JPH0448872B2 - - Google Patents

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JPH0448872B2
JPH0448872B2 JP60254837A JP25483785A JPH0448872B2 JP H0448872 B2 JPH0448872 B2 JP H0448872B2 JP 60254837 A JP60254837 A JP 60254837A JP 25483785 A JP25483785 A JP 25483785A JP H0448872 B2 JPH0448872 B2 JP H0448872B2
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JP
Japan
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film
plasma
chamber
reaction chamber
plasma generation
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JP60254837A
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Kenji Ando
Osamu Kamya
Masao Sugata
Noriko Kurihara
Hiroyuki Sugata
Tooru Den
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Canon Inc
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、マイクロ波によるプラズマを利用し
て薄膜を形成する成膜装置に関する。
[従来の技術] 従来、プラズマ生成室と成膜室を開口部を介し
て連通させ、プラズマ生成室にマイクロ波導入窓
を介してマイクロ波を導入し、電子サイクロトロ
ン共鳴を利用してプラズマを生成させ、このプラ
ズマを磁界を利用して成膜室へ送り出し、これに
成膜ガスを接触させて基体上に成膜する装置が知
られている。(特開昭56−155535号)。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、上記従来の成膜装置では、プラ
ズマ生成室から成膜室へのプラズマの送り出しが
さほど迅速なものではなく、送り出し途中でプラ
ズマの活性が低下しやすい問題がある。また、プ
ラズマの流れがさほど速くないので、成膜室内に
供給された成膜ガスがプラズマ生成室へと逆流
し、マイクロ波導入窓に膜が付着しやすく、長時
間の連続運転がしにくい問題もある。
[問題点を解決するための手段] 上記問題点を解決するために講じられた手段
を、本発明の一実施例に対応する第1図及び第2
図で説明すると、マイクロ波透過窓2を備へ、非
成膜ガス源8接続してなるプラズマ生成室3と、
基体4を内部に有し、成膜ガス源9を接続してな
る反応室5とを、プラズマ生成室3で形成された
プラズマを反応室5に噴出せしめる縮小拡大ノズ
ル7を介して連通させた成膜装置とすることであ
る。
本発明において縮小拡大ノズル7とは、流入口
7aから中間部に向つて徐々に開口面積が絞られ
てのど部1bとなり、こののど部1bから流出口
1cに向つて徐々に開口面積が拡大されているノ
ズルをいう。また、非成膜ガスとは、それのみで
は膜形成能を生じないガスをいう。成膜ガスと
は、エネルギーの付与によつて膜形成能を生じる
ガス及び当該ガスと非成膜ガスの混合ガスをい
う。
[作用] 反応室5内を排気しながら、プラズマ生成室3
には非成膜ガスを供給し、反応室5には成膜ガス
を供給して、プラズマ生成室3内の圧力P0を成
膜室5内の圧力Pより大きく保つと、非成膜ガス
が縮小拡大ノズル7を介して成膜室5への流入す
る。
縮小拡大ノズル7は、上流側であるプラズマ生
成室3の圧力P0と下流側である反応室5の圧力
Pの圧力比P/P0と、のど部7bの開口面積A*
と流出口7cの開口面積Aとの比A/A*とを調
節することによつて、噴出する非成膜ガスの流れ
を高速化できる。そして、プラズマ生成室3と反
応室5内の圧力比P/P0が臨界圧力比より大き
