JPH0449545A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0449545A JPH0449545A JP15782590A JP15782590A JPH0449545A JP H0449545 A JPH0449545 A JP H0449545A JP 15782590 A JP15782590 A JP 15782590A JP 15782590 A JP15782590 A JP 15782590A JP H0449545 A JPH0449545 A JP H0449545A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザー光を用いて磁気記録を行い、磁気カー
効果を利用して記録情報の読出しを行うキュリー点書込
みタイプの光磁気記録媒体に関するものである。
効果を利用して記録情報の読出しを行うキュリー点書込
みタイプの光磁気記録媒体に関するものである。
近年、書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果
を利用した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され５一
部では実用化されるに至っている。
を利用した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され５一
部では実用化されるに至っている。
この光磁気記録媒体は大容量高密度記録、非接触記録再
生、アクセスの容易さ等の利点に加え、オーバーライド
（重ね書き）が可能という点で文書情報ファイル、ビデ
オ・静止画ファイル、コンピュータ用メモリ等への利用
が期待されている。光磁気記録媒体を磁気ディスクと同
等もしくはそれ以上の性能を持った記録媒体とするため
には、記録感度が良いこと、再生Ｃハが高いこと、メモ
リ安定性が高いことが必要となってくる。
生、アクセスの容易さ等の利点に加え、オーバーライド
（重ね書き）が可能という点で文書情報ファイル、ビデ
オ・静止画ファイル、コンピュータ用メモリ等への利用
が期待されている。光磁気記録媒体を磁気ディスクと同
等もしくはそれ以上の性能を持った記録媒体とするため
には、記録感度が良いこと、再生Ｃハが高いこと、メモ
リ安定性が高いことが必要となってくる。
このような必要性に鑑みて、光磁気記録媒体の記録層に
用いる磁性膜として、遷移金属（Ｆｅ、Ｃｏ）と希土類
金属（Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｎｄ等）とを組合わせた種々
のアモルファス磁性合金膜が提案されており、その中で
もＴｂＤｙＦｅＣｏとＧｄＤｙＦｅＣｏは記録感度の点
で優れている。
用いる磁性膜として、遷移金属（Ｆｅ、Ｃｏ）と希土類
金属（Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｎｄ等）とを組合わせた種々
のアモルファス磁性合金膜が提案されており、その中で
もＴｂＤｙＦｅＣｏとＧｄＤｙＦｅＣｏは記録感度の点
で優れている。
〜２
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、情報処理の高速化、ハードディスク等の
代替等の見地からすると、再生Ｃハや一軸磁気異方性等
の他の特性を阻害することなく、より一層記録感度が向
上され、しかもジッター値が低くなった光磁気記録媒体
の実現が望まれる。
代替等の見地からすると、再生Ｃハや一軸磁気異方性等
の他の特性を阻害することなく、より一層記録感度が向
上され、しかもジッター値が低くなった光磁気記録媒体
の実現が望まれる。
本発明はこのような従来技術の実情に鑑みてなされたも
ので、他の特性を損なうことなく記録感度を高めること
ができ、かつジッター値の低い光磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
ので、他の特性を損なうことなく記録感度を高めること
ができ、かつジッター値の低い光磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕上記目的を達成
するため、本発明によれば、基板上に干渉層、光磁気記
録層、誘電体層および反射層を順次設けてなる光磁気記
録媒体において、前記光磁気記録層が、 （ａ）希土類金属の組成比が２１〜２４ａｔ％であるＴ
ｂＤｙＦｅＣｏ又はＧｄＤｙＦｅＣｏからなり、（ｂ）
キュリー点が１４０〜１７０℃であり、（ｃ）キュリー
点より５０℃低い温度における保磁力をＨＣ，ｓ １１
とするとき、勾配値Ｈ６ｓ −／ ５０ ／５０〔Ｏｅ
