JPH0461733U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0461733U JPH0461733U JP10358190U JP10358190U JPH0461733U JP H0461733 U JPH0461733 U JP H0461733U JP 10358190 U JP10358190 U JP 10358190U JP 10358190 U JP10358190 U JP 10358190U JP H0461733 U JPH0461733 U JP H0461733U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputter electrode
- plasma generation
- holder
- ion source
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
第１図は、この考案の一実施例に係るイオン源
を示す断面図である。第２図は、この考案の他の
実施例に係るイオン源を示す断面図である。第３
図は、第２図中のチヤンバーブロツクを示す斜視
図である。第４図は、従来のイオン源の一例を示
す断面図である。 ３……プラズマ生成容器、６……フイラメント
、１２……支持ブロツク、１４……スパツタ電極
、２２……イオンビーム、２４……ホルダ。
を示す断面図である。第２図は、この考案の他の
実施例に係るイオン源を示す断面図である。第３
図は、第２図中のチヤンバーブロツクを示す斜視
図である。第４図は、従来のイオン源の一例を示
す断面図である。 ３……プラズマ生成容器、６……フイラメント
、１２……支持ブロツク、１４……スパツタ電極
、２２……イオンビーム、２４……ホルダ。
Claims (1)
- プラズマ生成容器内に、それに対して負電圧が
印加されるスパツタ電極を収納し、それによつて
当該スパツタ電極構成物質のイオンビームの引き
出しを可能にしたイオン源において、前記スパツ
タ電極を直接またはホルダを介して絶縁物製の支
持ブロツクに着脱可能に取り付け、かつ前記プラ
ズマ生成容器の前記スパツタ電極またはそのホル
ダが通る穴を設け、そして前記スパツタ電極の部
分をこの穴を通してプラズマ生成容器内に挿入す
ると共に前記支持ブロツクをプラズマ生成容器に
着脱可能に取り付けていることを特徴とするイオ
ン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10358190U JPH0461733U (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10358190U JPH0461733U (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461733U true JPH0461733U (ja) | 1992-05-27 |
Family
ID=31848519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10358190U Pending JPH0461733U (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461733U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011124059A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | 反射電極構造体及びイオン源 |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP10358190U patent/JPH0461733U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011124059A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | 反射電極構造体及びイオン源 |