JPH0461227A - 真空装置の排気方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空容器内で半導体ウェハなどを加工する真
空処理装置の排気方法に関する。 〔従来の技術〕 従来から、半導体製造装置等、真空処理装置の真空排気
方法は、スロー排気、スローリークが最も一般的に行わ
才ｔている。 第：３図は、最も一般的な真空処理装置の排−％　−、
ｌｊθ、４示す断面図である６図において、１はウェハ
等の処理基板、２はイオン注入、エツチング等の処理を
ンｊう処理室、３は処理室の排気［−］、／２（４ウエ
ハ等の被処理基盤を、処理室へ処理室内の真仝を破るこ
となく搬出・搬入を行うためのｏ−１−ロック室、５は
ロードロック室の排気ｌ」、６は口）−ロック室を人気
に戻す際のガス導入し】、７は処理室とロードロック室
どの間髪仕切るゲ〜＝１−バルブ、８は被処理基板を載
せて運ぶ搬送ステージ、９は被処理基板の搬出、搬入１
−コである。 あらかし、め、ゲートバルブ７は閉しられ、処理室１は
排気［１１１１３より真空排気され高真空に保たれる。 つＪハ］は、搬畠、搬入［」９よりロー１−ロック室４
内の搬送ステージ８に載せられ、搬出、搬入［−Ｊは閉
し７られた後に、ロードロック室は排気口５より真空排
気される。そして、ローｌくロック室が所定のＩｌｆ力
に達したら、ゲートバルブ７は開かれ、ウェハ１は、あ
らかしめ高真空に保たれた処理室２に運ばれて、ゲート
バルブ７が閉し２られ処理が行われる。処理が終オ）る
と、ゲートバルブ７は開かれ、ウェハ】は処理室２．か
ら口・叫へロック室に戻されて、ゲー［・バルブが閉し
られた後、ガス導入口６より、清浄な空気、あるいは窒
素等のガスが県人され大気状態に戻される。Ｒ後に、搬
出し１９より７処理の終わったウェハ〕は取り出される
。 このような処理過程の中で、特にロードロック室の排気
時、ガスの導入時に塵埃の巻き−１げが発生して、ウェ
ハ１に付着して汚染するという欠点がある。、 そこで、塵埃の巻き上げによる汚染を低減するために、
排気時、ガス導入時の流歓を絞るという、いわゆる、ス
ロー刊気、スローリークが良く行われるが、この方法で
も完全に、塵埃の倦きＬげによるウェハの汚染を防ぐこ
とはできない。また、排気、リークに時間を取られるた
め、スルーブツトを低］ぐさぜるという欠点がある。さ
らに、塵埃の巻き」二げを防ぐために装置内の清掃を一
１分に？１つでも、搬送部の機械的摩耗、ウエノλの、
デツピング等によって塵埃は装置内に堆積するため、頻
繁に清掃を行う必要が生じ装置の稼働率を低１・させる
こととなる。 また、このような欠点を改善する目的て′、特開昭６２
−２０９８２５号公報では、ロードロック室内のウェハ
をカバー１１で覆い、−１１つ、カバ・〜〕ｌの一部に
真空排気のための孔１２、及び、ガス導入のための導入
管１３を設けた。すなわぢ、第７１図の様に構成するこ
とにより、真空排気時には、カバーにより巻上がった塵
埃がウェハに付着し７にくくなり、さらに、ガス導入時
には、導入管よりガスを導入することによりカバー内の
圧力なカバー列の圧力より高くして、塵埃のカバー内へ
の侵入を防くという効果＆Ｗつだものである。 し２かし、このように構成してもロードロック室内には
搬送部の機械的摩耗、ウェハのチッピング等によって塵
埃は堆積し、また、カバーは孔により通しているために
塵埃の侵入を防ぐことは不ｉｉ７能であり、そのために
、カバー、内における塵埃の巻き上げが発生するという