／℃〕が一５０以下である、 ことを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
するため、本発明によれば、基板上に干渉層、光磁気記
録層、誘電体層および反射層を順次設けてなる光磁気記
録媒体において、前記光磁気記録層が、 （ａ）希土類金属の組成比が２１〜２４ａｔ％であるＴ
ｂＤｙＦｅＣｏ又はＧｄＤｙＦｅＣｏからなり、（ｂ）
キュリー点が１４０〜１７０℃であり、（ｃ）キュリー
点より５０℃低い温度における保磁力をＨＣ，ｓ １１
とするとき、勾配値Ｈ６ｓ −／ ５０ ／５０〔Ｏｅ
／℃〕が一５０以下である、 ことを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
以下本発明を図面に基づき詳細に説明する。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の構成例を示す断
面図で、基板ｌ上に干渉層２、光磁気記録層３、誘電体
層４、反射層５及びカバー層６を設けるとともに１反射
側の基板上にバックコート１７を設けた構造を有してい
る。勿論、本発明はこの構成例に限定されるものではな
く、種々の変形、変更が可能である。
面図で、基板ｌ上に干渉層２、光磁気記録層３、誘電体
層４、反射層５及びカバー層６を設けるとともに１反射
側の基板上にバックコート１７を設けた構造を有してい
る。勿論、本発明はこの構成例に限定されるものではな
く、種々の変形、変更が可能である。
基板１には、光透過性に優れ、耐熱性や耐候性、耐薬品
性に優れた材質が好ましい。プラスチックやガラスはこ
の要求を満たしており、プラスチックはトラッキング用
の案内溝やピットが２Ｐ法又は射出成形で簡単にしかも
安価に形成でき、ガラスは密着露光法のドライエツチン
グ等でトラッキング用の溝やビットを形成できる。プラ
スチックを用いる場合、特にポリカーボネートやアモル
ファスのポリオレフィン等の材質が好ましく使用される
。
性に優れた材質が好ましい。プラスチックやガラスはこ
の要求を満たしており、プラスチックはトラッキング用
の案内溝やピットが２Ｐ法又は射出成形で簡単にしかも
安価に形成でき、ガラスは密着露光法のドライエツチン
グ等でトラッキング用の溝やビットを形成できる。プラ
スチックを用いる場合、特にポリカーボネートやアモル
ファスのポリオレフィン等の材質が好ましく使用される
。
基板１上に設ける干渉層２は、光磁気記録層（磁性層）
３を外界の湿気（つまり水分）などによる腐食から防止
するパッシベーション効果と、光磁気記録層３の反射カ
ー回転角を光の多重反射により増大させるエンハンスメ
ント効果を有する。このため、干渉層２としては、屈折
率ｎを大きくでき、しかもパッシベーション効果も十分
であるＳｉＮ、 Ｓｊ、ＺｒＮ等が好ましく使用される
。干渉層２の膜厚は６００〜１２００人が適当である。
３を外界の湿気（つまり水分）などによる腐食から防止
するパッシベーション効果と、光磁気記録層３の反射カ
ー回転角を光の多重反射により増大させるエンハンスメ
ント効果を有する。このため、干渉層２としては、屈折
率ｎを大きくでき、しかもパッシベーション効果も十分
であるＳｉＮ、 Ｓｊ、ＺｒＮ等が好ましく使用される
。干渉層２の膜厚は６００〜１２００人が適当である。
本発明の光磁気記録層３の構成材料としてはＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ又はＧｄＤｙＦｅＣｏを用いるが、下記の条件を
満足する必要がある。
ｅＣｏ又はＧｄＤｙＦｅＣｏを用いるが、下記の条件を
満足する必要がある。
（イ）希土類金属の組成比が２１〜２４ａｔ％であるこ
と。
と。
（ロ）キュリー点が１４０〜１７０℃であること。
（ハ）キュリー点より５０℃低い温度における保磁力を
Ｈ６５゜とするとき、勾配値Ｈ８５゜１５０［Ｏｅ／℃
）が−５０以下であること。
Ｈ６５゜とするとき、勾配値Ｈ８５゜１５０［Ｏｅ／℃
）が−５０以下であること。
上記（イ）に示す希土類金属の範囲は、補償組成に対し
希土類金属が低濃度側にある。希土類金属の組成比が上
記範囲であると、他の条件とあいまって高感度化が図れ
るとともにジッターを小さくすることができ、上記範囲
外になるとこのような利点を得ることができなくなる。
希土類金属が低濃度側にある。希土類金属の組成比が上
記範囲であると、他の条件とあいまって高感度化が図れ
るとともにジッターを小さくすることができ、上記範囲
外になるとこのような利点を得ることができなくなる。
キュリー点は高感度化の点から上記（ロ）の範囲にある
のが好ましく、上記範囲より大きくなると感度が低下し
、高速化が困難となり、上記範囲より小さいと再生パワ
ーのレーザー光で書き込みがなされてしまう。
