JPH0459761A - N―置換―1,2―ビス(2―ピリジル)エチレン・7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 - Google Patents
N―置換―1,2―ビス(2―ピリジル)エチレン・7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法Info
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- JPH0459761A JPH0459761A JP16899390A JP16899390A JPH0459761A JP H0459761 A JPH0459761 A JP H0459761A JP 16899390 A JP16899390 A JP 16899390A JP 16899390 A JP16899390 A JP 16899390A JP H0459761 A JPH0459761 A JP H0459761A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、電子機器分野あるいは電子材料分野などにお
ける導電性材料として注目されている有機半導体に関す
るもので、特に新規物質としてのN−置換−1,2−ビ
ス(2−ピリジル)エチレン・7,7,8.8−テトラ
シアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法に関する
ものである。
ける導電性材料として注目されている有機半導体に関す
るもので、特に新規物質としてのN−置換−1,2−ビ
ス(2−ピリジル)エチレン・7,7,8.8−テトラ
シアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法に関する
ものである。
[発明の概要]
更に詳しくは、下記の式[1]で表わされる新規有機半
導体(新規化合物)としてのN−置換−1,2−ビス(
2−ピリジル)エチレン・7,78.8−テトラシアノ
キノジメタン錯塩類およびその製造方法を提供するもの
である。
導体(新規化合物)としてのN−置換−1,2−ビス(
2−ピリジル)エチレン・7,78.8−テトラシアノ
キノジメタン錯塩類およびその製造方法を提供するもの
である。
類を
ただし、式[1]中、RはC1〜C+sのアルキル基ま
たはベンジル基を示す。mは1モルの錯塩に含まれる中
性7,7,8.8−テトラシアノキノジメタンのモル数
に対応する正の数(0,5〜1.5)を意味する。
たはベンジル基を示す。mは1モルの錯塩に含まれる中
性7,7,8.8−テトラシアノキノジメタンのモル数
に対応する正の数(0,5〜1.5)を意味する。
なお、説明の便宜上、7,7,8.8−テトラシアノキ
ノジメタンを以下、TCNQと称す。
ノジメタンを以下、TCNQと称す。
次に、上記の式[1]で示した化合物は、下記の式[2
]で表わされるN−置換−1,2−ビス(2−ピリジル
)エチレン・第四アンモニウム塩下記の式[3]で表わ
されるTCNQと反応させることにより製造することが
できるものである。
]で表わされるN−置換−1,2−ビス(2−ピリジル
)エチレン・第四アンモニウム塩下記の式[3]で表わ
されるTCNQと反応させることにより製造することが
できるものである。
上記の式[1]の化合物において、式中のRのアルキル
基の例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシルのような炭素数がC3〜C1゜のア
ルキル基(n−iso−などの全ての異性体を含む。)
を例示することができる。また、式[1]中のRとして
ベンジル基を例示することができる。式[1]中のmは
0.5′〜1.5が好ましく、より好ましくは約1であ
る。さらに、式[2]中のRは式[1]と同様にC3〜
C+aのアルキル基またはベンジル基であり、Xはハロ
ゲンである。
基の例としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシルのような炭素数がC3〜C1゜のア
ルキル基(n−iso−などの全ての異性体を含む。)
を例示することができる。また、式[1]中のRとして
ベンジル基を例示することができる。式[1]中のmは
0.5′〜1.5が好ましく、より好ましくは約1であ
る。さらに、式[2]中のRは式[1]と同様にC3〜
C+aのアルキル基またはベンジル基であり、Xはハロ
ゲンである。
[合成方法]
上述したように、本発明に係る式[1]の新規化合物で
あるN−置換−1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン
・TCNQCN類は、式[2]のN−置換−1,2−ビ
ス(2−ピリジル)エチレン・第四アンモニウム塩類を
式[3]のTCNQに反応させることによって容易に好
ましい収率で製造することができる。
あるN−置換−1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン
・TCNQCN類は、式[2]のN−置換−1,2−ビ
ス(2−ピリジル)エチレン・第四アンモニウム塩類を
式[3]のTCNQに反応させることによって容易に好