ければ、縮小拡大ノズル7の出口流速が亜音速以
下の流れとなり、非成膜ガスは減速噴出される。
また、上記圧力比が臨界圧力比以下であれば、縮
小拡大ノズル7の出口流速は超音高速流となり、
非成膜ガスを超音速にて噴出させることができ
る。
ここで、流れの速度をu、その点における音速
をa、流れの比熱比をγとし、流れを圧縮性の一
次元流で断熱膨張すると仮定すれば、流れの到達
マツハ数Mは、プラズマ生成室3の圧力P0と反
応室5の圧力Pとから次式で定まり、特にP/
P0が臨界圧力比以下の場合、Mは1以上となる。
尚、音速aは局所温度をT、気体定数をRとす
ると、次式で求めることができる。
a=√ また、流出口7cの開口面積A及びのど部7b
の開口面積A*とマツハ数Mには次の関係がある。
従つて、プラズマ生成室3の圧力P0と反応室
5の圧力Pの圧力比P/P0によつて(1)式から定
まるマツハ数Mに応じて開口面積比A/A*を定
めたり、A/A*によつて(2)式から定まるMに応
じてP/P0を調整することによつて、拡大縮小
ノズル7から噴出する流れの流速を調整できる。
このときの流れの速度uは、次の(3)式によつて求
めることができる。
u=M√(1+γ−1/2M2)−1/2…… (3) 一方、プラズマ生成室3のマイクロ波透過窓2
は、当該窓2からマイクロ波を投入することによ
つて、プラズマ生成室3内に供給された非成膜ガ
スをプラズマ化するためのもので、これによつて
形成されたプラズマが縮小拡大ノズル7から噴出
されることになる。
縮小拡大ノズル7は、プラズマ生成室3で形成
されたプラズマを反応室5に噴出させるものであ
るが、前述した理論に従つて、プラズマを高速で
噴出させる働きをなす。
この高速の流れとしてのプラズマの噴出は、反
応室5内に供給される成膜ガスの逆流を防止し、
マイクロ波透過窓2への成膜ガスの接触を阻止す
る働きをなす。また、反応室5へと噴出されたプ
ラズマは、その活性状態によつて反応室5内の反
応ガスを活性化し、基体4面への成膜を発生させ
るものであり、上記高速の流れとして迅速に反応
室5へと送り込まれるので、良好な活性状態のま
ま成膜に利用されることになる。
[実施例] 第1図に示されるように、反応容器1は、マイ
クロ波透過窓2側のプラズマ生成室3と、基体4
側の反応室5に仕切壁6によつて分けられてい
る。
プラズマ生成室3には、バルブ10aを介して
非成膜ガス源8が連結されている。また、マイク
ロ波透過窓2の外側には、導波管14が接続され
ている。
反応室5には、バルブ10bを介して成膜ガス
源9が連結されている。縮小拡大ノズル7と向き
合つて位置する基体4の上方には、環状の供給環
11が設けられており、この供給環11の内周に
形成された孔より成膜ガス源9からの成膜ガスが
反応室5内へ供給されるようになつている。ま
た、反応室5内は、排気管12を介して排気され
るものである。
非成膜ガスとしては、例えばH2、N2、He等が
使用される。成膜ガスとしては、例えばジシラン
ガス等があり、成膜すべき膜の種類に応じて選択
される。成膜ガスとしては、例えばドーピング等
の目的のために、非成膜ガスを混合したものを用
いることもある。この場合、上記成膜ガス中に混
合される非成膜ガスを、プラズマ生成室3に導入
するものと同種のものとしておくことにより、不
純物を含まない高品質の堆積膜を基体4上に形成
することができる。
縮小拡大ノズル7としては、第2図に示される
ように、流入口7aから徐々に開口面積が絞られ
てのど部7bとなり、再び徐々に開口面積が拡大
して流出口7cとなつているものであれば、その
開口断面形状は、円形、矩形、その他の形状であ
つてもよい。また、縮小拡大ノズル7の材質とし
ては、例えば鉄、ステンレススチールその他の金
属の他、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリエ
チレン、ポリスチレン、ポリプロピレン等の合成
樹脂、セラミツク材料、石英、ガラス等、広き用
いることができる。
本発明の装置にあつては、従来のものと同様に
減圧下おいても、また常圧下、あるいは加圧下に
おいても成膜を行うことができるが、プラズマ生
成室3の圧力P0および反応室5の圧力Pは、膜
形成能のある反応室5内の成膜ガスがプラズマ生
成室3内に混入して、マイクロ波透過窓2に膜が
付着してしまうのを防止する目的で、両室3,5