問題が解決されていないという欠点があった。１ 〔発明が解決１．よ−）とする課題〕 ］二二連よう（乙従来の真空処理装置の真空Ｕ）気性て
は、ウェハ等の処理基板ヒへの塵埃的付着を効果的：、
−防ぐことができない、あるいは、スループツｈが低ト
するという問題があ一つだ。 本発明の目的は、塵埃の付着を効果的に防ぐごとができ
、かつ、高久ループツトを可能とする真空処理装置の真
空損気方法を・提供すること１．７ある。 〔課題を解決するための手段〕 −１−記１１的は、ウェハ交換のためのロードロック室
の真空ゼト気、及び、ガス導入時、ロードロック室の真
空排気口、及び、ガス導入口に平行な位置にフィルタ冬
・備えた、真空排気［」、及び大気導入「−」をもつカ
バーで、ウェハを覆うことにより達成される。 〔作用〕 本発明は、１−述し、た構成（１ミよって、ウェハ等の
被処理基盤に塵埃が付着（１，ないよう１、−シたもの
である。 すなわち、ロードロック室の真空排気、及び、ガス導入
時に、ロートロック室の真空排気口、及び、ガス導入し
］を平行な位置にフィルタを備えた。 真空Ｕ［気Ｌ１２及びガス導入口をもつカバーで、ウェ
ハを覆うことによって、まず、リーク時にはロードロッ
ク室内のガスの流れの乱すことなくフィルタ４通し５て
清浄なガスをカバー内に導入する二とができ、ウェハに
塵埃の付着な効果的に低減することができる。次に、損
気時にも、カバーの外とはフィルタを通してしか通して
いないため、ロトロツク室の塵埃の巻き上げの影響を受
ｔ′ｊない。 さらに、カバー内に導入されるガスは、常にクリーンな
物だけであるから、カバー内は常にクリ・−ンに保九第
１、カバー内に塵埃が巻上がることを防ぐことができる
。 さらに、ウェハを被覆するカバーを、直流電圧を開力１
１される導電性材の薄板状電極と、その電極を覆う絶縁
性材で構成するごとにより、微細塵埃を静電吸着除去す
ることができ、効果的にウェハ上に付着する塵埃を低減
することができる。 〔実施例１ 以１・、本発明の実施例を図面に従）て説明４る１、第
１図は本発明の真空処理装置の真空排領法の第一の実施
例を示し４たものである。図においξ、１はウニ、八等
の処理基板、２はイオン注入、下、ツチング等の処理な
行う処理室、３は処理室の胴ｌ気１ノ、４はウェハ等の
被処理基板を、処理室へ処理室内の真空を破ることなく
搬出、搬入を行うためのロー８１〜ロツク室、Ｅ）はロ
ードロック室の耕気１」。 ６はロードロック室を大公に戻す際のガス導入

【１．７
は処理室とロードロック室との間右什切るゲｈバルブ、
８は被処理基板各・載せて運ぶ搬送スゴージ、１〕は被
処理基板の搬出、搬入Ｉ−」である、１以上の装置構成
は、従来例と同じ２Ｔ、：あるが本発明では、さらにロ
ードロック室の真空排気、目、及び、ガス導入［−１に
平行な位置にフィルタ１４を備スた、真空排気１」］５
、及び人気導入１１１６各もつカバー１７で、ウェハ１
を覆う構成どな〕Ｃいる。 このように構成さｔｌ、た装置で、あらかし、め、ゲー
トパルグア　１ｊ閉［７、らｉｚ、処理室１．１．Ｊｊ
［気１−．−＋　Ｑ３より真空Ｐ１気さ肛畠真空に保ノ
トオ（こいる。つ丁、ハ］は、搬出、搬入目１］より【
］〜　１・［Ｉツク室４内の搬送スう−ジに載ゼＪ゛）
社、搬出、搬入［−二１１１は閉［：’　１７．。 朴る、次に、アーム１（月、Ｊｊ　１．、、ｌ、つ丁ハ
１も覆）でカバー１゛７が載（ゴられ、［］〜Ｉ・［１
ツタ室・ａ　ｌ：ｔ　ＩＪｃ％　［：’、’、Ｕ　５よ
り真空セ１気される。、このＩｌ、’ｉ、つ丁。ハ〕は
