反応媒体か
ら回収される。 本発明を更に説示するために下記例を示す。 例 1 還流冷却器と電磁撹拌機を備えた100mlフラス
コに、Na2WO4・2H2O0.8g(約2.4mM)、400
g/濃度のH3PO41.18ml(4.8mM)、400g/
濃度のH2O214.9ml(175.3mM)および1,2
−シクロヘキサンジオール(cis+trans)6g
(51.7mM)を装入した。 形成せる溶液を10%NaOH二、三滴の添加に
よつてPH2に調節し、次いで該溶液を激しい撹拌
下で70℃に昇温し、この温度で14.5時間保持し
た。 こののち、混合物を冷却器(0〜5℃)内で一
夜放置せしめた。 形成した結晶を過したのち、残留せるH2O2
が完全に分解するまで溶液にSO2をバブルさせ、
次いで過剰のSO2を除去するためにN2をバブル
させた。次いで、この溶液の10%濃度のNaOH
でPH8に塩基性化し、そのあと減圧下60℃で乾燥
せしめた。残留物を沸とう温度のアセトンで40分
間抽出させ、過して得られたアセトン溶液を蒸
発せしめて1,2−シクロヘキサンジオール60mg
を回収した。 他方、アセトンに不溶の固形分が最少容量の水
に溶解した。 而して、この溶液の濃HCl二、三滴で酸性化
し、次いで冷却器内で晶出せしめた。かくして得
た結晶を先に収集した結晶に加え、1,2−ジク
ロルエタンで洗浄し、次いで氷水(2ml)で洗つ
たのち、水ポンプで乾燥し、次いで2時間80℃の
炉内乾燥に付した。それにより、純度98.9%(ガ
スクロマトグラフイーによる測定)のアジピン酸
7.05gを得た。これは、アジピン酸における選択
性(ジオールに対する計算値)93.3%に相当し、
またシクロヘキサンジオールの転化率99.0%に相
当した。 例 2 還流冷却器と電磁撹拌機を備えた100mlフラス
コに、Na2WO4・2H2O0.8g(約2.4mM)、400
g/濃度のH3PO41.18ml(4.8mM)、400g/
濃度のH2O2/7ml(200mM)および1−フエ
ニル−1,2−エタンジオール6g(43.5mM)
を装入した。 形成せる溶液を10%NaOH二、三滴の添加に
よつてPH2に調節し、次いで該溶液を激しい撹拌
下で10時間70℃に昇温した。こののち、形成せる
固体が完全に溶けるまで30%NaOHを加え(約
6ml)、そして残留H2O2をSO2で分解させた。 必要に応じて、溶液をNaOHにより弱アルカ
リPHに上げ、次いで60℃で減圧乾燥せしめた。残
留物を還流条件下エーテルで40分間抽出し、過
して得たエーテル溶液を蒸発せしめたところ、
320mlの1−フエニル−1,2−エタンジオール
が回収された。他方、エーテルに不溶の固形分が
最少容量の水に溶解した。これを10%HClで酸性
化した。 沈降させる安息香酸を過し、水ポンプで乾燥
し、エーテルに溶かした。過後、エーテル溶液
を蒸発させることにより、純度98.8%の安息香酸
4.07gを得た。これは安息香酸における選択性
80.1%に相当し、また1−フエニル−1,2−エ
タンジオールの転化率94.7%に相当する。 例 3 還流冷却器と電磁撹拌機を備えた50mlフラスコ
に、Na2WO4・2H2O0.8 g(約2.4mM)、
Na2HAs4・7H2O1.5g(4.8mM)、H2O1.5ml、
400g/濃度のH2O27.5ml(88.2mM)および1
−フエニル−1、2−エタンジオール2.76g(20
mM)を装入した。 得られた溶液を30%濃度のH2SO4でPH2に調
節し、次いで激しい撹拌下で70℃に5時間昇温さ
せた。 次いで、これを例2の如く処理したところ、1
−フエニル−1,2−エタンジオール120mgが回
収され、99.3%の安息香酸1.62gが取得された。
これは、安息香酸における選択性68.9%に相当
し、また1−フエニル−1,2−エタンジオール
の転化率95.7%に相当する。 例 4 還流冷却器と電磁撹拌機を備えた50mlフラスコ
に、微粉砕せるNa2WO4・2H2O0.8g(約2.4m
M)、水1.2ml、400g/濃度の過酸化水素7.2
ml(84.7mM)、および1,2−シクロヘキサン
ジオール(cis+trans)3g(約25.9mM)を装
入した。 得られた溶液をHClの添加によりPH2に調節
し、そののち激しい撹拌下で70℃に7時間昇温し
た。 次いで、例1の如く処理したところ、1,2−
シクロヘキサンジオール40mgが回収され、純度
98.4%のアジピン酸2.96gが取得された。これは
アジピン酸における選択性78.2%に相当し、また
シクロヘキサンジオールの転化率98.7%に相当す
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 H2O2によるビシナルジオールの酸化分断に
よつてモノ若しくはジカルボン酸を製造する方法
であつて、水に可溶の末端ないし内部ビシナルジ
オール(随意、反応条件下で不活性な官能基を有
する)を出発物質とし、該ビシナルジオールを、
水溶液中、タングステン酸若しくはタングステン
酸アルカリ金属および随意成分としてのりん酸、
ひ酸若しくはこれらのアルカリ金属塩からなる触
媒系の存在下0〜120℃範囲の温度、0.5〜4範囲
のPH値でH2O2と反応させることを特徴とする方
法。 2 触媒系が、タングステン酸若しくはタングス
テン酸アルカリ金属およびりん酸、ひ酸若しくは
これらのアルカリ金属塩を含むことを特徴とす
る、特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 触媒系が、タングステン化合物および随意成
分としてのりん若しくはひ素化合物にして夫々反
応媒体中でタングステン酸イオンおよびりん酸イ
オン若しくはひ酸イオンに転化しうる化合物を前
記媒体に導入することにより反応媒体中現場調製
されることを特徴とする、特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の方法。 4 反応媒体中でタングステン酸イオンに転化し
うるタングステン化合物が、WO2、W2O5、
WO3、WS2、WS3、WCl6、WOCl4およびW
(CO)6よりなる群から選ばれることを特徴とす
る、特許請求の範囲第3項記載の方法。 5 反応媒体中でりん酸イオン若しくはひ酸イオ
ンに転化しうるりん若しくはひ素化合物が、
P2O5、As2O5、PCl5、AsCl5、POCl3、AsOCl3お
よびポリりん酸よりなる群から選ばれることを特
徴とする、特許請求の範囲第3項又は4項記載の
方法。 6 PHが約2〜3範囲であることを特徴とする、
特許請求の範囲第1〜5項いずれか記載の方法。 7 温度が約60〜90℃範囲であることを特徴とす
る、特許請求の範囲第1項〜6項いずれか記載の
方法。 8 触媒系が、ビシナルジオール1モル当り
W0.01〜1モル範囲の量で用いられることを特徴
とする、特許請求の範囲第1項〜7項いずれか記