の圧力P0、PにP0−P>0の差圧が生じるよう
に保持される。特にP/P0が臨界圧力比以下の
値となるよう保持することが好ましい。
このような圧力関係に保持するには、非成膜ガ
スと成膜ガスの圧力を所要のP0>Pとして両室
3,5に導入するのが最も簡単な方法であるが、
導入ガス量や排気ガス量などのガス条件、あるい
は縮小拡大ノズル7ののど部7bの断面積を適宜
選択することによつても所望の圧力関係を生じさ
せることができる。
上記のように、プラズマ生成室3と反応室5の
圧力P0、PがP0>Pで、特にP/P0が臨界圧力
比以下となると、非成膜ガスが縮小拡大ノズル7
から高速で噴出し、成膜ガスのプラズマ生成室3
への逆流が阻止される。一方、反応室5内の成膜
ガスには、縮小拡大ノズル7を介してマイクロ波
によつてプラズマ化された非成膜ガスが接触さ
れ、基体4上に成膜される。尚、プラズマ生成室
3内に十分なプラズマを形成するためには、プラ
ズマ生成室3内が電子サイクロトロン共鳴条件
(ECR条件)を満すようにしおくことが好まし
い。
実施例 1 第1図に示されるような成膜装置を用いてa−
Si:H膜を作成した。
プラズマ生成室3は、ECR条件を満す100φ×
87mmの円筒形空洞共振器構造とした。縮小拡大ノ
ズル7は、のど部7bの径を4.5mmφ、のど部7
bと流出口7cの断面積比を7.0とした。
反応室5内を排気しながら、プラズマ生成室3
内にH2ガス10SCCMの流量で供給し、プラズマ
生成室3内の圧力を0.03Torr、反応室5内の圧
力を3.8×10-4Torrとした。
そこでマイクロ波をプラズマ生成室3内に
200W投入したところ、プラズマが縮小拡大ノズ
ル7から反応室5内へ噴き出すことが確認され
た。
次いで、1mmφの孔を12個有する内径60mmφの
供給環11からSi2H6ガスを1SCCMの流量で供
給したところ、0.6Å/secの堆積速度で基体4上
に良質のa−Si:H膜が生成された。また、30分
以上の成膜を15回繰り返してもマイクロ波透過窓
2(石英製)のくもりは確認されず、長時間安定
して成膜を行なうことができた。
尚、基体4としては清浄なガラス板を使用し、
この基体4と縮小拡大ノズル7ののど部7bの間
隔は120mm、基体4と供給環11の間隔は45mmと
した。
実施例 2 第3図に示されるような成膜装置を用いてa−
Si:H膜を作成した。
レンズ系13として、縮小拡大ノズル7ののど
部7b(最小径部)に焦点をもつような2枚の石
英製シリンドリカルレンズを使用し、ArFの193n
mのエキシマレーザー光を100Hzで投入した以外
は実施例1と同様にして成膜を行つたところ、
2.0Å/secの堆積速度で基体4上に良質のa−
Si:H膜が生成された。また、30分以上の成膜を
10回以上繰り返してもマイクロ波透過窓2と光透
過窓2′(スプラジル製)共に全くくもりが認め
られず、長時間安定して成膜を行うことができ
た。
比較例 第1図の成膜装置において、縮小拡大ノズル7
を用いずに、仕切板6に4.5mmφの穴をあけただ
けとした以外は実施例1と同様にしてa−Si:H
膜を作成したところ、堆積速度は0.15Å/secと
なり、30分の成膜でマイクロ波透過窓2の両端に
くもりが確認された。また、マイクロ波透過窓2
のクリーニングを行わずに同様な成膜を行つたと
ころ、堆積速度は0.09Å/secに低下し、堆積速
度の再現性が得られなかつた。
以上のことから、仕切板6に単なる穴を設けた
だけではマイクロ波透過窓2のくもりを防止でき
ないため、膜の堆積速度が漸次低下し、長時間安
定して成膜を行うことができないことがわかつ
た。
成膜ガスは、供給環11を介さず、直接導入し
てもよいが、供給環11を設けると、確実にプラ
ズマを接触させることができ、かつ直に基体4へ
と吹き付けられるので、拡散による無駄が少なく
なり好ましい。
本実施例では、反応容器1を仕切壁6で二室に
仕切つてプラズマ生成室3と反応室5にしている
が、各室3,5を各々箱型に形成し、これを縮小
拡大ノズル7で連通させるようにしてもよい。
第3図は他の実施例を示すもので、反応容器1
内には、マイクロ波透過窓2を介して導波管14
からマイクロ波が導入されると共に、光透過窓
2′を介して高エネルギー光が照射されるもので、
その光路に沿つて、仕切壁6には縮小拡大ノズル
