JPH0448795A - レーザハンダ付け装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ＩＣ部品を回路基板上に装着し、レーザ光に
よってＩＣ部品のリードを回路基板上の電極に接合する
レーザハンダ付け装置に関するものである。

従来の技術 近年、ＩＣ部品のリードを回路基板上の電極にハンダ付
けする一つの方法として、レーザ光を熱源としてハンダ
付けするレーザハンダ付け装置が用いられている。

以下、従来のレーザハンダ付け装置について第３図に基
づき説明する。

２０はレーザ発振器で、レーザ発生手段であり、２Ｉは
レーザ光導光路で、レーザ発振器２０より発生したレー
ザ光を導くことがてき、２２はレーザ光を示す、２３は
レーザ光の集光レンズであり、２４はレーザ照射部であ
る。２５はＩＣ部品であり、２６はＩＣ部品２５のリー
ドで、回路基板２７の電極２８上に印刷されたクリーム
ハンダ２９上に配置されている。

上記のような構成で、レーザ発振器２０から発振された
レーザ光は、レーザ光導光路２１を通って、集光レンズ
２３で集光され、ＩＣ部品２５のリード２６上に照射さ
れる。レーザ光２２はたとえば走査速度１０ａ＋ｍ／ｓ
で走査され、ＩＣ部品２５のリード２６と電極２８間の
クリームハンダ２９を溶融し、リード２６と電極２８の
ハンダ付け接合を行なう。

発明が解決しようとする課題 しかし、上記のような構成では、ハンダを溶融する際に
ハンダ中に含まれるフラックスや溶剤が、レーザ光が照
射されることにより急加熱され急激な沸騰をおこして、
ハンダボール等の不良が発生するという問題点を有して
いた。

本発明の目的は上記の問題点を解決し、レーザ光による
急加熱によりハンダボールの不良の発生を防止するレー
ザハンダ付け装置を提供しようとするものである。

課題を解決するための手段 本発明は上記目を達成するため、レーザ発生手段と、前
記レーザ発生手段から発生されるレーザ光をＩＣ部品の
リードに照射するためのレーザ照射部とを備えたレーザ
ハンダ付け装置において、前記リードを回路基板の電極
上に配置したハンダに対してあらかじめ若しくは同時に
真空乾燥できる真空乾燥室を設けたレーザハンダ付け装
置とした。

作用 本発明は上記のようにＩＣ部品のリードを基板の電極に
レーザ光によってハンダ付けする以前若しくは同時に基
板を真空乾燥室に入れてハンダ中の溶剤を蒸発させるよ
うにしたため、ハンダ付け時にリードの急加熱によるハ
ンダボールの発生がなくなった。

実施例 以下、本発明の第１の実施例のレーザハンダ付け装置に
ついて図面を参照しながら説明する。

第１図において、１は真空乾燥室で、Ｏリングを介して
基板入口扉２と基板出口扉３と真空排気口４（真空排気
系は図示せず）を有する。５は大気導入口で真空乾燥室
ｌを真空から大気に戻すためのものである。６はクリー
ムハンダを印刷した基板で、レーザハンダ付けするため
のＩＣ部品７を搭載している。８は基板を搬送するため
の搬送チェーンであり、９はレーザ照射部で、レーザ発
生手段から発光されるレーザ光、たとえば波長が１．０
６μｍのＹＡＧし〜ザ等を照射することができるように
なっている。

上記構成において、レーザハンダ付け装置について、Ｉ
Ｃ部品を実装する場合について説明する。

ＩＣ部品７を搭載した基板６は基板入口扉２を開は搬送
チェーン８によって真空乾燥室１に導入される。導入さ
れた基板６は一定位置で停止し、真空排気口４から約５
０　Ｔｏｒｒまで真空引きを行ない、１分程度基板６を
真空乾燥させる。

基板が真空乾燥された後、大気導入口５から空気を供給
し大気圧に戻す、その後基板出口扉３をあけ、搬送チェ
ーンによって基板６を搬出する。

再度基板６を停止し、ＩＣ部品７のリード部にレーザ照
射部９からのレーザ光を照射しハンダ付けを行なう。

上記のように本実施例によれば、レーザ光でＩＣ部品７
のリードを基板６のランドにクリームハンダを介して接
合する際、前もって真空乾燥室ｌで真空乾燥して、ある
程度クリームハンダの溶剤を蒸発させることにより、溶
剤の急加熱によるハンダボールの発生を防止し、高品質
なハンダ付けを行なうことができる。