ましい収率で製造することができる。
式[2]のN−置換−1,2−ビス(2−ピリジル)エ
チレン・第四アンモニウム塩類は既に公知の化合物であ
って、1.2−ビス(2−ピリジル)エチレンからそれ
自体公知の手法を利用して容易に合成することができる
。
チレン・第四アンモニウム塩類は既に公知の化合物であ
って、1.2−ビス(2−ピリジル)エチレンからそれ
自体公知の手法を利用して容易に合成することができる
。
式[3コのTCNQおよびその種々の塩ならびにその製
造方法についても既に公知であって、例えばり、R,M
elbyらのJ、Am、Chem、Soc、、84.3
374 (1962)および昭和58年特許出願公開第
191414号公報に明示されている。
造方法についても既に公知であって、例えばり、R,M
elbyらのJ、Am、Chem、Soc、、84.3
374 (1962)および昭和58年特許出願公開第
191414号公報に明示されている。
次に、式[2]の化合物と式[3]のTCNQとから式
[1]の化合物を製造する一態様について詳述すると、
例えば式[2]中の一例としてのN−メチル−1,2−
ビス(2−ピリジル)エチレンヨーダイトの熱アセトニ
トリル溶液と式[3]のTCNQの熱アセトニトリル溶
液を熱時混合した後に放冷し、析出した結晶を濾過する
。この際、反応溶液に大過剰のエーテルを注加し、反応
生成物を析出せしめても良い。反応生成物はアセトニト
リル、メタノール、エーテルで洗浄しアセトニトリルで
再結晶すると、無機塩類を含有しない式[1]中の一例
としてのN−メチル−1,2−ビス(2−ビリシルクエ
チレン・TCNQCN上高収率で得ることができる。
[1]の化合物を製造する一態様について詳述すると、
例えば式[2]中の一例としてのN−メチル−1,2−
ビス(2−ピリジル)エチレンヨーダイトの熱アセトニ
トリル溶液と式[3]のTCNQの熱アセトニトリル溶
液を熱時混合した後に放冷し、析出した結晶を濾過する
。この際、反応溶液に大過剰のエーテルを注加し、反応
生成物を析出せしめても良い。反応生成物はアセトニト
リル、メタノール、エーテルで洗浄しアセトニトリルで
再結晶すると、無機塩類を含有しない式[1]中の一例
としてのN−メチル−1,2−ビス(2−ビリシルクエ
チレン・TCNQCN上高収率で得ることができる。
ところで、式[2〕の化合物と式[3]のTCNQとの
反応において、同反応は例えば常圧下、好ましくは窒素
ガス、アルゴンガスのような不活性ガス雰囲気中で、ア
セトニトリル、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフ
ラン、アルキルセロソルブなど、あるいはそれらの適当
な混合物のような不活性有機溶媒の沸点下で行なうと良
い。反応に使用する式[3]のTCNQの使用量は、弐
[2]の混合物1モルに対して約1〜3モルの如き使用
量を例示することができる。また、不活性有機溶媒の使
用量も適宜選択することができ、式[2]の化合物に対
して約10〜20倍、式[3]のTCNQに対して約5
0〜120倍の如き使用量を例示することができる。
反応において、同反応は例えば常圧下、好ましくは窒素
ガス、アルゴンガスのような不活性ガス雰囲気中で、ア
セトニトリル、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフ
ラン、アルキルセロソルブなど、あるいはそれらの適当
な混合物のような不活性有機溶媒の沸点下で行なうと良
い。反応に使用する式[3]のTCNQの使用量は、弐
[2]の混合物1モルに対して約1〜3モルの如き使用
量を例示することができる。また、不活性有機溶媒の使
用量も適宜選択することができ、式[2]の化合物に対
して約10〜20倍、式[3]のTCNQに対して約5
0〜120倍の如き使用量を例示することができる。
[実施例]
更に、本発明に係る式[1]のN−置換−1゜2−ビス
(2−ピリジル)エチレン・TCNQCN類の具体的な
合成方法の実施例について述べる。
(2−ピリジル)エチレン・TCNQCN類の具体的な
合成方法の実施例について述べる。
〈実施例1〉
N−メチル−1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン・
TCNQCN上合成について述べる。
TCNQCN上合成について述べる。
1.2−ビス(2−ピリジル)エチレン0.92g (
5mmol)と、溶媒としてエチレングリコールジメチ
ルエーテル10m1を撹拌溶解した後ヨウ化メチル(1
0mmol、2eq)を加え撹拌しながら室温で6時間
反応させ、反応物を吸引濾過した後エチレングリコール
ジメチルエーテルで洗浄してN−メチル−1,2−ビス
(2−ピリジル)エチレンヨーダイト(融点211〜2
12℃)を74%の収率で得た。
5mmol)と、溶媒としてエチレングリコールジメチ
ルエーテル10m1を撹拌溶解した後ヨウ化メチル(1
0mmol、2eq)を加え撹拌しながら室温で6時間
反応させ、反応物を吸引濾過した後エチレングリコール
ジメチルエーテルで洗浄してN−メチル−1,2−ビス
(2−ピリジル)エチレンヨーダイト(融点211〜2
12℃)を74%の収率で得た。
こうして得たN−メチル−1,2−ビス(2−ピリジル
)エチレンヨーダイト2mmolをアセトニトリル30