載の方法。 9 触媒系が、タングステン酸若しくはタングス
テン酸アルカリ金属およびりん酸、ひ酸若しくは
これらのアルカリ金属塩とを、12〜0.1のW/P
若しくはAsモル比で含有することを特徴とする、
特許請求の範囲第1項〜8項いずれか記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT20605A/83 | 1983-04-15 | ||
IT20605/83A IT1164178B (it) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | Procedimento per la preparazione di acidi carbossilici a partire da dioli vicinali solubili in acqua |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6034928A JPS6034928A (ja) | 1985-02-22 |
JPH0461863B2 true JPH0461863B2 (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=11169442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59073125A Granted JPS6034928A (ja) | 1983-04-15 | 1984-04-13 | ビシナル水溶性ジオールを出発物質とするカルボン酸の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4550196A (ja) |
EP (1) | EP0123495B1 (ja) |
JP (1) | JPS6034928A (ja) |
CA (1) | CA1215385A (ja) |
DE (1) | DE3461073D1 (ja) |
IT (1) | IT1164178B (ja) |
Families Citing this family (6)
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---|---|---|---|---|
JPH0637423B2 (ja) * | 1985-02-25 | 1994-05-18 | 日本蒸溜工業株式会社 | 芳香族ジカルボン酸の製造方法 |
IT1256989B (it) * | 1992-10-29 | 1995-12-27 | Novamont Spa | Procedimento per la preparazione di acidi carbossilici o loro esteri mediante scissione ossidativa di acidi grassi insaturi o loro esteri. |
US5596111A (en) * | 1995-06-05 | 1997-01-21 | North Dakota State University | Method for preparation of carboxylic acids |
DE19724736C1 (de) * | 1997-06-12 | 1999-01-07 | Rwe Dea Ag | Herstellung von Carbonsäuren durch Wasserstoffperoxid-Oxidation |
DE10002877A1 (de) | 2000-01-24 | 2001-10-18 | Bayer Ag | Polycarbonsäuren, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung zur Behandlung von Cellulosefasern oder daraus hergestellten Textil- oder Papiermaterialien |
ITMI20091842A1 (it) * | 2009-10-23 | 2011-04-24 | Radici Chimica Spa | Procedimento per la preparazione dell'acido adipico |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3855257A (en) * | 1970-06-29 | 1974-12-17 | Procter & Gamble | Preparation of carboxylic acids by the oxidation of vicinal glycols |
FR2262657A1 (en) * | 1974-03-01 | 1975-09-26 | Air Liquide | Carboxylic acid prodn. by oxidn. - using oxidising agent in presence of vanadium-contg. catalyst |
-
1983
- 1983-04-15 IT IT20605/83A patent/IT1164178B/it active
-
1984
- 1984-04-12 CA CA000451822A patent/CA1215385A/en not_active Expired
- 1984-04-12 US US06/599,677 patent/US4550196A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-04-13 JP JP59073125A patent/JPS6034928A/ja active Granted
- 1984-04-16 EP EP84302585A patent/EP0123495B1/en not_active Expired
- 1984-04-16 DE DE8484302585T patent/DE3461073D1/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1164178B (it) | 1987-04-08 |
CA1215385A (en) | 1986-12-16 |
EP0123495B1 (en) | 1986-10-29 |
EP0123495A1 (en) | 1984-10-31 |
DE3461073D1 (en) | 1986-12-04 |
US4550196A (en) | 1985-10-29 |
JPS6034928A (ja) | 1985-02-22 |
IT8320605A0 (it) | 1983-04-15 |
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