カバー］゛〆・”′Ｃ：覆わｉｌ、でいるためα空■１
気逃旨起゛る塵埃の巻き上げ１．５−より汚染される゛
づ・はなく、カバーの耕気冒１５は［］−］１−ロック
の排気［−１５・と平行な位置にあるプ、め１−１ドロ
ック室内の流れ巻乱（、必要以−１−７に塵埃の巻？−
１−，げを起１　：、−１ことが無い。さらにカバ　］
７内とロー１−ロック室４どはフィルタ」４巻・介し、
て通１．でいるノ“−め、カバ１′７内への塵埃の侵入
は完全に防ぐことがズき、あらかし、めカバー内の清掃
を１分に：？＃−ｒＣ，Ｈｉｔばカバー内での塵埃の巻
き上げを無く寸ことか“しきる。 子して、ロードロック室４が所定の圧力１．゛達しまた
Ｃ〕、ゲー　トバルブ７が開かれ、ついで、カバー】７
がアーム１０によって開かれ、ウニ、ハ】は、あらかし
め高真空に保たれた処理室２に運ば才１、で、ゲー、［
・バルブ７が閉しられ処理が行われる１、処理が終わる
と、ゲートバルブ７は開かれ、つ：゛ハ１は処理室２か
Ｉ？）ｏ−ドロック室４に戻され（、カバー１７で再び
覆われる。ゲートバルブが閉（２ら才（また後、ロード
ロック室はガス導入［」６より、清浄な空気、あるいは
、窒素等のガスが導入され大気状態に戻さ才しる。この
時、ウェハ１はカバー１７で覆われているため、やはり
、リーク時に起こる塵埃の巻き１−げにより汚染さ才り
るごとはなく、カバーのガス導入１１１Ｇは日−ドロッ
ク室のガス導入１．Ｊ５と平行な位置にあるためロード
ロック室内の流れを乱し、必要以上に塵埃の巻き士げを
起こすことが無い。さらに、カバー１７内には、清浄な
ガスのみ導入され、ウェハへの塵埃の付着は起こらない
。最後に、カバー１７がアームｉ−０１，：よって開か
れて、搬出［−］≦〕より処理の終わったウェハ１は取
り出される。 このような、真空装置の真本排気方広により、ウコーハ
等の被処理基盤に塵埃が付着するのを防ぐことができる
。 次に、第２図り本発明の真空処理装置の真空１１１気ｄ
、の第一の実施例を示す。ニーで示す実施例で゛は、第
一の実施例て示ｌ１、た装置構成に加λこ、つＪハ１を
被覆４゛るカバー　」−８は、直＆電丹−；ン１イメ印
加される導電性材の薄板状電極３．９と、その電極を覆
う絶縁性材２０で構成さ１＋でいる。このように構成す
ることにより、清掃により除去しきれなか９）だ微細塵
埃を静電吸着除去−することができ、より効果的１、゛
ウェハ七に付着する塵埃を低減することができる。 〔発明の効果〕 本発明による真空処理装置の真空排気り法に“よれば２
ウエハ等の被処理基盤への塵埃の（−＝１着６低減する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１−図、第２図は、それぞれ異なる本発明の詳細な説
明図、第：３図、第４図は従来例を示す説。 四回である。 コ・・ウェハ、２．・処理室、４・・ロート［＋・ツク
室、；５，６・　Ｕ−ドロック室の排気・ガス導入［ｌ
、７・ケー！−バルブ、８　ウエノＸ搬送ステージ、９
・・ウーハ搬出・搬込、「」９．で

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．真空中または減圧中で被処理基板を処理する真空装
   置において、 真空排気、及び大気開放時に、前記真空装置の真空排気
   口、及び大気導入口に平行な位置にフィルタを備えた、
   真空排気口、及び大気導入口をもつカバーを、前記被処
   理基板が被覆されるように配置、構成したことを特徴と
   する真空装置の排気方法。