次に本発明の第２の実施例のレーザハンダ付け装置につ
いて第２図を参照しながら説明する。

ｌＯは真空乾燥室で、Ｏリングを介して基板入口５ｊｌ
ｌと基板出口５ｊ１２と真空排気口１３を有する。１４
は搬送チェーンで基板１５を搬出・搬入するためのもの
である。基板！５は印刷されたクリームハンダ上にＩＣ
部品！６を搭載している。　＋７はレーザ照射部で、レ
ーザ発生手段から発光されるレーザ光。

たとえば波長が１．０６μｍのＹＡＧレーザ等を石英ガ
ラスプレート１８を通してＩＣ部品１６のリード上に照
射することができるようになっている。

１９は大気導入口で真空乾燥室１０を大気圧に戻すため
の管である。

上記のように構成されたレーザハンダ付け装置について
、ＩＣ部品を実装する場合、先ずＩＣ部品！６を搭載し
た基板１５は基板導入扉ＩＩを開は真空乾燥室ＩＯに導
入される。導入された基板Ｉ５は搬送チェーン１４によ
って搬送され一定位置で停止する０次に真空乾燥室１０
は真空排気口１３から約５０ＴＯ「「まで真空引きされ
る。真空に引かれた時点でレーザ照射部Ｉ７からのレー
ザ光をＩＣ部品１６のす−ド上に石英ガラスプレート１
８を通して照射しハンダ付けを行なう。ＩＣ部品Ｉ６の
ハンダ付け後、真空乾燥室ＩＯに大気導入口Ｉ９がら空
気を導入し大気圧に戻す。基板出口扉１２を開け、搬送
チェーン１４によって基板１５を搬出する。

上記のように第２の実施例によれば、レーザ光でＩＣ部
品１６のリードを基板１５のランドにクリームハンダを
介して接合する際に、基板Ｉ５を真空乾燥室ＩＯ内で真
空引きすることにより、クリームハンダの溶剤をある程
度蒸発させることができる。

そのためレーザ光で溶剤が急加熱されてもハンダボール
が発生するまでには至らず、高品質なハンダ付けを行な
うことができる。

尚、第２の実施例においては、真空乾燥室ＩＯ内にレー
ザ光を照射するため石英ガラスプレートを用いたが、そ
の他の材質として波長１．０６μｍのＹＡＧレーザ等の
レーザ光を透過する物質であればよい。

発明の効果 上記のように本発明は、レーザ発生手段と、前記レーザ
発生手段から発生されるレーザ光をハンダとＩＣ部品の
リードに照射するためのレーザ照射部を有したレーザハ
ンダ付け装置において、基板の電極上に配置したハンダ
を真空中で真空乾燥した後にレーザ光によって前記リー
ドを基板の電極上のハンダと溶融接合するか、あるいは
真空乾燥しなからレーザ光によって前記リードを溶融接
合することができる真空乾燥室を設けた。従って、クリ
ームハンダの溶剤をある程度蒸発させることができ、レ
ーザ光でクリームハンダを溶融した時溶剤が急加熱され
ても急沸する量が少ないためハンダボールが発生するに
は至らず、高品質なハンダ付けを行なうことができるよ
うになった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例におけるレーザハンダ付
け装置の概略図、第２図は本発明の第２の実施例におけ
るレーザハンダ付け装置の概略図、第３図は従来のレー
ザハンダ付け装置の概略図である。 １．１０−・・真空乾燥室 ７．１６・・・ｒｃ部品 ６．１５・・・基板 ９．１７−・・レーザ照射部 １：真空乾燥室 ６：基板 ７：ＩＣ部品

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　レーザ発生手段と、前記レーザ発生手段から発生され
   るレーザ光をＩＣ部品のリードに照射するためのレーザ
   照射部とを備えたレーザハンダ付け装置において、前記
   リードを回路基板の電極上に配置したハンダに対してあ
   らかじめ若しくは同時に真空乾燥できる真空乾燥室を設
   けたことを特徴とするレーザハンダ付け装置。