のが好ましく、上記範囲より大きくなると感度が低下し
、高速化が困難となり、上記範囲より小さいと再生パワ
ーのレーザー光で書き込みがなされてしまう。
また、勾配値Ｈｃｓｏ１５０が一５０以下であることは
保磁カー温度特性曲線での立下り特性が急峻であること
を意味し、記録ビット長を短くすることができるととも
に、記録ビットの尾引きがなくなり形状がシャープとな
る。勾配値が−５０より大きくなると記録ビット長が長
くなるとともに、記録ビットに尾引きが生じ形状のシャ
ープさが失われ、高密度化が困難となる。
保磁カー温度特性曲線での立下り特性が急峻であること
を意味し、記録ビット長を短くすることができるととも
に、記録ビットの尾引きがなくなり形状がシャープとな
る。勾配値が−５０より大きくなると記録ビット長が長
くなるとともに、記録ビットに尾引きが生じ形状のシャ
ープさが失われ、高密度化が困難となる。
第２図に本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録層に用い
られる一例のアモルファス磁性合金（ＴｂＧ １．Ｄｙ
□ｓ 、５Ｆｅｓａ 、３Ｃｏ、 、３）の保磁カー温
度特性を示す。この磁性合金の希土類金属の組成比は２
２．４ａｔ％、キュリー点は１６０℃、Ｈｅ−０１５０
４−５４である。
られる一例のアモルファス磁性合金（ＴｂＧ １．Ｄｙ
□ｓ 、５Ｆｅｓａ 、３Ｃｏ、 、３）の保磁カー温
度特性を示す。この磁性合金の希土類金属の組成比は２
２．４ａｔ％、キュリー点は１６０℃、Ｈｅ−０１５０
４−５４である。
また、第３図に勾配値Ｈ６５ｏ１５０とジッター量との
関係を示す。矢示の範囲は希土類金属（Ｔｂ＋Ｄｙ）の
組成比を２１〜２４ａｔ％、 Ｃｏの組成比を６〜８ａ
ｔ％にした磁性合金のデータである。この図から明らか
なように勾配値Ｈｃ、。１５０を〜５０以下とすること
によりジッターが減少できる。
関係を示す。矢示の範囲は希土類金属（Ｔｂ＋Ｄｙ）の
組成比を２１〜２４ａｔ％、 Ｃｏの組成比を６〜８ａ
ｔ％にした磁性合金のデータである。この図から明らか
なように勾配値Ｈｃ、。１５０を〜５０以下とすること
によりジッターが減少できる。
光磁気記録層３の膜厚は１５０〜４００人程度が適当以
下る。
下る。
誘電体Ｎ４は光磁気記録Ｍ３の腐食劣化を防止するため
に設けられるもので、パッシベーション効果が十分大き
いＳｉＮ、５ｉＺｒＮ等が用いられ、膜厚は２００〜８
００人程度が適当以下る。
に設けられるもので、パッシベーション効果が十分大き
いＳｉＮ、５ｉＺｒＮ等が用いられ、膜厚は２００〜８
００人程度が適当以下る。
反射層５は磁気光学効果のエンハンスメントのために設
けらるもので、ＡＱ、Ｃｒ、 Ｎｉ等の反射率の大きい
材料が用いられ、膜厚は３００〜８００人程度が適当以
下る。
けらるもので、ＡＱ、Ｃｒ、 Ｎｉ等の反射率の大きい
材料が用いられ、膜厚は３００〜８００人程度が適当以
下る。
カバー層６は反射層５以下の層の酸化腐食の防止と損傷
防止のために設けられるもので、紫外線硬化型樹脂、熱
可塑性樹脂、ホットメルトレジン等が用いられ、膜厚は
１〜１００声程度が適当である。
防止のために設けられるもので、紫外線硬化型樹脂、熱
可塑性樹脂、ホットメルトレジン等が用いられ、膜厚は
１〜１００声程度が適当である。
バックコート層７は帯電防止のために設けられるもので
、アクリル系紫外線硬化樹脂、エポキシ系紫外線硬化樹
脂、ＩＴＯ等が用いられ、膜厚は１〜５趨程度が適当で
ある。
、アクリル系紫外線硬化樹脂、エポキシ系紫外線硬化樹
脂、ＩＴＯ等が用いられ、膜厚は１〜５趨程度が適当で
ある。
次に本発明の実施例について述べる。
ポリカーボネート基板又はガラス基板上にＳｉＮからな
る干渉層（膜厚９００〜１０００人）、表−１に示す組
成からなる光磁気記録Ｍ（膜厚２００〜３００人）、Ｓ
ｉＮからなる誘電体層（膜厚１００〜４００人）、ＡＱ
からなる反射層（膜厚３００〜６００人）、紫外線硬化
樹脂（商品名５Ｄ３０１：大日本インキ社製）からなる
カバー層（膜厚４μｍ）を形成するとともに、基板反対
側にエポキシ系紫外線硬化樹脂からなるバックコート層
（膜厚５ｐｍ）を設け、本発明の光磁気ディスクとした
。バックコート層とカバー層はスピナーにて成膜し、そ
れ以外の膜はスパッタにより成膜した。これら光磁気デ
ィスクの光磁気記録層のキュリー点及び勾配値■。５０
１５０は表−１に示される通りであった。
る干渉層（膜厚９００〜１０００人）、表−１に示す組
成からなる光磁気記録Ｍ（膜厚２００〜３００人）、Ｓ
ｉＮからなる誘電体層（膜厚１００〜４００人）、ＡＱ
からなる反射層（膜厚３００〜６００人）、紫外線硬化
樹脂（商品名５Ｄ３０１：大日本インキ社製）からなる
カバー層（膜厚４μｍ）を形成するとともに、基板反対