m1に沸騰状態で溶解し、別に用意したアセトニトリル
33m1にTCNQo。
)エチレンヨーダイト2mmolをアセトニトリル30
m1に沸騰状態で溶解し、別に用意したアセトニトリル
33m1にTCNQo。
49g (2,4mmol、1.2eq)を沸騰状態で
溶解し1時間還流した溶液と熱時混合した。
溶解し1時間還流した溶液と熱時混合した。
さらに30分間還流した後、5℃で24時間放置した。
析出した結晶を濾過した後、アセトニトリル、メタノー
ル、エーテルの順で洗浄し、アセトニトリルにより2回
再結晶を行ない、N−メチル−1,2−ビス(2−ピリ
ジル)エチレン・TCNQ錯塩、融点197〜228℃
の黒緑色結晶を収率58%で得ることができた。
ル、エーテルの順で洗浄し、アセトニトリルにより2回
再結晶を行ない、N−メチル−1,2−ビス(2−ピリ
ジル)エチレン・TCNQ錯塩、融点197〜228℃
の黒緑色結晶を収率58%で得ることができた。
得られたN−メチル−1,2−ビス(2−ピリジル)エ
チレン・TCNQ錯塩(Cs7HzIN +。)の元素
分析の結果は次の通りである。
チレン・TCNQ錯塩(Cs7HzIN +。)の元素
分析の結果は次の通りである。
HCN
実測値(%) 3.41 73.47 23.
18計算値(%l 3.49 73.38 2
3.13赤外吸収スペクトルを第1図に示す。また示差
熱分析の結果および融解前及び融解後における比抵抗の
四端子法による測定結果を表2に示す。なお、四端子法
はTCNQ塩約0.1gを錠剤成型器に入れ300kg
/m”の圧力で直径10mmのペレットを作り、これに
A、B%C,Dの4箇のリード線ベレットの周囲に順に
取り付け、定電流発生装置により40LLAの直流電流
をAB間に流し、そのときのCD間の電位差を電圧計で
測定し、次にBC間にも同様に電流を流してDA間の電
位差を測定する方法である。
18計算値(%l 3.49 73.38 2
3.13赤外吸収スペクトルを第1図に示す。また示差
熱分析の結果および融解前及び融解後における比抵抗の
四端子法による測定結果を表2に示す。なお、四端子法
はTCNQ塩約0.1gを錠剤成型器に入れ300kg
/m”の圧力で直径10mmのペレットを作り、これに
A、B%C,Dの4箇のリード線ベレットの周囲に順に
取り付け、定電流発生装置により40LLAの直流電流
をAB間に流し、そのときのCD間の電位差を電圧計で
測定し、次にBC間にも同様に電流を流してDA間の電
位差を測定する方法である。
〈実施例2〜4〉
上記実施例1ではN−メチル−1,2−ビス(2−ピリ
ジル)エチレン・TCNQ錯塩について述べたが、実施
例1と同様の手法・手順に準じて表1のような条件で合
成した結果、式[2コ中のRがエチル、n−プロピル、
ベンジルにそれぞれ置換されたN−置換−1,2−ビス
(2−ピリジル)エチレンヨーダイトを得、さらに実施
例1と同様の手法・手順に準じて、第2表に示すように
N−エチル−1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン・
TCNQ錯塩(実施例2)、N−・n−プロピル−1,
2−ビス(2−ピリジル)エチレン・TCNQ錯塩(実
施例3)、N−ベンジル−1゜2−ビス(2−ピリジル
)エチレン・TCNQ錯塩(実施例4)を得た。これら
の示差熱分析結果ならびに比抵抗値を表2に示す。なお
N−エチル−1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン・
TCNQ錯塩(実施例2)、N−n−プロピル−1・2
−ビス(2−ピリジル)エチレン・TCNQ錯塩(実施
例3)、N−ベンジル−1,2−ビス(2−ピリジル)
エチレン・T’CNQ錯塩(実施例4)のそれぞれの赤
外吸収スペクトルを第2〜4図に示す。
ジル)エチレン・TCNQ錯塩について述べたが、実施
例1と同様の手法・手順に準じて表1のような条件で合
成した結果、式[2コ中のRがエチル、n−プロピル、
ベンジルにそれぞれ置換されたN−置換−1,2−ビス
(2−ピリジル)エチレンヨーダイトを得、さらに実施
例1と同様の手法・手順に準じて、第2表に示すように
N−エチル−1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン・
TCNQ錯塩(実施例2)、N−・n−プロピル−1,
2−ビス(2−ピリジル)エチレン・TCNQ錯塩(実
施例3)、N−ベンジル−1゜2−ビス(2−ピリジル
)エチレン・TCNQ錯塩(実施例4)を得た。これら
の示差熱分析結果ならびに比抵抗値を表2に示す。なお
N−エチル−1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン・
TCNQ錯塩(実施例2)、N−n−プロピル−1・2
−ビス(2−ピリジル)エチレン・TCNQ錯塩(実施
例3)、N−ベンジル−1,2−ビス(2−ピリジル)
エチレン・T’CNQ錯塩(実施例4)のそれぞれの赤
外吸収スペクトルを第2〜4図に示す。
実施例2および4のTCNQ錯塩の元素分析の結果は次
の通りである。
の通りである。
N−エチル−1,2−ビス(2−ピリジル)エチレン・
TCNQ錯塩(CsaHaaN +。)HCN 実測値(%) 3.68 73.68 22.