7が設けられている。また、前記供給環11及び
基体4もこの光路に沿つて位置しているものであ
る。
高エネルギー光としては、例えば水銀ランプ、
キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイ
オンレーザー、窒素レーザー、エキシマレーザー
等の任意の発生源から発生される各種波長の高エ
ネルギー光を用いることができる。この高エネル
ギー光は、レンズ系13を通じて照射されるよう
になつており、縮小拡大ノズル7はこのレンズ系
13焦点位置近傍に位置している。
このようにすると、反応室5内の成膜ガスに縮
小拡大ノズル7を介して高エネルギー光を照射で
き、プラズマと高エネルギー光の両者によつて成
膜を行うことができる。また、光透過窓2′及び
マイクロ波透過窓2への膜の付着を同時に防止で
きる。
このとき、レンズ系13を通じて高エネルギー
光を照射し、かつこのレンズ系13の焦点位置付
近に縮小拡大ノズル7を位置させておくと、反応
室5内の広範囲に高エネルギー光を照射できるの
で好ましい。特に、レンズ系13の焦点を縮小拡
大ノズル7ののど部7bの部分に位置させ、かつ
第2図に示される縮小拡大ノズル7の広がり角α
を、高エネルギー光を遮らない角度にしておくこ
とが好ましい。
[発明の効果] 本発明によれば、迅速なプラズマの送り出しに
よる活性状態の良好なプラズマの成膜への利用
と、プラズマ生成室3への成膜ガスの逆流防止に
よるマイクロ波導入窓2への膜付着防止とによ
り、迅速な成膜と長時間の連続運転が可能となる
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の説明図、第2図は
縮小拡大ノズルの断面図、第3図は他の実施例の
説明図である。 1:反応容器、2:マイクロ波透過窓、2′:
光透過窓、3:プラズマ生成室、4:基体、5:
反応室、6:仕切壁、7:縮小拡大ノズル、8:
非成膜ガス源、9:成膜ガス源、10a,10
b:バルブ、11:供給環、12:排気管、1
3:レンズ系、14:導波管。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 マイクロ波透過窓を備え、非成膜ガス源を接
    続してなるプラズマ生成室と、基体を内部に有
    し、成膜ガス源を接続してなる反応室とを、プラ
    ズマ生成室で形成されたプラズマを反応室に噴出
    せしめる縮小拡大ノズルを介して連通させたこと
    を特徴とする成膜装置。
JP25483785A 1985-11-15 1985-11-15 成膜装置 Granted JPS62116774A (ja)

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JP25483785A JPS62116774A (ja) 1985-11-15 1985-11-15 成膜装置

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JPS62116774A JPS62116774A (ja) 1987-05-28
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JP2538259B2 (ja) * 1987-06-19 1996-09-25 日本電信電話株式会社 プラズマ装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56155535A (en) * 1980-05-02 1981-12-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Film forming device utilizing plasma

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JPS56155535A (en) * 1980-05-02 1981-12-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Film forming device utilizing plasma

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