側にエポキシ系紫外線硬化樹脂からなるバックコート層
（膜厚５ｐｍ）を設け、本発明の光磁気ディスクとした
。バックコート層とカバー層はスピナーにて成膜し、そ
れ以外の膜はスパッタにより成膜した。これら光磁気デ
ィスクの光磁気記録層のキュリー点及び勾配値■。５０
１５０は表−１に示される通りであった。
上記で作製した各光磁気ディスクの特性を下記の記録再
生条件で評価した。
生条件で評価した。
記録レーザーパワー：１０ｍＷ以下（λ＝７７０〜８５
０ｎｍ）ディスク回転数： ３６００ｒｐｍ 線速：２２．６ｍ／秒 記録周波数のデユーティ：３０〜５０％その評価結果を
表−１に併せて示す。表−１から明らかなように、本発
明の光磁気ディスクは、ディスク回転数３６００ｒｐ１
１、線速２２．６ｍ／秒の高速記録が可能で、再生Ｃ／
Ｎ５２ｄＢ以上、ジッター３ｎｓｅｃ以下の良好な特性
を得ることができた。
０ｎｍ）ディスク回転数： ３６００ｒｐｍ 線速：２２．６ｍ／秒 記録周波数のデユーティ：３０〜５０％その評価結果を
表−１に併せて示す。表−１から明らかなように、本発
明の光磁気ディスクは、ディスク回転数３６００ｒｐ１
１、線速２２．６ｍ／秒の高速記録が可能で、再生Ｃ／
Ｎ５２ｄＢ以上、ジッター３ｎｓｅｃ以下の良好な特性
を得ることができた。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、光磁気記
録層を前記のように構成したので、再生Ｃ／Ｎ等の他の
特性を損なうことなく記録感度を向上させることができ
、しかもジッターを小さくすることができるため、より
一層の記録の高速化、高密度化が可能となる。
録層を前記のように構成したので、再生Ｃ／Ｎ等の他の
特性を損なうことなく記録感度を向上させることができ
、しかもジッターを小さくすることができるため、より
一層の記録の高速化、高密度化が可能となる。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の一構成例を示す
断面図、第２図は本発明に用いられる一例の磁性合金の
保磁カー温度特性を示す図、第３図は勾配値ｋｇ。１５
０とジッターとの関係を示す図である。 １・・・基板 ２・・・干渉層 ３・・・光磁気記録層 ４・・・誘電体層 ５・・・反射層 ６・・・カバー層 ７・・・バックコート層 １ｌ− ００）））りＨ
断面図、第２図は本発明に用いられる一例の磁性合金の
保磁カー温度特性を示す図、第３図は勾配値ｋｇ。１５
０とジッターとの関係を示す図である。 １・・・基板 ２・・・干渉層 ３・・・光磁気記録層 ４・・・誘電体層 ５・・・反射層 ６・・・カバー層 ７・・・バックコート層 １ｌ− ００）））りＨ
Claims (1)
- （１）基板上に干渉層、光磁気記録層、誘電体層および
反射層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、 前記光磁気記録層が、 （ａ）希土類金属の組成比が２１〜２４ａｔ％であるＴ
ｂＤｙＦｅＣｏ又はＧｄＤｙＦｅＣｏからなり、（ｂ）
キュリー点が１４０〜１７０℃であり、（ｃ）キュリー
点より５０℃低い温度における保磁力をＨ＿Ｃ＿５＿０
とするとき、勾配値Ｈ＿Ｃ＿５＿０／５０〔Ｏｅ／℃〕
が−５０以下である、 ことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15782590A JPH0449545A (ja) | 1990-06-16 | 1990-06-16 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15782590A JPH0449545A (ja) | 1990-06-16 | 1990-06-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0449545A true JPH0449545A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15658142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15782590A Pending JPH0449545A (ja) | 1990-06-16 | 1990-06-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0449545A (ja) |
-
1990
- 1990-06-16 JP JP15782590A patent/JPH0449545A/ja active Pending
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