51計算値(%l 3.74 73.66 2
3.6ON−ベンジル−1,2−ビス(2−ピリジル)
エチレン−TCNQ錯塩(C43H−aN 、。)HC
N 実測値(%) 3.40 76.04 2[1
,03計算値]%) 3.70 75.76
20.55!I((cm−’) 第2図 漬fl (cm−’) [応用例コ 上述のようにして得た式[1]のN−置換=1.2−ビ
ス(2−ピリジル)エチレン・TCNQa塩類の用途に
ついて述べると、このTCNQCN類は例えば2枚のア
ルミニウム箔をセパレータを介して巻回したコンデンサ
素子からなる固体電解コンデンサの固体電解質として、
ある、いはタンタル粉末焼結体のコンデンサ素子からな
る固体電解コンデンサの固体電解質として利用し得るも
のである。
TCNQ錯塩(CsaHaaN +。)HCN 実測値(%) 3.68 73.68 22.
51計算値(%l 3.74 73.66 2
3.6ON−ベンジル−1,2−ビス(2−ピリジル)
エチレン−TCNQ錯塩(C43H−aN 、。)HC
N 実測値(%) 3.40 76.04 2[1
,03計算値]%) 3.70 75.76
20.55!I((cm−’) 第2図 漬fl (cm−’) [応用例コ 上述のようにして得た式[1]のN−置換=1.2−ビ
ス(2−ピリジル)エチレン・TCNQa塩類の用途に
ついて述べると、このTCNQCN類は例えば2枚のア
ルミニウム箔をセパレータを介して巻回したコンデンサ
素子からなる固体電解コンデンサの固体電解質として、
ある、いはタンタル粉末焼結体のコンデンサ素子からな
る固体電解コンデンサの固体電解質として利用し得るも
のである。
第1〜4図はこの発明の実施例1〜4の錯塩の赤外吸収
スペクトルである。
スペクトルである。
Claims (2)
- (1)下記の式[1]で表わされるN−置換−1,2−
ビス(2−ピリジル)エチレン・7,7,)8,8−テ
トラシアノキノジメタン錯塩類。 ▲数式、化学式、表等があります▼ [1] 式[1]中、RはC_1〜C_1_8のアルキル基また
はベンジル基を示す。mは1モルの錯塩に含まれる中性
7,7,8,8−テトラシアノキノジメタンのモル数に
対応する正の数(O.5〜1.5)を意味する。 - (2)下記の式[2]で表わされるN−置換−1,2−
ビス(2−ピリジル)エチレン・第四アンモニウム塩類
を ▲数式、化学式、表等があります▼ [2] 下記の式[3]で表される7、7、8、8−テトラシア
ノキノジメタンと反応させ、 ▲数式、化学式、表等があります▼ [3] 下記の式[1]で表わされるN−置換−1,2−ビス(
2−ピリジル)エチレン・7,7,8,8−テトラシア
ノキノジメタン錯塩類を ▲数式、化学式、表等があります▼ [1] 得ることを特徴としたN−置換−1,2−ビス(2−ピ
リジル)エチレン・7,7,8,8−テトラシアノキノ
ジメタン錯塩類の製造方法。 式[2]中、Xはハロゲンを示す。 式[1]中、mは1モルの錯塩に含まれる中性7,7,
8,8−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応する
正の数(0.5〜1.5)を意味する。 式[1]および式[2]中、RはC_1〜C_1_8の
アルキル基またはベンジル基を示す。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16899390A JPH0459761A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | N―置換―1,2―ビス(2―ピリジル)エチレン・7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16899390A JPH0459761A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | N―置換―1,2―ビス(2―ピリジル)エチレン・7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0459761A true JPH0459761A (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=15878365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16899390A Pending JPH0459761A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | N―置換―1,2―ビス(2―ピリジル)エチレン・7,7,8,8―テトラシアノキノジメタン錯塩類およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0459761A (ja) |
-
1990
- 1990-06-27 JP JP16899390A patent/JPH0459761A/ja active Pending
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